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Impact of ambient temperature on the self-heating effects in FinFETs 被引量:3
1
作者 Longxiang Yin Gang Du Xiaoyan Liu 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2018年第9期74-81,共8页
We use an electro-thermal coupled Monte Carlo simulation framework to investigate the self-heating effect(SHE) in 14 nm bulk n Fin FETs with ambient temperature(TA) from 220 to 400 K. Based on this method, nonloca... We use an electro-thermal coupled Monte Carlo simulation framework to investigate the self-heating effect(SHE) in 14 nm bulk n Fin FETs with ambient temperature(TA) from 220 to 400 K. Based on this method, nonlocal heat generation can be achieved. Contact thermal resistances of Si/Metal and Si/Si O_2 are selected to ensure that the source and drain heat dissipation paths are the first two heat dissipation paths. The results are listed below:(i) not all input power(Q_(input) turns into heat generation in the device region and some is taken out by the thermal non-equilibrium carriers, owing to the serious non-equilibrium transport;(ii) a higher TA leads to a larger ratio of input power turning into heat generation in the device region at the same operating voltages;(iii) SHE can lead to serious degradation in the carrier transport, which will increase when TA increases;(iv) the current degradation can be 8.9% when Vds = 0.7 V, Vgs = 1 V and TA = 400 K;(v) device thermal resistance(Rth) increases with increasing of TA, which is seriously impacted by the non-equilibrium transport. Hence, the impact of TA should be carefully considered when investigating SHE in nanoscale devices. 展开更多
关键词 self-heating effects ambient temperature FINFET Monte Carlo method
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GaN HEMT器件封装热特性仿真分析 被引量:4
2
作者 崔虹云 吴云飞 +4 位作者 司有宝 候宪春 张运香 李培瑶 柳涛 《黑龙江工程学院学报》 CAS 2016年第2期38-41,共4页
主要研究在大功率工作条件下的带封装的GaN HEMT器件自加热效应。当封装GaN HEMT器件工作在大功率条件下时所产生的自加热效应会使器件栅指处的有源沟道层温度升高,同时多栅指之间还会产生互加热效应,使得器件的有源沟道层的温度升高,... 主要研究在大功率工作条件下的带封装的GaN HEMT器件自加热效应。当封装GaN HEMT器件工作在大功率条件下时所产生的自加热效应会使器件栅指处的有源沟道层温度升高,同时多栅指之间还会产生互加热效应,使得器件的有源沟道层的温度升高,影响器件的工作特性。主要分析具有封装结构的多栅指结构的GaN HEMT器件在一定功耗条件下的温度分布情况。多栅指器件的中心栅指处的温度最高,并且相比于其他栅指,中心栅指在其中心处达到在给定功耗下的最高温度。在此基础上,指出在进行器件设计时,要考虑中心栅指的温度,以免造成器件在实际工作中烧毁。 展开更多
关键词 自加热效应 封装
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新型SOANN埋层SOI器件的自加热效应研究 被引量:3
