全TOPCon电池正面多晶硅层硼掺杂工艺

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作者 张博 宋志成 +1 位作者 倪玉凤 魏凯峰 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第2期329-335,共7页

为提升隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)电池光电转换效率,本文通过高温扩散在n型TOPCon电池正面制作p型隧穿氧化层钝化接触结构,提升发射极钝化性能,减少正面金属复合。本文研究了不同沉积时间、推进温度、推进时间等工艺参数对实验样品钝... 为提升隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)电池光电转换效率,本文通过高温扩散在n型TOPCon电池正面制作p型隧穿氧化层钝化接触结构,提升发射极钝化性能,减少正面金属复合。本文研究了不同沉积时间、推进温度、推进时间等工艺参数对实验样品钝化性能及掺杂曲线的影响。实验结果表明,当沉积时间为1500 s,推进温度为920℃,推进时间为20 min时,掺硼多晶硅层可获得较优的钝化性能及掺杂浓度,其中样品多晶硅层硼掺杂浓度达到1.40×10^(20)cm^(-3),隐开路电压(iV_(oc))大于720.0 mV。依据该参数制备的TOPCon电池光电转换效率可达23.89%,对应的短路电流密度为39.36 mA/cm^(2),开路电压(V_(oc))达到726.4 mV,填充因子(FF)为83.54%。 展开更多

关键词 topcon电池 钝化接触 硼扩散 钝化 电流密度 光电转换效率

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LPCVD法制备TOPCon太阳能电池工艺研究 被引量：1

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作者 王举亮 贾永军 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第1期149-154,共6页

本文主要对低压化学气相沉积(LPCVD)法制备N型高效晶硅隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)电池工艺进行研究。分析LPCVD法制备隧穿氧化层及多晶硅层的影响因素,研究了不同氧化层厚度、多晶硅厚度及多晶硅层中P掺杂量对太阳能电池转换效率的影... 本文主要对低压化学气相沉积(LPCVD)法制备N型高效晶硅隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)电池工艺进行研究。分析LPCVD法制备隧穿氧化层及多晶硅层的影响因素,研究了不同氧化层厚度、多晶硅厚度及多晶硅层中P掺杂量对太阳能电池转换效率的影响。结果表明:当隧穿氧化层厚度在1.55 nm时,钝化效果最佳;多晶硅层厚度120 nm时V_(oc)达到最高值;多晶硅层厚度在90 nm时E_(ff)最高。当P掺杂量为3.0×10^(15)cm^(-2)时可获得较高的Voc,原因是随着P掺杂量的增加,多晶硅层场钝化效果提高。 展开更多

关键词 topcon电池 LPCVD 隧穿氧化层 多晶硅层 钝化 掺杂

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TOPCon太阳能电池选择性发射极工艺研究 被引量：1

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作者 杨露 宋志成 +5 位作者 倪玉凤 张婷 魏凯峰 阮妙 石惠君 郑磊杰 《人工晶体学报》 北大核心 2024年第1期138-144,共7页

为提升隧穿氧化钝化接触(TOPCon)太阳能电池的光电转换效率,采用硼扩散和激光掺杂的方式形成选择性发射极结构,研究了硼扩散方阻、激光功率输出比、氧化时间等对电池发射极钝化性能的影响。实验结果表明,当扩散方阻为140Ω/□,氧化温度... 为提升隧穿氧化钝化接触(TOPCon)太阳能电池的光电转换效率,采用硼扩散和激光掺杂的方式形成选择性发射极结构,研究了硼扩散方阻、激光功率输出比、氧化时间等对电池发射极钝化性能的影响。实验结果表明,当扩散方阻为140Ω/□,氧化温度为1 020℃,氧化时间为30 min时,发射极轻掺杂区域(p+)的方块电阻为320Ω/□,隐开路电压值达到729 mV,暗饱和电流密度为12 fA/cm^(2)。发射极重掺杂区域(p++)的方块电阻为113Ω/□,隐开路电压值为710 mV,暗饱和电流密度为26 fA/cm^(2)。基于该工艺方案制备的TOPCon电池最高光电转换效率达到24.75%,电池开路电压高达720 mV,短路电流提升30 mA,相比现有TOPCon电池光电转换效率提升了0.26个百分点。 展开更多

