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DPP基窄带隙聚合物光伏型探测器性能研究
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作者 周渊 郭鹏智 王晓峰 《兰州交通大学学报》 CAS 2024年第1期140-150,共11页
有机/聚合物光探测器以其光谱选择可控、带隙可调、制备工艺简单、易于实现大面积柔性器件等突出优点,一直备受关注。选择结构简单的3,3′-双甲氧基取代的联二噻吩(OT)、3,4-二甲氧基噻吩(O)和3,6-二甲氧基噻并[3,2-b]噻吩(OTT)等寡聚... 有机/聚合物光探测器以其光谱选择可控、带隙可调、制备工艺简单、易于实现大面积柔性器件等突出优点,一直备受关注。选择结构简单的3,3′-双甲氧基取代的联二噻吩(OT)、3,4-二甲氧基噻吩(O)和3,6-二甲氧基噻并[3,2-b]噻吩(OTT)等寡聚噻吩单元作富电子单元,吡咯[3,4-c]吡咯-1,4-二酮(DPP)作缺电子单元,制备系列D-A型窄带隙共轭聚合物POT-DPP,PO-DPP和POTT-DPP,并对聚合物的热稳定性、吸收光谱、聚集状态、能级及其光伏型探测器件的光伏性能、电荷迁移、复合损失过程及比探测率(D*)等进行了系统研究。其中含更大共轭平面的POTT-DPP:PC71BM的光探测器的探测性能最佳,在400 nm和850 nm处的D*分别为1.87×10^(11)Jones和1.67×10^(11)Jones,这主要受益于器件中高且平衡的空穴/电子迁移率,能更好地抑制双分子复合、陷阱辅助复合以及形成更有利的光敏层表面形貌。此项工作证明,通过增大D-A型共轭聚合物主链上的富电子单元的有效共轭面积,可以调节聚合物的带隙,促进探测器件载流子迁移,抑制其复合,从而促进光伏型光探测器件性能的显著提升。 展开更多
关键词 3 6-二甲氧基噻并[3 2-b]噻吩 窄带隙 聚合物光探测器 比探测率
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探测信噪比计算方法及原理综述 被引量:6
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作者 罗一涵 刘妍妍 陈科 《电声技术》 2016年第6期37-43,57,共8页
信噪比在音视频处理、信号传输、目标探测、图像分析等众多应用领域都起着非常重要的作用,不同条件下信噪比的定义方式和计算准则不同。详细阐述了探测信噪比的定义及其原理,将探测信噪比根据光子数、光电子数、比探测率、调制传递函数... 信噪比在音视频处理、信号传输、目标探测、图像分析等众多应用领域都起着非常重要的作用,不同条件下信噪比的定义方式和计算准则不同。详细阐述了探测信噪比的定义及其原理,将探测信噪比根据光子数、光电子数、比探测率、调制传递函数、电流、电压、灰度、能量等不同形式进行了分类,归纳总结了各种定义中物理量之间的区别与联系,并进行了统一标识。最后指出了不同定义下的信噪比之间没有很好的可比性,强调了提及信噪比时需要同时包含其具体定义和计算方式,并提出了一个总的光电子数形式的探测信噪比表示形式。 展开更多
关键词 探测信噪比 光子数 光电子数 比探测率 图像灰度 调制传递函数
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p-GaN/ZnO纳米线/ZnO薄膜三明治异质结紫外光电探测器光电性能
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作者 李刚 付政伟 +4 位作者 宋艳东 马宗义 刘子童 冯礼志 冯思雨 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第6期384-391,共8页
