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有机发光器件的低温氮化硅薄膜封装 被引量：9
1
作者 黄卫东 王旭洪 +7 位作者 盛玫 徐立强 Frank Stubhan 罗乐 冯涛 王曦 张富民 邹世昌 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2003年第2期179-184,共6页
利用等离子体化学气相沉积(PECVD)技术,采用不同的沉积条件(20～180℃的基板温度范围和10～30W的射频功率)制备了氮化硅薄膜,研究了沉积条件对氮化硅薄膜性质和防水性能的影响。实验发现随着基板温度的增加,氮化硅薄膜的密度、折射率和S... 利用等离子体化学气相沉积(PECVD)技术,采用不同的沉积条件(20～180℃的基板温度范围和10～30W的射频功率)制备了氮化硅薄膜,研究了沉积条件对氮化硅薄膜性质和防水性能的影响。实验发现随着基板温度的增加,氮化硅薄膜的密度、折射率和Si/N比相应增加,而沉积速率和H含量相应减少;随着射频功率的增加,氮化硅薄膜的沉积速率、密度、折射率和Si/N比相应增加,而H含量相应减少。水汽渗透实验发现即使基板温度降低为50℃,所沉积的氮化硅薄膜仍然具有良好的防水性能。实验结果表明低温氮化硅薄膜可以有效地应用于有机发光器件(OLED)的封装。 展开更多
关键词 有机发光器件 氮化硅薄膜 等离子体化学气相沉积 封装 防水性能 OLED
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高温退火处理下SiN_x薄膜组成及键合结构变化 被引量：4
2
作者 姜礼华 曾祥斌 张笑 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期373-378,共6页
采用等离子增强化学气相沉积法,以氨气和硅烷为反应气体,p型单晶硅为衬底,低温下(200℃)制备了非化学计量比氮化硅(SiN_x)薄膜.在N_2氛围中,于500-1100℃范围内对薄膜进行热退火处理.室温下分别使用Fourier变换红外吸收(FTIR)光谱技术和... 采用等离子增强化学气相沉积法,以氨气和硅烷为反应气体,p型单晶硅为衬底,低温下(200℃)制备了非化学计量比氮化硅(SiN_x)薄膜.在N_2氛围中,于500-1100℃范围内对薄膜进行热退火处理.室温下分别使用Fourier变换红外吸收(FTIR)光谱技术和X射线光电子能谱(XPS)技术测量未退火以及退火处理后SiN_x薄膜的Si-N,si-H,N-H键键合结构和si 2p,N 1_s电子结合能以及薄膜内N和si原子含量比值R的变化.详细讨论了不同温度退火处理下SiN_x薄膜的FHR和XPS光谱演化同薄膜内Si,N,H原子间键合方式变化之间的关系.通过分析FTIR和XPS光谱发现退火温度低于800℃时,SiN_x薄膜内Si-H和N-H键断裂后主要形成si-N键;当退火温度高于800℃时薄膜内Si-H和N-H键断裂利于N元素逸出和si纳米粒子的形成;当退火温度达到1100℃时N_2与SiN_x薄膜产生化学反应导致薄膜内N和Si原子含量比值R增加.这些结果有助于控制高温下SiN_x薄膜可能产生的化学反应和优化SiN_x薄膜内的Si纳米粒子制备参数. 展开更多
关键词 sin_x薄膜 Fourier变换红外吸收光谱 x射线光电子能谱 键合结构
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PECVD工艺制备的背面氮化硅薄膜对双面单晶硅太阳电池EL发黑的影响
3
作者 张福庆 王贵梅 +2 位作者 赵环 张军杰 朱少杰 《太阳能》 2021年第2期53-57,共5页
以采用PECVd工艺制备的背面氮化硅薄膜对双面单晶硅太阳电池电致发光(EL)发黑的影响为研究对象进行了实验验证。结果表明,当背面氮化硅薄膜中底层膜的折射率较低时,会导致双面单晶硅太阳电池背电极位置的EL发黑;底层膜和中层膜的折射率... 以采用PECVd工艺制备的背面氮化硅薄膜对双面单晶硅太阳电池电致发光(EL)发黑的影响为研究对象进行了实验验证。结果表明,当背面氮化硅薄膜中底层膜的折射率较低时,会导致双面单晶硅太阳电池背电极位置的EL发黑;底层膜和中层膜的折射率过高时,会导致双面单晶硅太阳电池的EL大面积发黑;上层膜边缘的折射率较高时,会导致双面单晶硅太阳电池的边缘位置EL发黑。对于双面单晶硅太阳电池而言,采用PECVd工艺制备背面氮化硅薄膜时制定合理的底层膜、中层膜,以及上层膜边缘的折射率范围,可以有效避免双面单晶硅太阳电池不良品的产生。 展开更多