关键词 topcon太阳能电池 选择性发射极 硼扩散 激光 氧化 光电转化效率

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TOPCon太阳电池单面沉积Poly-Si的工艺研究

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作者 代同光 谭新 +4 位作者 宋志成 郭永刚 袁雅静 倪玉凤 汪梁 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第5期818-823,共6页

目前隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)电池制造技术越来越成熟,所耗成本不断降低。行业内普遍采用低压化学气相沉积(LPCVD)方式进行双面沉积或单面沉积。单面沉积存在Poly-Si绕镀问题,严重影响电池片转化效率和外观质量,同时正面绕镀层去除... 目前隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)电池制造技术越来越成熟,所耗成本不断降低。行业内普遍采用低压化学气相沉积(LPCVD)方式进行双面沉积或单面沉积。单面沉积存在Poly-Si绕镀问题,严重影响电池片转化效率和外观质量,同时正面绕镀层去除难度较大,在用碱溶液去除绕镀层的同时,存在绕镀层去除不彻底或者非绕镀区域P^(+)层被腐蚀的风险,导致P^(+)发射极受损,严重影响电池片外观质量与性能。双面沉积可避免上述问题,但产能减少一半,制造成本增加。本文对单面沉积Poly-Si工艺及绕镀层去除工艺进行研究,在TOPCon电池正面及背面制作了一层合适厚度的氧化层掩膜,搭配合适的清洗工艺、去绕镀清洗工艺,既可有效地去除P^(+)层绕镀的Poly-Si,也可很好地保护正面P^(+)层及背面掺杂Poly-Si层不受破坏,同时可大幅提升产能。 展开更多

关键词 topcon太阳电池 Poly-Si绕镀层 低压化学气相沉积 BSG PSG 腐蚀速率

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TOPCon太阳电池背面叠层poly工艺的优化及其对电性能的影响

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作者 凡金星 刘绍洋 高纪凡 《太阳能》 2024年第4期73-79,共7页

通过增加TOPCon太阳电池poly层中的磷掺杂浓度可以增强poly层与硅基底之间的钝化效果并提高poly层与金属电极间的接触能力,但过高的掺杂浓度会导致磷原子扩散到硅基底,破坏氧化层与硅基底之间的界面钝化效果。为了解决这一问题,提出在p... 通过增加TOPCon太阳电池poly层中的磷掺杂浓度可以增强poly层与硅基底之间的钝化效果并提高poly层与金属电极间的接触能力,但过高的掺杂浓度会导致磷原子扩散到硅基底,破坏氧化层与硅基底之间的界面钝化效果。为了解决这一问题,提出在poly层中间增加一层薄的氧化层作为阻挡层(即叠层poly工艺,下文简称为“叠层工艺”)的方案,将原本单一的poly-Si磷掺杂进行双层分布,底层poly-Si轻掺杂,表层poly-Si重掺杂;对常规工艺和叠层工艺制备TOPCon的太阳电池进行对比试验后,进一步优化叠层工艺,调整中间氧化层厚度,并研究不同中间氧化层厚度的叠层工艺对TOPCon太阳电池电性能的影响。实验结果表明:1)叠层工艺可以提高TOPCon太阳电池的电性能;2)当中间氧化层厚度提升至1.5 nm时,太阳电池的光电转换效率达到最高值(25.66%)。但中间氧化层的厚度是一个需要精确控制的工艺参数,需找到最佳的厚度平衡点,以提高太阳电池性能。 展开更多

关键词 topcon太阳电池 poly层 磷掺杂浓度 钝化效果

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新型石墨舟等离子体清洗设备的工艺效果与优势 被引量：2

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作者 许烁烁 杨彬 +2 位作者 张威 彭宜昌 唐电 《电子工业专用设备》 2023年第2期6-9,共4页

新型石墨舟等离子体清洗设备能有效减少清洗时间,减少了非晶硅沉积工艺中磷烷的用量,提高了隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)电池转换效率,具有很大的竞争优势。研究了等离子体清洗工艺参数对电池转换效率的影响,得到了最佳的石墨舟等离子体... 新型石墨舟等离子体清洗设备能有效减少清洗时间,减少了非晶硅沉积工艺中磷烷的用量,提高了隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)电池转换效率,具有很大的竞争优势。研究了等离子体清洗工艺参数对电池转换效率的影响,得到了最佳的石墨舟等离子体清洗工艺参数,即:石墨舟温度300℃、清洗时间150 min,将非晶硅沉积工艺中磷烷的流量减半,制备的TOPCon电池转换效率达24.154%,比湿法设备高0.033%。 展开更多