3
作者 曹磊 刘红侠 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第17期470-475,共6页
本文提出了一个新型的SOI埋层结构SOANN(silicon on aluminum nitride with nothing),用AIN代替传统的SiO2材料,并在SOI埋氧化层中引入空洞散热通道.分析了新结构SOI器件的自加热效应.研究结果表明:用AIN做为SOI埋氧化层的材料,降低了... 本文提出了一个新型的SOI埋层结构SOANN(silicon on aluminum nitride with nothing),用AIN代替传统的SiO2材料,并在SOI埋氧化层中引入空洞散热通道.分析了新结构SOI器件的自加热效应.研究结果表明:用AIN做为SOI埋氧化层的材料,降低了晶格温度,有效抑制了自加热效应.埋氧化层中的空洞,可以进一步提供散热通道,使埋氧化层的介电常数下降,减小了电力线从漏端通过埋氧到源端的耦合,有效抑制了漏致势垒降低DIBL(drain Induced barrier lowering)效应.因此,本文提出的新型SOANN结构可以提高SOI器件的整体性能,具有优良的可靠性. 展开更多
关键词 自加热效应 漏致势垒降低 ALN 空洞
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Motion of current filaments in avalanching PIN diodes 被引量:1
4
作者 任兴荣 柴常春 +4 位作者 马振洋 杨银堂 乔丽萍 史春蕾 任利华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2013年第4期37-41,共5页
The motion of current filaments in avalanching PIN diodes has been investigated in this paper by 2D transient numerical simulations. The simulation results show that the filament can move along the length of the PIN d... The motion of current filaments in avalanching PIN diodes has been investigated in this paper by 2D transient numerical simulations. The simulation results show that the filament can move along the length of the PIN diode back and forth when the self-heating effect is considered. The voltage waveform varies periodically due to the motion of the filament. The filament motion is driven by the temperature gradient in the filament due to the negative temperature dependence of the impact ionization rates. Contrary to the traditional understanding that current filamentation is a potential cause of thermal destruction, it is shown in this paper that the thermally-driven motion of current filaments leads to the homogenization of temperature in the diode and is expected to have a positive influence on the failure threshold of the PIN diode. 展开更多
关键词 PIN diode moving current filament self-heating effects impact ionization thermal runaway
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考虑自热效应的重掺杂AlGaAs/GaAs HBT电流特性分析 被引量:2
5
作者 周守利 崇英哲 +1 位作者 黄永清 任晓敏 《电子器件》 CAS 2004年第4期559-563,共5页
