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基于LCoS技术的微型显示器 被引量：1
1
作者 代永平 华强 孙钟林 《电视技术》 北大核心 2004年第2期55-57,共3页
介绍了一款我国自主开发研制的分辨率为800×600SVGA、以单晶硅为基底的微型液晶显示器—LCoS,其中展示了LCoS微显示器系统电路结构、显示芯片物理结构、微显光机放大原理以及相关实物照片。
关键词 LCOS 分辨率 单晶硅 微型液晶显示器 反射式显示
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纳米Ag材料表面等离子体激元引起的表面增强拉曼散射光谱研究 被引量：26
2
作者 黄茜 王京 +5 位作者 曹丽冉 孙建 张晓丹 耿卫东 熊绍珍 赵颖 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期1980-1986,共7页
用热蒸发的方法制备了纳米Ag材料,并用扫描电子显微镜对纳米粒子进行了形貌的表征,通过紫外—可见分光光度计得到Ag纳米粒子的透过谱,得到了Ag纳米粒子的表面等离子体共振的峰值位置.以罗丹明6G为探针分子测定Ag纳米粒子衬底的表面增强... 用热蒸发的方法制备了纳米Ag材料,并用扫描电子显微镜对纳米粒子进行了形貌的表征,通过紫外—可见分光光度计得到Ag纳米粒子的透过谱,得到了Ag纳米粒子的表面等离子体共振的峰值位置.以罗丹明6G为探针分子测定Ag纳米粒子衬底的表面增强拉曼散射效应,通过拉曼散射光谱与透过谱研究了由表面等离子体激元的强极化场引起的表面增强拉曼散射效应,结合透过谱与拉曼增益因子提出了一种描述表面等离子体光学和电学特性的方法,并结合扫描电镜的结果给出了不同结构的纳米Ag材料对表面等离子体激元强度的影响. 展开更多
关键词 热蒸发 纳米Ag材料 表面等离子体 表面增强拉曼散射
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磁控溅射技术制备织构化表面Al掺杂ZnO薄膜 被引量：20
3
作者 李林娜 陈新亮 +3 位作者 刘晨 孙建 耿新华 赵颖 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期559-564,共6页
以Zn-Al(Al:2wt.%)合金为溅射靶材,采用直流反应磁控溅射的方法,在普通玻璃衬底上制备Al掺杂ZnO(AZO)薄膜。通过对衬底温度的调制,在较高衬底温度下(～280℃),无需经过常规溅射后腐蚀工艺过程,即可获得表面形貌具有特征陷光结构的AZO薄... 以Zn-Al(Al:2wt.%)合金为溅射靶材,采用直流反应磁控溅射的方法,在普通玻璃衬底上制备Al掺杂ZnO(AZO)薄膜。通过对衬底温度的调制,在较高衬底温度下(～280℃),无需经过常规溅射后腐蚀工艺过程,即可获得表面形貌具有特征陷光结构的AZO薄膜,其表面呈现"类金字塔"状,粗糙度RMS=65.831nm。通过测试薄膜的结构特性、表面形貌及其光电性能,详细地研究了衬底温度对AZO薄膜性能的影响。X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)测试表明,所有样品均为多晶六角纤锌矿结构,薄膜呈(002)晶面择优生长,其表面形貌随衬底温度的不同而改变。衬底温度为200℃及其以上工艺条件下获得的AZO薄膜,在可见光及近红外范围的平均透过率大于90%,电阻率优于1.5×10-3Ωcm。 展开更多
关键词 ZNO 磁控溅射 织构化表面 衬底温度 太阳电池
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薄膜太阳电池用纳米上转换材料制备及其特性研究 被引量：15
4
作者 金鑫 张晓丹 +3 位作者 雷志芳 熊绍珍 宋峰 赵颖 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第7期4580-4584,共5页
