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SiC肖特基势垒二极管在PFC电路中的应用
被引量：
2
1
作者
向晋星
张涛
关健铭
《通信电源技术》
2006年第2期48-50,共3页
介绍了一种SiC肖特基势垒二极管在PFC电路上的应用。利用新型材料———SiC作成的二极管具有高工作温度、高耐压、正温度系数,反向特性好的特点,降低了自身及其MOSFET的开通损耗,最直接的效果就是效率升高,同时也使EMC的效果得以改善,...
介绍了一种SiC肖特基势垒二极管在PFC电路上的应用。利用新型材料———SiC作成的二极管具有高工作温度、高耐压、正温度系数,反向特性好的特点,降低了自身及其MOSFET的开通损耗,最直接的效果就是效率升高,同时也使EMC的效果得以改善,而且二极管可以并联使用。
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关键词
sic
肖特基
势垒
二极管
功率因数校正
电磁兼容
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职称材料
1200V 200A Si/SiC混合模块性能对比研究
被引量：
3
2
作者
徐文辉
刘凯
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第3期191-194,共4页
提出了一种SiC混合模块,相比传统的Si IGBT模块,将Si续流二极管替换成SiC SBD。两种模块的额定参数均为1 200V/200A,在相同的测试条件下,分别测试其动、静态参数及波形,对比研究测试数据,混合模块中二极管反向恢复损耗可以降低84%,总的...
提出了一种SiC混合模块,相比传统的Si IGBT模块,将Si续流二极管替换成SiC SBD。两种模块的额定参数均为1 200V/200A,在相同的测试条件下,分别测试其动、静态参数及波形,对比研究测试数据,混合模块中二极管反向恢复损耗可以降低84%,总的开关损耗可以降低40%。提取模块的寄生电感数值为13.3nH,结合动态测试波形,混合模块可以满足正常使用。
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关键词
混合模块
sic
肖特基
势垒
二极管
开关损耗
寄生电感
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职称材料
宽禁带SiC肖特基势垒二极管的研制
被引量：
6
3
作者
徐军
谢家纯
+3 位作者
董小波
王克彦
李垚
易波
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第3期320-323,共4页
采用微电子平面工艺 ,高真空电子束蒸发金属Ni作肖特基接触 ,多层金属Ni、Ti、Ag合金作欧姆接触 ,SiO2 绝缘环隔离减小高压电场集边效应等技术 ,制作出Ni/4H SiC肖特基势垒二极管 (SBD) .该器件在室温下反向击穿电压大于 450V ,对应漏...
采用微电子平面工艺 ,高真空电子束蒸发金属Ni作肖特基接触 ,多层金属Ni、Ti、Ag合金作欧姆接触 ,SiO2 绝缘环隔离减小高压电场集边效应等技术 ,制作出Ni/4H SiC肖特基势垒二极管 (SBD) .该器件在室温下反向击穿电压大于 450V ,对应漏电流为 6× 1 0 -6 A .并对实验结果进行分析模拟 ,理想因子为 1 .73 ,肖特基势垒高度为 1 .2 5V ,实验表明 ,该器件具有较好的正向整流特性和较小的反向漏电流 .
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关键词
宽禁带
sic
肖特基
势垒
二极管
碳化硅
半导体器件
微电子平面工艺
正向整流特性
反向漏电流
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职称材料
4H-SiC SBD和JBS退火研究
被引量：
3
4
作者
闫锐
杨霏
+2 位作者
陈昊
彭明明
潘宏菽
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2009年第7期433-436,共4页
在4H-SiC外延材料上制备了SBD和JBS器件,研究并分析了退火温度对这两种器件正反向特性的影响。结果表明,低于350℃退火可同时提高SBD和JBS的正反向特性。当退火温度高于350℃时,二者的正向特性都出现退化,SBD退化较JBS更为严重。JBS阻...
