一种双采样1.2V 7位125MS/s流水线ADC的设计 被引量：3

1

作者 王晓飞 郝跃 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期23-28,共6页

为了满足片上系统对模数转换器的低功耗和高性能的要求,设计并实现了一种1.2V7位125MS/s双采样流水线模数转换器.该模数转换器采用了一种新的运算放大器共享技术以及相应的时序关系,从而消除了采样时序失配问题,并减小了整个模数转换器... 为了满足片上系统对模数转换器的低功耗和高性能的要求,设计并实现了一种1.2V7位125MS/s双采样流水线模数转换器.该模数转换器采用了一种新的运算放大器共享技术以及相应的时序关系,从而消除了采样时序失配问题,并减小了整个模数转换器的功耗和面积.该模数转换器采用0.13μm CMOS工艺实现,测试结果表明,该模数转换器的最大信噪失真比为43.38dB,有效位数为6.8位.在电源电压为1.2V、采样速率为125MS/s时,该模数转换器的功耗仅为10.8mW. 展开更多

关键词 双采样 运放共享 时间交织 流水线型模数转换器

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应变锗的导带结构计算与分析 被引量：2

2

作者 戴显英 李金龙 郝跃 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期120-124,171,共6页

应用胡克定律,建立了单、双轴张应力作用下应变锗在任意面内沿<001>、<110>和<111>方向的应变张量模型.根据线性形变势能理论,计算了单轴应力沿<001>、<110>和<111>方向作用下以及双轴应力在不同... 应用胡克定律,建立了单、双轴张应力作用下应变锗在任意面内沿<001>、<110>和<111>方向的应变张量模型.根据线性形变势能理论,计算了单轴应力沿<001>、<110>和<111>方向作用下以及双轴应力在不同晶面内的应变锗导带各个能谷的谷底能级的变化情况.计算结果显示,在<001>方向的单轴应力作用下,Δ能谷带边能级分裂,且在压应力为1.8GPa时,Δ能谷的谷底能级变为最低能级.在<110>方向的单轴应力作用下,Δ能谷和L能谷带边能级分裂.在<111>方向的单轴应力作用下,L能谷带边能级分裂.并且随着应力的增加,所有能谷最低能级下降.而在双轴张应力作用下,当面内应变张量达到1.8%时,(001)面应变锗的Γ能谷最低,能级比Δ能谷最低能级还要低.这表明,应变锗由间接带隙半导体变为直接带隙半导体.所得到的结果可为应变锗半导体器件和光电器件的设计提供参考. 展开更多

关键词 应变锗 导带能级结构 单轴与双轴 应变张量

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单轴应变锗带隙特性和电子有效质量计算 被引量：1

3

作者 底琳佳 戴显英 +2 位作者 苗东铭 吴淑静 郝跃 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期24-29,共6页

应变工程在提升Ge器件性能方面起着重要作用,而能带结构是研究应变Ge电学、光学性质的理论基础.文中通过对角化一个包含自旋轨道相互作用和应变效应的30 k·p哈密顿矩阵,得到了单轴应变锗在整个布里渊区内的能带结构.根据能带色散关... 应变工程在提升Ge器件性能方面起着重要作用,而能带结构是研究应变Ge电学、光学性质的理论基础.文中通过对角化一个包含自旋轨道相互作用和应变效应的30 k·p哈密顿矩阵,得到了单轴应变锗在整个布里渊区内的能带结构.根据能带色散关系,研究了单轴应变锗导带能谷分裂与偏移、纵向和横向电子有效质量、电子态密度有效质量等随应力的变化情况.计算结果表明:在[001]、[111]方向单轴张应力作用下,锗由间接带隙转变成直接带隙;导带L和Δ能谷纵向、横向电子有效质量并不明显依赖于单轴应力,但沿[111]和[001]方向的单轴压应力可分别使L和Δ能谷态密度有效质量最小,这有利于减小电子散射几率,提升迁移率. 展开更多

关键词 30k·p方法 单轴应变锗 能带结构 电子有效质量

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绝缘层上单轴应变硅的应力计算与分析

4

作者 苗东铭 戴显英 +3 位作者 吴淑静 赵天龙 邵晨峰 郝跃 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期162-167,共6页

