期刊文献+
共找到309篇文章
< 1 2 16 >
每页显示 20 50 100
射频磁控溅射ZnO薄膜的光致发光 被引量:19
1
作者 王卿璞 张德恒 薛忠营 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期157-161,共5页
用射频磁控溅射法在硅衬底上沉积出具有良好的择优取向的多晶 Zn O薄膜 .在室温下进行光致发光测量 ,观察到明显的紫光发射 (波长为 4 0 2 nm )和弱的紫外光发射 (波长为 384 nm ) .紫光发射源于氧空位浅施主能级到价带顶的电子跃迁 ;... 用射频磁控溅射法在硅衬底上沉积出具有良好的择优取向的多晶 Zn O薄膜 .在室温下进行光致发光测量 ,观察到明显的紫光发射 (波长为 4 0 2 nm )和弱的紫外光发射 (波长为 384 nm ) .紫光发射源于氧空位浅施主能级到价带顶的电子跃迁 ;紫外光发射则源于导带与价带之间的电子跃迁 .随着光激发强度的增加 ,紫光发射强度超线性增强 ,且稍有蓝移 ,而紫外光发光强度则近似线性增加 .在氧气中高温退火后 ,薄膜结晶质量明显提高 ,紫光发射强度变弱 ,紫外光发射相对增强 . 展开更多
关键词 ZNO薄膜 射频磁控溅射 si衬底 光致发光
下载PDF
PECVD法氮化硅薄膜生长工艺的研究 被引量:20
2
作者 陶涛 苏辉 +7 位作者 谢自力 张荣 刘斌 修向前 李毅 韩平 施毅 郑有炓 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第5期267-272,303,共7页
采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD),在单晶硅衬底(100)上成功制备了不同生长工艺条件下的氮化硅薄膜。分别采用XP-2台阶仪、椭圆偏振仪等手段测试了薄膜的厚度、折射率、生长速率等参数。并采用原子力显微镜(AFM)研究了薄膜的表面... 采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD),在单晶硅衬底(100)上成功制备了不同生长工艺条件下的氮化硅薄膜。分别采用XP-2台阶仪、椭圆偏振仪等手段测试了薄膜的厚度、折射率、生长速率等参数。并采用原子力显微镜(AFM)研究了薄膜的表面形貌。结果表明,温度和射频功率是影响薄膜生长速率的主要因素,生长速率变化幅度可以达到230nm/min甚至更高。对于薄膜折射率和成分影响最大的是NH3流量,折射率变化范围可以达到2.7~1.86。分析得出受工艺参数调控的薄膜生长速率对薄膜的性质有重要影响。 展开更多
关键词 等离子体增强化学气相沉积法 氮化硅薄膜 生长速率 折射率 硅衬底
下载PDF
转移基板材质对Si衬底GaN基LED芯片性能的影响 被引量:15
3
作者 邝海 刘军林 +1 位作者 程海英 江风益 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期143-145,共3页
在Si衬底上生长了GaN基LED外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光LED芯片。研究了这两种基板GaN基LED芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大量尺寸为(300μm×300μm)的这两种芯片分别通高达1 A的大电... 在Si衬底上生长了GaN基LED外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光LED芯片。研究了这两种基板GaN基LED芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大量尺寸为(300μm×300μm)的这两种芯片分别通高达1 A的大电流在测试台上加速老化1 h。结果显示,铜基板Si衬底GaN基LED芯片有更大的饱和电流,光输出效率更高,工作电压随驱动电流的变化不大,光输出在老化过程中衰减更小。铜基板芯片比硅基板芯片可靠性更高,在大功率半导体照明器件中前景诱人。 展开更多
关键词 光学材料 si衬底 加速老化 铜基板 硅基板
原文传递
Si基上电沉积Cu薄膜的形貌与择优取向 被引量:9
4
作者 张雅婷 徐章程 李菲晖 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期728-731,共4页
采用电化学沉积技术在S i衬底上沉积了Cu膜。场发射扫描电镜和X射线衍射分析表明:膜中存在Cu纳米颗粒,并且表现出择优取向,与衬底的取向和斜切角度以及沉积电流密度有关。在S i(100)衬底上,铜(220)晶面的织构系数随电流密度的增加而增... 采用电化学沉积技术在S i衬底上沉积了Cu膜。场发射扫描电镜和X射线衍射分析表明:膜中存在Cu纳米颗粒,并且表现出择优取向,与衬底的取向和斜切角度以及沉积电流密度有关。在S i(100)衬底上,铜(220)晶面的织构系数随电流密度的增加而增加。在相同沉积条件下,在斜切角较小的S i(111)和S i(100)衬底上择优取向面都是铜(220)面,而在斜切角为4°的S i(111)衬底上铜(111)晶面为择优取向面。 展开更多
