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双层侧壁保护的Si深槽刻蚀技术 被引量：4
1
作者 邓建国 刘英坤 +1 位作者 段雪 苏丽娟 《微纳电子技术》 CAS 2008年第8期480-483,共4页
提出了一种先进的ICP Si深槽刻蚀工艺。在"Bosch"工艺的基础上加以改进,以SF6/O2作为刻蚀气体,C4F8作为侧壁钝化气体,通过在刻蚀过程中引入少量的O2,使得在刻蚀Si深槽过程中侧壁形成由氧离子辐照产生的SiO2薄膜和CFx聚合物淀... 提出了一种先进的ICP Si深槽刻蚀工艺。在"Bosch"工艺的基础上加以改进,以SF6/O2作为刻蚀气体,C4F8作为侧壁钝化气体,通过在刻蚀过程中引入少量的O2,使得在刻蚀Si深槽过程中侧壁形成由氧离子辐照产生的SiO2薄膜和CFx聚合物淀积产生的双层保护层,强烈保护Si槽侧壁不被刻蚀,保证了良好的各向异性刻蚀。同时,通过优化刻蚀和钝化的时间周期,进一步提高了刻蚀后Si槽的陡直度和平滑的侧壁效果。采用这种工艺技术可制作出满足台面晶体管、高性能梳状沟槽基区晶体管需要的无损伤、平滑陡直的Si槽侧壁形貌。 展开更多
关键词 感应耦合等离子体 “Bosch”工艺 硅 双层侧壁保护 各向异性刻蚀
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基于ICP刻蚀GaN选择比的研究
2
作者 郭雄伟 董超俊 《现代显示》 2011年第11期14-17,共4页
在干法刻蚀GaN时使用AZ-4620作为掩膜层,为了在较快的GaN刻蚀速率下获得良好的GaN/AZ-4620刻蚀选择比,使用电感耦合等离子刻蚀机(ICP),运用Cl2和BCl3作为刻蚀气体,改变气体总流量、直流自偏压、ICP功率、气体组分等工艺条件,并讨论了这... 在干法刻蚀GaN时使用AZ-4620作为掩膜层,为了在较快的GaN刻蚀速率下获得良好的GaN/AZ-4620刻蚀选择比,使用电感耦合等离子刻蚀机(ICP),运用Cl2和BCl3作为刻蚀气体,改变气体总流量、直流自偏压、ICP功率、气体组分等工艺条件,并讨论了这些因素对GaN/AZ-4620刻蚀选择比以及对GaN刻蚀速率的影响。实验结果获得了GaN在刻蚀速率为225nm/min时的GaN/AZ-4620选择比为0.92,可以应用于实际生产。 展开更多
关键词 选择比 电感耦合等离子体 干法刻蚀 偏置功率
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GaN/SiO_2刻蚀选择比的研究
3
作者 肖国华 付铁利 +1 位作者 郑珏琛 唐兰香 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第4期250-253,共4页
在干法刻蚀GaN时使用SiO2作为掩蔽物,为了在较快的GaN刻蚀速率下获得良好的GaN/SiO2刻蚀选择比,使用电感耦合等离子刻蚀机(ICP),运用Cl2和Ar作为刻蚀气体,改变ICP功率、直流自偏压、气体总流量、气体组分等工艺条件,并讨论了这些因素对G... 在干法刻蚀GaN时使用SiO2作为掩蔽物,为了在较快的GaN刻蚀速率下获得良好的GaN/SiO2刻蚀选择比,使用电感耦合等离子刻蚀机(ICP),运用Cl2和Ar作为刻蚀气体,改变ICP功率、直流自偏压、气体总流量、气体组分等工艺条件,并讨论了这些因素对GaN/SiO2刻蚀选择比以及对GaN刻蚀速率的影响。实验结果获得了GaN在刻蚀速率为165nm/min时的GaN/SiO2选择比为8∶1。设备验收时GaN刻蚀速率为70nm/min,GaN/SiO2选择比为3.5∶1,可以应用于实际生产。 展开更多
关键词 选择比 电感耦合等离子体 干法刻蚀 氮化镓 偏置功率
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ICP刻蚀在GaAs p-i-n工艺中的应用
4
作者 张力江 幺锦强 +1 位作者 崔玉兴 付兴昌 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第8期503-506,共4页