在4H-SiC外延材料上制备了SBD和JBS器件,研究并分析了退火温度对这两种器件正反向特性的影响。结果表明,低于350℃退火可同时提高SBD和JBS的正反向特性。当退火温度高于350℃时,二者的正向特性都出现退化,SBD退化较JBS更为严重。JBS阻断电压随退火温度升高而增大,在退火温度高于450℃时增加趋势变缓。SBD阻断电压随退火温度升高先升后降,在500℃退火时达到一个最大值。可见一定程度的退火有助于提高4H-SiCSBD和JBS器件的正反向特性,但须考虑其对正反向特性的不同影响。综合而言,退火优化后JBS优于SBD器件性能。
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关键词
4H-
sic
肖特基
势垒
二极管
4H-
sic
结
势垒
肖特基
退火
正向特性
反向特性
下载PDF
职称材料
Pt/6H-SiC肖特基势垒二极管特性分析
被引量：
1
5
作者
钟德刚
徐静平
+1 位作者
高俊雄
于军
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期26-28,共3页
采用直流磁控溅射法、Pt作肖特基接触的工艺,制作了N型6H-SiC肖特基势垒二极管,对肖特基势垒二极管的电学特性及温度特性进行了研究。实验结果表明,该器件具有很好的整流特性,反向电流小、击穿电压高,且在高温下器件波动很小,能够稳...
采用直流磁控溅射法、Pt作肖特基接触的工艺,制作了N型6H-SiC肖特基势垒二极管,对肖特基势垒二极管的电学特性及温度特性进行了研究。实验结果表明,该器件具有很好的整流特性,反向电流小、击穿电压高,且在高温下器件波动很小,能够稳定地工作,适合于在高温(600°C)等恶劣环境下长期可靠地工作。
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关键词
碳化硅
6H—
sic
肖特基
势垒
二极管
宽禁带半导体
肖特基
势垒
二极管
直流磁控溅射
碳化硅
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职称材料
题名
SiC肖特基势垒二极管在PFC电路中的应用
被引量：
2
1
作者
向晋星
张涛
关健铭
机构
深圳斯比泰电子有限公司
出处
《通信电源技术》
2006年第2期48-50,共3页
文摘
介绍了一种SiC肖特基势垒二极管在PFC电路上的应用。利用新型材料———SiC作成的二极管具有高工作温度、高耐压、正温度系数,反向特性好的特点,降低了自身及其MOSFET的开通损耗,最直接的效果就是效率升高,同时也使EMC的效果得以改善,而且二极管可以并联使用。
关键词
sic
肖特基
势垒
二极管
功率因数校正
电磁兼容
Keywords
sic
-Based Schottky Barrier Diode
PFC
EMC
分类号
TM46 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
1200V 200A Si/SiC混合模块性能对比研究
被引量：
3
2
作者
徐文辉
刘凯
机构
国扬电子有限公司
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第3期191-194,共4页
文摘
提出了一种SiC混合模块,相比传统的Si IGBT模块,将Si续流二极管替换成SiC SBD。两种模块的额定参数均为1 200V/200A,在相同的测试条件下,分别测试其动、静态参数及波形,对比研究测试数据,混合模块中二极管反向恢复损耗可以降低84%,总的开关损耗可以降低40%。提取模块的寄生电感数值为13.3nH,结合动态测试波形,混合模块可以满足正常使用。
关键词
混合模块
sic
肖特基
势垒
二极管
开关损耗
寄生电感
Keywords
hybrid module
sic
schottky-barrier diode(SBD)
switching loss
parasitic inductance
分类号
TN311.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
宽禁带SiC肖特基势垒二极管的研制
被引量：
6
3
作者
徐军
谢家纯
董小波
王克彦
李垚
易波
机构
中国科学技术大学物理系
出处
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第3期320-323,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目 (5D132 0 40 )
文摘
采用微电子平面工艺 ,高真空电子束蒸发金属Ni作肖特基接触 ,多层金属Ni、Ti、Ag合金作欧姆接触 ,SiO2 绝缘环隔离减小高压电场集边效应等技术 ,制作出Ni/4H SiC肖特基势垒二极管 (SBD) .该器件在室温下反向击穿电压大于 450V ,对应漏电流为 6× 1 0 -6 A .并对实验结果进行分析模拟 ,理想因子为 1 .73 ,肖特基势垒高度为 1 .2 5V ,实验表明 ,该器件具有较好的正向整流特性和较小的反向漏电流 .
