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Positively Charged Exciton in Double-Layer Quantum Dots 被引量:1
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作者 HUANG Jin-Sheng XIE Wen-Fang 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2007年第2X期353-356,共4页
The Hamiltonian equation for positively charged exciton in double-layer harmonic quantum dots is solved numerically by using the exact diagonalization techniques. We find that the correlation energy Ec of positively c... The Hamiltonian equation for positively charged exciton in double-layer harmonic quantum dots is solved numerically by using the exact diagonalization techniques. We find that the correlation energy Ec of positively charged exciton increases with increasing the confinement strength and the binding energy decreases obviously for the heavy hole. 展开更多
关键词 charged-exciton complexes quantum dots
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Charged-Exciton Complexes in Quantum Dots
2
作者 XIE Wen-Fang 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2001年第7期95-100,共6页
It is known experimentally that stable charged-exciton complexes can exist in low-dimensional semiconductor nanostructures. Much less is known about the properties of such charged-exciton complexes since three-body pr... It is known experimentally that stable charged-exciton complexes can exist in low-dimensional semiconductor nanostructures. Much less is known about the properties of such charged-exciton complexes since three-body problems are very difficult to be solved, even numerically. Here we introduce the correlated hyperspherical harmonics as basis functions to solve the hyperangular equation for negatively and positively charged excitons (trions) in a harmonic quantum dot. By using this method, we have calculated the energy spectra of the low-lying states of a charged exciton as a function of the radius of quantum dot. Based on symmetry analysis, the level crossover as the dot radius increases can be fully explained as the results of symmetry constraint. 展开更多
关键词 FEW-BODY system charged-exciton complex QUANTUM dot hyperspherical COORDINATE
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调制n型掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱结构的发光特性 被引量:3
3
作者 冀子武 三野弘文 +2 位作者 小嶋映二 秋本良一 嶽山正二郎 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期3260-3266,共7页
报道了调制n型掺杂ZnSe/BeTe/ZnSe Ⅱ型量子阱(type-IIQW)在极低温至室温(1.4—296K)条件下的各种光学性质.反射光谱显示了对于非掺杂样品,激子(X)的跃迁起着支配作用,而只有在掺杂样品的光谱里展示了一个典型的负的带电激子(X-)的跃迁... 报道了调制n型掺杂ZnSe/BeTe/ZnSe Ⅱ型量子阱(type-IIQW)在极低温至室温(1.4—296K)条件下的各种光学性质.反射光谱显示了对于非掺杂样品,激子(X)的跃迁起着支配作用,而只有在掺杂样品的光谱里展示了一个典型的负的带电激子(X-)的跃迁特征.PL光谱及其直线偏振度Pl都显著地依赖于n型掺杂量和平行于QW生长方向的外加电场.这个特征被认为是由n型掺杂导致了内秉电场(built-inelectric field)消失及外加电场引起斯塔克效应(Stark effects)所致.还用外加电场方法证明了内秉电场的存在.超强磁场(高达180T)下的回旋共振(CR)测量证实了掺杂样品中确实存在着较高浓度的二维电子气,并且这些电子受限于ZnSe阱层中.以上实验结果显示在掺杂样品中同时观察到了Ⅰ型(空间直接)跃迁和Ⅱ型(空间间接)跃迁中的带电激子特征,同时也显示了所用样品达到了预期的设计目的. 展开更多