基于GaAs p-i-n器件的制造工艺,介绍了器件制造过程中关键工艺步骤p-i层的去除方法,并总结分析了在p-i层去除过程中不同的方法对工艺结果造成的影响。分别采用了湿法腐蚀和干法刻蚀的方法制作了器件,结果表明采用湿法腐蚀的方法去除p-i... 基于GaAs p-i-n器件的制造工艺,介绍了器件制造过程中关键工艺步骤p-i层的去除方法,并总结分析了在p-i层去除过程中不同的方法对工艺结果造成的影响。分别采用了湿法腐蚀和干法刻蚀的方法制作了器件,结果表明采用湿法腐蚀的方法去除p-i层时,由于腐蚀的各项异性造成的影响无法消除,会影响器件的性能。阐述了影响干法刻蚀的设备因素和工艺因素,讨论分析了不同的气体、腔体的真空度以及不同的功率对最终结果的影响。最终得到刻蚀均匀、稳定的干法刻蚀条件,将ICP干法刻蚀工艺引入GaAs p-i-n器件制造。 展开更多
关键词 GAAS 感应耦合等离子体 P-I-N二极管 湿法腐蚀 干法刻蚀
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基于ICP刻蚀GaN选择比的研究
5
作者 郭雄伟 董超俊 《工业控制计算机》 2012年第3期112-113,共2页
在干法刻蚀GaN时使用AZ-4620作为掩膜层,为了在较快的GaN刻蚀速率下获得良好的GaN/AZ-4620刻蚀选择比,使用电感耦合等离子刻蚀机(ICP),运用Cl2和BCl3作为刻蚀气体,改变气体总流量、直流自偏压、ICP功率、气体组分等工艺条件,并讨论了这... 在干法刻蚀GaN时使用AZ-4620作为掩膜层,为了在较快的GaN刻蚀速率下获得良好的GaN/AZ-4620刻蚀选择比,使用电感耦合等离子刻蚀机(ICP),运用Cl2和BCl3作为刻蚀气体,改变气体总流量、直流自偏压、ICP功率、气体组分等工艺条件,并讨论了这些因素对GaN/AZ-4620刻蚀选择比以及对GaN刻蚀速率的影响。实验结果获得了GaN在刻蚀速率为225nm/min时的GaN/AZ-4620选择比为0.92,可以应用于实际生产。 展开更多
关键词 选择比 电感耦合等离子体 干法刻蚀 偏置功率
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中成药和生物试样中痕量砷和汞的流动注射—氢化物发生—等离子体光谱(FI-HG-ICP-AES)在线测定研究 被引量：19
6
作者 喻昕 江祖成 +2 位作者 廖振环 陈建国 王松青 《药物分析杂志》 CAS CSCD 北大核心 1997年第6期394-398,共5页
提出了流动注射（ＦＩ）—氢化物发生（ＨＧ）与多道等离子体光谱仪联用的新体系，并将该体系应用于同时在线检测药物和生物试样中的痕量砷和汞．对联用技术中的接口、气／液分离器及主要工作参数进行了系统的研究．实验结果表明，在进... 提出了流动注射（ＦＩ）—氢化物发生（ＨＧ）与多道等离子体光谱仪联用的新体系，并将该体系应用于同时在线检测药物和生物试样中的痕量砷和汞．对联用技术中的接口、气／液分离器及主要工作参数进行了系统的研究．实验结果表明，在进样体积为８０μＬ的条件下，本法的检出限可达亚μｇ／Ｌ，ＲＳＤ（对砷和汞）分别为１．４％和１．３％（Ｃ＝５０μｇ／Ｌ，ｎ＝７），采样频率为１５０ｈ－１．本法具有灵敏、快速、高效和所需试样少的优点． 展开更多
关键词 流动注射 氢化物 砷 汞 icp 中成药 生物试样
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射频ICP离子源设计研究 被引量：11
7
作者 许沭华 任兆杏 +1 位作者 沈克明 翁坚 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第4期310-312,共3页
本文介绍了射频 (RF)感应耦合等离子体 (ICP)离子源的设计研究。对RFICP的结构、离子流的引出以及离子流的均匀性、中性化和射频匹配网络进行了研究。
关键词 射频icp 离子源 设计 射频匹配网络 感应耦合等离子体 离子流 均匀性 中性化
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不同仪器测钾性能及优缺点比较研究 被引量：16
8