为了研究晶圆级绝缘体上单轴应变硅的应力分布与应力变化趋势,首先利用绝缘体上硅晶圆在机械弯曲状态下退火的工艺,成功制作了绝缘层上单轴应变硅晶圆,其优点是工艺简单、成本低、应变量高.应用ANSYS仿真软件,重点对不同弯曲半径、不同... 为了研究晶圆级绝缘体上单轴应变硅的应力分布与应力变化趋势,首先利用绝缘体上硅晶圆在机械弯曲状态下退火的工艺,成功制作了绝缘层上单轴应变硅晶圆,其优点是工艺简单、成本低、应变量高.应用ANSYS仿真软件,重点对不同弯曲半径、不同晶向的机械致绝缘层上单轴应变硅晶圆的应力情况进行了模拟计算.模拟结果表明,应力随弯曲半径的减小而显著增加,且沿弯曲方向的应力最大,适于作为应变互补金属氧化半导体器件的沟道方向,但应力分布的均匀性会随弯曲半径的减小而略有下降.最后利用光纤光栅法对制备的绝缘层上单轴应变硅晶圆的应力分布进行了测量,其结果与ANSYS模拟结果吻合,证明了ANSYS模拟分析的准确性. 展开更多

关键词 机械弯曲退火 晶圆级单轴应变 绝缘体上硅 应力分布 有限元分析

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基于ZigBee技术的井下人员定位安全监测系统 被引量：12

5

作者 崔璐 蔡觉平 +1 位作者 赵博超 王鑫 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第S1期102-106,共5页

采用德州仪器(TI)公司CC2431芯片,构建了基于ZigBee协议的井下人员定位及安全监控系统.网络由网络协调器、定位参考基站、人员终端组成,通过在井下建立线状和网状ZigBee无线网络,实现井下人员定位、环境监测和通信等功能.通过人员终端... 采用德州仪器(TI)公司CC2431芯片,构建了基于ZigBee协议的井下人员定位及安全监控系统.网络由网络协调器、定位参考基站、人员终端组成,通过在井下建立线状和网状ZigBee无线网络,实现井下人员定位、环境监测和通信等功能.通过人员终端测定附近定位基站的信号强度,可以用监控系统上位机软件实时观测井下人员的活动,并进行数据采集和传输.通过对天线的近场效应进行补偿性修正,定位误差降低了约50%.模拟井下环境的性能测试结果表明,该系统可以达到0.25 m的测量分辨率,定位误差小于2 m,可以支持4 kbps的数据传输,满足井下人员定位和事故发生时的疏散调度要求. 展开更多

关键词 ZIGBEE 井下安全 定位 通信

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金属氧化物基阻变存储器的研究进展 被引量：3

6

作者 张娇娇 周龙 +2 位作者 王洪强 董广志 樊慧庆 《铸造技术》 CAS 2023年第1期23-31,I0005,共10页

随着集成电路技术的发展,半导体器件尺寸也逐渐趋于摩尔定律的极限。当前主流的非挥发性存储器件已经无法满足信息科技对于超高密度快速存储的需求。阻变存储器(RRAM)因其结构简单、工作速度快、可缩小性强且与CMOS工艺兼容等优点,被认... 随着集成电路技术的发展,半导体器件尺寸也逐渐趋于摩尔定律的极限。当前主流的非挥发性存储器件已经无法满足信息科技对于超高密度快速存储的需求。阻变存储器(RRAM)因其结构简单、工作速度快、可缩小性强且与CMOS工艺兼容等优点,被认为是下一代非易失性存储器的新星。氧化物基阻变存储器因其优异的器件性能和稳定性,在信息存储和类脑神经计算领域具有重要的应用价值。本文从阻变存储器存储机理、材料种类、器件结构和器件性能等方面系统地概述了氧化物基阻变存储器的研究进展,为氧化物基阻变存储器的发展提供新思路。 展开更多

关键词 氧化物半导体 阻变存储器 信息存储 类脑计算

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基于明胶-海藻酸钠复合水凝胶的挤压式3D细胞打印研究 被引量：5