关键词 光致发光 二维电子气 带电激子 Ⅱ型量子阱
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调制掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱结构中的内秉电场和新型带电激子 被引量:3
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作者 冀子武 鲁云 +3 位作者 陈锦祥 三野弘文 秋本良一 嶽山正二郎 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期1214-1219,共6页
报道了调制掺杂的ZnSe/BeTe/ZnSeⅡ型量子阱(type-ⅡQW)在低温(2—5K)条件下的光致发光(PL),光致发光激发(PLE)和磁性光致发光(magneto-PL)光谱的实验结果.观察到非掺杂样品的PL有两个很强的主发光峰而掺杂样品只有一个的奇异发光.PL直... 报道了调制掺杂的ZnSe/BeTe/ZnSeⅡ型量子阱(type-ⅡQW)在低温(2—5K)条件下的光致发光(PL),光致发光激发(PLE)和磁性光致发光(magneto-PL)光谱的实验结果.观察到非掺杂样品的PL有两个很强的主发光峰而掺杂样品只有一个的奇异发光.PL直线偏振度和PLE的测量结果都表明了这些空间间接型跃迁PL是来自两个异质结界面的贡献,非掺杂样品的两个主发光峰的分离则是起因于QW结构中的内秉电场(built-in electric field).在平行于QW生长方向的强磁场中,掺杂样品的发光强度和主发光峰能量都显示了一个光学Shubinkov-de Hass(SdH)振荡.这些特征及另外的吸收光谱测量结果都表明,在掺杂样品中已经形成了一个高浓度的二维电子气;它具有type-ⅡQW所特有的带电激子的特征. 展开更多
关键词 光致发光 二维电子气 带电激子 Ⅱ型量子阱
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外加磁场下抛物型量子线中的带电激子 被引量:2
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作者 张红 张春元 +1 位作者 张慧亮 刘建军 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第7期648-654,共7页
在一维等效模型下采用有效差分法对抛物型量子阱线中带电激子的束缚能进行了计算,分析了约束势以及磁场对带电激子束缚能的影响,并对带正电激子(X+)和带负电激子(X-)的情况进行了比较.结果表明:电子和空穴的振子强度对带电激子的稳定性... 在一维等效模型下采用有效差分法对抛物型量子阱线中带电激子的束缚能进行了计算,分析了约束势以及磁场对带电激子束缚能的影响,并对带正电激子(X+)和带负电激子(X-)的情况进行了比较.结果表明:电子和空穴的振子强度对带电激子的稳定性有重要影响,X+的束缚能不总是比X-的大,随着空穴振子强度的增加束缚能的函数曲线将会出现交叉,这同实验得到的结果符合;磁场的存在会增加粒子间的束缚,并且磁场对束缚能的影响同振子强度大小有关. 展开更多
关键词 带电激子 量子线 束缚能 磁场
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超强磁场下非掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱中激子和带电激子的光学特性
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作者 冀子武 郑雨军 徐现刚 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期692-696,共5页
报道了液态氦温度(4.2K)下非掺杂ZnSe/BeTeⅡ型量子结构中ZnSe势阱层内空间直接光致发光(PL)光谱的磁场依赖性(磁场高达53T).实验结果显示,随着磁场的增加,激子和带电激子的PL强度呈现出相反的振动行为.当激子的PL强度增加时带电激子的P... 报道了液态氦温度(4.2K)下非掺杂ZnSe/BeTeⅡ型量子结构中ZnSe势阱层内空间直接光致发光(PL)光谱的磁场依赖性(磁场高达53T).实验结果显示,随着磁场的增加,激子和带电激子的PL强度呈现出相反的振动行为.当激子的PL强度增加时带电激子的PL强度减小,反之,当激子的强度减小时带电激子的强度却增加.并且在整个磁场范围内,这些振动呈现近似等间隔的周期性变化.这个行为被解释为费米能级与朗道能级的周期性共振,这个共振导致了处于费米能级上的二维电子气态密度的周期性调制. 展开更多
关键词 光致发光 二维电子气 带电激子 Ⅱ型量子阱
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N型掺杂ZnSe/BeTeⅡ型量子阱中空间间接带电激子跃迁发光的直接证据
7
作者 屈尚达 冀子武 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第2期290-295,共6页
本文研究了N型掺杂ZnSe/BeTe/ZnSeⅡ型量子阱空间间接发光谱的外加电场依赖性。实验结果表明,其发光谱只显示了一个线性偏振度较低的发光峰。这是由于掺杂电子屏蔽了Ⅱ型量子阱中的内秉电场,并使得两个ZnSe阱层具有相同的势。同时该发... 本文研究了N型掺杂ZnSe/BeTe/ZnSeⅡ型量子阱空间间接发光谱的外加电场依赖性。实验结果表明,其发光谱只显示了一个线性偏振度较低的发光峰。这是由于掺杂电子屏蔽了Ⅱ型量子阱中的内秉电场,并使得两个ZnSe阱层具有相同的势。同时该发光谱具有反玻耳兹曼(inverse-Boltzmann)分布,并且线型和线性偏振度在整个栅极电压变化范围内没有显示明显改变。然而,其光谱积分强度却显著地依赖栅极电压的极性变化:在正栅极电压范围内(7~0 V)其光谱积分强度几乎是一个常数,但随着负栅极电压的增加(-1~-7 V),其光谱积分强度却显著降低。这些行为显示了该样品的空间间接发光谱具有负的带电激子的特征。这个常数的光谱积分强度被解释为掺杂层对外加电场的屏蔽,而这个显著降低的光谱积分强度则被归因于外加电场对掺杂电子的排斥(致使激光激发区域内的电子浓度降低),从而导致了负带电激子数量的减少。此外,本文也初步探讨了该空间间接带电激子的可能构成模型。 展开更多
关键词 光致发光 带电激子 量子阱 电场 N型掺杂ZnSe/BeTe 线性偏振度
