期刊文献+
共找到9篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
薄膜电致发光器件中SiO_2加速作用的直接证据 被引量:5
1
作者 徐春祥 娄志东 徐叙 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期187-191,共5页
本文通过包含CdS层的薄膜电致发光(TFEL)器件的有关特性的研究,直接证明了SIO2对CdS中产生的电子有良好的加速作用,并获得了阈值电压低、B—V特性好,亮度较高的红色TFEL器件。我们将硫化镉蒸镀于电致发光器件... 本文通过包含CdS层的薄膜电致发光(TFEL)器件的有关特性的研究,直接证明了SIO2对CdS中产生的电子有良好的加速作用,并获得了阈值电压低、B—V特性好,亮度较高的红色TFEL器件。我们将硫化镉蒸镀于电致发光器件中,测量这些器件的电学和光学特性,发现含CdS的样品的传导电荷明显大于不含CdS的样品,这说明硫化镉层可以提供较多的电子.但是,样品ITO/SiO2/ZnS:Sm3+/SiO2/CdS/Al的发光效率低于不含硫化镐的样品,这说明这些电子在进入ZnS层的过程中能量有所降低.为了提高这些电子的能量,我们制备了样品ITO/SiO2/ZnS:Sm3+/SiO2/CdS/Al,使硫化镉中产生的电子先经过SiO2层,再进入发光层.测量结果表明这一样品的最大亮度和发光效率与上述含硫化镉的样品相比分别提高了2.5个和0.5个数量级,与不含硫化镉的样品的亮度接近,但其阈值电压较低,亮度—电压(B—V)曲线上升部分较陡,且有一段饱和区.在这一样品达到饱和的电压下,不含硫化镉的样品才刚刚起亮,这说明该样品的发光主要是由于硫化镉增加的电子数目对发光的贡献.同时这些电子在SiO2中得到了明显的加速。 展开更多
关键词 薄膜 电致发光 传导电荷 硫化镉 电子加速
下载PDF
ZnS:TmF_3薄膜电致发光特性的研究 被引量:1
2
作者 苑庆国 杨胜 +1 位作者 何大伟 成正维 《北方交通大学学报》 CSCD 北大核心 2001年第3期70-72,共3页
为了提高蓝色薄膜电致发光器件 (TFEL)的发光亮度 ,自行配制了氟化铥 (TmF3) ,并制备了以ZnS :TmF3为发光层的薄膜电致发光器件 ,研究了TmF3的掺杂浓度对ZnS :TmF3发光器件发光特性的影响 .实验结果显示 ,当掺杂浓度为 1.2 %mol时 。
关键词 薄膜电致发光 氟化铥 掺杂浓度 硫化锌 发光强度 显示技术
下载PDF
A Novel Structure of ZnS:Tm^(3+) TFEL Device
3
作者 杨胜 何大伟 +2 位作者 成正维 邓朝勇 关亚菲 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2002年第5期522-524,共3页
A novel ZnS:TmF 3 TFEL device with the structure of ITO/SiO 2/ ZnS:TmF 3/SiO 2/ZnS:TmF 3/SiO 2/Al was prepared by e beam evaporation method. The EL emission spectra show that the brightness of the novel structu... A novel ZnS:TmF 3 TFEL device with the structure of ITO/SiO 2/ ZnS:TmF 3/SiO 2/ZnS:TmF 3/SiO 2/Al was prepared by e beam evaporation method. The EL emission spectra show that the brightness of the novel structure devices greatly increases compared with that of devices with traditional double insulator structure, and the ratio of blue emission to red emission of the novel structure device is also improved. The improvement of the EL characteristics of this kind TFEL device is attributed to both of the electron acceleration and the ZnS/SiO 2 interface. 展开更多
关键词 rare earths thin film electroluminescence(tfel) hot electron acceleration
下载PDF
蓝色薄膜电致发光的新材料ZnO(S):Ce^(3+)的发光特性 被引量:1
4
作者 于磊 娄志东 +2 位作者 徐春祥 滕枫 杨晓辉 《光电子技术》 CAS 1997年第2期94-97,共4页
介绍了新制备的TFEL发光材料ZnO(S):Ce2+,测量了它的PL和EL特性,结果显示:这种材料的TFEL为Ce3+的发光,有较好的颜色组成(446nm,493nm),可望用于监色TFEL。
关键词 电致发光 发光特性 发光材料 EL 薄膜 PL 显示 蓝色
下载PDF
ZnS:Ag^+AC TFEL器件的制备及发光特性研究
5
作者 徐春祥 卫常红 +1 位作者 华玉林 徐叙 《功能材料》 EI CAS CSCD 1995年第3期197-200,共4页
通过对ZnS:Ag ̄+薄膜电致发光(TFEL)器件的光学性质的研究,探讨了能获得稳定兰色发光的TFEL器件的制备及有利于ZnS:Ag ̄+兰色发光的实验条件,同时讨论了光的干涉对ZnS:Ag ̄+TFEL光谱的影响。在实... 通过对ZnS:Ag ̄+薄膜电致发光(TFEL)器件的光学性质的研究,探讨了能获得稳定兰色发光的TFEL器件的制备及有利于ZnS:Ag ̄+兰色发光的实验条件,同时讨论了光的干涉对ZnS:Ag ̄+TFEL光谱的影响。在实验中得到的ZnS:Ag ̄+TFEL光谱是包含几个隆起的宽带,通过计算证明这些隆起的出现与光的干涉有关。Ag ̄+的浓度对ZnS:Ag ̄+TFEL器件的发光亮度和稳定性有显著的影响,Ag ̄+浓度约为0.03mol%时,器件亮度较高,稳定性也较好。浓度再大时,亮度和稳定性较低。较高的电压有利于ZnS:Ag ̄+兰色发光的提高,激发频率也存在一个最佳值。 展开更多
