期刊文献+
共找到38篇文章
< 1 2 >
每页显示 20 50 100
薄膜太阳电池的研究进展 被引量:37
1
作者 耿新华 孙云 +1 位作者 王宗畔 李长健 《物理》 CAS 1999年第2期96-102,共7页
介绍了薄膜太阳电池在光伏技术中的位置,详细叙述了非晶硅、铜铟锡、碲化镉等主要薄膜太阳电池的基本结构、制造方法、研究进展和现状,指出了存在的关键问题和解决的途径,并介绍了薄膜太阳电池的发展趋势和应用前景.
关键词 薄膜太阳电池 非晶硅 太阳电池 碲化镉
原文传递
最大功率点跟踪原理及实现方法的研究 被引量:60
2
作者 赵庚申 王庆章 许盛之 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期997-1001,共5页
对最大功率跟踪控制中DC-DC变换器的原理和控制方法进行了实验研究,利用DC-DC转换电路测量和单片机控制系统实现最大功率点跟踪,使太阳电池始终保持最大功率输出;同时提出了实现最大功率跟踪的控制方法,并通过实测结果说明最大功率跟踪... 对最大功率跟踪控制中DC-DC变换器的原理和控制方法进行了实验研究,利用DC-DC转换电路测量和单片机控制系统实现最大功率点跟踪,使太阳电池始终保持最大功率输出;同时提出了实现最大功率跟踪的控制方法,并通过实测结果说明最大功率跟踪系统的效果。 展开更多
关键词 光伏系统 DC-DC变换器 最大功率点跟踪
下载PDF
CIS和CIGS薄膜太阳电池的研究 被引量:25
3
作者 孙云 王俊清 +7 位作者 杜兆峰 舒保健 于刚 温国忠 周祯华 孙健 李长健 张丽珠 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期192-195,共4页
采用蒸发硒化方法制备了P型CIS(铜铟硒 )和CIGS(铜铟镓硒 )薄膜 ,用蒸发法制备N型CdS(硫化镉 ) ,二者组成异质PN结太阳电池。经退火处理 ,CIS和CIGS薄膜太阳电池的效率分别达到 8 83 %和 9 13 %。对制膜过程中衬底的选择 ,背电极的制备 ... 采用蒸发硒化方法制备了P型CIS(铜铟硒 )和CIGS(铜铟镓硒 )薄膜 ,用蒸发法制备N型CdS(硫化镉 ) ,二者组成异质PN结太阳电池。经退火处理 ,CIS和CIGS薄膜太阳电池的效率分别达到 8 83 %和 9 13 %。对制膜过程中衬底的选择 ,背电极的制备 ,CIS各元素蒸发控制和镓的掺入等工艺技术问题进行了深入的讨论 。 展开更多
关键词 CIGS薄膜 太阳电池 转换效率 CIS
下载PDF
磁控溅射金属预置层后硒化法制备CuInSe_2薄膜工艺条件的优化 被引量:11
4
作者 汤会香 严密 +4 位作者 张辉 张加友 孙云 薛玉明 杨德仁 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期741-744,共4页
采用四因素四水平的正交实验法优化了磁控溅射金属预置层后硒化法制备CuInSe2 薄膜的工艺条件 .调节四个较为重要的影响因素 ,即Cu/In比、硒化时间、硒化温度和硒源温度制备得到 16个CuInSe2 样品 .用Hall效应仪对薄膜的电学性能进行了... 采用四因素四水平的正交实验法优化了磁控溅射金属预置层后硒化法制备CuInSe2 薄膜的工艺条件 .调节四个较为重要的影响因素 ,即Cu/In比、硒化时间、硒化温度和硒源温度制备得到 16个CuInSe2 样品 .用Hall效应仪对薄膜的电学性能进行了研究 ,并且通过XRD研究了薄膜的结构性能 .得到了制备具有较好电学性能的CuInSe2 薄膜的优化条件为 :Cu/In比 1 133,硒化温度 4 2 0℃ ,硒化时间 2 0min ,硒源温度 2 0 0℃ .在此优化条件下得到的薄膜Hall迁移率可以达到 3 19cm2 /(V·s) ,XRD结果表明薄膜中没有杂相存在 . 展开更多
关键词 正交实验 CuInSe2薄膜 优化制备
下载PDF
效率为12.1%的Cu(In,Ga)Se_2薄膜太阳电池 被引量:10
5
作者 何青 孙云 +11 位作者 李凤岩 敖建平 刘芳芳 李伟 刘维一 孙国忠 周志强 薛玉明 朴英美 汲明亮 郑贵波 李长健 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期782-784,共3页
