期刊文献+
共找到2篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
基于Voronoi网格研究ZnO压敏电阻微观参数对其电气性能的影响
1
作者 程宽 赵洪峰 《广东电力》 2023年第1期102-113,共12页
ZnO压敏电阻是由大量ZnO晶粒和晶界组成的多晶半导体器件,其内部ZnO晶粒微观结构的几何形状和拓扑结构以及晶界的性能和电气特性分布对ZnO压敏电阻的宏观电气特性的影响非常明显。因此,基于Voronoi网格建立ZnO压敏电阻的微观结构模型和... ZnO压敏电阻是由大量ZnO晶粒和晶界组成的多晶半导体器件,其内部ZnO晶粒微观结构的几何形状和拓扑结构以及晶界的性能和电气特性分布对ZnO压敏电阻的宏观电气特性的影响非常明显。因此,基于Voronoi网格建立ZnO压敏电阻的微观结构模型和晶界电路模型,研究微观参数的变化对其宏观电气性能的影响。仿真结果表明:通过减小平均晶粒尺寸、提高表面态密度或者降低施主浓度等措施,能够明显提高ZnO压敏电阻的电压梯度,电压梯度的提高有助于降低其残压比;降低晶粒电阻率,可减小ZnO压敏电阻的残压比,同时对其他电气参数无明显影响。因此,研发高梯度、低残压的ZnO压敏电阻,应采取以减小平均晶粒尺寸、降低晶粒电阻率作为主研究路线,以提高表面态密度、降低施主浓度等作为辅助措施的研发策略。 展开更多
关键词 Voronoi网格 电压梯度 晶粒电阻率 残压比 表面态密度
下载PDF
InSb(110)弛豫表面电子态的计算
2
作者 王松有 马丙现 张国平 《华北水利水电学院学报》 1997年第3期39-43,共5页
利用形式散射理论方法,采用最近邻的紧束缚模型计算了InSb(110)弛豫表面的电子结构,给出了总体、局域、分波态密度和表面投影能带。通过分析其表面态的变化指出了表面发生弛豫的原因主要是阴阳离子的p态电子的相互作用加强... 利用形式散射理论方法,采用最近邻的紧束缚模型计算了InSb(110)弛豫表面的电子结构,给出了总体、局域、分波态密度和表面投影能带。通过分析其表面态的变化指出了表面发生弛豫的原因主要是阴阳离子的p态电子的相互作用加强所产生的。 展开更多
关键词 INSB 表面电子态 计算 电子结构 半导体性质
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部