7

作者 周李念 连芩 +4 位作者 呼延一格 何晓宁 贺健康 徐峰 李涤尘 《电加工与模具》 2019年第1期56-59,共4页

制备了明胶-海藻酸钠复合水凝胶,研究了不同配比下复合水凝胶的流变特性,并将其用于挤压式3D细胞打印。实验结果表明:在明胶、海藻酸钠的质量体积比分别为50、60 g/L时,复合水凝胶材料的打印性能较好,能避免喷头堵塞或材料从喷嘴滴落等... 制备了明胶-海藻酸钠复合水凝胶,研究了不同配比下复合水凝胶的流变特性,并将其用于挤压式3D细胞打印。实验结果表明:在明胶、海藻酸钠的质量体积比分别为50、60 g/L时,复合水凝胶材料的打印性能较好,能避免喷头堵塞或材料从喷嘴滴落等问题;在气压为0.1～0.3 MPa、打印速度为10～20 mm/s、喷头直径为210～920μm条件下,可将打印出的细丝直径控制在300～1500μm,能按需打印出水凝胶薄膜或三维结构,且用复合水凝胶打印出的细胞在静态培养14天后仍存活90%以上。 展开更多

关键词 挤压式细胞打印 水凝胶 细胞打印

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多晶金刚石衬底范德瓦耳斯外延GaN薄膜

8

作者 白玲 宁静 +6 位作者 张进成 王东 王博宇 武海迪 赵江林 陶然 李忠辉 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第5期901-908,共8页

随着氮化镓(GaN)在高功率领域的广泛应用,GaN基器件的散热性能成为了制约其功率密度的主要因素,因此开辟新的热管理方案至关重要。具有高热导率的金刚石衬底可以用于改善GaN器件的散热问题。然而,由于金刚石和GaN之间的天然晶格失配,在... 随着氮化镓(GaN)在高功率领域的广泛应用,GaN基器件的散热性能成为了制约其功率密度的主要因素,因此开辟新的热管理方案至关重要。具有高热导率的金刚石衬底可以用于改善GaN器件的散热问题。然而,由于金刚石和GaN之间的天然晶格失配,在金刚石衬底上GaN的直接外延仍然是一个难以克服的问题。本工作以二维材料/Al组分渐变的AlGaN异质结作为衬底与外延层之间的成核层,在多晶金刚石衬底上实现了单晶GaN薄膜的范德瓦耳斯外延。其中,二维材料可以有效屏蔽掉衬底与外延层晶格不匹配带来的不良影响,而Al组分渐变的AlGaN缓冲层结构可实现Ga原子和N原子的有序迁移,进而精确地控制GaN薄膜的生长。本工作为异质衬底上高质量生长氮化物提供新思路。实验结果表明,成核层的引入有效地消除晶格失配的影响,从而打破了金刚石衬底上难以直接外延单晶GaN薄膜的瓶颈。本工作为GaN基器件的功率密度的进一步提升提供了基础。 展开更多

关键词 GAN 金刚石 范德瓦耳斯外延生长 高散热 Al组分渐变 二维材料

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多上下文MQ编码器优化与VLSI实现 被引量：2

9

作者 邸志雄 史江义 +3 位作者 刘凯 李云松 马佩军 郝跃 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期918-925,共8页

MQ(Multiple Quantization)编码器由于效率低下已经成为JPEG2000的性能瓶颈.本文对MQ编码算法中的上下文关系进行了提取,对索引表中的启动态和非暂态进行了分离,并提出一种用于预测索引值的方法.同时,对重归一化运算中出现的大概率事件... MQ(Multiple Quantization)编码器由于效率低下已经成为JPEG2000的性能瓶颈.本文对MQ编码算法中的上下文关系进行了提取,对索引表中的启动态和非暂态进行了分离,并提出一种用于预测索引值的方法.同时,对重归一化运算中出现的大概率事件和小概率事件进行分离,使其可并行对2个上下文完成编码.依据该算法,本文提出了一种多上下文并行处理的MQ编码器VLSI结构.实验结果表明,本文提出的MQ编码器能够工作在286.80MHz,吞吐量为573.60 Msymbols/sec,相比Dyer提出的Brute Force with Modified Byteout结构,本文的吞吐量提升约35%,且面积减小78%. 展开更多