以应用于薄膜太阳电池为目的,采用水热法制备了掺杂稀土离子的纳米氟化钇钠上转换荧光材料.研究了稀土离子Yb3+/Er3+单独和共同掺杂对材料的晶体结构和光学性质的影响.制备的Yb3+/Er3+共掺材料兼顾了两种稀土离子的光吸收谱,吸收980nm和... 以应用于薄膜太阳电池为目的,采用水热法制备了掺杂稀土离子的纳米氟化钇钠上转换荧光材料.研究了稀土离子Yb3+/Er3+单独和共同掺杂对材料的晶体结构和光学性质的影响.制备的Yb3+/Er3+共掺材料兼顾了两种稀土离子的光吸收谱,吸收980nm和1530nm附近的红外光,并发出能够被薄膜太阳电池有效吸收利用的红光(653nm)和绿光(520,540nm).优化出较为合适的18%Yb3+,2%Er3+的掺杂比例,获得了具有较好上转换效果的纳米荧光颗粒材料. 展开更多
关键词 薄膜太阳电池 上转换 氟化钇钠 稀土元素
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TiCl_4水解法制备的阻挡层对染料敏化太阳能电池光电性能的影响 被引量：12
5
作者 陈东坡 张晓丹 +2 位作者 魏长春 刘彩池 赵颖 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第2期425-431,共7页
通过不同浓度的TiCl4溶液水解,在光阳极导电玻璃(FTO)基底上制备了阻挡层薄膜,以此来抑制FTO表面的光生电子与I-3之间的复合反应,采用X射线光电子能谱(XPS)和X射线衍射分别测试了阻挡层薄膜的组成,用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)和紫外... 通过不同浓度的TiCl4溶液水解,在光阳极导电玻璃(FTO)基底上制备了阻挡层薄膜,以此来抑制FTO表面的光生电子与I-3之间的复合反应,采用X射线光电子能谱(XPS)和X射线衍射分别测试了阻挡层薄膜的组成,用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)和紫外-可见(UV-Vis)分光光度计测试了阻挡层的形貌和对光的透过率,在AM1.5和暗环境下分别测试了染料敏化太阳能电池(DSSC)的光电性能.实验结果表明:用此方法可以获得由TiO2粒子组成的阻挡层薄膜;阻挡层薄膜的形貌随着TiCl4溶液浓度的增加而改变,它的厚度随着TiCl4溶液浓度的增加而增加;引入阻挡层后,FTO对光的透过率都会下降;这一薄膜的引入可以提高电池的光电性能,用0.04 mo·lL-1的TiCl4溶液制备的阻挡层对暗电流的抑制作用最为明显,电池在AM1.5的条件下测试,转换效率最高7.84%. 展开更多
关键词 染料敏化太阳能电池 阻挡层 TIO2薄膜 暗电流 TICL4
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氧流量对绒面氧化锌透明导电薄膜性能的影响 被引量：12
6
作者 段苓伟 薛俊明 +2 位作者 杨瑞霞 赵颖 耿新华 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1206-1209,共4页
利用中频脉冲磁控溅射工艺制备了低阻高透过率的ZAO薄膜,用湿法腐蚀的方法将制备的平面ZAO薄膜在0.5%的稀盐酸中浸泡一定时间得到绒面ZAO薄膜。研究了氧流量对腐蚀后薄膜表面形貌的影响。结果表明,随着氧流量的增大腐蚀后薄膜的表面形... 利用中频脉冲磁控溅射工艺制备了低阻高透过率的ZAO薄膜,用湿法腐蚀的方法将制备的平面ZAO薄膜在0.5%的稀盐酸中浸泡一定时间得到绒面ZAO薄膜。研究了氧流量对腐蚀后薄膜表面形貌的影响。结果表明,随着氧流量的增大腐蚀后薄膜的表面形貌由花瓣状逐渐为适合太阳电池的陨石坑状,在氧流量为3.6sc-cm时(氩流量为12sccm)得到最好的绒面ZAO薄膜,继续增加氧流量,薄膜开始变得粗糙,说明薄膜的表面形貌又变差。 展开更多
关键词 中频溅射 ZnO:Al(ZAO)薄膜 氧流量 绒面结构 湿法腐蚀
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相变域硅薄膜材料的光稳定性 被引量：12
