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典型MEMS和可穿戴传感技术的新发展 被引量:19
1
作者 赵正平 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2015年第1期1-13,共13页
MEMS技术经过20多年的发展已进入移动网络时代的发展阶段。从该发展阶段的典型MEMS器件入手,能够从多种MEMS器件的发展中提取出MEMS发展技术路线。介绍了包含MEMS加速度计、MEMS陀螺仪、MEMS惯性测量单元(IMU)、MEMS麦克风和RF MEMS等... MEMS技术经过20多年的发展已进入移动网络时代的发展阶段。从该发展阶段的典型MEMS器件入手,能够从多种MEMS器件的发展中提取出MEMS发展技术路线。介绍了包含MEMS加速度计、MEMS陀螺仪、MEMS惯性测量单元(IMU)、MEMS麦克风和RF MEMS等新发展阶段的典型MEMS器件近两年的新进展,同时介绍了在设计、工艺、新原理、新材料和新电路结构等方面新的进步或创新,并评估了MEMS技术发展的趋势。同时也对MEMS的集成创新,即可穿戴传感技术的近期发展,按照其获取信息的分类(活动、生理和环境)进行了综述。 展开更多
关键词 mems加速度计 mems陀螺仪 惯性测量单元(IMU) rf mems 可穿戴传感 mems麦克风
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MEMS技术研究及应用 被引量:5
2
作者 金铃 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2004年第12期26-29,共4页
首先阐述了微电子机械系统 (MEMS)技术的基本概念、特点及概况 ;其次 ,介绍了MEMS技术的分类及在各领域的应用产品 ;最后 ,重点介绍了RFMEMS技术 。
关键词 mems技术 射频mems 应用产品
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薄膜声体波谐振器(FBAR)的研究进展 被引量:9
3
作者 王德苗 金浩 董树荣 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第9期65-68,共4页
综述了国内外FBAR技术的研究现状和进展。分析了基于空气腔和布拉格反射层两种主流FBAR的结构、工作原理和建模方法。阐述了适用于FBAR的压电薄膜材料、电极材料以及布拉格反射层材料的选择。并介绍了作为FBAR主要应用的射频滤波器和双... 综述了国内外FBAR技术的研究现状和进展。分析了基于空气腔和布拉格反射层两种主流FBAR的结构、工作原理和建模方法。阐述了适用于FBAR的压电薄膜材料、电极材料以及布拉格反射层材料的选择。并介绍了作为FBAR主要应用的射频滤波器和双工器的拓扑结构和设计方法,以及制备FBAR器件时需克服的关键技术等问题。 展开更多
关键词 电子技术 薄膜声体波谐振器 综述 压电薄膜 声体波 射频微机械 滤波器
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信息MEMS技术 被引量:8
4
作者 赵正平 杨拥军 《微纳电子技术》 CAS 2002年第3期6-11,45,共7页
介绍了信息MEMS技术的研究内容和研究进展,分析了信息MEMS技术对光通信和移动通信的影响,提出了我国发展信息MEMS技术的建议。
关键词 信息mems技术 信息技术 光通信 移动通信
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MEMS技术将会为战术导弹带来一场革命 被引量:9
5
作者 任子西 《战术导弹技术》 2010年第1期1-8,35,共9页
介绍了MEMS-IMU、RF MEMS和MOEMS等MEMS技术的基本内涵、特点及国外发展情况.重点介绍和分析了各项MEMS技术在战术导弹制导、导航、探测、数传、动力、引信、控制等方面的研究、实际应用情况,对MEMS技术的发展将给战术导弹带来的可能变... 介绍了MEMS-IMU、RF MEMS和MOEMS等MEMS技术的基本内涵、特点及国外发展情况.重点介绍和分析了各项MEMS技术在战术导弹制导、导航、探测、数传、动力、引信、控制等方面的研究、实际应用情况,对MEMS技术的发展将给战术导弹带来的可能变化进行了描述,可为我国战术导弹的未来发展提供参考. 展开更多
关键词 战术导弹 mems mems-IMU rfmems MOEMS
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射频微机电系统技术现状 被引量:10
6
作者 金铃 《微波学报》 CSCD 北大核心 2005年第6期58-65,共8页
较全面地介绍了 RF MEMS 器件、由 RF 器件构成的组件及应用系统,并给出了一些新的典型示例。通过比较 RF MEMS 器件与传统微波器件在性能、尺寸等各方面的差别,可以了解 RF MEMS 技术在相控阵雷达上运用的优势。