关键词 MQ编码器 JPEG2000 并行

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蝶形天线增强的InP基室温HEMT太赫兹探测器研究 被引量：2

10

作者 李金伦 崔少辉(指导) +4 位作者 张静 张振伟 张博文 倪海桥 牛智川 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2019年第9期132-138,共7页

采用分子束外延技术制备了InP基HEMT样片,室温下样片迁移率达10 289 cm2/(V·s)。通过光刻、腐蚀、磁控溅射、点焊等工艺技术制备出了蝶形天线耦合的太赫兹探测器件。器件采用的蝶形天线经HFSS软件仿真优化后,天线S11参数为-40 d B... 采用分子束外延技术制备了InP基HEMT样片,室温下样片迁移率达10 289 cm2/(V·s)。通过光刻、腐蚀、磁控溅射、点焊等工艺技术制备出了蝶形天线耦合的太赫兹探测器件。器件采用的蝶形天线经HFSS软件仿真优化后,天线S11参数为-40 d B,电压驻波比(VSWR)为1.15,增益可达6 dB,并与二维电子气沟道实现阻抗匹配。在VDI公司0.3 THz肖特基二极管太赫兹源辐照下进行器件测试,测试结果表明,室温下器件噪声等效功率(NEP)为40 nW/Hz1/2,探测响应度46 V/W,器件响应时间优于330μs。 展开更多

关键词 太赫兹探测器 高电子迁移率场效应晶体管 磷化铟 蝶形天线 分子束外延

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硅双极器件及电路电离总剂量辐照损伤研究 被引量：3

11

作者 王鹏 崔占东 +1 位作者 邹学锋 杨筱莉 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期58-63,共6页

针对硅双极器件及其构成的双极集成电路有着如低剂量率辐照损伤增强效应等不同于其他类型电路的特殊的辐照响应问题,分析了空间辐射电离总剂量环境及铝屏蔽作用,双极晶体管及电路总剂量辐照损伤机理,低剂量率辐照损伤增强效应、规律和... 针对硅双极器件及其构成的双极集成电路有着如低剂量率辐照损伤增强效应等不同于其他类型电路的特殊的辐照响应问题,分析了空间辐射电离总剂量环境及铝屏蔽作用,双极晶体管及电路总剂量辐照损伤机理,低剂量率辐照损伤增强效应、规律和电参数变化。通过选取几种典型的双极晶体管和电路进行地面辐照模拟试验和测试,证明了双极器件及电路的关键参数受辐照影响较大,特别是对低剂量率辐照损伤增强效应敏感,低剂量率辐照损伤增强因子基本都大于1.5,不同双极器件和电路的低剂量率辐照损伤增强效应有着明显的不同,与器件类型、加工工艺(如氧化层厚度)等密切相关。 展开更多

关键词 双极器件 总剂量辐照 低剂量率 低剂量率辐照损伤增强效应 增强因子

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Ni/Au/n-GaN肖特基二极管可导位错的电学模型 被引量：3

12

作者 王翔 陈雷雷 +6 位作者 曹艳荣 羊群思 朱培敏 杨国锋 王福学 闫大为 顾晓峰 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第17期241-246,共6页

可导线性位错被普遍认为是GaN基器件泄漏电流的主要输运通道,但其精细的电学模型目前仍不清楚.鉴于此,本文基于对GaN肖特基二极管的电流输运机制分析提出可导位错的物理模型,重点强调:1)位于位错中心的深能级受主态(主要Ga空位)电离后... 可导线性位错被普遍认为是GaN基器件泄漏电流的主要输运通道,但其精细的电学模型目前仍不清楚.鉴于此,本文基于对GaN肖特基二极管的电流输运机制分析提出可导位错的物理模型,重点强调:1)位于位错中心的深能级受主态(主要Ga空位)电离后库仑势较高,理论上对泄漏电流没有贡献; 2)位错周围的高浓度浅能级施主态电离后能形成势垒高度较低的薄表面耗尽层,可引发显著隧穿电流,成为主要漏电通道;3)并非传统N空位,认为O替代N所形成的浅能级施主缺陷应是引发漏电的主要电学态,其热激活能约为47.5 meV.本工作亦有助于理解其他GaN器件的电流输运和电学退化行为. 展开更多

