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电力电子化电力系统多尺度电压功角动态稳定问题 被引量：232
1
作者 袁小明 程时杰 胡家兵 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2016年第19期5145-5154,5395,共11页
随着可再生能源发电、远距离输电及无功补偿和交流传动等应用的快速发展,电力电子变换装备以其在电能变换方面的灵活性在电力系统中的渗透水平不断提高,深刻地改变着电力系统的动态行为。近年来,国内外电力系统持续出现各种不明机理的... 随着可再生能源发电、远距离输电及无功补偿和交流传动等应用的快速发展,电力电子变换装备以其在电能变换方面的灵活性在电力系统中的渗透水平不断提高,深刻地改变着电力系统的动态行为。近年来,国内外电力系统持续出现各种不明机理的动态问题,对电力系统安全稳定和运行构成重大威胁。该文从主要发电、输电和负荷装备的控制方式、动态特性及其对电力系统动态行为的影响角度出发,分析一次调频时间尺度以下电力电子化电力系统电压功角动态稳定问题的多尺度特征,并初步提出基于幅相运动方程、自稳性致稳性及广义稳定器等3个方面的系统建模、分析和控制的一般化概念和方法,即幅相动力学方法。 展开更多
关键词 电力电子化电力系统 多时间尺度动态过程 幅相运动方程 自稳性/致稳性 广义稳定器 幅相动力学
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半导体器件引线框架材料的现状与发展 被引量：21
2
作者 邬震泰 《材料科学与工程》 CSCD 北大核心 2001年第3期127-130,共4页
本文评述了半导体器件引线框架材料国内外研究开发的现状 ,对引线框架材料性能和材料设计进行了分析 ,并讨论了随着计算机和信息工业的迅猛发展 ,引线框架材料今后的发展趋势。
关键词 引线框架材料 半导体器件 材料设计 合金材料
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电磁脉冲对半导体器件的电流模式破坏 被引量：22
3
作者 余稳 蔡新华 +1 位作者 黄文华 刘国治 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期355-358,共4页
利用时域有限差分（ＦＤＴＤ）方法，对电磁脉冲引起半导体器件的毁坏过程进行了数值模拟，得到了无负载半导体ｐｎ结器件在快前沿（ｎｓ量级）电磁脉冲作用下的瞬态行为。
关键词 电磁脉冲 半导体器件 电流模式 时域有限差分
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基于半导体光放大器中交叉增益调制效应的波长转换啁啾特性的分析 被引量：18
4
作者 叶亚斌 郑小平 +3 位作者 张汉一 初元量 李艳和 郭奕理 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期436-440,共5页
对基于半导体光放大器中交叉增益调制效应的波长转换后信号的啁啾特性进行了分析。研究了输入信号光和参考光的功率、波长、转换速率。
关键词 半导体光放大器 波长转换 啁啾 交叉增益调制 波分复用全光网
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微电子封装业和微电子封装设备 被引量：7
5
作者 贾松良 《电子工业专用设备》 2003年第1期7-11,共5页
介绍了国际和国内半导体封装业的发展情况及几种新颖封装,指出中国即将成为国际半导体封装产业的重要基地之一,这为我国发展半导体封装设备提供了良好的市场前景,例举了有关半导体封装工艺、检测、试验及支撑所需的设备。
关键词 微电子 封装 封装设备 半导体 检测 试验 BGA CSP WLP
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面向IP核测试复用的测试环设计 被引量：8
6
作者 陆思安 严晓浪 +2 位作者 李浩亮 沈海斌 何乐年 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期93-97,共5页
提出了一种改进的测试环单元设计.它在传统的P1500测试环单元基础上添加一个多路器,实现了对测试环单元的功能数据路径测试,并解决了测试环扫描链在扫描移位过程中的安全移位问题,同时还可以降低扫描移位过程中产生的动态测试功耗;在分... 提出了一种改进的测试环单元设计.它在传统的P1500测试环单元基础上添加一个多路器,实现了对测试环单元的功能数据路径测试,并解决了测试环扫描链在扫描移位过程中的安全移位问题,同时还可以降低扫描移位过程中产生的动态测试功耗;在分析了两种典型测试环P1500测试环以及飞利浦TestShell测试环的基础上,提出了一种三态测试环结构.该结构允许共用同一条测试总线的不同IP核直接连接到测试总线上. 展开更多
关键词 IP核测试复用 设计 改进测试环单元 三态测试环 系统芯片 半导体制造技术