利用共蒸发的三步法制备了较高质量的四元化合物Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜,并采用Mo/CIGS/CdS/ZnO 结构为基础做出转换效率超过10%的薄膜太阳电池,其最高转换效率达到12.1%(测试条件为:AM1.5,Global 1000W/m2)。通过与国际最高水平的CIGS... 利用共蒸发的三步法制备了较高质量的四元化合物Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜,并采用Mo/CIGS/CdS/ZnO 结构为基础做出转换效率超过10%的薄膜太阳电池,其最高转换效率达到12.1%(测试条件为:AM1.5,Global 1000W/m2)。通过与国际最高水平的CIGS太阳电池各参数的比较,分析了我们所制备的CIGS太阳电池在工艺和物理方面存在的问题。 展开更多
关键词 CIGS薄膜 太阳电池 转换效率
下载PDF
有机发光二极管矩阵显示屏的驱动电路的研究 被引量:5
6
作者 谢伟良 熊绍珍 +5 位作者 王宗畔 刘恩峰 任立儒 吴春亚 赵颖 王峻松 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 1999年第3期199-202,共4页
本文分析了有机发光二极管(OLED)的结构和驱动特性,对现行LED驱动电路予以改进,提高了电路驱动电压。
关键词 有机光发二极管 OLED 驱动电路 寻址 平板显示器
原文传递
甚高频等离子体增强化学气相沉积法沉积μc-Si∶H薄膜中氧污染的初步研究 被引量:8
7
作者 杨恢东 吴春亚 +3 位作者 赵颖 薛俊明 耿新华 熊绍珍 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期2865-2869,共5页
对不同的本底真空条件下 ,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的氢化微晶硅 (μc_Si∶H)薄膜中的氧污染问题进行了比较研究 .对不同氧污染条件下制备的薄膜样品的x射线光电子能谱与傅里叶变换红外吸收光谱测量结果表明 :μc_Si... 对不同的本底真空条件下 ,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的氢化微晶硅 (μc_Si∶H)薄膜中的氧污染问题进行了比较研究 .对不同氧污染条件下制备的薄膜样品的x射线光电子能谱与傅里叶变换红外吸收光谱测量结果表明 :μc_Si∶H薄膜中 ,氧以Si—O ,O—O和O—H三种不同的键合模式存在 ,不同的键合模式源自不同的物理机理 .μc_Si∶H薄膜的Raman光谱、电导率与激活能的测量结果进一步显示 :沉积过程中氧污染程度的不同 ,对 μc_Si∶H薄膜的结构特性与电学特性产生显著影响 ;而不同氧污染对 μc_Si∶H薄膜电学特性的影响不同于氢化非晶硅 (a_Si:H)薄膜 . 展开更多
关键词 甚高频等离子体增强 化学气相沉积法沉积 氧污染 氢化微晶硅薄膜 X射线光谱 电导率 激活能 拉曼光谱 光暗电导率
原文传递
Cu(In,Ga)Se_2集成电池吸收层的三步共蒸工艺 被引量:5
8
作者 张力 孙云 +4 位作者 何青 徐传明 肖建平 薛玉明 李长健 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期895-899,共5页
利用三步共蒸法工艺在10cm×10cm玻璃衬底上生长出电池吸收层CuIn_(0.7)Ga_(0.3)Se_2薄膜。通过XRF和XRD谱,分析了不同预置层(Precursor)(In_(0.7)Ga_(0.3))_2Se_3生长温度下CuIn_(0.7)Ga_(0.3)Se_2薄膜的结构特性。预置层生... 利用三步共蒸法工艺在10cm×10cm玻璃衬底上生长出电池吸收层CuIn_(0.7)Ga_(0.3)Se_2薄膜。通过XRF和XRD谱,分析了不同预置层(Precursor)(In_(0.7)Ga_(0.3))_2Se_3生长温度下CuIn_(0.7)Ga_(0.3)Se_2薄膜的结构特性。预置层生长温度分别为300、340和400℃时,所制备的集成组件的转换效率对应为4.23%、5.16%和7.03%(测试条件为:AM1.5,1000W/cm^2)。其组件效率的提高,归因于在预置层生长温度为400℃时所制备的CuIn_(0.7)Ga_(0.3)Se_2薄膜具有良好的结构特性和组份均匀性。 展开更多