7
作者 王岩 韩晓艳 +8 位作者 任慧志 侯国付 郭群超 朱锋 张德坤 孙建 薛俊明 赵颖 耿新华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期947-951,共5页
采用RF-PECVD技术,通过改变反应气体的硅烷浓度制备了一系列不同晶化率不掺杂的硅薄膜材料,研究了工艺变化对材料结构的影响及材料光电特性同微结构的关系.随后进行了光衰退试验,在分析光照前后光电特性变化规律的基础上,认为材料中的... 采用RF-PECVD技术,通过改变反应气体的硅烷浓度制备了一系列不同晶化率不掺杂的硅薄膜材料,研究了工艺变化对材料结构的影响及材料光电特性同微结构的关系.随后进行了光衰退试验,在分析光照前后光电特性变化规律的基础上,认为材料中的非晶成分是导致材料光电特性衰退的主要原因.在靠近过渡区非晶一侧的硅材料比普通非晶硅稳定,衰退率较少;高晶化率微晶硅材料性能稳定,基本不存在光衰退;在靠近过渡区微晶一侧的硅材料虽然不是完全不衰退,但相比高晶化率硅材料来说更适合制备高效微晶硅电池. 展开更多
关键词 射频等离子体增强化学气相沉积 硅薄膜 Staebler—Wronski(SW)效应 稳定性
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PET柔性衬底上生长绒面ZnO-TCO薄膜及其在薄膜太阳电池中的应用 被引量：12
8
作者 林泉 陈新亮 +4 位作者 倪牮 张德坤 孙建 赵颖 耿新华 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期714-717,共4页
利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术在PET柔性衬底上低温生长绒面结构ZnO-TCO薄膜,DEZn和H2O作为源材料,B2H6作为掺杂剂。详细研究了薄膜掺杂流量对ZnO薄膜微观结构以及光电性能影响。优化获得的PET/ZnO:B薄膜厚约为1500 nm时... 利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术在PET柔性衬底上低温生长绒面结构ZnO-TCO薄膜,DEZn和H2O作为源材料,B2H6作为掺杂剂。详细研究了薄膜掺杂流量对ZnO薄膜微观结构以及光电性能影响。优化获得的PET/ZnO:B薄膜厚约为1500 nm时,绒面结构PET/ZnO薄膜的方块电阻约为10Ω,可见光及近红外范围平均透过率达80%。初步应用于a-Si薄膜电池,电池结构为PET/ZnO-TCO/pin-a-Si/Al,电池的转换效率可达6.3%。 展开更多
关键词 金属有机化学气相沉积(MOCVD) PET柔性衬底 ZnO-TCO薄膜 薄膜太阳电池
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掺杂量对ZnO陶瓷靶材性能影响的研究 被引量：11
9
作者 赵静 刘丽杰 +2 位作者 蔡宁 薛俊明 赵颖 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期772-776,共5页
以ZnO、Al2O3粉体为原料,采用常压烧结方法制备高导电性ZnO∶Al陶瓷靶材,并系统研究了Al掺杂量对该靶材的晶体结构、微观形貌以及电学特性的影响。结果表明:Al2O3掺杂量是影响ZnO陶瓷靶材导电性的重要因素之一。随Al∶Zn原子比从0∶100... 以ZnO、Al2O3粉体为原料,采用常压烧结方法制备高导电性ZnO∶Al陶瓷靶材,并系统研究了Al掺杂量对该靶材的晶体结构、微观形貌以及电学特性的影响。结果表明:Al2O3掺杂量是影响ZnO陶瓷靶材导电性的重要因素之一。随Al∶Zn原子比从0∶100变化至8.0∶100,电阻率呈现先递减后递增的规律。当Al∶Zn原子比为4.0∶100时,所制备的ZnO陶瓷靶材电阻率最低,为4.1×10-3Ω.cm;当Al掺杂量超过某一数值后,将导致锌铝尖晶石相(ZnAl2O4)的生成,从而使材料的电阻率升高。为了获得高导电性能的ZnO靶材,必须精确控制Al的掺入量,以防止锌铝尖晶石的生成。 展开更多