关键词 可导位错 GaN肖特基二极管 浅能级施主态 泄漏电流

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基于氧阻聚效应的陶瓷面成形工艺优化研究 被引量：2

13

作者 刘小栋 连芩 +5 位作者 李涤尘 曹毅 伍尚华 武向权 孟佳丽 何晓宁 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第9期224-232,共9页

氧阻聚效应的应用使得陶瓷光固化增材制造技术的加工速度和成形精度有了显著提升。利用自制的陶瓷面成形快速成型系统和具有氧阻聚效应的Al2O3陶瓷浆料,开展了氧气浓度、液槽底部PDMS膜的厚度对已固化层与PDMS膜粘接引起的分离力大小的... 氧阻聚效应的应用使得陶瓷光固化增材制造技术的加工速度和成形精度有了显著提升。利用自制的陶瓷面成形快速成型系统和具有氧阻聚效应的Al2O3陶瓷浆料,开展了氧气浓度、液槽底部PDMS膜的厚度对已固化层与PDMS膜粘接引起的分离力大小的研究;在最优PDMS膜厚(0.3 mm)条件下,氧气浓度对陶瓷件尺寸精度、收缩率以及力学性能的影响研究中发现,氧阻聚效应减小了固化层与PDMS膜粘接形成的分离力大小,但不影响陶瓷零件的弯曲强度(约175 MPa),而且适当的氧气浓度可以显著改善零件的尺寸精度和表面质量。正交实验确定了陶瓷多孔结构成形的工艺参数(包括氧浓度、曝光强度和分层厚度)最优集,对比空气条件下(即氧气浓度约20%)打印成形的多孔结构,最优条件下(即氧气浓度40%)所成形的多孔结构形貌有明显提升,最大尺寸偏差减小45%。 展开更多

关键词 氧阻聚 陶瓷 面成形 制造精度

原文传递

石墨烯/硅异质结光电导型探测器光电响应及噪声 被引量：1

14

作者 李云杰 付津滔 +3 位作者 聂长斌 包军林 李兆成 伍俊 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2022年第8期732-741,共10页

设计并制备了石墨烯/硅异质结光电导型光电探测器,重点分析了光电响应与噪声性能。相比纯硅光电导探测器,石墨烯/硅异质结光电导探测器对635 nm波长激光的净光电流从20μA提升至260μA,与此同时,其1 Hz噪声幅值从3.2×10^(-17) A^(2... 设计并制备了石墨烯/硅异质结光电导型光电探测器,重点分析了光电响应与噪声性能。相比纯硅光电导探测器,石墨烯/硅异质结光电导探测器对635 nm波长激光的净光电流从20μA提升至260μA,与此同时,其1 Hz噪声幅值从3.2×10^(-17) A^(2)/Hz增加至2.1×10^(-16) A^(2)/Hz。进一步比较两种探测器的相对信噪比(净光电流/1 Hz噪声幅值),发现石墨烯/硅异质结探测器的相对信噪比(1.2×10^(18))优于纯硅探测器的(6.3×10^(17))。此外,探究了石墨烯条带尺寸对于光电响应及噪声的影响,发现随着石墨烯条带长度的增加,探测器的光电响应与噪声呈下降趋势;随着石墨烯条带宽度的增加,探测器的光电响应与噪声呈上升趋势。进一步比较了不同石墨烯条带长宽比探测器的净光电流与相对信噪比,发现净光电流随着长宽比的增大而减小,而相对信噪比随着长宽比的增大而增加。此外,通过沉积Al_(2)O_(3)对探测器的噪声进行了抑制。最后,利用栅压调制对探测器的综合性能进行了优化。上述结果对石墨烯基光电探测器的研究具有一定参考价值。 展开更多