关键词 单晶硅 双面太阳电池 PECVD 氮化硅薄膜 EL发黑 折射率 开槽激光
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氮化硅膜层对TFT白点色度均匀性的影响及其改善
4
作者 操彬彬 叶成枝 +11 位作者 安晖 马力 刘广东 吕艳明 彭俊林 杨增乾 栗芳芳 陆相晚 黄正峰 刘增利 廖伟经 李恒滨 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2019年第12期1166-1171,共6页
基于相同点位分别测试了TFT白点色度均匀性(WCU)和各层氮化硅(SiNx)膜厚,并分析了二者的关联性,发现TFT WCU与栅极绝缘层(GI)和第二绝缘层(PVX2)两层的相关性较大,而与厚度最薄,折射率最大的第一绝缘层(PVX1)最不相关;提出了降低GI层剩... 基于相同点位分别测试了TFT白点色度均匀性(WCU)和各层氮化硅(SiNx)膜厚,并分析了二者的关联性,发现TFT WCU与栅极绝缘层(GI)和第二绝缘层(PVX2)两层的相关性较大,而与厚度最薄,折射率最大的第一绝缘层(PVX1)最不相关;提出了降低GI层剩余厚度避免低速沉积GI(GL)的残留和降低PVX2膜层厚度以提升面内均一性的改善方案,最终使得产品的TFT WCU均值降低约0.000 7;最大值由改善前的0.007 0降至改善后的0.005 2,满足了最大值≤0.005 5的目标值,改善效果明显。 展开更多
关键词 薄膜晶体管 氮化硅薄膜 白点色度均匀性 折射率
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PECVD介质膜性能研究
5
作者 崔翔天 楚振生 +4 位作者 高鹏涛 王志军 常威 郑喜凤 孟宪信 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第3期230-234,共5页
本文讨论了等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）方法生长的氮化硅薄膜的电学性能随生长条件的变化关系，得到了性能良好的氮化硅薄膜．结果表明这种介质膜达到了薄膜电致发光器件所要求的各个性能指标，是一种具有重要应用价值的介质薄... 本文讨论了等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）方法生长的氮化硅薄膜的电学性能随生长条件的变化关系，得到了性能良好的氮化硅薄膜．结果表明这种介质膜达到了薄膜电致发光器件所要求的各个性能指标，是一种具有重要应用价值的介质薄膜材料． 展开更多
关键词 PECVD 氮化硅 薄膜 介电性质
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a-SiN_x:H薄膜对a-Si:H TFT阈值电压的影响 被引量：5
6
作者 王长安 熊智斌 +2 位作者 张少强 赵伯芳 徐重阳 《光电子技术》 CAS 1997年第1期45-49,共5页
介绍了测定a－Si：HTFT闽值电压的实验方法。重点研究了改变a－SiNx：H薄膜淀积时反应气体NH3／SiH4流速比以及a－SiNx:H膜厚对a－Si：HTFT阈值电压的影响。对实验结果进行了分析。实验结果表明：a－Si:HTFT的阈值电压随a－SiNx：H的膜... 介绍了测定a－Si：HTFT闽值电压的实验方法。重点研究了改变a－SiNx：H薄膜淀积时反应气体NH3／SiH4流速比以及a－SiNx:H膜厚对a－Si：HTFT阈值电压的影响。对实验结果进行了分析。实验结果表明：a－Si:HTFT的阈值电压随a－SiNx：H的膜厚增加而增大；增大X－SiNx：H薄膜淀积时NH3／SiH4气体流速比，可明显减小a-Si:HTFT的阈值电压。 展开更多