关键词 微机电系统技术 射频微机电系统 微机电系统器件
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RF MEMS器件驱动机制理论与分析 被引量:7
7
作者 南敬昌 刘元安 黎淑兰 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期416-419,共4页
介绍了驱动机制在RF MEMS器件制作中所处的地位。以悬梁类型的RF MEMS开关为例,介绍了RF MEMS器件的各种驱动方式,给出了其原理结构图;详细分析了静电驱动、压电驱动、热驱动和磁驱动的原理。对各种驱动机制进行了比较和分析,得出应根... 介绍了驱动机制在RF MEMS器件制作中所处的地位。以悬梁类型的RF MEMS开关为例,介绍了RF MEMS器件的各种驱动方式,给出了其原理结构图;详细分析了静电驱动、压电驱动、热驱动和磁驱动的原理。对各种驱动机制进行了比较和分析,得出应根据不同场合和不同参数要求,选择不同驱动机制的驱动器。 展开更多
关键词 rf mems 静电驱动 压电驱动 热驱动 磁驱动
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RF MEMS开关吸合电压的分析 被引量:6
8
作者 董乔华 廖小平 +1 位作者 黄庆安 黄见秋 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期163-167,共5页
吸合电压是MEMS静电执行器的重要参数,针对RFMEMS开关,详细分析了开关在不同执行方式下的吸合电压.对于执行电压是脉冲方式而言,开关梁受迫振动,不同于准静态方式,此时使开关发生吸合的执行电压为动态吸合电压,计算表明比准静态吸合电压... 吸合电压是MEMS静电执行器的重要参数,针对RFMEMS开关,详细分析了开关在不同执行方式下的吸合电压.对于执行电压是脉冲方式而言,开关梁受迫振动,不同于准静态方式,此时使开关发生吸合的执行电压为动态吸合电压,计算表明比准静态吸合电压小8%.通过简化的弹性系数和精确的电容计算公式,详细分析了基于CPW的双端固支梁开关的准静态和动态吸合电压.分析了环境阻尼对动态吸合电压的影响,阻尼使得开关的两种吸合电压差别变小.最后分析了射频输入功率对开关吸合电压的影响,射频输入功率会降低吸合电压,如果输入功率足够大,吸合电压将会降为零,此时MEMS开关会发生自执行失效. 展开更多
关键词 rf mems开关 吸合电压 准静态 动态 阻尼
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一种新型的分布式MEMS移相器的小型化设计 被引量:5
9
作者 金博识 吴群 +3 位作者 贺训军 唐恺 杨国辉 Lee Jong-Chul 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05B期1885-1888,共4页
通过在共面波导信号线上贴敷低介电常数的薄层绝缘介质,使得MEMS金属桥与共面波导信号线在“关”态下形成MIM电容的方法,实现了提高“关”“开”两种状态下的电容比,从而提高了单位长度上的相移量.与传统的设计方法相比,在达到同样相移... 通过在共面波导信号线上贴敷低介电常数的薄层绝缘介质,使得MEMS金属桥与共面波导信号线在“关”态下形成MIM电容的方法,实现了提高“关”“开”两种状态下的电容比,从而提高了单位长度上的相移量.与传统的设计方法相比,在达到同样相移量指标的情况下仅需少量的MEMS金属桥就可以实现,工作的可靠性得到提高,未封装MEMS移相器器件的总体尺寸可以减小60%左右,此外由于在“关”态下,金属桥直接贴敷在介质表面上而不会随着外界环境震动,因此移相器的相移精度显著的提高. 展开更多
关键词 rf mems 分布式mems传输线 金属-绝缘体-金属电容 mems金属桥 移相器
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低驱动电压电容式RF MEMS开关结构设计优化 被引量:7
10
作者 高杨 刘佳 +2 位作者 白竹川 刘婷婷 陈营端 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第3期160-165,共6页
RFMEMS开关将成为微波、高频信号控制的关键器件。针对其驱动电压过高,不能满足现代通信系统低电压的要求,推导了电容式RFMEMS开关驱动电压的理论公式;基于降低开关柔顺结构的弹性系数、驱动电极上极板与可变电容上极板分离的思路,优化... RFMEMS开关将成为微波、高频信号控制的关键器件。针对其驱动电压过高,不能满足现代通信系统低电压的要求,推导了电容式RFMEMS开关驱动电压的理论公式;基于降低开关柔顺结构的弹性系数、驱动电极上极板与可变电容上极板分离的思路,优化设计了三种具有不同的连接梁和支撑梁结构形式的开关微桥柔顺结构。第一种结构为驱动电极板和电容上极板之间以双直梁连接;第二种结构以一组弹性折叠梁代替结构一中的双直梁;第三种结构是在结构二的基础上,改变了起支撑作用的弹性折叠梁的方向。使用MEMS CAD软件CoventorWare对开关结构进行了机电耦合仿真,仿真结果表明开关的驱动电压小于3V。 展开更多