关键词 CuIn0.7Ga0.3Se2薄膜 预置层(In0.7Ga0.3)2Se3 集成组件
下载PDF
多晶硅薄膜太阳电池的计算机模拟 被引量:4
9
作者 葛惠春 薛俊明 +4 位作者 耿新华 李洪波 王宗畔 王庆章 任慧志 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期145-149,共5页
建立了一个多晶硅薄膜太阳电池计算机模型。利用该模型 ,分别模拟计算了单结多晶硅薄膜电池、a Si/poly Si双结电池、a Si/ poly Si/ poly Si三结电池 ,并对结果进行了讨论。结果表明实际可行的多晶硅电池应是具有陷光结构的a Si/ poly ... 建立了一个多晶硅薄膜太阳电池计算机模型。利用该模型 ,分别模拟计算了单结多晶硅薄膜电池、a Si/poly Si双结电池、a Si/ poly Si/ poly Si三结电池 ,并对结果进行了讨论。结果表明实际可行的多晶硅电池应是具有陷光结构的a Si/ poly Si/ poly Si三结叠层电池 ,其子电池厚度为 0 2 3/ 0 95 / 3μm ,最高效率为 2 2 74 %。 展开更多
关键词 多晶硅薄膜 叠层电池 计算机模型 陷光结构 太阳能电池
下载PDF
蒸发硒化法制备CIS/CdS太阳电池研究 被引量:2
10
作者 李长健 朱践知 +2 位作者 飞海东 孙建 周桢华 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第4期297-302,共6页
用蒸发硒化法制作的基于CuInSe2(CIS)膜的CIS/CdS太阳电池,面积为0.1cm2和1cm2电池的转换效率分别达到7.62%和7.28%,5cm×6cm电池的平均效率达到6.67%。对制备工艺及关键技术... 用蒸发硒化法制作的基于CuInSe2(CIS)膜的CIS/CdS太阳电池,面积为0.1cm2和1cm2电池的转换效率分别达到7.62%和7.28%,5cm×6cm电池的平均效率达到6.67%。对制备工艺及关键技术、电池性能和退火效应进行了分析探讨。 展开更多
关键词 蒸发 硒化 退火 太阳能电池
下载PDF
头盔式LCoS视频数据处理系统的研究与设计 被引量:5
11
作者 黄茜 耿卫东 +3 位作者 商广辉 代永平 姜晓鹏 费旭峰 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期286-290,共5页
系统地分析了头盔式LCoS场序彩色显示系统对视频数据格式、传输速率、系统功耗等的具体要求,设计了一款单片RAM的头盔式LCoS视频数据处理系统。采用RGB32的数据传输格式,充分利用了ZBTSRAM高速数据读、写切换的特点,在系统主时钟保持在1... 系统地分析了头盔式LCoS场序彩色显示系统对视频数据格式、传输速率、系统功耗等的具体要求,设计了一款单片RAM的头盔式LCoS视频数据处理系统。采用RGB32的数据传输格式,充分利用了ZBTSRAM高速数据读、写切换的特点,在系统主时钟保持在13.5MHz的情况下,实现了单路数据的传输速率达40.5Mbit/s,远远超过了系统23.13Mbti/s的数据传输要求。采用该结构的数据处理系统,使系统功耗降低了0.6W,面积减小了近40cm2。设计的头盔微型显示系统样机,实现了640×480VGA分辩率、子场刷新频率为150Hz的场序彩色显示功能。 展开更多
关键词 头盔显示器 LCOS 场序彩色 数据缓存 读写切换 ZBT SRAM
下载PDF
一种快速判断非晶硅/微晶硅相变域的新方法 被引量:2
12
作者 侯国付 袁育杰 +3 位作者 薛俊明 孙建 赵颖 耿新华 《中国科学(G辑)》 CSCD 2008年第5期494-499,共6页
采用射频等离子体增强化学气相沉积方法制备了一系列不同硅烷浓度的硅薄膜材料,研究硅烷浓度变化对材料结构和电学特性的影响,寻找非晶/微晶相变域的位置;同时对材料沉积过程中的等离子体光发射谱(OES)进行了测试,并与Raman和电导结果... 采用射频等离子体增强化学气相沉积方法制备了一系列不同硅烷浓度的硅薄膜材料,研究硅烷浓度变化对材料结构和电学特性的影响,寻找非晶/微晶相变域的位置;同时对材料沉积过程中的等离子体光发射谱(OES)进行了测试,并与Raman和电导结果相结合,研究采用OES的方法快速准确判断非晶/微晶相变域的可行性.并从理论上分析了OES方法可以判断非晶/微晶相变域的内在物理机制. 展开更多