关键词 CU 电沉积 si衬底 择优取向
下载PDF
光增强湿法刻蚀提高Si衬底垂直结构GaN基LED的出光效率 被引量:12
5
作者 周印华 汤英文 +1 位作者 饶建平 江风益 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期252-255,共4页
以0.1 MK2S2O8+KOH和氙灯分别作为刻蚀剂和紫外光源,采用光增强湿法刻蚀转移衬底的垂直结构GaN基LED的n型GaN,对N面有电极和没有电极的芯片的n型GaN层进行刻蚀。结果表明,在相同的刻蚀条件下,N面有电极的n型GaN层刻蚀速率明显大于没有... 以0.1 MK2S2O8+KOH和氙灯分别作为刻蚀剂和紫外光源,采用光增强湿法刻蚀转移衬底的垂直结构GaN基LED的n型GaN,对N面有电极和没有电极的芯片的n型GaN层进行刻蚀。结果表明,在相同的刻蚀条件下,N面有电极的n型GaN层刻蚀速率明显大于没有电极的n型GaN;而它们的均方根粗糙度(RMS)则结果相反。刻蚀后的形貌呈圆锥型凸起。20 mA下刻蚀后的裸芯光输出功率较刻蚀前提高了88.5%。 展开更多
关键词 光学材料 出光效率 光增强湿法刻蚀 垂直结构GaN基LED si衬底
原文传递
Si衬底GaN基蓝光LED老化性能 被引量:13
6
作者 肖友鹏 莫春兰 +1 位作者 邱冲 江风益 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期364-368,共5页
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底GaN基蓝光LED在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向小电压下的电流均有明显的增加;老化后器件的外量子效率(EQE... 报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底GaN基蓝光LED在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向小电压下的电流均有明显的增加;老化后器件的外量子效率(EQE)比老化前低;老化前后EQE衰减幅度在不同的注入电流下存在明显差异,衰减幅度最小处出现在发光效率最高时对应的电流密度区间。 展开更多
关键词 硅衬底 GAN 蓝光LED 老化 光衰
下载PDF
Si衬底的氮化处理对ZnO薄膜质量的影响 被引量:11
7
作者 王晓华 范希武 +4 位作者 李柄生 张吉英 刘益春 吕有明 申德振 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第8期783-786,共4页
用氮化处理的方法对Si衬底的表面进行钝化,外延生长出高质量的ZnO薄膜。ZnO薄膜的质量通过X 射线(XRD)、阴极射线(CL)谱和光致发光(PL)谱来表征。氮化的作用主要表现在生长ZnO薄膜的XRD的半高宽由未经氮化的0.25°;减小为经氮化后的... 用氮化处理的方法对Si衬底的表面进行钝化,外延生长出高质量的ZnO薄膜。ZnO薄膜的质量通过X 射线(XRD)、阴极射线(CL)谱和光致发光(PL)谱来表征。氮化的作用主要表现在生长ZnO薄膜的XRD的半高宽由未经氮化的0.25°;减小为经氮化后的0.20°,CL谱的紫外发光增强,深缺陷发光变弱。这说明,在ZnO外延生长前,对Si表面的氮化是一种提高其质量的有效方法。并对氮化处理提高ZnO薄膜质量的机理进行了探索。 展开更多
关键词 si衬底 钝化 ZNO薄膜 氮化 薄膜质量 等离子增强化学气相沉积
原文传递
Si衬底功率型GaN基绿光LED性能 被引量:10
8
作者 苏丽伟 游达 +1 位作者 程海英 江风益 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期1066-1069,共4页
对本实验室在Si(111)衬底上MOCVD法生长的芯片尺寸为400μm×600μm功率型绿光LED的光电性能进行研究。带有银反射镜的LED在20 mA的电流下正向工作电压为3.59 V,主波长518 nm,输出光功率为7.3 mW,90 mA下达到28.2 mW,发光功率效率为... 对本实验室在Si(111)衬底上MOCVD法生长的芯片尺寸为400μm×600μm功率型绿光LED的光电性能进行研究。带有银反射镜的LED在20 mA的电流下正向工作电压为3.59 V,主波长518 nm,输出光功率为7.3 mW,90 mA下达到28.2 mW,发光功率效率为7.5%,光输出饱和电流高达600 mA。在200 mA电流下加速老化216 h,有银反射镜的LED光衰小于无银反射镜的LED,把这一现象归结于Ag反射镜在提高出光效率的同时,降低了芯片本身的温度。本器件有良好的发光效率、光衰和光输出饱和电流等综合特性表明,Si衬底GaN基绿光LED具有诱人的发展前景。 展开更多