目的通过设计一种新型p-GaN/ZnO(薄膜+纳米线)三明治异质结结构,提高ZnO对紫外光的响应。方法利用化学气相沉积(CVD)方法,在蓝宝石/GaN衬底上生长出纳米线+薄膜交错排列的ZnO,得到具有三明治结构的p-GaN/ZnO材料。通过旋涂Ag纳米线(NWS... 目的通过设计一种新型p-GaN/ZnO(薄膜+纳米线)三明治异质结结构,提高ZnO对紫外光的响应。方法利用化学气相沉积(CVD)方法,在蓝宝石/GaN衬底上生长出纳米线+薄膜交错排列的ZnO,得到具有三明治结构的p-GaN/ZnO材料。通过旋涂Ag纳米线(NWS)、滴银胶为电极,制备三明治结构的异质结紫外(UV)光电探测器。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)表征物相及形貌;利用光致发光(PL)和拉曼(Raman)光谱分析晶体结晶情况;利用半导体分析测试仪对该三明治异质结UV光电探测器进行光电性能测试,得到其光电性能变化规律。结果该三明治结构光电探测器顶部为ZnO薄膜,中间为ZnONWS与纳米片交错排列分布,底部为GaN。这种二维(2D)/一维(1D)/2D结构使入射光在结构内多次反射和散射,提高了光程长度,进而提高了光吸收。另外,由于p-GaN和n-ZnO形成PN结,在内建电场作用下,可以有效提高光生电子-空穴分离效率。光电性能测试结果表明,在偏压2V、光功率密度520μW/cm^(2)(365nm)条件下,响应度(R)为35.8A/W,上升时间(t_(r))为41.83ms,下降时间(t_(d))为43.21ms,外量子效率(E_(q))为122%,比探测率(D^(*))为1.31×10^(12)cm·Hz^(1/2)·W^(-1)。结论通过一步CVD法制备新型p-GaN/ZnO纳米线/ZnO薄膜三明治结构UV光电探测器,可以有效提高ZnO对紫外光的响应,为探索新式结构光电探测器提供可能。 展开更多
关键词 异质结 光电探测器 CVD 响应度 比探测率 外量子效率
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两步退火法对硫化铅薄膜光电性能的影响
4
作者 范良朝 黄智 +3 位作者 吕全江 刘桂武 乔冠军 刘军林 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第10期278-284,共7页
采用先低温O2气氛退火,后高温N2气氛退火的两步退火法工艺,探究了两步退火法对化学浴沉积(CBD)制备的多晶硫化铅(PbS)薄膜光电性能的影响。结果表明,相比于一步退火法,两步退火法所得的PbS薄膜具有较大的晶粒尺寸、较少的晶界和良好的... 采用先低温O2气氛退火,后高温N2气氛退火的两步退火法工艺,探究了两步退火法对化学浴沉积(CBD)制备的多晶硫化铅(PbS)薄膜光电性能的影响。结果表明,相比于一步退火法,两步退火法所得的PbS薄膜具有较大的晶粒尺寸、较少的晶界和良好的光电性能。在两步退火法中,当第二步退火时间为80 min时,PbS薄膜的响应度为2.33 A·W^(-1),比探测率为1.18×10^(10)cm·H1/2·W^(-1),与一步退火法相比分别提高了259%和236%,即两步退火法可以在传统一步退火法的基础上进一步提高PbS红外光电探测器的性能。 展开更多
关键词 薄膜 硫化铅薄膜 退火 化学浴沉积 响应度 比探测率
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高比探测率和高速石墨烯/n-GaAs复合结构的光电探测器 被引量:3
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作者 田慧军 刘巧莉 +2 位作者 岳恒 胡安琪 郭霞 《中国光学》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第1期206-212,共7页
混合结构的石墨烯/半导体光电晶体管因其超高的响应度而备受关注。然而,该类光电晶体管通过源-漏电极测试得到的比探测率(D*)容易受到1/f噪声的限制。本文制备了混合结构的石墨烯/GaAs光电探测器,通过源-栅电极测得D*大约为1.82×10... 混合结构的石墨烯/半导体光电晶体管因其超高的响应度而备受关注。然而,该类光电晶体管通过源-漏电极测试得到的比探测率(D*)容易受到1/f噪声的限制。本文制备了混合结构的石墨烯/GaAs光电探测器,通过源-栅电极测得D*大约为1.82×10^(11) Jones,与通过源-漏电极测量相比,D*提高了约500倍。这可归因于界面上肖特基势垒对载流子俘获和释放过程的屏蔽作用。此外,探测器的上升时间和下降时间分别是4 ms和37 ms,响应速度相应地提高了2个数量级。该工作为制备高比探测率和高速的光电探测器提供了一种新的思路。 展开更多
关键词 石墨烯 光二极管 比探测率 响应速度
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斯特林制冷机的电磁兼容性问题研究 被引量:3