关键词 ZNO 掺杂 电学特性
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晶体硅太阳电池研究进展 被引量：11
10
作者 张云龙 陈新亮 +2 位作者 周忠信 赵颖 张晓丹 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第10期49-60,共12页
主要介绍太阳电池基本原理和晶体硅基本性质,并从少子复合的角度分析了氧化物钝化层对太阳电池性能的影响;重点阐述4种典型晶体硅太阳电池的研究现状,并详细分析其获得高效率的物理机制:1)钝化发射极型太阳电池采用背部重掺杂点接触的结... 主要介绍太阳电池基本原理和晶体硅基本性质,并从少子复合的角度分析了氧化物钝化层对太阳电池性能的影响;重点阐述4种典型晶体硅太阳电池的研究现状,并详细分析其获得高效率的物理机制:1)钝化发射极型太阳电池采用背部重掺杂点接触的结构,减少晶体硅与金属的接触面积来降低复合损耗;2)硅异质结(SHJ)型太阳电池的本征非晶硅薄层提供了良好的钝化效果,同时晶体硅与非晶硅间的异质接触使得器件的开路电压相对更高;3)隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)型太阳电池采用超薄隧道氧化物(SiO_(x))和磷掺杂硅层,显著地减少了金属-半导体界面处的表面复合;4)新型选择性接触(selective contact)型太阳电池(如DASH电池)采用低温无掺杂的金属氧化物作为电子/空穴选择层,实现了对光生载流子的有效收集。 展开更多
关键词 太阳电池 晶体材料 异质结 半导体器件
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VHF-PECVD制备微晶硅材料及电池 被引量：7
11
作者 张晓丹 赵颖 +7 位作者 朱锋 魏长春 高艳涛 孙健 侯国付 薛俊明 耿新华 熊绍珍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期952-957,共6页
采用VHF PECVD技术制备了不同功率系列的微晶硅薄膜和电池,测试结果表明:制备的适用于微晶硅电池的有源层材料的暗电导和光敏性都在电池要求的参数范围内.低功率或高功率条件下,电池从n和p方向的喇曼测试结果是不同的,在晶化率方面材料... 采用VHF PECVD技术制备了不同功率系列的微晶硅薄膜和电池,测试结果表明:制备的适用于微晶硅电池的有源层材料的暗电导和光敏性都在电池要求的参数范围内.低功率或高功率条件下,电池从n和p方向的喇曼测试结果是不同的,在晶化率方面材料和电池也有很大的差别,把相应的材料应用于电池上时,这一点很重要.采用VHF PECVD技术制备的微晶硅电池效率为5%,Voc=0 45V,Jsc=22mA/cm2,FF=50%,Area=0 253cm2. 展开更多
关键词 甚高频等离子体增强化学气相沉积 微晶硅薄膜 微晶硅电池
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采用喇曼散射和光热偏转谱法研究微晶硅薄膜结构 被引量：9
12
作者 张晓丹 赵颖 +7 位作者 朱锋 魏长春 麦耀华 高艳涛 孙建 侯国付 耿新华 熊绍珍 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期167-170,共4页
采用VHF PECVD技术制备了不同结构的Si薄膜,用喇曼(Raman)散射光谱和光热偏转谱(PDS)分别对材料的结构进行了研究。结果表明:Si薄膜的结构随温度的升高、功率的增大及H稀释的加大逐渐由非晶转变为微晶,同喇曼谱相比,PDS也可粗略地估计... 采用VHF PECVD技术制备了不同结构的Si薄膜,用喇曼(Raman)散射光谱和光热偏转谱(PDS)分别对材料的结构进行了研究。结果表明:Si薄膜的结构随温度的升高、功率的增大及H稀释的加大逐渐由非晶转变为微晶,同喇曼谱相比,PDS也可粗略地估计材料的结构变化;即使是同一种材料,恒定光电导谱(CPM)和PDS的测试结果是不同的,PDS能更准确地反映材料的实际信息。综合PDS和喇曼谱的测试结果认为,制备出了高质量的微晶Si(μc Si)薄膜。 展开更多