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键合金丝的合金化研究动向 被引量：13
7
作者 朱建国 《贵金属》 CAS CSCD 2002年第3期57-61,共5页
根据最新的专利文献综述了高弧度、低弧度、高强度键合金丝的发展现状 ,介绍了微量添加元素的作用和Au -Cu -Ca、Au -Ag、Au -Ni、Au -Sn(In)、Au -Pt(Pd)等合金化键合金丝的研究动向 ,以及键合金丝的微量添加元素复合化、组成合金化、... 根据最新的专利文献综述了高弧度、低弧度、高强度键合金丝的发展现状 ,介绍了微量添加元素的作用和Au -Cu -Ca、Au -Ag、Au -Ni、Au -Sn(In)、Au -Pt(Pd)等合金化键合金丝的研究动向 ,以及键合金丝的微量添加元素复合化、组成合金化、加工细线化、低成本化的发展趋势。 展开更多
关键词 键合金丝 合金化 研究动向 半导体器件 性能 组成 金合金
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半导体器件辐射电离效应的激光模拟方法 被引量：14
8
作者 李沫 孙鹏 +2 位作者 宋宇 代刚 张健 《太赫兹科学与电子信息学报》 2015年第1期160-168,共9页
因对半导体器件进行安全、快捷、无损伤的辐射效应研究及验证的迫切需求,激光模拟辐射电离效应方法应运而生,并得到了国外科研界的推动和认可。相比于大型地面辐射模拟装置,激光模拟方法具有许多独特优势,可为深入认识半导体器件辐射效... 因对半导体器件进行安全、快捷、无损伤的辐射效应研究及验证的迫切需求,激光模拟辐射电离效应方法应运而生,并得到了国外科研界的推动和认可。相比于大型地面辐射模拟装置,激光模拟方法具有许多独特优势,可为深入认识半导体器件辐射效应,开展有针对性的抗辐射加固设计提供重要的补充手段,其研究在理论和应用方面均具有重要意义。本文简要叙述了γ射线、激光与半导体器件相互作用产生电离效应的主要机理,归纳了激光模拟的物理基础和主要特点,总结了国内外发展的情况,深入分析了当前研究存在的问题,并提出了开展研究可以采取的手段和方法。最后展望了未来值得进一步探索的研究内容和方向。 展开更多
关键词 半导体器件 辐射电离效应 激光模拟
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IGBT高频开关电源的故障分析及处理 被引量：12
9
作者 吴耀辉 杨焦赟 魏仁灿 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2009年第5期61-62,共2页
IGBT高频开关电源以其一系列优点,一经问世就在整个电镀行业得到了广泛应用。但该电源的缺点是IGBT模块容易损坏,目前的一些IGBT保护方案仅停留在理论阶段。针对一家电镀企业的大功率高频开关电源屡损IGBT进行了长期跟踪调查。通过对IGB... IGBT高频开关电源以其一系列优点,一经问世就在整个电镀行业得到了广泛应用。但该电源的缺点是IGBT模块容易损坏,目前的一些IGBT保护方案仅停留在理论阶段。针对一家电镀企业的大功率高频开关电源屡损IGBT进行了长期跟踪调查。通过对IGBT高频开关电源的主板DC/AC电路和驱动电路的深入研究,进行了故障排查及处理。 展开更多
关键词 电源 半导体元器件 故障诊断/绝缘栅双极晶体管
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半导体器件烧毁的物理机理 被引量：8
10
作者 余稳 蔡新华 +1 位作者 黄文华 刘国治 《物理》 CAS 1999年第6期356-359,共4页
叙述了半导体器件烧毁的物理机理。
关键词 半导体器件 烧毁 高功率 物理机理 微波
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基于失效机理的半导体器件寿命模型研究 被引量：13
11
作者 赵霞 吴金 姚建楠 《电子产品可靠性与环境试验》 2007年第6期15-18,共4页
微电子技术的发展使得集成电路的可靠性愈来愈重要,为了在较短的时间内得到产品可靠性数据,使用加速寿命试验是十分有效的方法。而使用加速寿命试验进行可靠性分析,关键是能够得到合适的寿命模型。不同的失效机理对器件寿命的影响是不... 微电子技术的发展使得集成电路的可靠性愈来愈重要,为了在较短的时间内得到产品可靠性数据,使用加速寿命试验是十分有效的方法。而使用加速寿命试验进行可靠性分析,关键是能够得到合适的寿命模型。不同的失效机理对器件寿命的影响是不同的。详细考虑了半导体器件的3个主要失效机理:电迁移、腐蚀和热载流子注入的影响因素,介绍了相应的寿命模型,并且通过具体的数据计算所得到的加速因子,对半导体器件在不同状态下的寿命情况进行了比较。 展开更多
关键词 半导体器件 加速寿命试验 失效机理
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高压GaAs光导开关的锁定及延迟效应机理分析 被引量：6
12
