摘要
利用形式散射理论方法，采用最近邻的紧束缚模型计算了ＩｎＳｂ（１１０）弛豫表面的电子结构，给出了总体、局域、分波态密度和表面投影能带。通过分析其表面态的变化指出了表面发生弛豫的原因主要是阴阳离子的ｐ态电子的相互作用加强所产生的。
By the method of the formular scattering theory,the electronic structure of InSb(110) relaxed surface is calculated,and the density of surface state,the projected surface band structure of InSb(110) are presented. Analysising the results,the origination of InSb (110) relaxed surface is also discussed.
出处
《华北水利水电学院学报》
1997年第3期39-43,共5页
North China Institute of Water Conservancy and Hydroelectric Power