作者 王敬 王火焰 +2 位作者 周健民 陈小琴 杜昌文 《土壤学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期340-348,共9页
钾的测定涉及多种仪器,不同仪器测钾原理、仪器性能和优缺点也各不相同。本研究对电感耦合等离子光谱仪(ICP)、原子吸收分光光度计(AAS)、普通火焰光度计(FP M410型)和带锂内标的火焰光度计(FP HG-5型)等几种常用仪器测钾的检出限、线... 钾的测定涉及多种仪器,不同仪器测钾原理、仪器性能和优缺点也各不相同。本研究对电感耦合等离子光谱仪(ICP)、原子吸收分光光度计(AAS)、普通火焰光度计(FP M410型)和带锂内标的火焰光度计(FP HG-5型)等几种常用仪器测钾的检出限、线性范围、稳定性以及抗干扰能力等方面进行了比较。结果表明,ICP、AAS、FP(M410)和FP(HG-5)测钾检测限分别为0.16、0.002、0.005和0.007 mg L-1,线性范围的上限则分别为1 000、3、100和60 mg L-1。四种仪器抗酸干扰能力大小顺序为FP(HG-5)>ICP>FP(M410)>AAS,抗盐干扰的能力大小为FP(HG-5)>FP(M410)>ICP>AAS,且因盐离子种类和浓度而异。综合比较后可知,ICP适合于在测定多种其他元素的同时测定较高含量的钾,而不适合于测较低含量的钾,单独测钾成本较高;AAS适合于测较低含量的钾,线性范围窄,加锶和高钾溶液的稀释使其效率下降,而且仪器成本也较高;FP(M410)易操作,运营成本低,但易受干扰且稳定性较差;带锂内标的FP(HG-5)检测限低,稳定性能好,线性范围适中且抗酸盐干扰能力强,是精确测钾的首选仪器。 展开更多
关键词 钾 火焰光度计 等离子光谱仪 原子吸收分光光度计
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图形蓝宝石衬底GaN基发光二极管的研制 被引量：12
9
作者 张俊兵 林岳明 +2 位作者 范玉佩 王书昶 曾祥华 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期359-362,共4页
采用抗刻蚀性光刻胶作为掩膜,并利用光刻技术制作周期性结构,进行ICP干法刻蚀C面(0001)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(PSS);然后,在PSS上进行MOCVD制作GaN基发光二极管(LED)外延片;最终,进行芯片制造和测试。PSS的基本结构为圆孔,直径为3μm... 采用抗刻蚀性光刻胶作为掩膜,并利用光刻技术制作周期性结构,进行ICP干法刻蚀C面(0001)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(PSS);然后,在PSS上进行MOCVD制作GaN基发光二极管(LED)外延片;最终,进行芯片制造和测试。PSS的基本结构为圆孔,直径为3μm,间隔为2μm,深度为864 nm,呈六角形分布。与同批生长的普通蓝宝石衬底(CSS)GaN基LED芯片相比,PSS芯片的光强和光通量比CSS分别提高57.32%和28.33%(20 mA),并可减小芯片的反向漏电流,且未影响芯片的波长分布和电压特性。 展开更多
关键词 GaN基发光二极管(LED) 图形蓝宝石衬底(PSS) 光提取效率 icp
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感应耦合等离子体刻蚀在聚合物光波导制作中的应用 被引量：9
10
作者 张琨 岳远斌 +2 位作者 李彤 孙小强 张大明 《中国光学》 EI CAS 2012年第1期64-70,共7页
