立方相ZnMgO的电学特性
Electrical Characteristics of Cubic ZnMgO
摘要
在半导体硅衬底上沉积C-ZnMgO纳米薄膜,并做成金属-绝缘体-半导体(MIS)结构.通过测试MIS结构的C-V曲线,计算得到C-ZnMgO材料的介电常数为10.5±0.5,并获得了介电常数的频率响应:在1～8MHz的频率范围内,介电常数由10.5降到6.4.通过测试MIS结构的I-V特性曲线,对漏电流产生原因进行了讨论与分析.
基金
国家自然科学基金(批准号
60676003)和浙江省自然科学基金(批准号:2406092)资助项目
参考文献9
-
1[1]Wager J F.Transparent electronics.Science,2003,300(5623):1245 被引量：1
-
2[2]Masuda S,Kitamura K,Okumura Y,et al.Transparent thin film transistors using ZnO as an active channel layer and their electrical properties.J Appl Phys,2003,93(3):1624 被引量：1
-
3[3]Hoffman R L.ZnO-channel thin-film transistors:channel mobility.J Appl Phys,2004,95(10):5813 被引量：1
-
4[4]Xie R,Sekiguchi T,Ishigaki T,et al.Enhancement and patterning of ultraviolet emission in ZnO with an electron beam.Appl Phys Letts,2006,88(13):134103 被引量：1
-
5[5]Ohtomo A,Kawasaki M,Koida T,et al.MgxZn1-xO as a Ⅱ-Ⅵ widegap semiconductor alloy.Appl Phys Lett,1998,72(19):2466 被引量：1
-
6[6]Chen J,Shen W Z,Chen N B,et al.The study of composition non-uniformity in ternary MgxZn1-xO thin films.J Phys:Condens Matter,2003,15(30):L475 被引量：1
-
7[7]Choopun S,Vispute R D,Yang W,et al.Realization of band gap above 5.0eV in metastable cubic-phase MgxZn1-xO alloy films.Appl Phys Lett,2002,80(9):1529 被引量：1
-
8[8]Narayan J,Sharma A K,Kvit A,et al.Novel cubic MgxZn1-xO epitaxial heterostructures on Si(100)substrates.Solid State Commun,2002,121(1):9 被引量：1
-
9[9]Qiu D J,Wu H Z,Chen N B,et al.Characterizations of cubic ZnMgO films grown on Si(111)at low substrate temperature.Chin Phys Lett,2003,20(4):582 被引量：1
-
1张俊,王毓德,周桢来,吴兴惠.SnO_2-In_2O_3-Fe_2O_3气敏特性研究[J].云南大学学报（自然科学版）,1998,20(S1):88-90. 被引量：1
-
2任春江,陈堂胜,焦刚,钟世昌,薛舫时,陈辰.磁控溅射AlN介质MIS栅结构的AlGaN/GaN HEMT[J].固体电子学研究与进展,2009,29(3):330-333.
-
3刘坤,褚君浩,陈诗伟,赵军,汤定元.金属-绝缘体-半导体器件红外探测机理研究[J].物理学报,1995,44(7):1137-1140.
-
4洪根深,吴建伟,高向东,王栩.用于可编程器件的MTM反熔丝特性研究[J].电子与封装,2013,13(11):33-35. 被引量：2
-
5王茂祥,俞建华,孙承休,吴宗汉.金属-绝缘体半导体(Au-SiO_2-Si)隧道结的负阻现象与发光特性[J].物理学报,2000,49(6):1159-1162. 被引量：1
-
6王晓光,林殷茵,汤庭鳌.Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)薄膜的化学溶液淀积方法制备及表征[J].半导体技术,2004,29(3):49-53.
-
7杨智超.高k栅介质材料的研究进展[J].赤峰学院学报（自然科学版）,2008,24(4):1-9. 被引量：2
-
8屠海令,杜军.高介电常数栅介质的性能及与硅衬底间的界面稳定性[J].稀有金属,2007,31(3):265-278. 被引量：6
-
9赵建勋.切向的近本征硅单晶的普克尔斯效应研究[J].河南科技,2015,34(8):127-129.
-
10徐韵,李云鹏,金璐,马向阳,杨德仁.脉冲激光沉积法制备的ZnO薄膜的低阈值电抽运紫外随机激射[J].物理学报,2013,62(8):187-192. 被引量：3