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作者 郑新波 潘鸣 裴云天 《红外技术》 CSCD 北大核心 2012年第2期114-117,共4页
斯特林制冷机的电磁兼容性问题是导致红外凝视相机探测性能下降的一个重要原因。对斯特林制冷机的电磁干扰进行研究,在此基础上进行了电磁兼容性设计,减小了电磁辐射干扰,提高了凝视相机的探测性能,对于红外探测器意义重大。通过制冷机... 斯特林制冷机的电磁兼容性问题是导致红外凝视相机探测性能下降的一个重要原因。对斯特林制冷机的电磁干扰进行研究,在此基础上进行了电磁兼容性设计,减小了电磁辐射干扰,提高了凝视相机的探测性能,对于红外探测器意义重大。通过制冷机改进之后的图像信噪比验证了设计的成功。 展开更多
关键词 斯特林制冷机 红外凝视相机 电磁兼容性 比探测率 信噪比
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共轭聚合物光电探测器研究进展 被引量:1
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作者 叶智杰 陈宇 《化学通报》 CAS CSCD 北大核心 2022年第2期155-168,共14页
相较于传统无机半导体材料,有机共轭聚合物半导体具有响应光谱高度可调、质量轻、可大面积制备、与柔性基板兼容等优点,其作为光活性层在下一代可穿戴光电探测器的应用中显示出巨大的应用潜力。共轭聚合物具有多样化的结构设计,不同的... 相较于传统无机半导体材料,有机共轭聚合物半导体具有响应光谱高度可调、质量轻、可大面积制备、与柔性基板兼容等优点,其作为光活性层在下一代可穿戴光电探测器的应用中显示出巨大的应用潜力。共轭聚合物具有多样化的结构设计,不同的分子结构对其光物理化学性能可进行灵活调控,进而展现出各具特色的光电特性。同时,通过结构优化亦可赋予共轭聚合物优良的溶液加工性能,简化其器件制备工艺。本文简要介绍了共轭聚合物光电探测器的工作原理及其相关参数,根据聚合物主链结构单元的不同,分别对各类有机共轭聚合物材料在光电探测领域的最新研究和应用进展进行综述和分析,探讨了共轭聚合物构效关系、器件结构等对光电探测性能的影响,并对其现有不足和未来发展进行展望,以期能促进共轭聚合物光电探测器的进一步发展。 展开更多
关键词 光电探测 共轭聚合物 异质结 响应度 比探测率
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理想光子探测器背景探测极限理论的误差分析 被引量:2
8
作者 任宏岩 周冰 +1 位作者 段晓峰 应家驹 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期369-371,共3页
对于受背景噪声限制的理想光子探测器,利用普朗克分布函数进行推导,得到了较为精确的比探测率公式,并与传统的近似公式对比,进行了误差分析结果表明传统的近似公式误差量很小。
关键词 光子探测器 背景噪声 比探测率 误差分析
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InAlAs浓度对In_(0.83)Al_(0.17)As/In_(0.83)Ga_(0.17)As红外探测器特性的影响 被引量:1
9
作者 叶伟 杜鹏飞 +1 位作者 萧生 李梦飞 《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2022年第2期317-324,共8页
红外探测器的性能受内部结构各层掺杂浓度的影响,而倍增层掺杂浓度会明显改变器件的性能。为了降低暗电流,提高器件性能,采用三元化合物In_(0.83)Al_(0.17)As作为倍增层材料,借助仿真软件Silvaco详细研究了In_(0.83)Al_(0.17)As/In_(0.8... 红外探测器的性能受内部结构各层掺杂浓度的影响,而倍增层掺杂浓度会明显改变器件的性能。为了降低暗电流,提高器件性能,采用三元化合物In_(0.83)Al_(0.17)As作为倍增层材料,借助仿真软件Silvaco详细研究了In_(0.83)Al_(0.17)As/In_(0.83)Ga_(0.17)As红外探测器的倍增层掺杂浓度对器件电场强度、电流特性和光响应度的影响规律。结果表明,随着倍增层掺杂浓度的增加,器件倍增层内的电场强度峰值增加,同时,器件的暗电流与光响应度减小。进一步研究发现,当倍增层掺杂浓度为2×10^(16) cm^(−3)时,器件获得最优性能,暗电流密度为0.62144 A/cm^(2),在波长为1.5μm时,光响应度和比探测率分别为0.9544 A/W和1.9475×10^(9) cmHz^(1/2)W^(−1)。 展开更多