提出了利用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术提高聚合物光波导器件性能的方法,介绍了ICP刻蚀技术的原理和优点。选取聚甲基丙烯酸甲酯-甲基丙烯酸环氧丙酯(P(MMA-GMA))作为波导材料,采用氧气作为刻蚀气体,研究了ICP参数变化对刻蚀效果的... 提出了利用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术提高聚合物光波导器件性能的方法,介绍了ICP刻蚀技术的原理和优点。选取聚甲基丙烯酸甲酯-甲基丙烯酸环氧丙酯(P(MMA-GMA))作为波导材料,采用氧气作为刻蚀气体,研究了ICP参数变化对刻蚀效果的影响。介绍了倒脊形光波导的制备过程,采用改变单一工艺参数的方法,分析了刻蚀效果随时间、功率、压强、气体流量等参数的变化,对参数优化后刻蚀得到的凹槽和平板结构进行了表征。实验结果表明:在天线射频功率为300 W,偏置射频功率为30 W,气体压强为0.5 Pa,氧气流速为50 cm3/min的条件下,可获得侧壁陡直、底面平整的P(MMA-GMA)凹槽结构。 展开更多
关键词 聚合物光波导 倒脊形光波导 感应耦合等离子体(icp)刻蚀
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MEMS硅半球陀螺球面电极成形工艺 被引量：9
11
作者 庄须叶 喻磊 +3 位作者 王新龙 李平华 吕东锋 郭群英 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第11期2746-2752,共7页
由于球面电极是曲面结构,电极各处的电感耦合等离子体(ICP)刻蚀深度不一致,在加工过程中常发生球面电极还未刻蚀到位而谐振器已被破坏的现象,故本文提出了新的球面电极成形工艺。基于ICP刻蚀固有的lag效应,采用刻蚀窗口宽度由60μm渐变... 由于球面电极是曲面结构,电极各处的电感耦合等离子体(ICP)刻蚀深度不一致,在加工过程中常发生球面电极还未刻蚀到位而谐振器已被破坏的现象,故本文提出了新的球面电极成形工艺。基于ICP刻蚀固有的lag效应,采用刻蚀窗口宽度由60μm渐变至10μm的V形刻蚀掩模调制电极各处的刻蚀速度,在电极各处获得了基本一致的归一化刻蚀速度(2.3μm/min)。利用台阶结构拟合球面电极的3D曲面结构,并保证通刻阶段的硅厚度基本一致为150μm来消除球面电极加工时最薄处已经刻穿阻挡层并破坏谐振器而最厚处还没有刻蚀到位的现象。结合台阶状的二氧化硅掩模对球面电极各点处的硅ICP刻蚀当量进行了调整,使其基本相等,通过一次ICP刻蚀即完成了对硅球面电极的加工。利用提出的方法成功制备出了具有功能性输出的微机电系统(MEMS)半球陀螺的硅球面电极,其最大半径可达500μm。 展开更多
关键词 微机电系统 半球陀螺 球面电极 电感耦合等离子体(icp)刻蚀
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PDMS软模板制备与叶片曲表面软光刻工艺 被引量：7
12
作者 高均超 段力 +6 位作者 王英 刘民 王凤丹 丁桂甫 王强 郑芳芳 邵靖 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第5期333-339,共7页
介绍和表征了一种制作聚二甲基硅氧烷(PDMS)软模板的工艺方法,并实现了非平面微加工工艺的图形转移。首先采用深硅电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺制备了具有图形的硅片硬母版,然后用PDMS对硅片硬母版进行倒模复制,从而得到具有图形的PDM... 介绍和表征了一种制作聚二甲基硅氧烷(PDMS)软模板的工艺方法,并实现了非平面微加工工艺的图形转移。首先采用深硅电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺制备了具有图形的硅片硬母版,然后用PDMS对硅片硬母版进行倒模复制,从而得到具有图形的PDMS软模板。对所制备的PDMS软模板和硅片硬母版结构的形貌、结构尺寸进行观测对比,结果显示PDMS软模板成功复制了硅片上的图形。将α-氰基丙烯酸乙酯旋涂到PDMS软模板上,然后将PDMS软模板上的图形转印到航空发动机叶片表面进行二次复制。在叶片表面得到的图形化结果为MEMS传感器的制作打下了坚实的基础。本实验提出的这种用PDMS转印的软光刻工艺可代替传统的光刻工艺,能够普遍适用于曲表面的三维结构集成制造。 展开更多
关键词 聚二甲基硅氧烷(PDMS) 电感耦合等离子体(icp) 软光刻 纳米压印 叶片