关键词 阈值电压 氢化非晶硅 薄膜晶体管
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富硅氮化硅薄膜的荧光发射 被引量：4
7
作者 董立军 刘渝珍 +1 位作者 陈大鹏 王小波 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期380-384,共5页
室温下在3.45eV的激光激发下,对950℃温度下淀积的LPCVD富硅的SiNx薄膜中,观测到5个高强度的可见荧光的发射。其峰位位置分别为2.7,2.69,2.4,2.3,2.1eV。通过TEM、IR、XPS等的分析研究表明,该样品为纳米硅镶嵌结构的a SiNx∶H复合膜,分... 室温下在3.45eV的激光激发下,对950℃温度下淀积的LPCVD富硅的SiNx薄膜中,观测到5个高强度的可见荧光的发射。其峰位位置分别为2.7,2.69,2.4,2.3,2.1eV。通过TEM、IR、XPS等的分析研究表明,该样品为纳米硅镶嵌结构的a SiNx∶H复合膜,分析了其微结构的成因及其与膜内应力之间的相互关系。经过1000～1200℃快速退火(RTA)处理,原PL谱蓝移并只出现了峰位为3.0,2.8eV的两个紫蓝色荧光的发射,用能隙态模型对此结果做了初步的分析和讨论。认为薄膜中纳米硅团簇的密度、尺寸的变化和亚稳态缺陷态对其PL峰以及膜应力起着十分重要的作用。 展开更多
关键词 硅镶嵌的sinx膜 光致发光 内应力 快速退火(RTA)
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双离子束溅射制备SiN_x薄膜的光致发光性质
8
作者 成珏飞 吴雪梅 诸葛兰剑 《微细加工技术》 2004年第2期51-54,共4页
采用双离子束溅射法制备了SiNx薄膜,用XRD、XPS、FTIR等对薄膜的结构进行了表征,并且分析了样品的光致发光(PL)特性。发现在225nm的紫外光激发下,样品在室温下可发射高强度的可见光,峰位分别位于470nm、520nm和620nm,用能隙态模型讨论... 采用双离子束溅射法制备了SiNx薄膜,用XRD、XPS、FTIR等对薄膜的结构进行了表征,并且分析了样品的光致发光(PL)特性。发现在225nm的紫外光激发下,样品在室温下可发射高强度的可见光,峰位分别位于470nm、520nm和620nm,用能隙态模型讨论了可能的发光机理。 展开更多
关键词 sinx 薄膜 双离子束溅射 光致发光(PL)
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SiO_(2)-SiN_(x)体系光学谐振腔中Ti超导薄膜特性的研究
9
作者 刘海燕 孙潇莹 +5 位作者 李劲劲 王雪深 陈建 高鹤 周哲海 徐骁龙 《计量学报》 CSCD 北大核心 2023年第4期549-554,共6页
设计良好的光学谐振腔是提高超导转变边沿传感器(TES)光学效率的有效手段,光学谐振腔结构厚度的变化,不仅对TES的光学效率有影响,而且会产生不同的残余应力进而影响TES的超导特性。研究了以超导Ti膜为TES功能层材料,同时选用SiO_(2)-SiN... 设计良好的光学谐振腔是提高超导转变边沿传感器(TES)光学效率的有效手段,光学谐振腔结构厚度的变化,不仅对TES的光学效率有影响,而且会产生不同的残余应力进而影响TES的超导特性。研究了以超导Ti膜为TES功能层材料,同时选用SiO_(2)-SiN_(x)体系作为光学谐振腔薄膜。通过对数值仿真,确定了SiO_(2)-SiN_(x)体系光学谐振腔薄膜厚度变化对Ti-TES光学吸收效率的影响。分析了SiO_(2)-SiN_(x)体系光学谐振腔不同薄膜厚度的变化自身应力随之变化的趋势,最后制备了不同厚度SiO_(2)-SiN_(x)光学谐振腔的TES,并进行光学吸收效率的测试,验证了SiO_(2)-SiN_(x)体系光学谐振腔薄膜厚度对Ti-TES光学吸收效率变化的规律。 展开更多
关键词 计量学 TES 超导薄膜 光学谐振腔 SiO_(2)-sin_(x)体系 Ti膜
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