Transphorm GaN HEMT新一代功率器件的介绍

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摘要传统硅材料在开关电源系统上已经发展了几十年,就目前来讲硅材料的发展空间很有限了,GaN材料在LED以及RF上面被世人了解,不过目前已经发展进入了功率器件的应用领域因为GaN适合高频高压的场合。作为下一代功率器件,GaN HEMT已经做好了替代Si MOSFET的一切准备,其强劲的性能主要表现在超好的技术参数RDSON、QG。

作者孙国伟

出处《世界电子元器件》 2015年第9期37-37,共1页 Global Electronics China

关键词开关电源系统应用领域技术参数导通损耗高开关频率开关速度十年氮化镓硬开关驱动回路

分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]

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世界电子元器件

2015年第9期

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