作者 龚仁喜 张义门 +1 位作者 石顺祥 张同意 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期1372-1376,共5页
利用二维器件模拟程序MEDICI对GaAs光导开关 (PCSS′s)的动态非线性特性 ,特别是高场下呈现出的锁定及延迟效应的工作机制进行了仿真研究。仿真结果表明深能级陷阱能显著影响开关中的电场、载流子、电流密度等分布 ,引起电流的延迟 ,使... 利用二维器件模拟程序MEDICI对GaAs光导开关 (PCSS′s)的动态非线性特性 ,特别是高场下呈现出的锁定及延迟效应的工作机制进行了仿真研究。仿真结果表明深能级陷阱能显著影响开关中的电场、载流子、电流密度等分布 ,引起电流的延迟 ,使开关中某些区域的电场动态增强 ,并足以达到雪崩的强度 ,从而引起载流子雪崩倍增 ,并在外电路的作用下 ,使开关进入锁定状态。仿真结果与实验现象基本相符 ,由此得出结论 :高压GaAs光导开关实验中所观察到的锁定及延迟等现象均与开关材料中故意或非故意引入的深能级陷阱密切相关。 展开更多
关键词 光导开关 机理分析 锁定 延迟效应 GAAS光导开关 砷化镓光导开关 动态非线性
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GaN基材料生长及其在光电器件领域的应用 被引量：10
13
作者 王三胜 顾彪 +2 位作者 徐茵 秦福文 杨大智 《电子器件》 CAS 2002年第1期1-8,共8页
Ga N具有禁带宽、热导率高、电子饱和漂移速度大和介电常数小等特点 ,在高亮度发光二极管、短波长激光二极管、高性能紫外探测器和高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景。本文介绍了 Ga N基半导体材料的制备方法 ,异... Ga N具有禁带宽、热导率高、电子饱和漂移速度大和介电常数小等特点 ,在高亮度发光二极管、短波长激光二极管、高性能紫外探测器和高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景。本文介绍了 Ga N基半导体材料的制备方法 ,异质结构以及在光电子和微电子器件领域的应用 。 展开更多
关键词 外延生长 基材 氮化镓 光电器件
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超净硅片表面化学清洗工艺的优化研究 被引量：8
14
作者 叶志镇 姜小波 +1 位作者 袁骏 李剑光 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第5期380-385,共6页
本文采用正交试验设计法优化硅片化学清洗工艺，由Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）检测清洗后的硅表面沾污杂质．结果表明，硅表面主要沾污杂质氧和碳的最低含量分别为１．６×１０１３／ｃｍ２和３．１×１０１３／ｃｍ２，均达到超净... 本文采用正交试验设计法优化硅片化学清洗工艺，由Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）检测清洗后的硅表面沾污杂质．结果表明，硅表面主要沾污杂质氧和碳的最低含量分别为１．６×１０１３／ｃｍ２和３．１×１０１３／ｃｍ２，均达到超净的水平（～３×１０１３／ｃｍ２）．本文还研究了Ⅰ号液和Ⅱ号液对硅片表面沾污的影响． 展开更多
关键词 硅片 化学清洗 优化 半导体薄膜
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晶体硅太阳电池研究进展 被引量：11
15
作者 张云龙 陈新亮 +2 位作者 周忠信 赵颖 张晓丹 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第10期49-60,共12页
主要介绍太阳电池基本原理和晶体硅基本性质,并从少子复合的角度分析了氧化物钝化层对太阳电池性能的影响;重点阐述4种典型晶体硅太阳电池的研究现状,并详细分析其获得高效率的物理机制:1)钝化发射极型太阳电池采用背部重掺杂点接触的结... 主要介绍太阳电池基本原理和晶体硅基本性质,并从少子复合的角度分析了氧化物钝化层对太阳电池性能的影响;重点阐述4种典型晶体硅太阳电池的研究现状,并详细分析其获得高效率的物理机制:1)钝化发射极型太阳电池采用背部重掺杂点接触的结构,减少晶体硅与金属的接触面积来降低复合损耗;2)硅异质结(SHJ)型太阳电池的本征非晶硅薄层提供了良好的钝化效果,同时晶体硅与非晶硅间的异质接触使得器件的开路电压相对更高;3)隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)型太阳电池采用超薄隧道氧化物(SiO_(x))和磷掺杂硅层,显著地减少了金属-半导体界面处的表面复合;4)新型选择性接触(selective contact)型太阳电池(如DASH电池)采用低温无掺杂的金属氧化物作为电子/空穴选择层,实现了对光生载流子的有效收集。 展开更多
