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固结磨料研磨蓝宝石单晶过程中研磨液的作用 被引量:24
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作者 王建彬 朱永伟 +2 位作者 谢春祥 徐俊 居志兰 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第11期3004-3011,共8页
开展了固结磨料研磨单晶蓝宝石面板的实验研究,探索了不同研磨液对材料去除速率和工件表面质量的影响。分析了研磨液对蓝宝石表面的化学作用,探索了固结磨料研磨蓝宝石晶体的材料去除机理。实验显示:使用W14镀镍金刚石固结磨料研磨蓝宝... 开展了固结磨料研磨单晶蓝宝石面板的实验研究,探索了不同研磨液对材料去除速率和工件表面质量的影响。分析了研磨液对蓝宝石表面的化学作用,探索了固结磨料研磨蓝宝石晶体的材料去除机理。实验显示:使用W14镀镍金刚石固结磨料研磨蓝宝石单晶,研磨液仅为去离子水时,材料去除率(MRR)为149.8nm/min、表面粗糙度(Ra)为76.2nm;而研磨液中加入2%的乙二醇后,相应的MRR为224.1nm/min,Ra为50.7nm。用光电子能谱仪(XPS)分析了工件表面,结果表明含有乙二醇的研磨液能够增加蓝宝石工件表面的活性。得到的结果显示:在溶液中加入乙二醇有利于表面软化层的生成并增加蓝宝石表面的活性,说明研磨液对蓝宝石单晶研磨效率的提升和表面质量的改善具有促进作用。 展开更多
关键词 固结磨料 研磨液 乙二醇 蓝宝石晶片
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蓝宝石晶片加工中的技术关键和对策 被引量:11
2
作者 张保国 刘玉岭 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期859-867,共9页
传统的粗磨工艺在加工蓝宝石薄片过程中遇到很大挑战,易于产生崩边、隐裂和碎片等问题。双面金刚石研磨、单面金刚石磨削、双面金刚石研磨垫等新工艺可以解决上述这些问题。在蓝宝石精磨工艺中,细粒碳化硼和金刚石颗粒镶嵌的陶瓷研磨盘... 传统的粗磨工艺在加工蓝宝石薄片过程中遇到很大挑战,易于产生崩边、隐裂和碎片等问题。双面金刚石研磨、单面金刚石磨削、双面金刚石研磨垫等新工艺可以解决上述这些问题。在蓝宝石精磨工艺中,细粒碳化硼和金刚石颗粒镶嵌的陶瓷研磨盘配合的双面研磨工艺,可以有效地降低粗磨过程中造成的表面损伤;使用细粒金刚石研磨液的单面铜盘工艺亦是一种有效的精磨工艺。本文对二者的优缺点进行了比较。蓝宝石的抛光速率较慢,一般不超过5-10μm/h。蓝宝石抛光的主流仍是使用二氧化硅抛光液。在二氧化硅抛光液中添加其它细粒磨料或采用氧化铝抛光液等其它方法,仍处于试验阶段。轻压抛光对提高蓝宝石的表面质量非常关键。兆声清洗工艺可以减少蓝宝石表面的微小缺陷,兆声单片清洗工艺尤为有效。 展开更多
关键词 蓝宝石薄片 金刚石研磨盘 蓝宝石精磨 兆声清洗
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全光纤皮秒激光切割蓝宝石晶圆的实验研究 被引量:12
3
作者 胡小豹 郝强 +1 位作者 郭政儒 曾和平 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期139-145,共7页
搭建了中心波长为1064nm的光纤激光器装置。全保偏光纤结构的锁模脉冲种子源结合选频单元和全光纤放大器,实现了重复频率连续可调、脉冲串中脉冲数可选、微焦量级单脉冲能量的皮秒激光输出。通过优化选取激光器的输出参数,对厚度为110μ... 搭建了中心波长为1064nm的光纤激光器装置。全保偏光纤结构的锁模脉冲种子源结合选频单元和全光纤放大器,实现了重复频率连续可调、脉冲串中脉冲数可选、微焦量级单脉冲能量的皮秒激光输出。通过优化选取激光器的输出参数,对厚度为110μm的蓝宝石晶圆进行了切片。观察多种激光参数下切片后的微观形貌,发现单脉冲能量、脉冲串的脉冲数以及光束的光斑圆度会显著影响切割效果。在重复频率100kHz、脉冲串内7脉冲、光斑圆度大于97%、平均功率0.37 W、划切速度600mm/s时,芯片外观最佳,良品率高达99.58%。 展开更多
关键词 光纤激光器 超短脉冲 隐形切割 蓝宝石晶圆
