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坚持自主创新 助力我国IGBT产业发展——新型功率半导体器件国家重点实验室建设情况分析 被引量:2

Persisting Innovation and Helping the Development of IGBT Industry in China——Taking the State Key Laboratory of Advanced Power Semiconductor Devices as an Example
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摘要 本文以新型功率半导体器件企业国家重点实验室为例,介绍了实验室建设运行期间在技术研发、人才培养、学术交流、平台建设等方面的经验和成绩,分析了目前企业国家重点实验室建设运行中面临的共性问题,并提出了相应的政策建议。 The experience and achievements are introduced in the aspects of technology research and development,talent cultivation,academic exchange and platform construction,taking the State Key Laboratory of Advanced Power Semiconductor Devices as an example.This paper analyses the common problems faced in the construction and operation of the State Key Laboratory of Enterprises at present,and puts forward corresponding policy suggestions.
作者 李旭彦 李敏 童杨 车子璠 闫金定 Li Xuyan;Li Min;Tong Yang;Che Zifan;Yan Jinding(High-Tech.R&D Center,Ministry of Science and Technology,Beijing 100044;Laboratory of Advanced Power Semiconductor Devices,Zhuzhou 412000)
出处 《中国基础科学》 2020年第3期60-62,共3页 China Basic Science
关键词 国家重点实验室 自主创新 IGBT State Key Laboratory Innovation IGBT
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参考文献2

二级参考文献8

共引文献13

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引证文献2

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