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石墨炉电热蒸发进样与ICP-AES联用技术研究——仪器装置及其分析性能 被引量：7
13
作者 黄敏 许廉发 +1 位作者 江祖成 曾云鹗 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1989年第7期709-712,共4页
将石墨炉作为蒸发器与ICP-AES联用,改善其检出限并赋予微量体积样品分析的能力。用自己组装的仪器,选择了等离子体和石墨炉各自最佳操作参数。结果表明,取样量为10μL时,大多数元素的检出限达μg/L级;相对标准偏差5％;线性范围达4个数... 将石墨炉作为蒸发器与ICP-AES联用,改善其检出限并赋予微量体积样品分析的能力。用自己组装的仪器,选择了等离子体和石墨炉各自最佳操作参数。结果表明,取样量为10μL时,大多数元素的检出限达μg/L级;相对标准偏差5％;线性范围达4个数量级。 展开更多
关键词 石墨炉 电热蒸发 电感耦合等离子体发生光谱法 分析性能
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铂电极的电感耦合等离子体刻蚀工艺研究
14
作者 宋琳 周燕萍 +2 位作者 左超 上村隆一郎 杨秉君 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第3期264-268,274,共6页
铂(Pt)金属因其特有的优良性能被广泛用作电极材料,干法刻蚀是获得器件图形的关键工艺技术,另外为了避免使用有毒性的Cl_(2),本文采用Ar/BCl_(3)作为刻蚀工艺气体,光刻胶作为刻蚀掩膜,对Pt电极材料做了干法刻蚀工艺的研究,系统地分析了... 铂(Pt)金属因其特有的优良性能被广泛用作电极材料,干法刻蚀是获得器件图形的关键工艺技术,另外为了避免使用有毒性的Cl_(2),本文采用Ar/BCl_(3)作为刻蚀工艺气体,光刻胶作为刻蚀掩膜,对Pt电极材料做了干法刻蚀工艺的研究,系统地分析了电感耦合等离子体源功率、射频偏压功率、气体流量比例、工艺气压以及基板温度对刻蚀速率和刻蚀形貌的影响。得到刻蚀速率为159.7 nm/min,侧壁角度为63°,片内刻蚀速率均匀性(152.4 mm、5个点、边缘去边5 mm)为±1.75%,关键尺寸损失量小于1%的刻蚀结果。 展开更多
关键词 电感耦合等离子体(icp) 铂(Pt)电极 刻蚀速率 刻蚀形貌 均匀性
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基于ICP的Ar等离子体干法刻蚀Ti/Ni/Ag薄膜
15
作者 黄梦茹 卢林红 +2 位作者 郭丰杰 马奎 杨发顺 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第10期893-898,共6页
在电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺中,选择合适的刻蚀条件对Ti/Ni/Ag薄膜的刻蚀至关重要。使用氩气(Ar)作为刻蚀气体,研究了射频偏压功率、气体体积流量、腔体压强、刻蚀时间等多个参数对功率芯片背面Ti/Ni/Ag薄膜刻蚀深度的影响,并优化... 在电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺中,选择合适的刻蚀条件对Ti/Ni/Ag薄膜的刻蚀至关重要。使用氩气(Ar)作为刻蚀气体,研究了射频偏压功率、气体体积流量、腔体压强、刻蚀时间等多个参数对功率芯片背面Ti/Ni/Ag薄膜刻蚀深度的影响,并优化刻蚀工艺参数。实验结果表明,调节射频偏压功率和Ar体积流量可以显著影响刻蚀速率,进而对薄膜的微结构进行有效调控。通过优化工艺参数,在射频偏压功率300 W、Ar体积流量40 cm^(3)/min、腔体压强1.2 Pa、刻蚀时间50 min下,芯片Ti/Ni/Ag薄膜的刻蚀深度达到283.25μm,有效提升了刻蚀效率和刻蚀精度。 展开更多
关键词 Ti/Ni/Ag薄膜 电感耦合等离子体(icp) 刻蚀深度 AR 射频偏压功率