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基于蓝宝石晶片的光纤法布里-珀罗高温传感器 被引量:8
4
作者 梁伟龙 周次明 +4 位作者 范典 欧艺文 田涛 桂新旺 李岩 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第12期13-17,共5页
提出并研制了一种基于蓝宝石晶片的光纤法布里-珀罗(法珀)高温传感器.该传感器采用斜端面蓝宝石光纤作传输波导,蓝宝石晶片作法珀干涉仪,“陶瓷插芯-陶瓷套管”结构做为传感器的固定结构.通过傅里叶变换-最小均方差联合算法解... 提出并研制了一种基于蓝宝石晶片的光纤法布里-珀罗(法珀)高温传感器.该传感器采用斜端面蓝宝石光纤作传输波导,蓝宝石晶片作法珀干涉仪,“陶瓷插芯-陶瓷套管”结构做为传感器的固定结构.通过傅里叶变换-最小均方差联合算法解调传感器的反射光谱,实现了20℃~1000℃范围内的温度测量,测试准确度为±2.5℃.该传感器具有体积小、成本低、制作简单以及重复性高的优点,可用于高温环境下稳定、精确的温度测量. 展开更多
关键词 光纤法珀传感器 蓝宝石晶片 高温测量 蓝宝石光纤 算法
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蓝宝石衬底的超光滑表面加工进展 被引量:9
5
作者 周兆忠 袁巨龙 文东辉 《航空精密制造技术》 2009年第3期8-13,共6页
回顾了(0001)面蓝宝石衬底在LED的重要作用及其磨粒加工方法的发展进程。归纳了磨粒加工在蓝宝石衬底的超光滑制备过程中的应用现状,分别对磨削、机械抛光、干式机械化学抛光、湿式机械化学和化学机械抛光在蓝宝石衬底中的应用进行了总... 回顾了(0001)面蓝宝石衬底在LED的重要作用及其磨粒加工方法的发展进程。归纳了磨粒加工在蓝宝石衬底的超光滑制备过程中的应用现状,分别对磨削、机械抛光、干式机械化学抛光、湿式机械化学和化学机械抛光在蓝宝石衬底中的应用进行了总结和分析,对比了不同方法对蓝宝石衬底的加工损伤特性和优缺点。 展开更多
关键词 蓝宝石衬底 超光滑表面 固态照明 发光二极体
原文传递
临近空间飞行高温真空光纤绝压传感器设计
6
作者 张雨彤 江毅 +1 位作者 杨水旺 张大有 《火箭推进》 CAS 北大核心 2024年第3期118-123,共6页
研制了一种用于临近空间飞行器在高温环境下的蓝宝石非本征法布里-珀罗干涉仪(extrinsic Fabry-Perot interferometer,EFPI)型光纤绝对压力传感器。蓝宝石晶片压力传感头由3片厚度不同的蓝宝石晶片键合构成,形成复合法布里-珀罗(Fabry-P... 研制了一种用于临近空间飞行器在高温环境下的蓝宝石非本征法布里-珀罗干涉仪(extrinsic Fabry-Perot interferometer,EFPI)型光纤绝对压力传感器。蓝宝石晶片压力传感头由3片厚度不同的蓝宝石晶片键合构成,形成复合法布里-珀罗(Fabry-Perot,FP)腔,可以同时测量温度和绝对压力,通过实时监测温度,对压力测量进行温度补偿,去除温度对压力测量的影响。实验结果表明:900℃内的每个温度点下,密封FP腔的光学腔长随压力线性变化;室温下,压力灵敏度为11.6 nm/kPa,压力灵敏度随温度的上升略微升高,压力测量的分辨率达到86 Pa。 展开更多
关键词 光纤压力传感器 非本征法布里-珀罗干涉仪 蓝宝石晶片 绝对压力测量
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固结磨料研磨蓝宝石晶片的工艺优化 被引量:6
7
作者 郑方志 朱永伟 +2 位作者 朱楠楠 王凯 沈琦 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 2016年第1期11-15,共5页
为了满足蓝宝石晶片高效低损伤的加工要求,采用亲水性固结磨料研磨垫研磨蓝宝石晶片的工艺,研究基体中碳化硅粒度尺寸、基体类型、金刚石粒度尺寸及研磨液中磨料4个因素对材料去除率和表面粗糙度的影响,并综合优化获得高加工效率和优表... 为了满足蓝宝石晶片高效低损伤的加工要求,采用亲水性固结磨料研磨垫研磨蓝宝石晶片的工艺,研究基体中碳化硅粒度尺寸、基体类型、金刚石粒度尺寸及研磨液中磨料4个因素对材料去除率和表面粗糙度的影响,并综合优化获得高加工效率和优表面质量的工艺参数。实验结果表明:基体中碳化硅粒度尺寸为10μm、基体类型为Ⅱ、研磨垫采用F公司粒度尺寸为35~45μm的金刚石、研磨液中磨料的粒度尺寸为5μm的碳化硅为最优工艺组合,亲水性固结磨料研磨蓝宝石的材料去除率为431.2nm/min,表面粗糙度值为Ra0.140 2μm。 展开更多