关键词 红外探测器 倍增层掺杂浓度 电场分布 暗电流 比探测率
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以噻吩[3,4-b]并噻吩为核的近红外电子受体及其高性能光探测器
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作者 潘幼文 陶利婷 +5 位作者 高健 何程亮 刘智鑫 方彦俊 施敏敏 陈红征 《高分子学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2022年第4期424-432,共9页
为了实现在近红外区的良好光电响应,设计合成了一种A-D-A型有机电子受体TCIC.由于采用具有强醌式效应的噻吩[3,4-b]并噻吩单元为核,TCIC在780~1000 nm的近红外区具有强吸收以及合适的能级结构,可与常用的聚合物给体PCE10的吸收和能级相... 为了实现在近红外区的良好光电响应,设计合成了一种A-D-A型有机电子受体TCIC.由于采用具有强醌式效应的噻吩[3,4-b]并噻吩单元为核,TCIC在780~1000 nm的近红外区具有强吸收以及合适的能级结构,可与常用的聚合物给体PCE10的吸收和能级相匹配.于是,采用2种器件结构,制备了基于PCE10:TCIC共混膜的自供电式(0 V偏压下)有机光探测器,并发现,相比于正型器件,反型器件更有利于抑制暗电流与总噪声电流.最终,反型器件在410~1000 nm的宽光谱范围内的比探测率均达到了10^(13) Jones以上,而且,在940 nm波长下,器件表现出超宽的线性动态范围(~180 dB)以及极快的响应速度(~6.5μs),这些指标都处于目前有机光探测器的最优行列.所以,本工作为高性能近红外受体的分子设计提供了重要指导. 展开更多
关键词 近红外电子受体 噻吩[3 4-b]并噻吩 有机光探测器 比探测率
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高温下In_(0.83)Al_(0.17)As/In_(0.83)Ga_(0.17)As红外探测器特性分析
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作者 杜鹏飞 叶伟 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2022年第9期1378-1383,共6页
非冷却热探测器的性能在光谱检测应用中仍需要提高。为了降低热噪声和减小暗电流,实现器件的高温工作性能,本文通过将器件的倍增层和吸收层分离设计后,选用InAlAs作为倍增层材料,利用仿真软件Silvaco-TCAD,详细探究了不同温度对器件暗... 非冷却热探测器的性能在光谱检测应用中仍需要提高。为了降低热噪声和减小暗电流,实现器件的高温工作性能,本文通过将器件的倍增层和吸收层分离设计后,选用InAlAs作为倍增层材料,利用仿真软件Silvaco-TCAD,详细探究了不同温度对器件暗电流和光响应度的影响规律。结果表明,在高温160~300 K范围内,随着温度的升高,器件的暗电流增大,光响应度呈现先增大后减小的变化。利用公式进一步计算出,-500 mV和300 K时,器件的暗电流密度为0.485 A/cm^(2),1.5μm处的峰值响应度为1.818 A/W,零偏置微分电阻面积为0.053Ω·cm^(2),比探测率为3.26×10^(9) cm·Hz·W。 展开更多
关键词 红外探测 高温工 暗电 光响应 比探测率
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平面漏斗形微腔集成的高性能长波红外探测器
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作者 兰梦珂 周靖 陈爱英 《有色金属材料与工程》 2022年第4期28-34,共7页