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气体流量与射频功率对电感耦合等离子体温度分布的影响 被引量：6
16
作者 金星 段发鑫 +2 位作者 张晶晶 张哲 廖杨凡 《质谱学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期192-200,共9页
针对以电感耦合等离子体(ICP)为激发光源的分析仪器,研究ICP的温度空间分布对样品电离和激发具有重要意义。本研究建立了ICP的二维轴对称模型,利用有限元方法解算磁流体力学方程组,得到ICP的最高温度和温度空间分布,并研究了气体(辅助... 针对以电感耦合等离子体(ICP)为激发光源的分析仪器,研究ICP的温度空间分布对样品电离和激发具有重要意义。本研究建立了ICP的二维轴对称模型,利用有限元方法解算磁流体力学方程组,得到ICP的最高温度和温度空间分布,并研究了气体(辅助气、冷却气)流量和射频功率对ICP的最高温度和温度空间分布的影响。结果表明,辅助气、冷却气的流量及射频功率几乎不会改变ICP的最高温度(约10 000K),但会改变ICP的温度空间分布;辅助气流量的增大有助于ICP中心通道的形成,样品通过中心通道,有利于样品的原子化和电离;对于矩管直径为20mm的ICP,未通入样品时,运行时的射频功率在理论上不能超过1 600 W,而实际上空载功率可能更低。 展开更多
关键词 电感耦合等离子体(icp) 温度 有限元 磁流体力学 激发光源
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饲料产品中添加矿物质定性和定量方法研究
17
作者 周龙龙 牛增元 +5 位作者 陈春光 刘泉 张莉 王妍婷 王卫锋 孙鑫 《中国口岸科学技术》 2024年第2期91-96,共6页
本研究建立了饲料产品中添加矿物质的定性和定量检测方法。该方法基于X射线衍射法(X-ray diffraction,XRD)鉴定饲料产品中添加矿物质种类,电感耦合等离子体发射光谱法(Inductively coupled plasma emission spectrometry,ICP)定量。样... 本研究建立了饲料产品中添加矿物质的定性和定量检测方法。该方法基于X射线衍射法(X-ray diffraction,XRD)鉴定饲料产品中添加矿物质种类,电感耦合等离子体发射光谱法(Inductively coupled plasma emission spectrometry,ICP)定量。样品置于马弗炉中灰化,用XRD分析灰分中矿物质成分;另取样品置于离心管中,加入(1+5,v/v)甲酸震荡提取。提取液通过离心净化后,取上层清液过0.22μm滤膜,用水定容后用ICP检测,外标法定量。最后,根据XRD结果推算矿物质的含量。本研究以添加碳酸钙、碳酸钙镁为例进行鉴别,结果表明,XRD检测低限可以鉴别0.1%的添加矿物质,ICP定量方法中Ca和Mg在0.1~10.0 mg/L浓度范围内呈良好线性,线性回归系数r2>0.9997,空白样品加标回收率为86.7%~102%,相对标准偏差(RSD,n=6)为0.6%~1.8%。该方法准确、高效,前处理操作简单,可准确测定饲料产品中添加矿物质含量,并成功用于实际的样品测定和关税归类化验工作。 展开更多
关键词 饲料 添加矿物质 X射线衍射法(XRD) 电感耦合等离子体发射光谱(icp) 归类化验
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碳化硅ICP刻蚀的掩膜材料 被引量：6
18
作者 孙亚楠 石云波 +2 位作者 王华 任建军 杨阳 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第7期499-504,共6页