关键词 隧穿氧化层钝化接触电池 掺杂非晶硅 石墨舟清洗

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n型双面TOPCon太阳电池钝化技术 被引量：4

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作者 于波 史金超 +3 位作者 李锋 庞龙 刘克铭 于威 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第5期368-373,共6页

隧穿氧化物钝化接触(TOPCon)技术已成为当前产业化高效太阳电池的重点研究方向之一。报道了可应用于规模化生产的n型双面TOPCon太阳电池技术,对前表面SiO_2/多晶硅钝化层进行了优化设计。为了有效降低接触电阻,太阳电池的背表面采用了... 隧穿氧化物钝化接触(TOPCon)技术已成为当前产业化高效太阳电池的重点研究方向之一。报道了可应用于规模化生产的n型双面TOPCon太阳电池技术,对前表面SiO_2/多晶硅钝化层进行了优化设计。为了有效降低接触电阻,太阳电池的背表面采用了全面积SiO_2/多晶硅钝化层结构;为避免多晶硅层对太阳光的寄生吸收,仅将SiO_2/多晶硅钝化层应用于前表面金属接触的底部。J-V特性和少子寿命等分析显示,双面TOPCon结构设计显著提升了太阳电池的表面钝化接触性能,其开路电压和短路电流密度显著增加。所制备的面积为239 cm^2的双面TOPCon太阳电池的平均正面转换效率可达20.33%,相对正面无SiO_2/多晶硅钝化层的常规钝化发射极及背表面全扩散(PERT)结构的太阳电池转换效率提升了0.29%。 展开更多

关键词 隧穿氧化物钝化接触(topcon)太阳电池 选择性钝化接触 隧穿氧化层 多晶硅 双面太阳电池

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新型高效光伏组件技术对比及经济性分析

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作者 王大才 曾杰 陈卫鹏 《水利水电快报》 2023年第11期95-98,共4页

为研究新型光伏组件技术在光伏项目上的应用及其经济性,介绍了新型高效光伏组件的发展,对比了N型TOPCon、HIT、IBC电池组件优劣,重点分析了新型高效N型TOPCon组件发电量、度电成本、等效利用小时数、全投资收益率等方面,并基于海南100 M... 为研究新型光伏组件技术在光伏项目上的应用及其经济性,介绍了新型高效光伏组件的发展,对比了N型TOPCon、HIT、IBC电池组件优劣,重点分析了新型高效N型TOPCon组件发电量、度电成本、等效利用小时数、全投资收益率等方面,并基于海南100 MW光伏项目工程进行经济性分析,结果表明:采用N型TOPCon组件设计方案项目,项目发电量、全投资收益率等主要经济指标均有较大提高,能有效提升项目价值;新型组件技术加速迭代,有望通过技术进步快速实现能效提升以及成本下降,进入发展快车道。 展开更多

关键词 光伏电池 N型topcon组件 HIT IBC

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n型TOPCon光伏电池标准化研究

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作者 陈晓达 庄天奇 +3 位作者 李小娟 张曼 倪建雄 姜倩 《信息技术与标准化》 2023年第4期46-54,共9页

为推动n型TOPCon光伏电池标准化,基于n型电池技术发展现状,对n型TOPCon电池标准指标展开理论分析,并开展弯曲度与电极抗拉强度、可靠性、初始光致衰减等标准指标的试验验证,最后提出n型TOPCon电池标准化的建议。

关键词 光伏电池 n型topcon电池 光伏标准

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热氧化对工业化n-TOPCon太阳电池的性能影响研究 被引量：1

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作者 陈文浩 王闻捷 +4 位作者 于元元 陈鹏辉 郑波 袁声召 万义茂 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2022年第2期2162-2166,2181,共6页