为实现量子阱红外光探测器件对垂直于阱结构的入射光吸收,减小模式体积,降低暗电流,提高比探测率D^(*),提高红外光探测器件性能,以10.55μm长波红外光为例,利用等离激元微腔与量子阱材料结合,形成F-P共振,增加GaAs/AlGaAs量子阱层的吸... 为实现量子阱红外光探测器件对垂直于阱结构的入射光吸收,减小模式体积,降低暗电流,提高比探测率D^(*),提高红外光探测器件性能,以10.55μm长波红外光为例,利用等离激元微腔与量子阱材料结合,形成F-P共振,增加GaAs/AlGaAs量子阱层的吸收率和器件的响应率。设计了平面漏斗形等离激元微腔集成的量子阱红外探测器(quantum well infrared photodetector,QWIP),使用基于有限元数值仿真方法对其进行分析。结果表明:平面漏斗形等离激元微腔集成的QWIP具有较小的光子模式体积和较高的局域场强,光吸收率维持在81%~89%的情况下,可以使探测材料体积减小38%~50%,获得的D^(*)比一般等离激元微腔集成的QWIP增大10%~15%。 展开更多
关键词 平面漏斗形等离激元微腔 量子阱红外探测器 模式体积 比探测率
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GaN基紫外光电探测器的材料制备及器件优化研究进展
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作者 朱彦旭 李锜轩 +3 位作者 谭张杨 李建伟 魏昭 王猜 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第5期337-348,共12页
紫外光在各领域应用广泛,制备高性能紫外光电探测器(UV PD)受到研究人员的重视。GaN作为宽禁带半导体材料,具有高电子迁移率、稳定的物理化学性质、高击穿电压、低暗电流和固有可见盲区的特点。GaN基UV PD具有制备工艺简单、体积小无需... 紫外光在各领域应用广泛,制备高性能紫外光电探测器(UV PD)受到研究人员的重视。GaN作为宽禁带半导体材料,具有高电子迁移率、稳定的物理化学性质、高击穿电压、低暗电流和固有可见盲区的特点。GaN基UV PD具有制备工艺简单、体积小无需附加滤光系统、易于与其他材料集成等特点,表现出优异的紫外光探测性能。围绕GaN基UV PD,介绍了GaN材料在制备工艺上的研究进展;详细论述了常见结构GaN基UV PD最新结构的优化对器件性能的影响;介绍了基于表面声波、表面等离激元和场效应晶体管集成的新型GaN基UV PD;最后,对GaN基UV PD的发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 GAN 紫外光电探测器(UV PD) 器件优化 响应度 比探测率
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HgCdTe光导探测器比探测率的特性分析
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作者 姚鹏 王学奇 +2 位作者 王海晏 段鹏程 冯超 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2016年第7期838-842,共5页
从信号和噪声两个方面分析了HgCdTe光导探测器自身温度变化对比探测率D*的影响,并在理论层面上对比探测率的表达式进行了推导。理论分析表明:温度变化影响载流子的浓度和寿命,从而影响信号与噪声的大小,降低探测器的温度可使得探测器的... 从信号和噪声两个方面分析了HgCdTe光导探测器自身温度变化对比探测率D*的影响,并在理论层面上对比探测率的表达式进行了推导。理论分析表明:温度变化影响载流子的浓度和寿命,从而影响信号与噪声的大小,降低探测器的温度可使得探测器的比探测率得到一定程度的提高。通过MATLAB仿真,分析了组分和厚度的变化对Hg_(1-x)Cd_xTe光导器件的截止波长和峰值波长的影响情况,为使HgCdTe光导探测器在工作波段内有较高的探测响应,当探测器工作在某一温度,应选择合适的组分x和厚度d。 展开更多
关键词 光导型探测器 温度 比探测率 波长 HGCDTE
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由D~*求1~3μm红外扫描仪噪声等效反射率差的探讨
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作者 金志煜 《红外与激光技术》 CSCD 1995年第5期12-15,共4页
本文推导了由D直接求出1~3μm红外扫描仪噪声等效反射率差(NEΔρ)的公式,并尝试进行了验证性计算。
关键词 比探测率 红外扫描仪 等效噪声 反射率差
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