关键词 喇曼散射 PDS 微晶硅薄膜 VHF-PECVD 光电导 偏转 高质量 光热 升高 CPM
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W掺杂ZnO透明导电薄膜的理论及实验研究 被引量：9
13
作者 王延峰 黄茜 +4 位作者 宋庆功 刘阳 魏长春 赵颖 张晓丹 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第13期481-486,共6页
本文从理论与实验两方面入手,对高价态差金属W掺杂ZnO(WZO)薄膜材料的特性进行分析讨论.采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法对WZO材料特性进行理论分析,计算结果表明:W以替位形式掺入ZnO六角纤锌矿晶格结构中,由于W—O键的键长较长... 本文从理论与实验两方面入手,对高价态差金属W掺杂ZnO(WZO)薄膜材料的特性进行分析讨论.采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法对WZO材料特性进行理论分析,计算结果表明:W以替位形式掺入ZnO六角纤锌矿晶格结构中,由于W—O键的键长较长引起晶格常数增加,产生晶格畸变;掺杂后费米能级进入导带,其附近的导电电子主要由W 5d,O 2p及Zn 3d电子轨道提供,材料表现出n型半导体的特性;同时能带简并效应使其光学带隙展宽.为进一步验证该理论分析结果的适用性,本文采用脉冲直流磁控溅射技术进行了本征ZnO及WZO薄膜的实验研究,结果表明:W掺入未改变ZnO的生长方式,但引起薄膜的晶格常数增加,电阻率由本征ZnO的1.35×10^(-2)Ω·cm减小到1.55×10^(-3)Ω·cm,光学带隙由3.27 eV展宽到3.48 eV.制备的WZO薄膜在400-1100 nm的平均透过率大于83%.实验结果对理论计算结果进行了验证,表明WZO薄膜作为透明导电薄膜的应用潜力. 展开更多
关键词 WZO薄膜 第一性原理 磁控溅射 太阳电池
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电子束沉积生长高迁移率IMO透明导电薄膜的研究 被引量：8
14
作者 陈新亮 韩东港 +2 位作者 孙建 赵颖 耿新华 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第12期1599-1601,共3页
研究了利用电子束反应蒸发技术梯度速率生长高迁移率In2O3:Mo(IMO)薄膜的微观结构、光学和电学性能。高纯度In2O3:MoO3陶瓷靶和O2作为源材料。首先,利用低沉积速率(约0.01nm/s)生长一层厚度约为30nm的IMO薄膜,作为缓冲层,其次,提高生长... 研究了利用电子束反应蒸发技术梯度速率生长高迁移率In2O3:Mo(IMO)薄膜的微观结构、光学和电学性能。高纯度In2O3:MoO3陶瓷靶和O2作为源材料。首先,利用低沉积速率(约0.01nm/s)生长一层厚度约为30nm的IMO薄膜,作为缓冲层,其次,提高生长速率至0.04nm/s,高速率生长IMO薄膜,薄膜厚度约50nm。典型薄膜电阻率ρ约为2.5×10-4Ωcm,方块电阻Rs约为22.5Ω,载流子浓度n～5.8×1020cm-3,电子迁移率μ约为47.1cm2V-1s-1,可见光和近红外区域平均透过率约为80%。获得的IMO薄膜光电性能和直接利用低速率生长的薄膜特性相当或更好,并且极大地降低了薄膜生长时间。 展开更多
关键词 电子束蒸发技术 In2O3:Mo(IMO)薄膜 高迁移率 太阳电池
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一步法电化学沉积Cu(In1-x， Gax)Se2薄膜的特性 被引量：8
15
