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利用附加电感实现高频功率MOSFET谐振栅极驱动 被引量:3

Implement of Resonant Gate Drive for High Frequency Power MOSFET with Additional Inductor
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摘要 通过在功率MOSFET栅极驱动回路增加附加电感,利用栅极电容与附加电感的能量交换实现谐振栅极驱 动,从而降低驱动功率损耗。保证该电路可以在高频情况下正常运行。实验验证了该方法的正确性与实用性。 A resonant gate drive circuit is introduced in this paper. In this circuit, an additional inductor is connected to the gate of power MOSFET. Hence, the energy between the gate capacitance and the additional inductor can be exchanged, the driving power dissipation can decrease. All those enable the circuit to operate well in high frequency. Through experiments, it proves that the circuit is correct and practical.
作者 沈刚 王华民
机构地区 西安理工大学
出处 《电气传动》 北大核心 2005年第1期28-30,共3页 Electric Drive
关键词 栅极驱动 功率MOSFET 电感 谐振 高频功率 损耗 电路 电容 回路 正确性 power MOSFET additional inductor power dissipation high frequency
  • 相关文献

参考文献2

  • 1Ian D de Vries. A Resonant Power MOSFET/IGBT Gate Driver. IEEE 2002,0-7803- 7404-5. 被引量:1
  • 2Boris S Jacobson. High Frequency Resonant Gate Drive for a Power MOSFET. United States Patent, 1993,US5264736. 被引量:1

同被引文献8

引证文献3

二级引证文献11

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