关键词 光电探测器 石墨烯/硅异质结 石墨烯条带 光电响应 噪声 相对信噪比

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氮化镓HEMT器件辐射效应综述

15

作者 吕航航 曹艳荣 +6 位作者 马毛旦 张龙涛 任晨 王志恒 吕玲 郑雪峰 马晓华 《太赫兹科学与电子信息学报》 2022年第6期535-542,564,共9页

在高频、大功率、高温、高压等领域,氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)器件因其优异的耐辐射性能而被广泛地应用于卫星、太空探测、核反应堆等领域。尽管从理论和一些试验研究中可以得知,氮化镓材料具有良好的耐辐射特性,但在实际应用中,... 在高频、大功率、高温、高压等领域,氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)器件因其优异的耐辐射性能而被广泛地应用于卫星、太空探测、核反应堆等领域。尽管从理论和一些试验研究中可以得知,氮化镓材料具有良好的耐辐射特性,但在实际应用中,因其制作工艺及结构等因素的影响,氮化镓HEMT器件的耐辐射特性受到了很大的影响和挑战。本文介绍了氮化镓HEMT器件几种辐射效应,并对氮化镓HEMT器件辐射的研究进行了综述。 展开更多

关键词 氮化镓HEMT器件 γ射线辐射 质子辐射 中子辐射 电子辐射

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面曝光成型薄壁陶瓷BASE管的新型制造方法研究 被引量：1

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作者 孟佳丽 连芩 +3 位作者 李涤尘 何晓宁 刘小栋 李华 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第1期230-239,共10页

氧化铝陶瓷固体电解质管(Beta alumina solid electrolyte tube,BASE管)是高温热电转换器能量转换的关键部件。开展了薄壁BASE管的面光源光固化结构成型及其转相工艺研究:开发和制备了体积分数为45%的专用陶瓷浆料,通过浆料光固化性能... 氧化铝陶瓷固体电解质管(Beta alumina solid electrolyte tube,BASE管)是高温热电转换器能量转换的关键部件。开展了薄壁BASE管的面光源光固化结构成型及其转相工艺研究:开发和制备了体积分数为45%的专用陶瓷浆料,通过浆料光固化性能和曝光参数的试验研究,确定了合适的面曝光成型打印参数;通过素坯的热重曲线分析,建立了脱脂和烧结工艺路线。通过EDS元素分析,烧结后样品仅有Al、O、Zr三种元素;烧结后样品致密度为95.3%,弯曲强度为(352.0±37.5)MPa。以Na2O为钠源开展的转相工艺研究,发现在1 100℃、1 200℃、1 300℃、1 400℃和1 500℃五个温度时转相均有β″-Al2O3的生成,且1500℃时β″-Al2O3生成量为80.5%,其电导率为7.83×10-3S/cm(450℃)。研究了转相对样品致密度、弯曲强度和尺寸精度的影响,发现转相会造成样品致密度的下降。研究表明了面曝光成型技术具有制造薄壁BASE管的可行性,为BASE元件和低成本快速制造Na+电池和碱金属热电转换器提供新的制造手段。 展开更多

关键词 增材制造 面光源光固化成型工艺 陶瓷 β″-Al2O3固体电解质

原文传递

物理瞬态阻变存储器研究进展 被引量：1

17

作者 王宏 马晓华 郝跃 《微纳电子与智能制造》 2019年第4期10-17,共8页

物理瞬态电子是指电子器件或系统在完成指定的工作任务后,在外界刺激或相关程序的启动下,通过化学或物理过程能够实现其物理形态和器件功能部分或完全消失的一种新型电子器件,它可以有效避免传统芯片中信息泄露的风险,对于确保数据安全... 物理瞬态电子是指电子器件或系统在完成指定的工作任务后,在外界刺激或相关程序的启动下,通过化学或物理过程能够实现其物理形态和器件功能部分或完全消失的一种新型电子器件,它可以有效避免传统芯片中信息泄露的风险,对于确保数据安全具有非常重要的意义。除此之外,瞬态电子器件还可以减小废弃的电子产品对自然环境的污染,同时还可以应用到可植入/可穿戴式医疗电子等领域。另一方面,阻变存储器因具有结构简单、功耗低、读写速度快等优势在下一代高密度存储技术方面具有广泛的应用前景。因此,将物理瞬态电子与阻变存储器结合,对于实现信息安全存储、绿色电子等具有重要的意义。从物理瞬态阻变材料、器件大面积制备技术、多功能瞬态阻变器件及其在随机计算方面的应用介绍物理瞬态阻变存储器的研究,特别是本课题组相关进展,并对目前存在的问题进行总结以及对未来的发展进行展望。 展开更多

