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片上一体化霍尔传感器的优化设计 被引量：2
1
作者 汪磊 潘红兵 +2 位作者 何书专 赵茂 李丽 《电子测量技术》 2011年第5期77-81,共5页
设计了1款片上一体化霍尔传感器芯片。现有的霍尔传感器使用的采样保持电路需要用到较大电容,在芯片占用面积较大,并且传感器的灵敏度受供电电压波动影响较大,不利于芯片稳定工作。设计通过对原有锁存型霍尔传感器结构进行调整,用反馈... 设计了1款片上一体化霍尔传感器芯片。现有的霍尔传感器使用的采样保持电路需要用到较大电容,在芯片占用面积较大,并且传感器的灵敏度受供电电压波动影响较大,不利于芯片稳定工作。设计通过对原有锁存型霍尔传感器结构进行调整,用反馈式磁滞比较器取代的采样保持电路与施密特触发电路,来完成磁滞比较功能,在有效消除霍尔盘和运放失调电压的前提下,节省芯片面积,稳定芯片灵敏度,提高了芯片的稳定性。设计用华润上华数模混合0.5μCMOS工艺设计仿真验证,仿真结果与理论结果相吻合,完成版图设计并已MPW。 展开更多
关键词 霍尔传感器 霍尔ic 磁传感器
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贮存环境对某型霍尔电路性能参数的影响研究 被引量：1
2
作者 李坤兰 王首臻 杨少华 《电子产品可靠性与环境试验》 2015年第3期31-35,共5页
在A(寒温)、B(亚湿热)、C(亚湿热)、D(热带海洋)4地的库房内对某型霍尔集成电路开展了为期17年的库房贮存试验,跟踪测试了该型霍尔集成电路的高电平-低电平磁感应强度(工作点)BH-L、低电平-高电平磁感应强度(释放点)BL-H和回差BH等性能... 在A(寒温)、B(亚湿热)、C(亚湿热)、D(热带海洋)4地的库房内对某型霍尔集成电路开展了为期17年的库房贮存试验,跟踪测试了该型霍尔集成电路的高电平-低电平磁感应强度(工作点)BH-L、低电平-高电平磁感应强度(释放点)BL-H和回差BH等性能参数,并应用T-检验法对4地贮存环境对样品的性能参数的影响进行了分析研究,结果表明各地贮存环境条件对样品的性能参数的影响各不相同。 展开更多
关键词 霍尔集成电路 贮存试验 性能参数 T-检验
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霍尔IC的原理及应用
3
作者 张占松 《广东工业大学学报》 CAS 1989年第3期57-62,共6页
论述IC技术下霍尔元件的新生,介绍霍尔IC的特性,主要参数,选用和设计方法。最后有应用的实例及曲线。
关键词 霍尔ic 原理 新生 特性 应用 例子
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PG电机插件霍尔IC改贴片霍尔IC的摆放位置研究
4
作者 杨文德 伍光祥 漆凌君 《日用电器》 2018年第11期106-108,共3页
通过理论分析,结合实验验证,简单分析贴片霍尔IC与插件霍尔IC的区别,研究贴片霍尔IC的摆放定位与应用。
关键词 PG电机 霍尔ic 摆放位置
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霍尔电路高低温在线测试设备研究
5
作者 沈娟 严雨宁 《传感器世界》 2019年第10期21-26,共6页
根据霍尔集成电路的检测需要,提出了研发霍尔集成电路在线高低温测试设备的必要性。通过霍尔集成电路测试需求分析,给出了测试全部参数的解决方案。其中包括测试系统结构以及测试程序流程。经测试验证,研发的测试设备能完成霍尔集成电... 根据霍尔集成电路的检测需要,提出了研发霍尔集成电路在线高低温测试设备的必要性。通过霍尔集成电路测试需求分析,给出了测试全部参数的解决方案。其中包括测试系统结构以及测试程序流程。经测试验证,研发的测试设备能完成霍尔集成电路在高低温环境下各项性能参数的实时测试,使得高低温下的测试结果更为准确,满足用户的使用需求。 展开更多
关键词 霍尔集成电路 测试设备 高精度
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一种新型旋转变压器式测角实现方案 被引量：5
6
作者 赵辉 邹继斌 +1 位作者 李铁才 陆永平 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第z1期68-69,共2页
针对交流永磁电机伺服系统的测角装置面对结构紧凑或特殊结构的要求 ,提出了一种利用线性霍尔器件和永磁材料 ,结构简单、易于实现、其输入输出形式同于旋转变压器的测角实现方案。经原理性样机试验验证 ,这一新型实现方法适于测角精度... 针对交流永磁电机伺服系统的测角装置面对结构紧凑或特殊结构的要求 ,提出了一种利用线性霍尔器件和永磁材料 ,结构简单、易于实现、其输入输出形式同于旋转变压器的测角实现方案。经原理性样机试验验证 ,这一新型实现方法适于测角精度要求在 0 .0 1- 0 . 展开更多
关键词 旋转变压器 线性霍尔器件 角度测量
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汽车电子霍尔传感器综述
7
作者 汪建军 刘泽金 《可编程控制器与工厂自动化（PLC FA）》 2013年第7期29-33,共5页
在全面介绍霍尔传感器原理以及信号调理集成电路的基础上,对霍尔传感器系统的汽车电子工程应用给出深度研讨。
关键词 霍尔传感器 霍尔集成电路 汽车 接口
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某型霍尔开关集成电路贮存特性研究
8
作者 李坤兰 胡湘洪 +1 位作者 王春辉 张博 《环境技术》 2022年第1期87-91,共5页
为研究某型霍尔开光集成电路的贮存特性,在寒温、亚湿热-入海口、亚湿热、热带海洋等4种气候下的库房开展了248个月的贮存试验,监测了B_(H-L)、B_(L-H)、B_(H)、V_(OL)、I_(CC)等5个性能参数。分析研究了性能参数退化特征及4种气候对性... 为研究某型霍尔开光集成电路的贮存特性,在寒温、亚湿热-入海口、亚湿热、热带海洋等4种气候下的库房开展了248个月的贮存试验,监测了B_(H-L)、B_(L-H)、B_(H)、V_(OL)、I_(CC)等5个性能参数。分析研究了性能参数退化特征及4种气候对性能参数影响的差异特点。结果显示V_(OL)和I_(CC)是贮存敏感参数,V_(OL)在贮存67个月后开始出现显著退化;4种气候对B_(H-L)、B_(L-H)、B_(H)、I_(CC)的影响有显著差异。B_(H-L)、B_(L-H)最早出现显著差异的贮存时间是18个月。最后得出V_(OL)是决定其贮存寿命的关键参数,B_(H-L)、B_(L-H)是影响其环境适应性的关键参数。 展开更多
关键词 霍尔开关集成电路 贮存试验 敏感参数 环境适应性
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