关键词
宽禁带
sic
肖特基
势垒
二极管
碳化硅
半导体器件
微电子平面工艺
正向整流特性
反向漏电流
Keywords
Wide Forbidden Band
sic
Schottky Barrier
Diode
分类号
TN311.7 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
4H-SiC SBD和JBS退火研究
被引量：
3
4
作者
闫锐
杨霏
陈昊
彭明明
潘宏菽
机构
专用集成电路国家重点实验室
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2009年第7期433-436,共4页
文摘
在4H-SiC外延材料上制备了SBD和JBS器件,研究并分析了退火温度对这两种器件正反向特性的影响。结果表明,低于350℃退火可同时提高SBD和JBS的正反向特性。当退火温度高于350℃时,二者的正向特性都出现退化,SBD退化较JBS更为严重。JBS阻断电压随退火温度升高而增大,在退火温度高于450℃时增加趋势变缓。SBD阻断电压随退火温度升高先升后降,在500℃退火时达到一个最大值。可见一定程度的退火有助于提高4H-SiCSBD和JBS器件的正反向特性,但须考虑其对正反向特性的不同影响。综合而言,退火优化后JBS优于SBD器件性能。
关键词
4H-
sic
肖特基
势垒
二极管
4H-
sic
结
势垒
肖特基
退火
正向特性
反向特性
Keywords
4H-
sic
SBD（Schottky-barrier diode）
4H-
sic
JBS（junction barrier schottky）
annealing
forward characteristics
reverse characteristics
分类号
TN311 [电子电信—物理电子学]
TN304.24
下载PDF
职称材料
题名
Pt/6H-SiC肖特基势垒二极管特性分析
被引量：
1
5
作者
钟德刚
徐静平
高俊雄
于军
机构
华中科技大学电子科学与技术系
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期26-28,共3页
基金
湖北省自然科学基金(2000J158)
文摘
采用直流磁控溅射法、Pt作肖特基接触的工艺,制作了N型6H-SiC肖特基势垒二极管,对肖特基势垒二极管的电学特性及温度特性进行了研究。实验结果表明,该器件具有很好的整流特性,反向电流小、击穿电压高,且在高温下器件波动很小,能够稳定地工作,适合于在高温(600°C)等恶劣环境下长期可靠地工作。
关键词
碳化硅
6H—
sic
肖特基
势垒
二极管
宽禁带半导体
肖特基
势垒
二极管
直流磁控溅射
碳化硅
Keywords
sic
Schottky diode
Wide band-gap semiconductor
DC magnetron sputtering
分类号
TN311.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SiC肖特基势垒二极管在PFC电路中的应用
向晋星
张涛
关健铭
《通信电源技术》
2006
2
下载PDF
职称材料
2
1200V 200A Si/SiC混合模块性能对比研究
徐文辉
刘凯
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2016
3
下载PDF
职称材料
3
宽禁带SiC肖特基势垒二极管的研制
徐军
谢家纯
董小波
王克彦
李垚
易波
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2002
6
下载PDF
职称材料
4
4H-SiC SBD和JBS退火研究
闫锐
杨霏
陈昊
彭明明
潘宏菽
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2009
3
下载PDF
职称材料
5
Pt/6H-SiC肖特基势垒二极管特性分析
钟德刚
徐静平
高俊雄
于军
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2003
1
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职称材料
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