关键词 光学材料 Ag反射镜 加速老化 si衬底 绿光LED
原文传递
Common-anode LED on a Si substrate for beyond 15 Gbit/s underwater visible light communication 被引量:10
9
作者 YINGJUN ZHOU XIN ZHU +6 位作者 FANGCHEN HU JIANYANG SHI FUMIN WANG PENG ZOU JUNLIN LIU FENGYI JIANG NAN CHI 《Photonics Research》 SCIE EI CSCD 2019年第9期1019-1029,共11页
Visible light communication based on light-emitting diodes(LEDs) has become a promising candidate by providing high data rates, low latency, and secure communication for underwater environments. In this paper,a self-d... Visible light communication based on light-emitting diodes(LEDs) has become a promising candidate by providing high data rates, low latency, and secure communication for underwater environments. In this paper,a self-designed common-anode GaN-based five-primary-color LED(RGBYC LED) on a Si substrate is proposed and fabricated. The design of a common anode is used to mitigate the saturation effect for a low-frequency component. Additionally, compared with commercially available LEDs that suffer from nonlinearity distortion,applying the designed LED can provide much better and broader linearity according to the measurement results.Therefore, the modulation depth and system performance can be further improved to implement a high-speed underwater visible light communication(UVLC) system. There is no nonlinearity compensation algorithm applied due to the good linearity of the proposed LED;thus, the offline digital signal processing is simplified. We experimentally demonstrate 14.81 Gbit/s 64 quadrature amplitude modulation(QAM)-discrete multitone(DMT)and 15.17 Gbit/s bit-loading-DMT transmissions through a 1.2-m-long underwater channel based on the proposed RGBYC LED with an intrasymbol frequency-domain averaging channel estimation and zero-forcing equalization.As far as we know, this is the highest data rate for an LED-based UVLC system. 展开更多
关键词 red QAM LED GaN Common-anode LED on a si substrate for BEYOND 15 Gbit/s UNDERWATER visible light communication
原文传递
Si衬底GaN基LED理想因子的研究 被引量:5
10
作者 刘卫华 李有群 +5 位作者 方文卿 周毛兴 刘和初 莫春兰 王立 江风益 《功能材料与器件学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期45-48,共4页
