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贮存环境对某型霍尔电路性能参数的影响研究 被引量:1

Influence of the Storage Environment on a Hall IC
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摘要 在A(寒温)、B(亚湿热)、C(亚湿热)、D(热带海洋)4地的库房内对某型霍尔集成电路开展了为期17年的库房贮存试验,跟踪测试了该型霍尔集成电路的高电平-低电平磁感应强度(工作点)BH-L、低电平-高电平磁感应强度(释放点)BL-H和回差BH等性能参数,并应用T-检验法对4地贮存环境对样品的性能参数的影响进行了分析研究,结果表明各地贮存环境条件对样品的性能参数的影响各不相同。 A 17-year storage test for a Hall IC is carried out in the warehouses of the Hall IC at four places, namely A (cold climate), B (subtropical climate), C (subtropical climate) and D (tropical marine climate) . During the test, the BH-L, BL-H and BH of the Hall IC are tracked and tested; and then, the influences of the different storage environments on the above performance parameters are analyzed and studied through T-test. And it turns out that different storage environments will bring different influences for the performance parameters of the test samples.
出处 《电子产品可靠性与环境试验》 2015年第3期31-35,共5页 Electronic Product Reliability and Environmental Testing
关键词 霍尔集成电路 贮存试验 性能参数 T-检验 Hall IC storage test performance parameters T-test
  • 相关文献

参考文献5

二级参考文献33

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共引文献47

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引证文献1

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