关键词 亲水性固结磨料 蓝宝石晶片 研磨 去除率 表面粗糙度
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工艺参数对浸没式直流介电泳辅助化学机械抛光蓝宝石晶片的影响
8
作者 黄展亮 柏显亭 +1 位作者 潘继生 阎秋生 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第18期144-155,共12页
目的为了实现蓝宝石晶片的高效超光滑表面加工,提出浸没式直流介电泳辅助化学机械抛光方法,研究该方法对蓝宝石晶片的加工适应性。方法搭建了浸没式直流介电泳辅助化学机械抛光系统,通过单因素实验探究接入电压、工件及抛光盘转速、偏... 目的为了实现蓝宝石晶片的高效超光滑表面加工,提出浸没式直流介电泳辅助化学机械抛光方法,研究该方法对蓝宝石晶片的加工适应性。方法搭建了浸没式直流介电泳辅助化学机械抛光系统,通过单因素实验探究接入电压、工件及抛光盘转速、偏摆移动速度、抛光时间及抛光垫类型对蓝宝石晶片的加工效果,并深入分析负介电泳效应对CMP加工过程的影响。结果直流介电泳辅助CMP方法可以显著提高蓝宝石晶片的抛光效果,在2000V的接入电压下,化学机械抛光的材料去除率MRR提高了99.97%,达到了7.53nm/min,表面粗糙度Ra降低至2.51nm,工件表面划痕数量明显减少。工件及抛光盘转速、偏摆移动速度的提升都会使抛光MRR和Ra先升后降,带槽的抛光垫对介电泳效应控制磨料起促进作用。各个因素的影响对提高有效磨料数起交互作用,负介电泳效应促使磨料聚集在抛光垫表面,而工件与抛光垫的相对运动促使磨料更新循环。结论采用接入电压2000 V、工件及抛光盘转速80 r/min、偏摆速度60 r/min,在精抛垫下抛光蓝宝石晶片90 min,可以获得表面粗糙度Ra为0.953 nm的光滑表面。 展开更多
关键词 介电泳效应 化学机械抛光 蓝宝石晶片 工艺参数 抛光垫 有效磨料数 加工效果
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蓝宝石精磨专用碳化硼微粉的制备及其分级研究 被引量:6
9
作者 李欣 都兴红 +3 位作者 李盼 邢鹏飞 王帅 杨肇春 《铁合金》 2017年第6期16-21,共6页
蓝宝石晶片需求量的猛增促使碳化硼作为其研磨材料的用量也逐渐增加。简述了蓝宝石精磨专用W5碳化硼微粉的制备新工艺,研究了分散剂种类、分散剂用量、沉降时间和抽料高度对微粉分级的影响,并对新工艺制备的微粉和普通的微粉进行了分析... 蓝宝石晶片需求量的猛增促使碳化硼作为其研磨材料的用量也逐渐增加。简述了蓝宝石精磨专用W5碳化硼微粉的制备新工艺,研究了分散剂种类、分散剂用量、沉降时间和抽料高度对微粉分级的影响,并对新工艺制备的微粉和普通的微粉进行了分析表征。研究表明,混合分散剂的(SHMP+KX-5060)分级效果最好,其最佳用量为0.4%;微粉分级的最佳沉降时间为3~4 h,抽料高度为20~25 cm;新工艺制备的微粉和普通微粉相比,具有圆形度高、颗粒尺寸分布范围窄(6.519~1.162μm)、研磨速率高、研磨效果好等优点。 展开更多
关键词 蓝宝石晶片 碳化硼微粉 分级 分散剂
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紫外激光划切蓝宝石晶圆的试验研究 被引量:5
10
作者 黄欢 杨立军 +1 位作者 王懋露 王扬 《电加工与模具》 2009年第5期35-38,43,共5页
用355 mm紫外激光进行了蓝宝石晶圆的划切试验,通过改变激光的脉冲重复频率、入射能量密度和扫描速度,得到了多组微槽。对微槽的划切质量、深度和宽度进行检测和分析。结果表明,紫外激光划切蓝宝石晶圆能获得良好的微槽结构;不同的入射... 用355 mm紫外激光进行了蓝宝石晶圆的划切试验,通过改变激光的脉冲重复频率、入射能量密度和扫描速度,得到了多组微槽。对微槽的划切质量、深度和宽度进行检测和分析。结果表明,紫外激光划切蓝宝石晶圆能获得良好的微槽结构;不同的入射激光能量密度、脉冲重复频率和扫描速度对微槽的深度和宽度有不同的影响;晶圆表面粗糙度对微槽的划切质量影响很大。 展开更多
关键词 紫外激光 蓝宝石晶圆 微槽