作者 敖建平 孙国忠 +6 位作者 闫礼 康峰 杨亮 何青 周志强 李凤岩 孙云 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1073-1079,共7页
在CuCl2、InCl3、GaCl3及H2SeO3组成的酸性水溶液电沉积体系中,对Mo/玻璃衬底上一步法电沉积Cu(In1-x,Gax)Se2(简写为CIGS)薄膜进行了研究.为了稳定溶液的化学性质,在溶液中加入邻苯二甲酸氢钾和氨基磺酸作为pH缓冲剂,将溶液的pH值控制... 在CuCl2、InCl3、GaCl3及H2SeO3组成的酸性水溶液电沉积体系中,对Mo/玻璃衬底上一步法电沉积Cu(In1-x,Gax)Se2(简写为CIGS)薄膜进行了研究.为了稳定溶液的化学性质,在溶液中加入邻苯二甲酸氢钾和氨基磺酸作为pH缓冲剂,将溶液的pH值控制在约2.5,并提高薄膜中Ga的含量.通过大量实验优化了溶液组成及电沉积条件,得到接近化学计量比贫Cu的CIGS薄膜(当Cu与In+Ga的摩尔比为1时,称为符合化学计量比的CIGS薄膜;当其比值为0.8-1时,称为贫Cu或富In的CIGS薄膜)预置层,薄膜表面光亮、致密、无裂纹.利用循环伏安法初步研究了一步法电沉积CIGS薄膜的反应机理,在沉积过程中,Se4+离子先还原生成单质Se,再诱导Cu2+、Ga3+和In3+发生共沉积.电沉积CIGS薄膜预置层在固态硒源280℃蒸发的硒气氛中进行硒化再结晶,有效改善了薄膜的结晶结构,且成份基本不发生变化,但是表面会产生大量的裂纹. 展开更多
关键词 电沉积 Cu(In1-x Gax)Se2薄膜 循环伏安法 pH缓冲溶液
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基于SVPWM低谐波死区算法的研究及应用 被引量：9
16
作者 赵耀 赵庚申 +2 位作者 郭天勇 赵星宇 殷杰 《电力系统保护与控制》 EI CSCD 北大核心 2012年第8期57-62,83,共7页
针对传统死区时间注入SVPWM调制波会使逆变电路输出波形产生畸变并导致其幅度降低的问题,为降低输出波形的谐波含量,提出了一种将可变死区时间加入到零矢量中的死区注入方法。在单相SVPWM调制方法的矢量合成原理分析基础上,对死区算法... 针对传统死区时间注入SVPWM调制波会使逆变电路输出波形产生畸变并导致其幅度降低的问题,为降低输出波形的谐波含量,提出了一种将可变死区时间加入到零矢量中的死区注入方法。在单相SVPWM调制方法的矢量合成原理分析基础上,对死区算法进行理论研究,并利用Matlab仿真进行了谐波分析。研究了采用FPGA生成SVPWM波形及相应的死区注入方法,利用微网分布式电源实验平台,分别对两种不同死区时间注入单相SVPWM的算法进行了实验验证,证明了该低谐波死区算法的有效性和准确性。 展开更多
关键词 分布式电源 低谐波 空间矢量PWM 死区时间 FPGA 微网
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Na掺入制备不锈钢衬底CIGS太阳电池 被引量：8
17
作者 施成营 何青 +7 位作者 赵九成 李风岩 姜一 张力 王春婧 周志强 李长健 孙云 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第7期771-774,共4页
以轻质柔性不锈钢材料为衬底,利用共蒸发法制备较高质量的四元化合物Cu(In,Ga)Se_2薄膜,在沉积CIGS薄膜前沉积一定厚度的NaF预置层,使得所制备的CIGS薄膜含有适量浓度的Na,并获得了10.06%的转换效率。利用X射线衍射仪和X射线荧光光谱仪... 以轻质柔性不锈钢材料为衬底,利用共蒸发法制备较高质量的四元化合物Cu(In,Ga)Se_2薄膜,在沉积CIGS薄膜前沉积一定厚度的NaF预置层,使得所制备的CIGS薄膜含有适量浓度的Na,并获得了10.06%的转换效率。利用X射线衍射仪和X射线荧光光谱仪分别测量了所制备薄膜的晶相和组分,利用扫描电子显微镜分析了不锈钢衬底CIGS太阳电池的断面形貌,最后分析了NaF的掺入对CIGS太阳电池的影响。 展开更多
关键词 Cu(In Ga)Se2(CIGS) 柔性 NAF 太阳电池 不锈钢
