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SOI LDMOS晶体管耐压结构的研究 被引量：4

Research of Breakdown Structure in SOI LDMOS Transistors
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摘要 SOI 技术已经成功的应用到功率集成电路中,而击穿电压是功率器件一个重要的参数。本文对SOI　LDMOS 的击穿电压进行了分析,介绍了目前国内外几种典型的提高击穿电压的结构,较为详细的分析了RESURF 原理的应用。 Silicon on insulator(SOI) technology is successfully entering the power IC. Break- down voltage is a very important parameter of power devices.In this paper,the breakdown voltage of LDMOS is explained,and several typical breakdown structures are introduced.The application of RESURF principal is discussed in details.
作者 吴秀龙 陈军宁 孟坚 高珊 柯导明
机构地区 安徽大学电子科学与技术学院
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期27-31,共5页 Semiconductor Technology
基金 国家863计划资助项目(2003AA1Z1400)
关键词 击穿电压 SOI LDMOS 功率器件 breakdown voltage SOI LDMOS power devices
分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献10

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引证文献4

二级引证文献5

半导体技术
2005年 第3期

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