关键词 非晶硅 微晶硅 相变域 光发射谱
原文传递
SnO_2/p接触特性对a-Si太阳电池填充因子的影响 被引量:3
13
作者 耿新华 刘世国 +3 位作者 李洪波 孙云 孙钟林 徐温元 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期263-267,共5页
用PECVD方法制备出高电导率(~0.2scm-1)、宽带隙(~2.2eV)的P型微晶化硅碳合金(p-μc-SiC:H)薄膜材料。利用p-μC-SiC:H/p-a-Si:H复合结构做a-Si太阳电池的窗口材料,明显改... 用PECVD方法制备出高电导率(~0.2scm-1)、宽带隙(~2.2eV)的P型微晶化硅碳合金(p-μc-SiC:H)薄膜材料。利用p-μC-SiC:H/p-a-Si:H复合结构做a-Si太阳电池的窗口材料,明显改善了SnO2/p之间的接触特性,从而使10cm×10cm单结集成型电池的填充因子从0.70以下提高到0.72。 展开更多
关键词 SnO2/P 接触特性 填充因子 硅太阳电池 薄膜
下载PDF
超声喷雾法制备大面积太阳电池TCO膜及其工艺研究 被引量:3
14
作者 赵庚申 王庆章 +1 位作者 郭天勇 赵二刚 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期1317-1321,共5页
对基于超声喷雾热分解工艺制备400 mm×400 mm大面积太阳电池TCO膜和制备大面积SnO2∶F薄膜工艺作了研究,包括温度、掺杂比、酒精含量、载气流量和喷射距离等工艺参数对薄膜性能的影响。并将实验制得的薄膜用于制备非晶硅薄膜电池,... 对基于超声喷雾热分解工艺制备400 mm×400 mm大面积太阳电池TCO膜和制备大面积SnO2∶F薄膜工艺作了研究,包括温度、掺杂比、酒精含量、载气流量和喷射距离等工艺参数对薄膜性能的影响。并将实验制得的薄膜用于制备非晶硅薄膜电池,其效率达到了5.96%。 展开更多
关键词 超声喷雾热分解 太阳电池TCO膜 掺氟二氧化锡薄膜 掺杂比
原文传递
一种高速低功耗低相位抖动CMOS锁相环 被引量:2
15
作者 李桂华 王钊 +1 位作者 孙仲林 吉利久 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2001年第5期379-382,共4页
文章描述了基于电流模压控振荡器的锁相环的设计和仿真。锁相环的所有部件都设计在同一芯片上。电路设计基于 1 .2 μm CMOS工艺。HSPICE仿真结果显示 ,锁相环在 5 V外加电源电压时 ,工作在 1 6 MHz到 3 5 0 MHz宽的频率范围内 ,峰 -峰... 文章描述了基于电流模压控振荡器的锁相环的设计和仿真。锁相环的所有部件都设计在同一芯片上。电路设计基于 1 .2 μm CMOS工艺。HSPICE仿真结果显示 ,锁相环在 5 V外加电源电压时 ,工作在 1 6 MHz到 3 5 0 MHz宽的频率范围内 ,峰 -峰相位抖动小于 1 2 .5 ps,功耗为 2 0m W,锁相环的锁定时间小于 6 0 0 ns。 展开更多
关键词 模拟集成电路 锁相环 压控振荡器 CMOS
下载PDF
液晶人工神经元阵列的研制 被引量:1
16
作者 王勇竞 郭转运 +3 位作者 张延忻 张铁群 赵颖 熊绍珍 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第7期904-909,共6页
研制了一种液晶灵巧像素光学神经元阵列器件,它利用光电混合集成技术,以非晶硅作光敏材料,以液晶实现光调制,通过特殊设计的器件结构,能实现对两束光的相减和非线性取阈等人工神经元功能。该器件具有8×8个神经元。
关键词 神经网络 光学神经网络 神经元 液晶光阀
原文传递
A Novel Digital Transceiver for CT0 Standard 被引量:1
17
作者 陈殿玉 许长喜 +7 位作者 陈浩琼 李振 郭秀丽 惠志强 施鹏 王跃 吴岳 熊绍珍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期833-841,共9页
