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0.18μm数字CMOS工艺下的高增益运算放大器设计 被引量:1

An OPAMP with High DC Gain in 0.18m Digital CMOS
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摘要 基于SMIC 0.18μm数字CMOS工艺,设计了一种基于增益增强技术的折叠式共源共栅运算放大器,并采用衬底校准技术增大了运放的输入摆幅,可用于13位30MHz采样频率的流水线模数转换器,分析了受流水线性能限制的运放性能.仿真结果表明运放在1V的输入摆幅下开环增益大于100dB,8.5pF负载电容下单位增益带宽为322MHz,功耗仅为1.9mW.
作者 王晗 叶青
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期318-321,共4页 半导体学报(英文版)
  • 相关文献

参考文献4

  • 1[1]Yan J,Geiger L.A negative conductance voltage gain enhancement technique for low voltage high speed CMOS op amp design.Proc 43rd IEEE Midwest Symposium on Circuits and Systems,2000:502 被引量:1
  • 2[2]Gerfers F,Hack C,Ortmanns M,et al.A 1.2V,200μW railto-rail op amp with 90dB THD using replica gain enhancement.Proc 28th the European Solid-Stage Circuits Conference,2002:175 被引量:1
  • 3[3]Johns D,Martin K.Analog integrated circuit design.Canada:John Wiley & Son Inc,1997 被引量:1
  • 4[4]Schlogl F,Zimmermann H.OPAMP with 106dB DC gain in120nm digital CMOS.IEEE International SOC Conference,2003:121 被引量:1

同被引文献10

引证文献1

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