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热场辅助单晶蓝宝石晶圆精研加工性能 被引量:1
11
作者 许永超 孙家宝 +3 位作者 詹浩 傅滨杰 詹友基 郑天清 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2023年第5期649-656,共8页
针对传统蓝宝石晶圆精磨加工表面质量差、效率低下的难题,提出热场辅助蓝宝石晶圆加工技术,研究热场辅助对蓝宝石晶圆精研加工性能的影响。通过自行设计的热场辅助装置控制加工区温度,基于半固结柔性磨具,在不同加工区温度条件下对蓝宝... 针对传统蓝宝石晶圆精磨加工表面质量差、效率低下的难题,提出热场辅助蓝宝石晶圆加工技术,研究热场辅助对蓝宝石晶圆精研加工性能的影响。通过自行设计的热场辅助装置控制加工区温度,基于半固结柔性磨具,在不同加工区温度条件下对蓝宝石晶圆进行精研加工,对比分析加工区温度对其加工性能的影响,并深入探讨材料去除机理。仿真结果表明,自行设计的热场辅助装置可使精研加工区迅速达到设定温度,且整个过程中晶圆的温度差<1.3℃。与室温下的加工结果相比,当加工区温度控制在50.0℃时,蓝宝石晶圆的表面粗糙度下降了6%,材料去除率提高了近114.2%。磨屑检测结果表明,提高加工区温度后,晶圆表面材料在去除过程中发生晶态结构转变,提高了蓝宝石加工过程中的水合反应速率,从而提高了材料去除率。热场辅助蓝宝石晶圆精研加工可同时获得较高的表面质量和加工效率,具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 蓝宝石晶圆 热场辅助 精密研磨 表面粗糙度 去除机理
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Preparation of Non-spherical Colloidal Silica Nanoparticle and Its Application on Chemical Mechanical Polishing of Sapphire 被引量:3
12
作者 KONG Hui LIU Weili 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2019年第1期86-90,共5页
Non-spherical colloidal silica nanoparticle was prepared by a simple new method, and its particle size distribution and shape morphology were characterized by dynamic light scattering(DLS) and the Focus Ion Beam(FIB) ... Non-spherical colloidal silica nanoparticle was prepared by a simple new method, and its particle size distribution and shape morphology were characterized by dynamic light scattering(DLS) and the Focus Ion Beam(FIB) system. This kind of novel colloidal silica particles can be well used in chemical mechanical polishing(CMP) of sapphire wafer surface. And the polishing test proves that non-spherical colloidal silica slurry shows much higher material removal rate(MRR) with higher coefficient of friction(COF) when compared to traditional large spherical colloidal silica slurry with particle size 80 nm by DLS. Besides, sapphire wafer polished by non-spherical abrasive also has a good surface roughness of 0.460 6 nm. Therefore, non-spherical colloidal silica has shown great potential in the CMP field because of its higher MRR and better surface roughness. 展开更多