重掺杂使导带、价带带边同时发生了收缩 ,从而产生能带变窄效应 ( BGN)。对于因重掺杂 NPN突变 Al Ga As/Ga As HBT,而引起 BGN导带和价带突变界面势垒形状及高度都发生改变结果 ,以致对电流输出特性产生重要的影响。本文基于 Jain-Roul... 重掺杂使导带、价带带边同时发生了收缩 ,从而产生能带变窄效应 ( BGN)。对于因重掺杂 NPN突变 Al Ga As/Ga As HBT,而引起 BGN导带和价带突变界面势垒形状及高度都发生改变结果 ,以致对电流输出特性产生重要的影响。本文基于 Jain-Roulston禁带收缩模型及热场发射——扩散载流子输运机制 ,对考虑自热效应下的重掺杂 Al Ga As/Ga-As HBT电流特性进行了深入的研究。通过与其它计算程序常用的几种 BGN模型比较得出 :为了更好描述电流传输 ,利用 Jain-Roulston的 BGN模型 ,考虑导带。 展开更多
关键词 热场发射扩散 能带变窄效应(BGN) 自热效应 Jain—Roulston模型
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深亚微米SOI工艺ESD防护器件设计 被引量:2
6
作者 米丹 周昕杰 +2 位作者 周晓彬 何正辉 卢嘉昊 《电子与封装》 2021年第5期56-62,共7页
在集成电路设计领域,绝缘体上硅(SOI)工艺以其较小的寄生效应、更快的速度,得到广泛应用。但由于SOI工艺器件的结构特点及自加热效应(SHE)的影响,其静电放电(ESD)防护器件设计成为一大技术难点。当工艺进入深亚微米技术节点,基于部分耗... 在集成电路设计领域,绝缘体上硅(SOI)工艺以其较小的寄生效应、更快的速度,得到广泛应用。但由于SOI工艺器件的结构特点及自加热效应(SHE)的影响,其静电放电(ESD)防护器件设计成为一大技术难点。当工艺进入深亚微米技术节点,基于部分耗尽型SOI(PD-SOI)工艺的ESD防护器件设计尤为困难。为了提高深亚微米SOI工艺电路的可靠性,开展了分析研究。结合SOI工艺器件的结构特点,针对性地进行了ESD防护器件选择,合理设计了器件尺寸参数,并优化设计了器件版图。使用该设计的一款数字电路,通过了4.5 k V人体模型(HBM)的ESD测试。该设计有效解决了深亚微米SOI工艺ESD防护器件稳健性弱的问题。 展开更多
关键词 深亚微米 SOI工艺 自加热效应 ESD防护器件 栅控二极管
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GaN基HFET多栅指结构自加热效应及其优化
7
作者 董艳红 吴云飞 +2 位作者 王洪涛 崔虹云 张漫 《齐齐哈尔大学学报(自然科学版)》 2015年第5期60-62,共3页
研究了在大功率工作条件下的Ga N HFET器件的自加热效应。当Ga N HFET器件工作在大功率条件下时所产生的自加热效应,将会使得器件的有源沟道层的温度升高,影响到器件的工作特性。首先分析了多栅指结构的Ga N HFET器件在一定功耗条件下... 研究了在大功率工作条件下的Ga N HFET器件的自加热效应。当Ga N HFET器件工作在大功率条件下时所产生的自加热效应,将会使得器件的有源沟道层的温度升高,影响到器件的工作特性。首先分析了多栅指结构的Ga N HFET器件在一定功耗条件下的的温度分布情况,然后在此基础之上,对Ga N HFET做了相应的优化,使得器件的温度有一定程度的降低。 展开更多
关键词 GAN HFET 自加热效应 优化结构
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界面热阻对GaN HEMT自热效应的影响
8
作者 马佳 吴云飞 +2 位作者 崔虹云 韩海生 胡明 《佳木斯大学学报(自然科学版)》 CAS 2017年第6期973-975,共3页
主要研究了界面热阻对在大功率工作条件下的GaN HEMT的自热效应的影响。当GaN HEMT器件工作在大功率条件下时会产生自热效应使得自身温度升高,将会使得器件有源沟道温度升高,影响到器件的正常工作特性,产生温漂等一些列现象。计算了GaN ... 主要研究了界面热阻对在大功率工作条件下的GaN HEMT的自热效应的影响。当GaN HEMT器件工作在大功率条件下时会产生自热效应使得自身温度升高,将会使得器件有源沟道温度升高,影响到器件的正常工作特性,产生温漂等一些列现象。计算了GaN HEMT器件不同材料界面之间的界面热阻,在此基础之上,进行三维建模,仿真了GaN HEMT器件在考虑界面热阻时的温度分布情况。 展开更多
关键词 GAN HEMT 界面热阻 自热效应
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一种高精度铂电阻温度测量方法 被引量:24
9
作者 汪定国 王怡苹 《电子测量技术》 2012年第11期104-107,共4页
提出了一种温度测量方法,以单片机为核心,利用四线制铂电阻温度传感器、恒流源、模拟开关、高分辨率A/D转换器、运放,设计简单的硬件电路,通过多次测量并采用数学算法即可完成高精度的温度测量。该方法有效解决了引线电阻、自热效应和... 提出了一种温度测量方法,以单片机为核心,利用四线制铂电阻温度传感器、恒流源、模拟开关、高分辨率A/D转换器、运放,设计简单的硬件电路,通过多次测量并采用数学算法即可完成高精度的温度测量。该方法有效解决了引线电阻、自热效应和元器件温漂等问题的影响。实验结果表明,利用该方法可将测温精度提高至0.01℃,同时线性度较好,具有很高的应用价值。 展开更多
关键词 铂电阻 恒流源 温度测量 自热效应
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铂电阻温度传感器的自热效应 被引量:21
10