借助磷掺杂多晶硅钝化接触结构卓越的钝化质量,n-TOPCon太阳电池可获得极佳的电学性能表现。在实际工业化制造过程,获得高性能量产n-TOPCon电池的关键之一是需要实现电池双面钝化结构的匹配与优化。对于硼扩散制备而成的电池正表面,工... 借助磷掺杂多晶硅钝化接触结构卓越的钝化质量,n-TOPCon太阳电池可获得极佳的电学性能表现。在实际工业化制造过程,获得高性能量产n-TOPCon电池的关键之一是需要实现电池双面钝化结构的匹配与优化。对于硼扩散制备而成的电池正表面,工业上常采用叠层钝化膜沉积前添加热氧化工艺来优化钝化质量。该热氧化过程对n-TOPCon电池正反面钝化结构以及最终的电池电学性能可能造成的影响,进行了详细探究;发现热氧化过程可以优化重掺杂硼扩面的钝化质量,而对于轻掺杂硼扩面有害无益,同时热氧化会导致掺杂多晶硅钝化接触结构的钝化质量下降。未经过氧化处理的n-TOPCon电池在光注入退火工艺处理后可以获得更大的电学性能增益。使用无氧化工艺获得了平均效率达24.02%,最高效率为24.34%的量产n-TOPCon太阳电池。 展开更多

关键词 钝化接触结构 topcon 热氧化 钝化膜 晶硅太阳电池

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超薄多晶硅的掺杂、钝化及光伏特性研究

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作者 宋志成 杨露 +4 位作者 张春福 刘大伟 倪玉凤 张婷 魏凯峰 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第3期434-440,共7页

本文对70 nm超薄多晶硅的掺杂工艺、钝化性能及光伏特性进行了研究。确定了70 nm超薄多晶硅的掺杂工艺,研究表明当离子注入剂量为3.2×10^(15) cm^(-3),在855℃退火20 min时,70 nm超薄多晶硅的钝化性能可以达到与常规120 nm多晶硅... 本文对70 nm超薄多晶硅的掺杂工艺、钝化性能及光伏特性进行了研究。确定了70 nm超薄多晶硅的掺杂工艺,研究表明当离子注入剂量为3.2×10^(15) cm^(-3),在855℃退火20 min时,70 nm超薄多晶硅的钝化性能可以达到与常规120 nm多晶硅相当的水平,且70 nm多晶硅的表面掺杂浓度达到5.6×10^(20) atoms/cm^(3),远高于120 nm掺杂多晶硅的表面掺杂浓度(2.5×10^(20) atoms/cm^(3))。基于70 nm超薄多晶硅厚度减薄和高表面浓度掺杂的特点,较低的寄生吸收和强场钝化效应使得在大尺寸(6英寸)直拉单晶硅片上加工的N型TOPCon太阳能电池的光电转换效率得到明显提升,主要电性能参数表现为:电流I_(sc)升高20 mA,串联电阻R_(s)降低,填充因子FF增加0.3%,光电转换效率升高0.13%。 展开更多

关键词 topcon太阳能电池 多晶硅 掺杂 离子注入 钝化接触 寄生吸收 光电转换效率

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多晶硅绕镀层的去除工艺研究 被引量：1

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作者 张婷 刘大伟 +3 位作者 宋志成 倪玉凤 杨露 刘军保 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第9期1641-1645,共5页

本文旨在针对TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact背面隧穿氧化钝化接触)晶硅电池制备过程中,背面钝化多晶硅层沉积引起的硅片正面边缘沉积多晶硅绕镀层的去除进行工艺研究,进一步解决了电池外观不良和该多晶硅层对电池正面光的吸... 本文旨在针对TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact背面隧穿氧化钝化接触)晶硅电池制备过程中,背面钝化多晶硅层沉积引起的硅片正面边缘沉积多晶硅绕镀层的去除进行工艺研究,进一步解决了电池外观不良和该多晶硅层对电池正面光的吸收影响。文中分别尝试采用HF-HNO 3混酸溶液和KOH碱溶液两种方式进行腐蚀处理,然后通过对处理后硅片正面的工艺控制点监控和电池EL检测等手段评估去除效果。其中HF 1wt%、HNO 350wt%混合溶液时腐蚀4 min以上可去除该绕镀层,但是大于6 min后硅片正面的方块电阻提升、硼掺杂浓度等变化幅度很大。KOH质量分数0.1wt%、添加剂体积分数5vol%混合溶液60℃时,腐蚀2.5 min以上可去除该绕镀层且方块电阻等测试相对变化幅度较小。故前者对电池后期电极的制备工艺要求更高否则容易引起欧姆接触不良,后者则对电池电极的制备工艺控制窗口更大。所以认为在多晶硅绕镀层的去除方面KOH腐蚀更适合工业批量化生产工艺选择。 展开更多