关键词 COLLOIDAL silica NANOPARTICLE NON-SPHERICAL chemical mechanical POLISHING sapphire wafer
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蓝宝石晶片质量检测体系研究 被引量:4
13
作者 周海 姚绍峰 《应用科技》 CAS 2005年第11期21-24,共4页
阐述了蓝宝石晶片质量检测的重要性,根据蓝宝石晶片国家标准和国际质量保证体系,结合目前蓝宝石晶片生产和科研的实际情况,提出了蓝宝石晶片质量检测体系,包括蓝宝石晶片质量检测内容、检测方法和检测设备,通过试验研究,该质量检... 阐述了蓝宝石晶片质量检测的重要性,根据蓝宝石晶片国家标准和国际质量保证体系,结合目前蓝宝石晶片生产和科研的实际情况,提出了蓝宝石晶片质量检测体系,包括蓝宝石晶片质量检测内容、检测方法和检测设备,通过试验研究,该质量检测体系能够满足光电子领域所需的蓝宝石晶片生产要求。 展开更多
关键词 蓝宝石晶片 质量检测 检测方法 质量控制
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紫外激光在精细加工中的应用研究 被引量:4
14
作者 韩微微 杨松涛 高爱梅 《电子工业专用设备》 2011年第3期17-20,共4页
论述了紫外激光加工原理,分析了其优缺点。并使用紫外脉冲激光对LTCC生瓷片、蓝宝石晶圆片、太阳能单晶硅片等材料进行了初步的激光划切工艺实验,得到了对这些不同材料加工的一些工艺参数。
关键词 紫外激光 低温共烧陶瓷生瓷片 蓝宝石 单晶硅
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A向蓝宝石晶片化学机械抛光研究
15
作者 陈国美 陈凤 +1 位作者 倪自丰 白亚雯 《电镀与涂饰》 CAS 北大核心 2023年第17期75-82,共8页
采用正交试验和单因素实验,研究了磨粒种类(包括SiO_(2)、Al_(2)O_(3)和CeO_(2))和抛光工艺参数(包括抛光压力、抛光盘转速和抛光液流量)对A向蓝宝石(1120)化学机械抛光(CMP)效果的影响。通过超精密分析天平计算材料去除率,原子力显微... 采用正交试验和单因素实验,研究了磨粒种类(包括SiO_(2)、Al_(2)O_(3)和CeO_(2))和抛光工艺参数(包括抛光压力、抛光盘转速和抛光液流量)对A向蓝宝石(1120)化学机械抛光(CMP)效果的影响。通过超精密分析天平计算材料去除率,原子力显微镜观察抛光表面形貌。结果表明:在A向蓝宝石晶片CMP抛光过程中,胶体SiO_(2)磨粒比Al_(2)O_(3)和CeO_(2)磨粒的抛光效果好。抛光工艺参数对A向蓝宝石材料去除率的影响程度主次顺序为抛光压力、抛光盘转速和抛光液流量。当抛光压力为14.5 kPa,抛光盘转速为80 r/min,抛光液流量为90 mL/min时,A向蓝宝石晶片抛光效果最优,材料去除率达到2 366 nm/h,表面粗糙度(Ra)为0.80 nm左右。 展开更多
关键词 蓝宝石晶片 化学机械抛光 磨粒 正交试验 材料去除率 表面粗糙度
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蓝宝石晶片表面净化技术研究 被引量:4
16
作者 周海 杭寅 姚绍峰 《电子机械工程》 2005年第6期42-45,共4页
阐述了在氮化镓生长中使用的蓝宝石晶片净化的重要性。论述了蓝宝石晶片的净化原理。通过净化试验研究,提出了适合于工业化生产的蓝宝石晶片清洗剂和净化工艺,满足了光电子领域所需的开盒即用的蓝宝石晶片表面质量要求。
关键词 蓝宝石晶片 净化工艺 清洗剂
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蓝宝石晶片研磨工艺的研究 被引量:4
17
作者 王永辉 赵慧峰 《三门峡职业技术学院学报》 2009年第1期119-121,共3页