作者 张洁天 贾宏博 任磊 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2002年第12期13-14,17,共3页
提出了一种测量铂电阻温度传感器的散热系数的简便方法。测量了不同条件下铂电阻温度传感器的散热系数,并对电阻的自热效应影响进行了探讨。
关键词 铂电阻 温度传感器 自热效应 散热系数
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大功率GaN基发光二极管等效串联电阻的功率耗散及其对发光效率的影响 被引量:13
11
作者 李炳乾 刘玉华 冯玉春 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期477-481,共5页
由于自加热效应的存在,大功率GaN基发光二极管(LED)的芯片温度有可能高出环境温度很多,实验中,芯片温度超出环境高达147K.从实验测量的大功率LED电流电压特性曲线中,将p-n结和等效串联电阻上的电压降落分离出来,得到了大功率LED等效串... 由于自加热效应的存在,大功率GaN基发光二极管(LED)的芯片温度有可能高出环境温度很多,实验中,芯片温度超出环境高达147K.从实验测量的大功率LED电流电压特性曲线中,将p-n结和等效串联电阻上的电压降落分离出来,得到了大功率LED等效串联电阻随芯片温度的变化情况.在输入电功率自加热效应的影响下,大功率GaN基LED等效串联电阻呈现出剧烈的变化,其阻值由低输入功率时的1.2Ω降低到0.9Ω,然后再升高到1.9Ω,等效串联电阻的功率耗散在输入功率中所占的比例也随着输入功率的增加迅速增加,最高时接近50%,成为大功率输入时影响LED流明效率的主要因素. 展开更多
关键词 自加热 等效串联电阻 发光二极管 流明效率
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激光测距仪的脉冲电流供电温度控制系统 被引量:15
12
作者 贾方秀 丁振良 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期2128-2135,共8页
激光测距系统中的发射器件和接收器件具有温敏特性且均为小功率器件,精密测温电路采用Pt电阻时,Pt电阻的自热效应影响测温精度。为减小自热效应产生的测温误差,在分析Pt电阻测温误差产生机理的基础上,提出了一种新的脉冲电流供电方... 激光测距系统中的发射器件和接收器件具有温敏特性且均为小功率器件,精密测温电路采用Pt电阻时,Pt电阻的自热效应影响测温精度。为减小自热效应产生的测温误差,在分析Pt电阻测温误差产生机理的基础上,提出了一种新的脉冲电流供电方案,建立了脉冲电流供电电路及其自热升温过程的数学模型,给出了脉冲宽度和热量积累的关系,并通过合理控制脉冲宽度大大减小了自热效应引起的测温误差。使用高阶正交多项式拟合法对Pt电阻的非线性进行了补偿,给出了该系统温度测量模块测量数据与一级标准铂电阻温度值的比较实验,在不同的温度点,该温度测量系统的最大误差为0.0006℃。系统稳定性测试结果表明,该系统在0~15℃时,各温度点控制稳定度均优于0.005℃,满足高精度激光测距的需要。 展开更多
关键词 激光测距仪 温度控制 脉冲供电 自热效应
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标准铂电阻温度计自热效应对测量结果的影响 被引量:14
13
作者 任建平 孙建平 +2 位作者 李婷 何佳融 曾佳旭 《计量学报》 CSCD 北大核心 2021年第5期589-594,共6页
为了研究自热效应对标准铂电阻温度计测量结果的影响,分别从定点法和比较法两方面开展研究。针对定点法,统计中国计量科学研究院近3年检定的标准铂电阻温度计数据,计算不同温区的铂电阻温度计自热效应修正前后的测量结果并进行对比,结... 为了研究自热效应对标准铂电阻温度计测量结果的影响,分别从定点法和比较法两方面开展研究。针对定点法,统计中国计量科学研究院近3年检定的标准铂电阻温度计数据,计算不同温区的铂电阻温度计自热效应修正前后的测量结果并进行对比,结果表明,在溯源标准铂电阻温度计时自热效应修正与否对测量结果的影响达到了1.5 mK以上,最大达到了6 mK。针对比较法,设计了基于恒温槽的自热测量方案并进行实验,对修正自热前后温度测量结果进行对比,结果表明,自热修正与否带来的误差依然达到了1.5 mK。因此,在标准铂电阻温度计量值溯源和精密温度测量中,对测量结果进行自热修正是必要的。 展开更多
关键词 计量学 标准铂电阻温度计 90国际温标 自热效应
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基于载流子注入产热机制的半导体激光器热模型分析 被引量:12
14
作者 张建伟 宁永强 +4 位作者 张星 张建 刘云 秦莉 王立军 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期11-18,共8页
