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硅晶片双面超精密化学机械抛光 被引量:1

Double Side Fine CMP of Silicon Wafer
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摘要 为提高硅晶片双面超精密抛光的抛光速率,在分析双抛工艺过程基础上,采用自制大粒径二氧化硅胶体磨料配制了SIMIT8030-Ⅰ型新型纳米抛光液,在双垫双抛机台上进行抛光实验.抛光液、抛光前后厚度、平坦性能及粗糙度通过SEM、ADE-9520型晶片表面测试仪、AFM进行了表征.结果表明:与进口抛光液Nalco2350相比,SIMIT8030-Ⅰ型抛光液不仅提高抛光速率40%(14μm/h vs 10μm/h);而且表面平坦性TTV和TIR得到改善;表面粗糙度由0.4728nm降至0.2874nm,即提高抛光速率同时显著改善了抛光表面平坦性和粗糙度.
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期396-399,共4页 半导体学报(英文版)
基金 国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB302700),中国科学院(批准号:Y2005027),上海-应用材料科技合作共同计划(批准号:AM基金0414),中国博士后科学基金(批准号:2005037522),上海市科委项目(批准号:0552nm043,05JC14076,05R214156,AM0517,06QA14060,06XD14025,0652nm003,06DZ22017)和美国SST公司资助项目
  • 相关文献

参考文献5

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同被引文献2

引证文献1

二级引证文献2

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