关键词 topcon电池 多晶硅绕镀层 腐蚀 硼掺杂 去除工艺

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TOPCon太阳电池发射极Al_(2)O_(3)/SiNx与SiO_(2)/Al_(2)O_(3)/SiNx叠层膜钝化性能的比较

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作者 杨露 刘大伟 +2 位作者 张婷 魏凯峰 石慧君 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第12期2090-2095,共6页

本文对TOPCon电池发射结的叠层钝化膜进行了研究,对比了3种不同叠层钝化膜(SiO_(2)/SiNx、Al_(2)O_(3)(1.5 nm)/SiNx、SiO_(2)/Al_(2)O_(3)(1.5 nm)/SiNx)的钝化性能。结果表明:Al_(2)O_(3)(1.5 nm)/SiNx的钝化性能优于SiO_(2)/SiNx,SiO... 本文对TOPCon电池发射结的叠层钝化膜进行了研究,对比了3种不同叠层钝化膜(SiO_(2)/SiNx、Al_(2)O_(3)(1.5 nm)/SiNx、SiO_(2)/Al_(2)O_(3)(1.5 nm)/SiNx)的钝化性能。结果表明:Al_(2)O_(3)(1.5 nm)/SiNx的钝化性能优于SiO_(2)/SiNx,SiO_(2)/Al_(2)O_(3)(1.5 nm)/SiNx的钝化水平最佳,隐开路电压均值可达到705 mV。基于Al_(2)O_(3)/SiNx叠层膜研究了Al_(2)O_(3)厚度(1.5 nm、3 nm和5 nm)对钝化性能和电池转换效率的影响。当Al_(2)O_(3)厚度由1.5 nm增加到3 nm时,钝化性能得到明显提升,隐开路电压均值提高了20 mV,达到707 mV,对应电池的光电转换效率升高了0.23个百分点,与SiO_(2)/Al_(2)O_(3)(1.5 nm)/SiNx叠层膜电池的转换效率持平。然而,当Al_(2)O_(3)厚度继续增加至5 nm时,隐开路电压均值保持不变。因此可以使用Al_(2)O_(3)(3 nm)/SiNx叠层膜代替SiO_(2)/Al_(2)O_(3)(1.5 nm)/SiNx叠层膜,不仅简化了电池的工艺步骤,而且降低了生产成本。 展开更多

关键词 topcon电池 表面钝化 三氧化二铝 Al_(2)O_(3)/SiNx叠层钝化膜 钝化性能 隐开路电压

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具有选择性前表面场的p型背结太阳电池

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作者 李得银 马岩青 +3 位作者 石惠君 杨超 王冬冬 陈丹 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2022年第11期1119-1125,共7页

隧穿氧化物钝化接触(TOPCon)结构由掺杂多晶硅及隧穿氧化层构成,具有出色的钝化及接触特性。将n型TOPCon太阳电池制备理念应用到p型硅片中,利用背面原位掺杂磷多晶硅层充当pn结,并利用印刷纳米硼浆的方法完成选择性前表面场(FSF)的制备... 隧穿氧化物钝化接触(TOPCon)结构由掺杂多晶硅及隧穿氧化层构成,具有出色的钝化及接触特性。将n型TOPCon太阳电池制备理念应用到p型硅片中,利用背面原位掺杂磷多晶硅层充当pn结,并利用印刷纳米硼浆的方法完成选择性前表面场(FSF)的制备。这种具有选择性前表面场的p型背结电池的优势是背面TOPCon发射极的全面积金属接触避免了发射极内的横向电流传输损耗,有助于空穴(主要载流子)向前端的局部前表面场传输,另外正面选择性前表面场的设计形成高低结,极大地减小了表面复合及金属栅线接触电阻。结果表明,相比同结构的n型TOPCon太阳电池,此种结构的p型背结太阳电池光电转换效率高0.34%,填充因子约高1%,说明该结构的背结太阳电池具有一定的电性能优越性和发展潜力。 展开更多

关键词 背结太阳电池 隧穿氧化物钝化接触(topcon) 原位掺杂 选择性前场 纳米硼浆

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射频磁控溅射ITO薄膜对TOPCon太阳电池光电性能的影响