为解决常用经验计算公式参数复杂、产热项考虑不足等问题,采用优化的激光器热模型分析了激光器连续工作时有源区温度的变化并进行了实验验证。通过分析有源区注入载流子产热机制,建立了替代传统的热源计算公式的经验计算公式,考虑了载... 为解决常用经验计算公式参数复杂、产热项考虑不足等问题,采用优化的激光器热模型分析了激光器连续工作时有源区温度的变化并进行了实验验证。通过分析有源区注入载流子产热机制,建立了替代传统的热源计算公式的经验计算公式,考虑了载流子通过激光器内部渐变异质结时的势垒电阻以提高焦耳热计算精度。制作了电极尺寸为10μm、台面尺寸为20μm的半导体激光器件并对器件热特性进行了模拟。由于未考虑热载流子注入效应,利用传统经验公式得出的有源区热功率密度比提出的优化模型偏低,因而理论模拟的器件内部温升也偏低。对激光器出光特性进行测试,推导出不同注入电流下激光器内部有源区的温升。测量与理论分析对比表明,采用经验公式得出的结果比实际测试结果偏低,而优化的热模型解决了该问题,利用该方法得出的有源区温升与测试结果最大偏差仅为0.2K,且温升随注入电流的变化趋势一致。 展开更多
关键词 光电子学 半导体激光器 Comsol 热模型 自产热效应
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Evaluation of thermal resistance constitution for packaged AlGaN/GaN high electron mobility transistors by structure function method 被引量:7
15
作者 张光沉 冯士维 +2 位作者 周舟 李静婉 郭春生 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第2期434-439,共6页
The evaluation of thermal resistance constitution for packaged A1GaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) by structure function method is proposed in this paper. The evaluation is based on the transient heat... The evaluation of thermal resistance constitution for packaged A1GaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) by structure function method is proposed in this paper. The evaluation is based on the transient heating measurement of the A1GaN/GaN HEMT by pulsed electrical temperature sensitive parameter method. The extracted chip-level and package-level thermal resistances of the packaged multi-finger A1GaN/GaN HEMT with 400μm SiC substrate are 22.5 K/W and 7.2 K/W respectively, which provides a non-invasive method to evaluate the chip-level thermal resistance of packaged A1GaN/GaN HEMTs. It is also experimentally proved that the extraction of the chip- level thermal resistance by this proposed method is not influenced by package form of the tested device and temperature boundary condition of measurement stage. 展开更多
关键词 high electron mobility transistor self-heating effect structure function RELIABILITY
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一种高精度低自热多通道测温系统设计与实现 被引量:8
16
作者 程建华 齐兵 屈传波 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2014年第1期56-59,63,共5页
针对高精度测温系统在实现过程中受测温非线性、自热效应及热电动势等干扰源影响的问题,以阻值比较法测温电路为基础,引人序列激励电压控制抑制测温电路的自热效应及消除热电动势,并采用MSP430F149设计多通道差分放大电路。给出了系... 针对高精度测温系统在实现过程中受测温非线性、自热效应及热电动势等干扰源影响的问题,以阻值比较法测温电路为基础,引人序列激励电压控制抑制测温电路的自热效应及消除热电动势,并采用MSP430F149设计多通道差分放大电路。给出了系统总体设计方案,测温电路参数设计,序列激励电压控制和数字滤波补偿具体实现。测试结果表明:该系统在-40-200℃范围内,测温精度能达到±0.008℃,具有测温精度高、可靠性好等优点,可广泛应用于工业生产和军事领域的高精度测温场合。 展开更多