首次报道Si衬底GaN LED的理想因子。通过GaN LEDI-V曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与X射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时Si衬底GaN LED的理想因子为6.6,对应着半峰宽707arcsec;理想因子为4.5时,... 首次报道Si衬底GaN LED的理想因子。通过GaN LEDI-V曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与X射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时Si衬底GaN LED的理想因子为6.6,对应着半峰宽707arcsec;理想因子为4.5时,对应半峰宽530arcsec。蓝宝石衬底GaN LED理想因子为3.0,其对应半峰宽401arcsec。硅衬底GaN LED理想因子大的原因可以归结为高缺陷密度所致,高缺陷密度使电流隧穿更容易进行。 展开更多
关键词 si衬底 GAN LED 理想因子
原文传递
硅衬底GaN基LED的研究进展 被引量:5
11
作者 莫春兰 方文卿 +3 位作者 王立 刘和初 周毛兴 江风益 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期422-429,共8页
与蓝宝石衬底相比,硅衬底具有低成本、大面积、高质量、导电导热性能好等优点,普遍认为使用Si片作GaN薄膜衬底有可能实现光电子和微电子的集成,因此Si基GaN的研究受到了广泛关注。本文回顾了Si衬底GaN基LED的研究进展,同时简要介绍了在S... 与蓝宝石衬底相比,硅衬底具有低成本、大面积、高质量、导电导热性能好等优点,普遍认为使用Si片作GaN薄膜衬底有可能实现光电子和微电子的集成,因此Si基GaN的研究受到了广泛关注。本文回顾了Si衬底GaN基LED的研究进展,同时简要介绍了在Si衬底上制备GaN基LED的实验结果,及研制出工作电压为3.6 V、串联电阻为31Ω、输出功率近1 mW的Si衬底GaN基蓝光LED。 展开更多
关键词 发光二极管 GAN si衬底
下载PDF
Si衬底GaN基LED的结温特性 被引量:5
12
作者 刘卫华 李有群 +5 位作者 方文卿 莫春兰 周毛兴 刘和初 熊传兵 江风益 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期211-214,共4页
结温是发光二极管的重要参数之一,它对器件的内量子效率、输出功率、可靠性及LED的其他一些性能有很大的影响。首次报道S i衬底GaN基LED的结温特性。利用正向压降法测量S i衬底上GaN基LED的结温,通过与蓝宝石衬底上GaN LED的结温比较,发... 结温是发光二极管的重要参数之一,它对器件的内量子效率、输出功率、可靠性及LED的其他一些性能有很大的影响。首次报道S i衬底GaN基LED的结温特性。利用正向压降法测量S i衬底上GaN基LED的结温,通过与蓝宝石衬底上GaN LED的结温比较,发现S i衬底GaN LED有更低的结温,原因归结为S i有更好的导热性。同时也表明:用S i作GaN LED的衬底在大功率LED方面具有更大的应用潜力。 展开更多
关键词 si衬底 GAN 发光二极管 结温
下载PDF
Deposition of ZnO Films on Freestanding CVD Thick Diamond Films 被引量:8
13
作者 孙剑 白亦真 +4 位作者 杨天鹏 徐艺滨 王新胜 杜国同 吴汉华 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2006年第5期1321-1323,共3页
For ZnO/diamond structured surface acoustic wave (SAW) filters, performance is sensitively dependent on the quality of the ZnO films. In this paper, we prepare highly-oriented and fine grained polycrystalline ZnO th... For ZnO/diamond structured surface acoustic wave (SAW) filters, performance is sensitively dependent on the quality of the ZnO films. In this paper, we prepare highly-oriented and fine grained polycrystalline ZnO thin films with excellent surface smoothness on the smooth nucleation surfaces of freestanding CVD diamond films by metal organic chemical vapour deposition (MOCVD). The properties of the ZnO films are characterized by x-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), and photoluminescence (PL) spectrum. The influences of the deposition conditions on the quality of ZnO films are discussed briefly. ZnO/freestanding thick-diamond-film layered SAW devices with high response frequencies are expected to be developed. 展开更多
关键词 CHEMICAL-VAPOR-DEPOsiTION si substrate SAW FILTER PLASMA FREQUENCY MOCVD
下载PDF
分子束外延CdTe(211)B/Si复合衬底材料 被引量:7
14
作者 陈路 王元樟 +4 位作者 巫艳 吴俊 于梅芳 乔怡敏 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期245-249,共5页
报道了用MBE的方法,在3英寸Si衬底上制备ZnTe/CdTe(211)B复合衬底材料的初步研究结果,该研究结果将能够直接应用于大面积Si基HgCdTeIRFPA材料的生长.经过Si(211)衬底低温表面处理、ZnTe低温成核、高温退火、高温ZnTe、CdTe层的生长研究,... 报道了用MBE的方法,在3英寸Si衬底上制备ZnTe/CdTe(211)B复合衬底材料的初步研究结果,该研究结果将能够直接应用于大面积Si基HgCdTeIRFPA材料的生长.经过Si(211)衬底低温表面处理、ZnTe低温成核、高温退火、高温ZnTe、CdTe层的生长研究,用MBE方法成功地获得了3英寸Si基ZnTe/CdTe(211)B复合衬底材料.CdTe厚度大于10μm,XRDFWHM平均值为120arcsec,最好达到100arcsec,无(133)孪晶和其他多晶晶向. 展开更多
关键词 分子束外延 碲化镉 硅基
下载PDF
硅基底多层薄膜结构材料残余应力的微拉曼测试与分析 被引量:9
15
作者 邓卫林 仇巍 +2 位作者 焦永哲 张青川 亢一澜 《实验力学》 CSCD 北大核心 2012年第1期1-9,共9页
针对MEMS器件制备中两种典型的硅基底多层薄膜结构的残余应力问题,本文提出了利用微拉曼光谱技术测量其残余应力的方法,分析并给出了硅基底多层薄膜结构中的残余应力分布规律。实验结果表明,在硅基底和薄膜内存在较大的工艺残余应力,残... 针对MEMS器件制备中两种典型的硅基底多层薄膜结构的残余应力问题,本文提出了利用微拉曼光谱技术测量其残余应力的方法,分析并给出了硅基底多层薄膜结构中的残余应力分布规律。实验结果表明,在硅基底和薄膜内存在较大的工艺残余应力,残余应力在基底内靠近薄膜两侧部分呈非线性变化,在基底内主要呈线性变化,并引起基底整体翘曲。基于实验结果分析,提出了硅基底多层薄膜结构的分层结构模型。本文工作表明微拉曼光谱技术是测量与研究硅基底多层薄膜结构残余应力的一种有力手段。 展开更多
关键词 多层薄膜 硅基底 残余应力 分层结构模型 微拉曼光谱
原文传递
硅衬底上Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的结构与光学性质 被引量:3
16
作者 邹璐 汪雷 +2 位作者 黄靖云 赵炳辉 叶志镇 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期935-938,共4页
采用脉冲激光法 (PLD)在Si衬底上沉积Zn1 -xMgxO薄膜 .x射线衍射 (XRD)表明薄膜为c轴取向 ,(0 0 2 )峰的半高宽仅为 0 .2 11° ,且没有MgO的相偏析 .透射电子显微镜可以清楚看到Zn1 -xMgxO薄膜的c轴择优取向 .在选区电子衍射图中可... 采用脉冲激光法 (PLD)在Si衬底上沉积Zn1 -xMgxO薄膜 .x射线衍射 (XRD)表明薄膜为c轴取向 ,(0 0 2 )峰的半高宽仅为 0 .2 11° ,且没有MgO的相偏析 .透射电子显微镜可以清楚看到Zn1 -xMgxO薄膜的c轴择优取向 .在选区电子衍射图中可以看到Zn1 -xMgxO结晶薄膜整齐的衍射斑点 .室温下对Zn1 -xMgxO薄膜进行了光致荧光光谱分析 ,发现其带边发射峰相对ZnO晶体有 0 .4eV的蓝移 ,带边发射峰与杂质发射峰的强度之比高达 15 9.Zn1 -xMgxO结晶薄膜质量良好 。 展开更多
关键词 硅衬底 Zn1-xMgx0薄膜 结构 光学性质 X射线衍射 光致荧光光谱分析 氧化锌 半导体光电器件
原文传递
不同基板1W硅衬底蓝光LED老化性能研究 被引量:8
17
