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题名Ka波段GaAs MMIC限幅低噪声放大器的设计
被引量：6
- 1
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作者
王磊
任健
刘飞飞
刘帅
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第12期893-897,共5页
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文摘
采用GaAs pin二极管和低噪声GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)集成的一片式限幅低噪声放大器(LNA)工艺,设计并制备了一款Ka波段GaAs微波单片集成电路(MMIC)限幅LNA。为了在Ka波段实现大功率和低噪声的目标,采用限幅器和LNA一体化设计的思路,优化了限幅器的电路拓扑和pin二极管的结构。该LNA采用三级级联的电流复用拓扑结构。在片测试结果表明,限幅LNA在32~38 GHz频率范围内,噪声系数小于3. 1 dB,线性增益大于18 dB,芯片静态工作电流为20 m A;在70℃恒温条件下,能够承受脉冲功率为2 W(脉冲宽度4 ms,占空比30%);芯片尺寸为3. 3 mm×2. 0 mm×0. 07 mm。
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关键词
砷化镓
微波单片集成电路(MMIC)
限幅低噪声放大器(lna)
KA波段
PIN二极管
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Keywords
GaAs
microwave monolithic integrated circuit (MMIC)
limiter low noise amplifier (lna)
Ka-band
pin diode
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分类号
TN43
[电子电信—微电子学与固体电子学]
TN722.3
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题名5~13GHz GaAs限幅低噪声放大器MMIC
被引量：3
- 2
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作者
曾志
周鑫
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第5期354-357,共4页
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文摘
基于0.15μm GaAs pin二极管和GaAs PHEMT工艺,设计并实现了一款5~13 GHz限幅低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。该MMIC中限幅器采用三级反向并联二极管结构,优化了插入损耗和耐功率性能;LNA采用两级级联设计,利用负反馈和源电感匹配,在宽带下实现平坦的增益和较小的噪声;限幅器和LNA进行一体化设计,实现了宽带耐功率和低噪声目标。测试结果表明,在5~13 GHz内,该MMIC的小信号增益大于20 dB,噪声系数小于1.8 dB,耐功率大于46 dBm(2 ms脉宽,30%占空比),总功耗小于190 mW,芯片尺寸为3.3 mm×1.2 mm。限幅LNA MMIC芯片的尺寸较小,降低了组件成本,同时降低了组件装配难度,提高通道之间的一致性。
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关键词
GAAS
限幅低噪声放大器(lna)
宽带
单片微波集成电路(MMIC)
PIN二极管
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Keywords
GaAs
limiter low noise amplifier(lna)
broad band
monolithic microwave integrated circuit(MMIC)
pin diode
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分类号
TN43
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名毫米波GaAs单片限幅低噪声放大器
被引量：5
- 3
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作者
贾晨阳
彭龙新
刘昊
凌志健
李建平
韩方彬
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机构
南京电子器件研究所
微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
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出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2019年第3期169-173,共5页
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文摘
设计了一款毫米波GaAs单片限幅低噪声放大器。限幅器采用两级反向并联二极管结构,通过优化限幅器匹配电路,增大了限幅器的耐功率,降低了限幅电路的插损。低噪声放大器为四级级联设计,输入端采用最小噪声匹配,偏置电路增加RC串联谐振电路,减小了噪声,提高了电路稳定性。测试结果表明,该毫米波GaAs单片限幅低噪声放大器在33~37GHz频带内,增益达到22dB,增益平坦为±1dB,输入驻波小于2,输出驻波小于1.5,噪声小于3.0dB,输出1dB增益压缩点(P1dB)大于5dBm,可以承受15W的脉冲输入功率。
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关键词
毫米波
限幅低噪声放大器
PIN二极管
pHEMT晶体管
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Keywords
millimeter wave
limiter low noise amplifier(limiter-lna)
PIN diode
pHEMT
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分类号
TN722
[电子电信—电路与系统]
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