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化学水浴沉积时间对CdS薄膜性质的影响 被引量：8
18
作者 刘琪 冒国兵 敖建平 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期968-971,共4页
采用CBD法在醋酸镉溶液体系中制备CdS半导体薄膜,通过XRD、XRF、SEM和光学透过率谱等测试手段研究了沉积时间对CdS薄膜沉积过程和性质的影响。结果表明,随着沉积时间的增加,薄膜增厚;S/Cd原子比增加,但都为富Cd的CdS薄膜;XRD研究表明,... 采用CBD法在醋酸镉溶液体系中制备CdS半导体薄膜,通过XRD、XRF、SEM和光学透过率谱等测试手段研究了沉积时间对CdS薄膜沉积过程和性质的影响。结果表明,随着沉积时间的增加,薄膜增厚;S/Cd原子比增加,但都为富Cd的CdS薄膜;XRD研究表明,薄膜结构由立方、六方混合相向立方相转变,(111)方向成为择优生长方向;SEM研究表明,随沉积时间增加,薄膜变致密,薄膜表面出现的白色附着颗粒增多,尺寸增大;沉积时间对薄膜的光学性质也有很大的影响,随着沉积时间的增加薄膜透过率减小,而禁带宽度值增大。 展开更多
关键词 化学水浴沉积(CBD) CDS薄膜 沉积时间 Cu(In Ga)Se2太阳电池
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微晶硅n-i-p太阳电池中n型掺杂层对本征层结构特性的影响 被引量：7
19
作者 袁育杰 侯国付 +7 位作者 薛俊明 韩晓艳 刘云周 杨兴云 刘丽杰 董培 赵颖 耿新华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期3892-3897,共6页
采用高压射频等离子体增强化学气相沉积方法在非晶和微晶两种n型硅薄膜衬底上沉积了一系列不同厚度的本征微晶硅薄膜,研究了不同n型硅薄膜对本征微晶硅薄膜的表面形貌、晶化率和结晶取向等结构特性的影响.结果表明,本征微晶硅薄膜结构对... 采用高压射频等离子体增强化学气相沉积方法在非晶和微晶两种n型硅薄膜衬底上沉积了一系列不同厚度的本征微晶硅薄膜,研究了不同n型硅薄膜对本征微晶硅薄膜的表面形貌、晶化率和结晶取向等结构特性的影响.结果表明,本征微晶硅薄膜结构对n型掺杂层具有强烈的依赖作用,微晶n型掺杂层能够有效减少n/i界面非晶孵化层的厚度,改善本征微晶硅薄膜的纵向均匀性,进而提高微晶硅n-i-p太阳电池性能. 展开更多
关键词 孵化层 微晶硅薄膜 纵向均匀性 n-i-p太阳电池
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微晶硅锗太阳电池本征层纵向结构的优化 被引量：8
20
作者 曹宇 张建军 +5 位作者 李天微 黄振华 马峻 倪牮 耿新华 赵颖 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期223-229,共7页
采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,研究了辉光功率对微晶硅锗材料结构特性和光电特性的影响,提出使用功率梯度的方法制备微晶硅锗薄膜太阳电池本征层.优化后的微晶硅锗本征层不仅保持了晶化率纵向分布的均匀性,而且形成了沿生长方... 采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,研究了辉光功率对微晶硅锗材料结构特性和光电特性的影响,提出使用功率梯度的方法制备微晶硅锗薄膜太阳电池本征层.优化后的微晶硅锗本征层不仅保持了晶化率纵向分布的均匀性,而且形成了沿生长方向由宽到窄的渐变带隙分布,使电池的填充因子和短路电流密度都得到了提高.采用此方法制备的非晶硅/微晶硅锗双结叠层电池转换效率达到了9.54%. 展开更多
关键词 微晶硅锗 辉光功率 带隙调节 太阳电池
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