作者 汪延明 熊传兵 +3 位作者 王光绪 肖宗湖 熊贻婧 江风益 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期1749-1754,共6页
将硅(Si)衬底上外延生长的氮化镓(GaN)基LED薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光LED器件,并对其老化特性进行了对比研究。研究结果表明,在三种基板中铜支撑... 将硅(Si)衬底上外延生长的氮化镓(GaN)基LED薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光LED器件,并对其老化特性进行了对比研究。研究结果表明,在三种基板中铜支撑基板的器件老化后光电特性最稳定。把这一现象归结于三种样品的应力状态以及基板热导率的不同,其中应力状态可能是影响器件可靠性的最主要因素。 展开更多
关键词 发光二极管 氮化镓 硅衬底
原文传递
Si衬底GaN基LED外延薄膜转移至金属基板的应力变化 被引量:7
18
作者 熊贻婧 张萌 +4 位作者 熊传兵 肖宗湖 王光绪 汪延明 江风益 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期531-537,共7页
采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的GaNMQWLED薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨X射线衍射(HRXRD)和光致发光(PL)研究了转移的GaN薄膜应力变化。研究发现:(1)转移至铜基板、铬基板、铜/镍/铜叠层... 采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的GaNMQWLED薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨X射线衍射(HRXRD)和光致发光(PL)研究了转移的GaN薄膜应力变化。研究发现:(1)转移至铜基板、铬基板、铜/镍/铜叠层基板等三种基板的GaN薄膜张应力均减小,其中转移至铬基板的GaN薄膜张应力最小。(2)随着铬基板中铬主体层厚度的增加,转移后的GaN薄膜应力不发生明显变化。 展开更多
关键词 金属基板 si衬底 GAN 薄膜 应力
下载PDF
常压化学气相沉积法在Ag/Si(111)模板上生长ZnO薄膜及其性能研究 被引量:6
19
作者 邵碧琳 江风益 +3 位作者 戴江南 王立 方文卿 蒲勇 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期1115-1118,共4页
在Si衬底上利用磁控溅射的方法沉积1.5 nm厚度的Ag膜用以阻挡Si衬底被氧化。采用常压金属有机化学气相沉积法(MOVCD),在Ag/Si(111)衬底上成功地生长出马赛克结构的ZnO薄膜。用光学显微镜观察表面形貌,结果显示有带晶向特征的微裂纹,裂... 在Si衬底上利用磁控溅射的方法沉积1.5 nm厚度的Ag膜用以阻挡Si衬底被氧化。采用常压金属有机化学气相沉积法(MOVCD),在Ag/Si(111)衬底上成功地生长出马赛克结构的ZnO薄膜。用光学显微镜观察表面形貌,结果显示有带晶向特征的微裂纹,裂纹密度为100 cm-1。依据X射线晶体衍射的结果,薄膜结晶质量良好,呈C轴高度择优取向。用双晶X射线衍射得到(002)面的ω扫描半峰宽为1.37°。温度10 K时光致发光谱(PL)观察到自由激子、束缚激子发射及它们的声子伴线。结果表明,金属有机化学气相沉积法方法在Si(111)衬底上制备ZnO薄膜时,Ag是一种有效的缓冲层。 展开更多
关键词 薄膜光学 氧化锌 AG si衬底 金属有机化学气相沉积法
原文传递
硅衬底GaN基LEDN极性n型欧姆接触研究 被引量:7
20
作者 封飞飞 刘军林 +2 位作者 邱冲 王光绪 江风益 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期5706-5709,共4页
在Si衬底GaN基垂直结构LED的N极性n型面上,利用电子束蒸发的方法制作了Ti/Al电极,通过了I-V曲线研究了有无AlN缓冲层对这种芯片欧姆接触的影响.结果显示,去除AlN缓冲层后的N极性n型面与Ti/Al电极在500到600℃范围内退火才能形成欧姆接触... 在Si衬底GaN基垂直结构LED的N极性n型面上,利用电子束蒸发的方法制作了Ti/Al电极,通过了I-V曲线研究了有无AlN缓冲层对这种芯片欧姆接触的影响.结果显示,去除AlN缓冲层后的N极性n型面与Ti/Al电极在500到600℃范围内退火才能形成欧姆接触.而保留AlN缓冲层的N极性n型面与Ti/Al电极未退火时就表现为较好的欧姆接触,比接触电阻率为2×10-5Ω·cm2,即使退火温度升高至600℃,也始终保持着欧姆接触特性.因此,AlN缓冲层的存在是Si衬底GaN基垂直结构LED获得高热稳定性n型欧姆接触的关键. 展开更多
关键词 硅衬底 N极性 ALN缓冲层 欧姆接触
原文传递
上一页 1 2 16 下一页 到第
使用帮助 返回顶部