关键词 薄膜电致发光 发光强度 干涉 老化
下载PDF
一种新结构ZnS∶Tm^(3+)薄膜电致发光器件的研究
6
作者 杨胜 何大伟 +2 位作者 成正维 邓朝勇 关亚菲 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第6期583-585,共3页
采用电子束蒸发法制备了一种新结构 (ITO/SiO2 /ZnS∶TmF3/SiO2 /ZnS∶TmF3/SiO2 /Al)的薄膜电致发光器件 ,并与传统双绝缘层结构的器件相比较。结果表明 ,新结构器件的发光蓝红外比和发光亮度要明显高于双绝缘层结构的器件。分析认为... 采用电子束蒸发法制备了一种新结构 (ITO/SiO2 /ZnS∶TmF3/SiO2 /ZnS∶TmF3/SiO2 /Al)的薄膜电致发光器件 ,并与传统双绝缘层结构的器件相比较。结果表明 ,新结构器件的发光蓝红外比和发光亮度要明显高于双绝缘层结构的器件。分析认为这是由于SiO2 展开更多
关键词 稀土 薄膜电致发光器件 硫化锌 掺杂 薄膜电致发光 电子束蒸发法 显示材料
下载PDF
蓝色显示材料及器件的研究 被引量:4
7
作者 赵伟明 唐春玖 +4 位作者 王林军 刘祖刚 蒋雪茵 张志林 许少鸿 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期68-73,共6页
用H2和CS2还原法制备CeSrS发光材料,分析了两种方法对材料的结构及发光特性的影响,得到了最高亮度为950cd/m2(1000Hz)的CeSrS薄膜电致发光(TFEL)器件;用高温固相法得到CeSrGa2S4荧光... 用H2和CS2还原法制备CeSrS发光材料,分析了两种方法对材料的结构及发光特性的影响,得到了最高亮度为950cd/m2(1000Hz)的CeSrS薄膜电致发光(TFEL)器件;用高温固相法得到CeSrGa2S4荧光粉,用射频溅射沉积的CeSrGa2S4薄膜在600℃以上、H2S气氛下快速热处理可以改善薄膜结晶性能,提高杂质激发峰强度,得到好的光致发光(PL)发光性能,以陶瓷片作为基片同时作为绝缘层制得的CeSrGa2S4薄膜电致发光器件有微弱的发光。 展开更多
关键词 蓝色 显示材料 CeiSrS 电致发光 光致发光 器件
原文传递
TFEL of Ce^(3+) in zine sulpho-oxide
8
作者 YU Lei\+1, LOU Zhidong\+1, XU Chunxiang\+1, XU Zheng\+2 and XU Xurong\+2 1. Institute of Material Physics, Tianjin Institute of Technology, Tianjin 300191, China 2. Department of Physics, Northern Jiaotong University, Beijing 100044, China 《Chinese Science Bulletin》 SCIE CAS 1998年第14期1179-1183,共5页
A new TFEL material ZnS X O 1-X : Ce 3+ is prepared. The EL brightness of ZnS X O 1-X : Ce 3+ is at least one order higher than that of ZnS: Ce 3+ at the same doping concentration of Ce 3+ . The EL emission wavelength... A new TFEL material ZnS X O 1-X : Ce 3+ is prepared. The EL brightness of ZnS X O 1-X : Ce 3+ is at least one order higher than that of ZnS: Ce 3+ at the same doping concentration of Ce 3+ . The EL emission wavelength of ZnS X O 1-X : Ce 3+ (\%X\%=0.5) ranges from 400 to 600 nm. The emission of ZnS X O 1-X : Ce 3+ may be used as the blue part of white TFEL. 展开更多
关键词 thin_film electroluminescence (tfel) FILTER LAYERED optimization zine sulpho_oxide.
原文传递
CdS在多层薄膜电致发光器件中的新应用
9
作者 徐春祥 娄志东 徐叙瑢 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 1996年第1期63-67,共5页
将CdS蒸镀于电致发光器件中,测量这些器件的电学和光学特性,发现CdS层可以提供较多的电子但是,样品ITO/SiO/SiO2/ZnS:X/CdS/SiO2/SiO/Al(X=Mn2+,Sm3+的亮度明显低于不含CdS... 将CdS蒸镀于电致发光器件中,测量这些器件的电学和光学特性,发现CdS层可以提供较多的电子但是,样品ITO/SiO/SiO2/ZnS:X/CdS/SiO2/SiO/Al(X=Mn2+,Sm3+的亮度明显低于不含CdS的样品,说明这些电子在向ZnS层输运的过程中能量有所降低在样品ITO/SiO/SiO2/ZnS:X/SiO2/CdS/Al中,CdS产生的电子经过SiO加速而获得了较高的能量,提高了TFEL器件发光亮度这一样品的亮度比上述含CdS的样品的亮度高2.5个数量级,且其阈值电压较低,亮度-电压特性好.在这一样品达到饱和的电压下,含CdS的样品才刚刚起亮,这说明该样品的发光主要是CdS提供的电子对发光的贡献。 展开更多
关键词 硫化镉 薄膜 电致发光器件 传导电荷 多层薄膜
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部