关键词 物理瞬态 阻变存储器 可降解材料 随机计算

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InAs/AlSb异质结的Pd/Ti/Pt/Au合金化欧姆接触（英文）

18

作者 张静 吕红亮 +3 位作者 倪海桥 牛智川 张义门 张玉明 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期679-682,687,共5页

为了得到较低的接触电阻,研究了帽层未掺杂的InAs/AlSb异质结的Pd/Ti/Pt/Au合金化欧姆接触.利用传输线模型(TLM)测量了接触电阻Rc.在最佳的快速热退火条件为275℃和20s时,InAs/AlSb异质结的Pd/Ti/Pt/Au接触电阻值为0.128Ω·mm.TEM... 为了得到较低的接触电阻,研究了帽层未掺杂的InAs/AlSb异质结的Pd/Ti/Pt/Au合金化欧姆接触.利用传输线模型(TLM)测量了接触电阻Rc.在最佳的快速热退火条件为275℃和20s时,InAs/AlSb异质结的Pd/Ti/Pt/Au接触电阻值为0.128Ω·mm.TEM观察发现经过快速热退火后Pd已经扩散到半导体中有利于高质量欧姆接触的形成.研究表明经过Pd/Ti/Pt/Au合金化欧姆接触后Rc有明显减小,适用于InAs/AlSb异质结的应用. 展开更多

关键词 欧姆接触 快速热退火 InAs/AlSb异质结

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VLSI半解析热分析软件的设计与实现

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作者 严思璐 吕红亮 +2 位作者 张玉明 戚军军 郭袖秀 《微纳电子与智能制造》 2021年第2期50-57,共8页

随着半导体制造工艺技术及信息技术的迅猛发展,半导体集成电路的集成度得到极大地提高,这将不可避免地带来严重的电热耦合问题。为了保证电路的热可靠性,芯片的工作温度成为电路设计工程师在集成电路和版图设计时必须认真考虑的重要因... 随着半导体制造工艺技术及信息技术的迅猛发展,半导体集成电路的集成度得到极大地提高,这将不可避免地带来严重的电热耦合问题。为了保证电路的热可靠性,芯片的工作温度成为电路设计工程师在集成电路和版图设计时必须认真考虑的重要因素。本文使用Java与MATLAB混合编程的方法,基于一种半解析的热分析算法,设计并实现了一款用于分析大规模集成电路温度分布的软件(VLSI半解析电热分析软件)。软件可以使设计者在设计初期就对器件的电热可靠性进行预测分析,对电路的版图布局进行优化和改进。 展开更多

关键词 超大规模集成电路热分析软件 热分析 Java与MATLAB混合编程

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利用Al_xGa_(1-x)N在Si(111)上生长无裂纹GaN

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作者 王振晓 张锴 +2 位作者 李涛 王丹丹 韩孟序 《电子科技》 2014年第1期115-116,120,共3页

利用LP-MOCVD技术在Si(111)衬底上,用不同Al组分的AlGaN做缓冲层,再在缓冲层上生长GaN薄膜,采用XRD技术和原子力显微镜(AFM)分析样品知,样品整体的结晶质量良好。通过分析外延层的拉曼谱得出GaN中存在应力,而且是张应力,通过计算得出,... 利用LP-MOCVD技术在Si(111)衬底上,用不同Al组分的AlGaN做缓冲层,再在缓冲层上生长GaN薄膜,采用XRD技术和原子力显微镜(AFM)分析样品知,样品整体的结晶质量良好。通过分析外延层的拉曼谱得出GaN中存在应力,而且是张应力,通过计算得出,应力为0.23 GPa。 展开更多

关键词 MOCVD SI(111) GAN 双晶X射线衍射

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