期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息

掩埋隧道结在长波长VCSEL结构中的应用 被引量：3

Application of Buried Tunnel Junction in Long-Wavelength VCSEL Structure
下载PDF
导出
摘要 采用气态源分子束外延技术在InP(100)衬底上分别生长了δ掺杂的p+-AlIn-As-n+-InP和p+-InP-n+-InP两种隧道结结构,用电化学C-V和I-V特性曲线表征了载流子浓度和电学特性,发现p+-AlInAs-n+-InP隧道结性能优于p+-InP-n+-InP隧道结.在InP(100)衬底上生长了包含p+-AlInAs-n+-InP掩埋隧道结和多量子阱有源层的1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构,测试得出其开启电压比普通的pin结VCSEL小,室温下其电致发光谱波长为1.29μm.
作者 刘成 吴惠桢 劳燕锋 黄占超 曹萌
机构地区 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 中国科学院研究生院
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期309-313,共5页 半导体学报（英文版）
基金 国家重点基础研究发展计划资助项目(批准号:2003CB314903)
关键词 隧道结 垂直腔面发射激光器 光电特性
分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献10

  • 1[2]Karim A,Bj(o)rlin S,Piprek J,et al.Long-wavelength verticalcavity lasers and amplifiers.IEEE J Sel Top Quantum Electron,2000,6(6):1244 被引量：1
  • 2[3]Boucart J,Starck C,Gaborit F,et al.Metamorphic DBR and tunnel-junction injection:a CW RT monolithic long-wavelength VCSEL.IEEE J Sel Top Quantum Electron,1999,5(3):520 被引量：1
  • 3[4]NakagawaS,Hall E,Almuneau G,et al.88℃,continuouswave operation of apertured,intracavity contacted,1.55μm vertical-cavity surface-emitting lasers.Appl Phys Lett,2001,78(10):1337 被引量：1
  • 4[5]Jayaraman V,Mehta M,Jackson A W,et al.High-power1320-nm wafer-bonded VCSELs with tunnel junctions.IEEE Photonics Technol Lett,2003,15(11):1495 被引量：1
  • 5[6]Boehm G,Ortsiefer M,Shau R,et al.InP-based VCSEL technology covering the wavelength range from 1.3 to 2.0μm.J Cryst Growth,2003,251(1～4):748 被引量：1
  • 6[7]Ortsiefer M,Shau R,Boehm G,et al.Low-resistance InGa(Al)As tunnel junctions for long wavelength vertical-cavity surface-emitting lasers.Jpn J Appl Phys,2000,39(4A):1727 被引量：1
  • 7[8]Ragay F W,Leys M R,Wolter J H.Application of δ-doping in GaAs tunnel junctions.Electron Lett,1994,30 (1):86 被引量：1
  • 8[9]Desalvo G C.Ultrathin delta doped GaAs and AlAs tunnel junctions as interdevice ohmic contacts.J Appl Phys,1993,74(6):4207 被引量：1
  • 9[10]Sze S M.Physics of semiconductor devices.New York:John Wiley & Sons,1969 被引量：1
  • 10[12]Arzberger M,Lohner M,Boehm G,et al.Low-resistivity pside contacts for InP-based devices using buried InGaAs tunnel junction.Electron Lett,2000,36 (1):87 被引量：1

同被引文献58

引证文献3

二级引证文献1

Journal of Semiconductors
2006年 第z1期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部