关键词 高精度测温 阻值比较法 自热效应 序列激励电压 多通道
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部分局域电荷槽SOI高压器件新结构 被引量:4
17
作者 罗小蓉 张波 +1 位作者 李肇基 唐新伟 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期115-120,共6页
提出了部分局域电荷槽SOI(partial locating charge trench SOI,PTSOI)高压器件新结构.该结构在槽内产生随漏极电压变化的界面电荷,此电荷使埋氧层纵向电场从传统的3ESi,C升高到接近Si O2的临界击穿电场ESi O2,C;另外,硅窗口将耗尽层引... 提出了部分局域电荷槽SOI(partial locating charge trench SOI,PTSOI)高压器件新结构.该结构在槽内产生随漏极电压变化的界面电荷,此电荷使埋氧层纵向电场从传统的3ESi,C升高到接近Si O2的临界击穿电场ESi O2,C;另外,硅窗口将耗尽层引入衬底,因而提高了器件的击穿电压.同时,硅窗口的存在大大缓解了自热效应.借助二维器件仿真研究了器件的击穿特性和热特性.结果表明,漂移区厚2μm,埋氧层厚1μm的PTSOI耐压可达700V以上;对埋氧层厚1μm和3μm的PTSOI,其器件的最高温度分别比TSOI低6K和25K. 展开更多
关键词 电荷槽 界面电荷 自热效应 纵向电场 击穿电压
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标准铂电阻温度计的自热效应研究及零功率修正方法 被引量:6
18
作者 方院生 王琦 +3 位作者 丁诚 王文龙 唐曦凌 马勇 《测控技术》 CSCD 2015年第11期9-11,共3页
标准铂电阻温度计作为温度标准器,在国家量值传递系统表中占有重要地位,它的测量可靠性和精度也较其他传感器(如数字传感器、热电偶等)优越。通过试验得到标准铂电阻温度计在不同温度下的自热效应数据,结合传统的"二电流法"... 标准铂电阻温度计作为温度标准器,在国家量值传递系统表中占有重要地位,它的测量可靠性和精度也较其他传感器(如数字传感器、热电偶等)优越。通过试验得到标准铂电阻温度计在不同温度下的自热效应数据,结合传统的"二电流法"测量方法,通过与零功率修正方法进行比较,分析标准铂电阻的自热效应引入的不确定度,给出自热效应评价方法以及零功率修正的意义。该研究成果对量值传递可靠性及对实验室建标具有重要指导价值。 展开更多
关键词 计量学 标准铂电阻温度计 自热效应 零功率补偿 二电流法
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激光二极管侧面抽运双棒串接Nd:YAG四倍频紫外激光的输出特性 被引量:6
19
作者 潘孙强 刘崇 +5 位作者 赵智刚 董延涛 葛剑虹 毛谦敏 项震 陈军 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期2790-2794,共5页
介绍了激光二极管(LD)侧面抽运Nd∶YAG晶体腔外四倍频获得平均功率为1.85 W的266 nm全固态紫外激光器。采用双棒串接结构,对热致双折射作用引起的退偏效应进行补偿,获得高光束质量、高稳定性的线偏振1064 nm基频光输出。分别采用Ⅰ类非... 介绍了激光二极管(LD)侧面抽运Nd∶YAG晶体腔外四倍频获得平均功率为1.85 W的266 nm全固态紫外激光器。采用双棒串接结构,对热致双折射作用引起的退偏效应进行补偿,获得高光束质量、高稳定性的线偏振1064 nm基频光输出。分别采用Ⅰ类非临界相位匹配的三硼酸锂(LBO),Ⅰ类相位匹配的β相偏硼酸钡(BBO)作为腔外倍频和四倍频晶体,获得了平均功率1.85 W,脉冲重复频率10 kHz和转换效率达13.3%的紫外激光输出。同时研究了BBO晶体自热效应对四倍频相位匹配角的影响,提出了可以通过调整BBO晶体的角度来减小自热效应的影响。 展开更多
关键词 激光器 全固态 四倍频 自热效应
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铂电阻温度计自热效应对测量结果的影响 被引量:1
20
作者 胡静静 沈媛媛 《流体测量与控制》 2024年第1期23-26,共4页
在流体测量和控制中,温度是一个关键参数,直接影响流体的密度和黏度。铂电阻温度计因精确度和稳定性较高而被广泛应用,但其自热效应可能导致测量误差。该自热效应会引起额外的热量,使流体的温度发生变化,进而影响流体的密度、黏度、流... 在流体测量和控制中,温度是一个关键参数,直接影响流体的密度和黏度。铂电阻温度计因精确度和稳定性较高而被广泛应用,但其自热效应可能导致测量误差。该自热效应会引起额外的热量,使流体的温度发生变化,进而影响流体的密度、黏度、流动状态等属性。本文探讨了自热效应的机理,特别是电流通过铂电阻时产生的焦耳热及对测量结果的影响。针对流体的特性,对如何选择合适的铂电阻温度计,以及如何实施相应的自热效应校正方法进行深入探讨。通过了解流体性质、选择合适的温度计型号,并采用先进的补偿技术,可以最大限度地减少自热效应对测量结果的影响。 展开更多
关键词 铂电阻温度计 自热效应 焦耳热
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