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掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱结构中带电激子的磁场效应
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作者 冀子武 三野弘文 +3 位作者 音贤一 室清文 秋本良一 嶽山正二郎 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期6609-6613,共5页
报道了n型掺杂ZnSe/BeTe/ZnSeⅡ型量子阱(type-ⅡQW)在极低温(5—10 K)条件下的各种光学性质.磁场中(Farada配置)ZnSe层的反射光谱展示了一个典型的负的带电激子(X-)的跃迁特征.对于空间间接光致发光(spaciallyindirect PL)光谱,它的主... 报道了n型掺杂ZnSe/BeTe/ZnSeⅡ型量子阱(type-ⅡQW)在极低温(5—10 K)条件下的各种光学性质.磁场中(Farada配置)ZnSe层的反射光谱展示了一个典型的负的带电激子(X-)的跃迁特征.对于空间间接光致发光(spaciallyindirect PL)光谱,它的主发光峰显示了一个反玻尔兹曼分布的非对称性,并且在磁场中(Voigt配置)它的峰值能量随磁场的增加而降低.这些实验结果显示了该掺杂样品的空间间接PL是来自Ⅱ型QW结构所特有的带电激子的跃迁. 展开更多
关键词 光致发光 二维电子气 带电激子 Ⅱ型量子阱
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量子环上的负电荷激子 被引量:5
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作者 吴洪 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第12期8549-8553,共5页
讨论了负电荷激子X-的能-光谱及其Aharonov-Bhom振荡.负电荷激子是三个带电粒子组成的体系,其基函数(基矢)数目大,数值计算艰巨.以往人们常把体系的空间波函数分离成质心运动和相对运动两部分来处理,这种方法误差大,只适用于外加磁场很... 讨论了负电荷激子X-的能-光谱及其Aharonov-Bhom振荡.负电荷激子是三个带电粒子组成的体系,其基函数(基矢)数目大,数值计算艰巨.以往人们常把体系的空间波函数分离成质心运动和相对运动两部分来处理,这种方法误差大,只适用于外加磁场很小的情况.直接由体系的Hamilton量出发,基于角动量守恒,把基矢按总角动量分类.据此提出了一种简便的求解体系的本征矢和本征函数方案,使用该方法使计算时间节省了90%以上.所得计算结果没有抗磁现象,且计算结果与现有的实验数据符合很好.还讨论了环的半径、介质电容率和空穴的有效质量与ABO的关系. 展开更多
关键词 量子环 负电荷激子 能-光谱 Aharonov-Bhom振荡
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杂质对量子环上荷负电激子的影响 被引量:4
10
作者 吴洪 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期8843-8849,共7页
讨论了在杂质电荷的电场影响下,量子环上荷负电激子X-的能-光谱及其Aharonov-Bohm振荡.当轨道总角动量不守恒的情况下,提出如何按轨道角动量分类构成基矢组并用典型的对角化方法求解体系的本征值和本征矢的方案.该方案计算简单,计算结... 讨论了在杂质电荷的电场影响下,量子环上荷负电激子X-的能-光谱及其Aharonov-Bohm振荡.当轨道总角动量不守恒的情况下,提出如何按轨道角动量分类构成基矢组并用典型的对角化方法求解体系的本征值和本征矢的方案.该方案计算简单,计算结果令人满意.还讨论了运用等效电荷变换公式和变换图,把位于三维空间的杂质简化为二维平面(或x轴上)的杂质处理,使计算变得更简单,对结果的分析也更明晰. 展开更多
关键词 杂质 量子环 荷负电激子 Aharonov-Bohm振荡
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电场对负电荷激子的能-光谱AB振荡的影响 被引量:2
11
作者 吴洪 鲍诚光 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期3306-3310,共5页
定量讨论了可控外加均匀电场对量子环上负电荷激子的能-光谱及其AB振荡的影响。文中计算光谱的结果与实验值符合很好。负电荷激子是三个带电粒子的体系,构成本征函数的基矢数以及哈密顿矩阵元都极大,数值计算艰浩。文中提出如何选定基... 定量讨论了可控外加均匀电场对量子环上负电荷激子的能-光谱及其AB振荡的影响。文中计算光谱的结果与实验值符合很好。负电荷激子是三个带电粒子的体系,构成本征函数的基矢数以及哈密顿矩阵元都极大,数值计算艰浩。文中提出如何选定基矢组Γ(Kmin,Kmax)以减少基矢数及保证因基矢组的选择所引起的误差极小的方法。为验证基矢组Γ(Kmin,Kmax)的可靠性,还提出了对构成波函数中基矢K的比重D(K)的分析方法。并对哈密顿矩阵元〈H〉中的动能项〈T〉、库仑作用项〈V〉、外加电场作用项〈E〉与环半径R的关系进行了讨论。 展开更多
关键词 电场 量子环 负电荷激子 Aharonov-Bohm振荡
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双层量子点中的带负电荷激子(英文)
12
作者 黄锦胜 解文方 《广州大学学报(自然科学版)》 CAS 2007年第1期29-33,共5页
利用精确对角化方法,研究了抛物势双层量子点中带负电荷激子的1S态和3P态的关联能与量子点的束缚势大小的变化关系,以及1S态对应几个不同的量子点间点与点的距离的束缚能随束缚势大小的变化关系,计算了电子与空穴质量比为σ=0.677和σ=0... 利用精确对角化方法,研究了抛物势双层量子点中带负电荷激子的1S态和3P态的关联能与量子点的束缚势大小的变化关系,以及1S态对应几个不同的量子点间点与点的距离的束缚能随束缚势大小的变化关系,计算了电子与空穴质量比为σ=0.677和σ=0.197的缚能随束缚势大小的变化关系. 展开更多
关键词 双层量子点 带负电荷激子 关联能 束缚能
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