关键词 太阳电池 晶体材料 异质结 半导体器件
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半导体器件欧姆接触中的扩散阻挡层 被引量：10
16
作者 张万荣 李志国 +4 位作者 郭伟玲 孙英华 穆甫臣 程尧海 沈光地 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1998年第5期53-56,共4页
为提高半导体器件欧姆接触的可靠性，一般要在金属化系统中加扩散阻挡层。本文介绍了扩散阻挡层的种类及其特性，并进行了比较和讨论。最后给出了在实际成功应用的例子。
关键词 欧姆接触 扩散阻挡层 半导体器件 可靠性
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一种新型高性能光电探测器结构的研究 被引量：6
17
作者 任晓敏 黄永清 +1 位作者 刘凯 JoeC.Campbell 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 1998年第4期271-274,共4页
近来获得极大发展的谐振腔光电探测器具有引人注目的波长选择特性，并且实现了器件量子效率与带宽的渡越时间分量之间的解耦。但是，在其量子效率与光谱响应线宽之间仍存在着相互制约的关系，即这种结构本身决定了它很难同时获得窄线宽... 近来获得极大发展的谐振腔光电探测器具有引人注目的波长选择特性，并且实现了器件量子效率与带宽的渡越时间分量之间的解耦。但是，在其量子效率与光谱响应线宽之间仍存在着相互制约的关系，即这种结构本身决定了它很难同时获得窄线宽（＜２ｎｍ）和较高的量子效率。本文分析了我们最近提出的一种新型器件结构，即一镜斜置的三镜腔结构，并就其实现方法进行了讨论。这种结构具有使量子效率同时与带宽和光谱响应线宽解耦的优点。计算表明，这种结构可以同时获得２ｎｍ的光谱线宽和高于５０％的量子效率。此外，通过调节滤波子腔中的材料折射率可以在很宽的范围内调谐响应光谱峰。 展开更多
关键词 光电二级管 半导体器件 波长选择 调谐
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二极管失效和烧毁阈值与电磁波参数关系 被引量：9
18
作者 余稳 蔡新华 +1 位作者 黄文华 刘国治 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期215-218,共4页
利用半导体 PN结器件一维模拟程序 m PND1 D,计算了二极管在不同电磁脉冲电压源条件下的失效和烧毁时器件吸收的能量 ,并对结果作了初步分析。
关键词 电磁脉冲 半导体器件 失效 烧毁 二极管 电磁波
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半导体器件用显微红外热成像技术原理及应用 被引量：9
19
作者 翟玉卫 郑世棋 +1 位作者 刘岩 梁法国 《计测技术》 2018年第6期53-60,共8页
对用于半导体器件温度测量的显微红外热成像技术的原理及应用情况进行了总结。显微红外热成像技术基于普朗克黑体辐射定律,依靠测量被测件表面发出的红外辐射确定温度。在中红外波段下,该技术具备最高1. 9μm的空间分辨力,配合发射率修... 对用于半导体器件温度测量的显微红外热成像技术的原理及应用情况进行了总结。显微红外热成像技术基于普朗克黑体辐射定律,依靠测量被测件表面发出的红外辐射确定温度。在中红外波段下,该技术具备最高1. 9μm的空间分辨力,配合发射率修正技术,能够测量非黑体的微小半导体器件的真实温度。该技术具备稳态温度成像测量能力、连续毫秒级甚至微秒级的高时间分辨力成像测量能力和脉冲条件下器件温度测量能力。在各类半导体器件不同工作条件下的温度测量方面得到了广泛的应用。 展开更多
关键词 半导体器件 显微红外热成像 测温 发射率修正 空间分辨力 时间分辨力
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基于加速退化试验的模拟IC寿命评估研究 被引量：9
20
作者 罗俊 王健安 +4 位作者 郝跃 代天君 晏开华 李金龙 黄姣英 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期523-526,共4页
为解决高可靠性、长寿命模拟集成电路的寿命评估问题,结合半导体器件退化失效的特点,提出了基于加速退化试验的模拟集成电路寿命评估方法。在此基础上,以某型电压基准模拟IC为研究对象,通过对退化数据的分析研究,获得了其在正常工作应... 为解决高可靠性、长寿命模拟集成电路的寿命评估问题,结合半导体器件退化失效的特点,提出了基于加速退化试验的模拟集成电路寿命评估方法。在此基础上,以某型电压基准模拟IC为研究对象,通过对退化数据的分析研究,获得了其在正常工作应力下的寿命数据。 展开更多
关键词 半导体器件 加速退化试验 可靠性 寿命评估
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