通过对蓝宝石晶片研磨试验的研究,得出了不同磨料种类、不同磨料浓度和加工压力对表面粗糙度和材料去除率的影响。结果表明,在众多磨料中SiO2比较适宜研磨,用此磨料在浓度15wt%时材料去除率比较高,在压力9.8N时综合效果较佳,而MgO磨料... 通过对蓝宝石晶片研磨试验的研究,得出了不同磨料种类、不同磨料浓度和加工压力对表面粗糙度和材料去除率的影响。结果表明,在众多磨料中SiO2比较适宜研磨,用此磨料在浓度15wt%时材料去除率比较高,在压力9.8N时综合效果较佳,而MgO磨料适合获得理想表面粗糙度。 展开更多
关键词 蓝宝石晶片 研磨 工艺参数
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飞秒激光微加工蓝宝石晶片光纤压力传感器
18
作者 江毅 张雨彤 邓辉 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第15期80-87,共8页
提出了一种高温大量程的蓝宝石法布里-珀罗(F-P)干涉仪压力传感器。传感器由三层蓝宝石晶片直接键合而成,包括蓝宝石衬底、带通孔的蓝宝石晶片和感压蓝宝石晶片。飞秒激光用于在蓝宝石晶片的中心刻蚀通孔,并粗糙化感压蓝宝石晶片的外表... 提出了一种高温大量程的蓝宝石法布里-珀罗(F-P)干涉仪压力传感器。传感器由三层蓝宝石晶片直接键合而成,包括蓝宝石衬底、带通孔的蓝宝石晶片和感压蓝宝石晶片。飞秒激光用于在蓝宝石晶片的中心刻蚀通孔,并粗糙化感压蓝宝石晶片的外表面。利用蓝宝石晶片抛光面作为F-P腔的反射面,有助于降低解调出的光学腔长波动,提高压力分辨率。提出的传感器在室温、0~30 MPa的高压力范围内光学腔长随压力线性变化,压力灵敏度为0.1253μm/MPa,相对分辨率达到0.04%FS(full scale,全量程),且能在700℃下稳定工作。 展开更多
关键词 光纤光学 光纤压力传感器 非本征法布里-珀罗干涉仪 蓝宝石晶片 飞秒激光微加工 大压力量程
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化学机械抛光过程中抛光液团聚问题的研究 被引量:4
19
作者 梁振 李薇薇 赵之琳 《电镀与涂饰》 CAS CSCD 北大核心 2020年第3期150-154,共5页
在化学机械抛光(CMP)用二氧化硅浆料中加入不同质量分数的混合保湿剂(由体积比为1∶1的分析纯丙三醇和三乙醇胺混合而成),以解决CMP过程中抛光液易团聚的问题。结果表明,抛光液中加入保湿剂后团聚问题得到缓解。随保湿剂质量分数的增大... 在化学机械抛光(CMP)用二氧化硅浆料中加入不同质量分数的混合保湿剂(由体积比为1∶1的分析纯丙三醇和三乙醇胺混合而成),以解决CMP过程中抛光液易团聚的问题。结果表明,抛光液中加入保湿剂后团聚问题得到缓解。随保湿剂质量分数的增大,抛光液的团聚析出量减少,黏度增大,对蓝宝石晶圆的去除速率先增大后减小,晶圆抛光后的表面粗糙度逐渐增大。当保湿剂的质量分数为4%时,对蓝宝石晶圆进行CMP时的材料去除速率最大,为93.6 nm/min,抛光后晶圆的表面粗糙度为0.412 nm。 展开更多
关键词 化学机械抛光 二氧化硅胶体 团聚 保湿剂 蓝宝石晶圆 材料去除速率 表面粗糙度
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水合抛光加工的运动学特性 被引量:4
20
作者 李刚 王扬渝 文东辉 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第11期201-206,共6页
建立了旋摆驱动方式下水合平面抛光过程中工件的运动学模型,揭示了抛光盘开孔方式对蓝宝石衬底的水合抛光均匀性影响规律。旋摆驱动条件下,杉木抛光盘的开孔方式对蓝宝石衬底水合抛光加工全局均匀性和局部均匀性具有重要的作用,局部均... 建立了旋摆驱动方式下水合平面抛光过程中工件的运动学模型,揭示了抛光盘开孔方式对蓝宝石衬底的水合抛光均匀性影响规律。旋摆驱动条件下,杉木抛光盘的开孔方式对蓝宝石衬底水合抛光加工全局均匀性和局部均匀性具有重要的作用,局部均匀性的阶梯状分布为直线、圆环和螺旋线开孔方式的共性特征。与直线、圆环开孔方式相比,在一定的参数取值条件下,螺旋线开孔方式可更好地实现水合抛光加工的全局均匀性和局部均匀性要求。 展开更多
关键词 旋摆驱动 水合抛光 蓝宝石衬底 轨迹均匀性
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