This paper introduces a novel digital transceiver for the cordless telephone zero (CT0) standard,which uses a digital modulation and demodulation technique to handle the signal instead of the traditional analog meth... This paper introduces a novel digital transceiver for the cordless telephone zero (CT0) standard,which uses a digital modulation and demodulation technique to handle the signal instead of the traditional analog meth-od. In the transmitter,a fractional-N phase locked loop (PLL) is utilized to realize the continuous phase frequency shift key (CPFSK) modulation,and a 2 Ts raised cosine (2RC) shaping technique is used to reduce the occupied bandwidth. In the receiver,a novel digital method is proposed to demodulate the 2RC CPFSK signal. This chip is fabricated using an SMIC 0.35μm mixed signal CMOS process with a die size of 2mm × 2mm. With an external low noise amplifier (LNA),the sensitivity of the chip is better than -103dBm. 展开更多
关键词 RF transceiver fractional-N PLL CPFSK MODULATOR DEMODULATOR
下载PDF
光学神经网络中非线性输出器件的研制
18
作者 岳兵 傅红娟 +3 位作者 张延忻 耿新华 熊绍珍 孟志国 《天津大学学报》 EI CAS CSCD 1999年第4期523-525,共3页
光学神经网络中非线性输出器件是一个瓶颈,本文报导了一种集成光电非线性输出器件(探测器阵列),给出了器件的结构、性能。
关键词 非线性输出器件 光学神经网络 PIN探测器
下载PDF
场时序彩色液晶显示器技术 被引量:2
19
作者 耿卫东 代永平 +1 位作者 任立如 孙钟林 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期299-302,共4页
场时序彩色液晶显示器 (FSC LCD)具有响应速度快、亮度高、彩色性能好、成本低等特点 ,代表了未来高端液晶显示器的发展方向。主要从基本原理、实现方法和相关材料等方面介绍了FSC LCD的关键技术及发展趋势。
关键词 场时序彩色 液晶显示器 硅上液晶
下载PDF
P型μC-SiC:H窗口材料掺杂特性的研究 被引量:2
20
作者 耿新华 孙云 +4 位作者 刘世国 李洪波 陆靖谷 孙建 徐温元 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第4期358-362,共5页
用等离子体射频辉光放电法,在低衬底温度(<170℃)、小rf功率(<60mWcm2)条件下,实现了硼掺杂硅碳合金薄膜材料的微晶化。获得了暗电导率σD~0.2scm-1、光带隙宽度Eopt~2.2eV的p型微晶氢化硅碳... 用等离子体射频辉光放电法,在低衬底温度(<170℃)、小rf功率(<60mWcm2)条件下,实现了硼掺杂硅碳合金薄膜材料的微晶化。获得了暗电导率σD~0.2scm-1、光带隙宽度Eopt~2.2eV的p型微晶氢化硅碳合金(μC-Si:B:H)薄膜。晶化的关键是H2稀释率和掺杂水平的控制。对该材料的掺杂效应、光电特性以及掺杂水平对材料结构的影响进行了详细研究。 展开更多
关键词 微晶化 硅碳硼合金 薄膜 掺杂特性
下载PDF
上一页 1 2 下一页 到第
使用帮助 返回顶部