SiC材料由于具有非常强的化学稳定性与机械硬度,不能用酸或碱性溶液对其进行腐蚀,在MEMS制备工艺中,通常采用干法刻蚀来制备SiC结构。针对干法刻蚀中遇到的问题,比较了光刻胶、Al和Ni等多种掩膜材料对SiC刻蚀的影响以及SiC与掩膜材料的... SiC材料由于具有非常强的化学稳定性与机械硬度,不能用酸或碱性溶液对其进行腐蚀,在MEMS制备工艺中,通常采用干法刻蚀来制备SiC结构。针对干法刻蚀中遇到的问题,比较了光刻胶、Al和Ni等多种掩膜材料对SiC刻蚀的影响以及SiC与掩膜材料的选择比。实验证明,光刻胶作为掩膜,与SiC的选择比约为1.67,并且得到的台阶垂直度较差。Al与SiC的选择比约为7,但是致密性差,并且有微掩膜效应。金属Ni与SiC的选择比约为20,并且得到的台阶比较垂直且刻蚀形貌良好。最后,使用Ni作为掩膜材料对SiC压阻式加速度传感器的背腔和压敏电阻进行了电感耦合等离子体(ICP)刻蚀。 展开更多
关键词 碳化硅(SiC) 电感耦合等离子体(icp)刻蚀 掩膜图形化 选择比 刻蚀形貌
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用于GaN基HEMT栅极金属TiN的ICP刻蚀工艺
19
作者 高阳 周燕萍 +3 位作者 王鹤鸣 左超 上村隆一郎 杨秉君 《微纳电子技术》 CAS 2024年第3期136-143,共8页
GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)在射频(RF)通信及新能源汽车领域有着巨大的应用潜力。TiN材料因其良好的热稳定性、化学稳定性及工艺兼容性,可用作GaN基HEMT的栅极材料。采用ULVAC公司生产的NE-550型电感耦合等离子体(ICP)刻蚀设备对Ti... GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)在射频(RF)通信及新能源汽车领域有着巨大的应用潜力。TiN材料因其良好的热稳定性、化学稳定性及工艺兼容性,可用作GaN基HEMT的栅极材料。采用ULVAC公司生产的NE-550型电感耦合等离子体(ICP)刻蚀设备对TiN材料进行了干法刻蚀工艺的研究。采用光刻胶作为刻蚀掩膜,Cl_(2)和BCl_(3)混合气体作为工艺气体,通过调整工艺参数,研究了ICP源功率、射频(RF)偏压功率、腔体压力、气体体积流量以及载台温度对TiN刻蚀速率和侧壁角度的影响。最后通过优化工艺参数,得到了TiN刻蚀速率为333 nm/min,底部平整且侧壁角度为81°的栅极结构。 展开更多
关键词 氮化镓(GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 电感耦合等离子体(icp)刻蚀 TIN Cl2和BCl3混合气体 栅极结构 新能源汽车
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基于SF_(6)/Ar的电感耦合等离子体干法刻蚀β-Ga_(2)O_(3)薄膜
20
作者 曾祥余 马奎 杨发顺 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第7期624-628,共5页
使用SF_(6)/Ar混合气体作为刻蚀气体,采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀方法,研究了不同激励功率和偏置功率对Ga_(2)O_(3)薄膜刻蚀速率的影响以及不同刻蚀时间对表面粗糙度的影响,并观察了光刻胶的损伤情况以调整刻蚀工艺参数。实验结果表... 使用SF_(6)/Ar混合气体作为刻蚀气体,采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀方法,研究了不同激励功率和偏置功率对Ga_(2)O_(3)薄膜刻蚀速率的影响以及不同刻蚀时间对表面粗糙度的影响,并观察了光刻胶的损伤情况以调整刻蚀工艺参数。实验结果表明,适度地增大激励功率和偏置功率可以提高刻蚀速率;合适的刻蚀时间可以在得到低粗糙度表面的同时不会过度损伤光刻胶掩膜。通过优化工艺参数,在激励功率为600 W、偏置功率为150 W、刻蚀时间为17 min下,可得到30 nm/min的Ga_(2)O_(3)薄膜刻蚀速率,刻蚀表面的垂直度高、粗糙度低,同时光刻胶掩膜形貌完好。 展开更多
关键词 电感耦合等离子体(icp)刻蚀 Ga_(2)O_(3)薄膜 刻蚀速率 光刻胶掩膜 低粗糙度表面
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