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作者 郭永刚 王冬冬 +3 位作者 陈丹 石惠君 张敏 李得银 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2022年第1期19-24,83,共7页

通过射频(RF)磁控溅射分别在光学玻璃基底上和多晶硅薄膜层上沉积了氧化铟锡(ITO)薄膜,采用Hall效应测试仪测试了ITO薄膜的电阻率和载流子浓度等参数,研究溅射功率和溅射时间等参数对ITO薄膜的光电特性影响。测试多晶Si对称结构沉积ITO... 通过射频(RF)磁控溅射分别在光学玻璃基底上和多晶硅薄膜层上沉积了氧化铟锡(ITO)薄膜,采用Hall效应测试仪测试了ITO薄膜的电阻率和载流子浓度等参数,研究溅射功率和溅射时间等参数对ITO薄膜的光电特性影响。测试多晶Si对称结构沉积ITO薄膜前后及退火后的隐开路电压和反向饱和电流密度等参数,研究ITO薄膜对n型晶硅太阳电池钝化接触的影响。研究结果表明:在纯氩气氛围下、溅射功率为200 W、溅射时间为15 min、转速为10 r/min、工作气压为1 Pa,在250℃退火10 min条件下,ITO薄膜光电性能最佳,退火后的电阻率为2.863×10^(-4)Ω·cm,退火后的隐开路电压为721 mV,n型隧道氧化物钝化接触(TOPCon)太阳电池平均光电转换效率为23.6%。 展开更多

关键词 隧道氧化物钝化接触(topcon)太阳电池 射频(RF)磁控溅射 氧化铟锡(ITO)薄膜 多晶Si 退火

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PEALD制备的Al_(2)O_(3)薄膜在n-TOPCon太阳电池上的钝化性能 被引量：1

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作者 于波 史金超 +4 位作者 李锋 王红芳 陈俊玉 刘克铭 于威 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第5期370-375,共6页

对采用等离子体增强原子层沉积(PEALD)法制备的Al_(2)O_(3)薄膜在n型单晶硅隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)太阳电池正表面的钝化性能进行了研究。采用少数载流子寿命、X射线电子能谱(XPS)及J-V特性的测试分析,重点研究了Al_(2)O_(3)沉积温... 对采用等离子体增强原子层沉积(PEALD)法制备的Al_(2)O_(3)薄膜在n型单晶硅隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)太阳电池正表面的钝化性能进行了研究。采用少数载流子寿命、X射线电子能谱(XPS)及J-V特性的测试分析,重点研究了Al_(2)O_(3)沉积温度、薄膜厚度及薄膜形成后不同退火条件对钝化性能的影响,实现了低表面复合速率、良好钝化效果的产业化制备的Al_(2)O_(3)薄膜工艺。研究结果表明,在沉积温度为150℃、膜厚为5 nm、退火温度为450℃时,测试计算得出薄膜中O和Al的原子数之比为2.08,电池发射极正表面复合速率较低,达到了Al_(2)O_(3)钝化的最优效果,并且分析了Al_(2)O_(3)薄膜的化学态和形成机理。利用其Al_(2)O_(3)薄膜工艺制备的n型单晶硅TOPCon太阳电池开路电压提升了8 mV,电池的平均光电转换效率达到了23.30%。 展开更多

关键词 隧穿氧化层钝化接触(topcon)太阳电池 表面复合速率 钝化 退火 Al_(2)O_(3)

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高效单晶硅太阳电池的现状及发展探究

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作者 薛水莲 殷志龙 《通信电源技术》 2020年第16期29-31,共3页

在此详细介绍高效单晶硅太阳电池的发展现状,并通过调查与研究发现不同种类太阳电池的结构特点。根据当前单晶硅发展中遇到的困境,提出加强钝化接触、改善电池效率以及提高N型硅片技术三项单晶硅太阳电池的发展方向。随着光伏产品需求... 在此详细介绍高效单晶硅太阳电池的发展现状,并通过调查与研究发现不同种类太阳电池的结构特点。根据当前单晶硅发展中遇到的困境,提出加强钝化接触、改善电池效率以及提高N型硅片技术三项单晶硅太阳电池的发展方向。随着光伏产品需求量的增加,电池运行效率备受人们关注,单晶硅太阳电池由于效率较高,成为了当前技术人员研究的新方向。 展开更多

关键词 单晶硅 太阳电池 topcon太阳电池

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