关键词 微电子机械系统 射频微电子机械系统 开关 机电耦合Ware软件
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RF MEMS技术现状及主要问题 被引量:7
11
作者 李胜先 《空间电子技术》 2012年第4期6-13,46,共9页
文章从元器件、组件及系统应用3个层面介绍RF MEMS技术现状,涉及MEMS传输线、开关和开关网络、电感器和电容器、谐振器和滤波器、移相器、压控振荡器、T/R组件、微波收发系统及天线系统等,并提出发展MEMS技术必须解决可靠性、封装及全... 文章从元器件、组件及系统应用3个层面介绍RF MEMS技术现状,涉及MEMS传输线、开关和开关网络、电感器和电容器、谐振器和滤波器、移相器、压控振荡器、T/R组件、微波收发系统及天线系统等,并提出发展MEMS技术必须解决可靠性、封装及全面仿真设计的3个关键问题。 展开更多
关键词 rf mems 开关 电感器 电容器 滤波器 移相器 可靠性 封装
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固态微波电子学的新进展 被引量:4
12
作者 赵正平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第1期1-14,47,共15页
固态微波电子学是现代电子学的重要分支之一,其基础材料已由第一代半导体Si和Ge、第二代半导体GaAs和InP,发展到第三代半导体GaN和SiC,石墨烯和金刚石等C基新材料正在进行探索性的研究,其加工工艺的尺寸也已进入纳米尺度,其工作频率已达... 固态微波电子学是现代电子学的重要分支之一,其基础材料已由第一代半导体Si和Ge、第二代半导体GaAs和InP,发展到第三代半导体GaN和SiC,石墨烯和金刚石等C基新材料正在进行探索性的研究,其加工工艺的尺寸也已进入纳米尺度,其工作频率已达到1 THz,应用的频率可覆盖微波毫米波到太赫兹。目前固态微波电子学呈多代半导体材料和器件共同发展的格局。综述了具有代表性的11类固态器件(RF CMOS,SiGe BiCMOS,RF LDMOS,RF MEMS,GaAs PHEMT,GaAs MHEMT,InP HEMT,InP HBT,GaN/SiC HEMT,GFET和金刚石FET)近几年的最新研究进展,详细介绍了有关固态微波电子学的应用需求、技术特点、设计拓扑、关键技术突破和测试结果,分析了当前固态微波电子学总的发展趋势和11类固态微波器件的发展特点和定位。最后介绍了采用3D异构集成技术的射频微系统的最新进展,指出射频微系统是发展下一代射频系统的关键技术。 展开更多
关键词 固态微波电子学 rf CMOS SiGe BIMOS rf LDMOS rf mems GAAS PHEMT GAAS MHEMT INP HEMT INP HBT GaN/SiC HEMT GFET 金刚石FET 射频微系统 3D异构集成
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RF MEMS开关的发展现状 被引量:6
13
作者 严春早 许高斌 叶刘晓 《微纳电子技术》 CAS 2008年第11期647-653,共7页
RF MEMS开关是其各种组件、系统级应用中最基本的器件之一,具有低损耗、低功耗、线性化好、尺寸小及易集成等特点。对各种开关驱动机制的特点进行了比较,指出具体驱动机制的选取应符合实际应用的需求;在和传统pin开关、FET开关相比较的... RF MEMS开关是其各种组件、系统级应用中最基本的器件之一,具有低损耗、低功耗、线性化好、尺寸小及易集成等特点。对各种开关驱动机制的特点进行了比较,指出具体驱动机制的选取应符合实际应用的需求;在和传统pin开关、FET开关相比较的基础上,总结了RF MEMS开关的优缺点,概述了其目前的应用领域以及面临的主要问题;最后介绍了目前国内外RFMEMS开关研究状况。通过对国内外一些经典RF MEMS开关范例的简述,展望了RFMEMS开关未来的发展趋势。 展开更多
关键词 射频微机电系统 开关 驱动机制 可靠性 发展趋势
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基于ANSYS悬臂式RFMEMS开关的力学模拟和疲劳分析 被引量:3
14
作者 李成诗 郭方敏 +4 位作者 赖宗声 葛羽屏 徐欣 朱自强 陆卫 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第10期22-26,共5页
用 ANSYS 软件对 RF MEMS 接触悬臂开关模型进行力电耦合分析,比较了几种情况下的驱动电压,讨论了驱动电压与杨氏模量、悬梁的几何尺寸和电极面积的关系。在力电耦合分析的基础上对开关进行了疲劳特性分析,得出了开关的循环使用次数并... 用 ANSYS 软件对 RF MEMS 接触悬臂开关模型进行力电耦合分析,比较了几种情况下的驱动电压,讨论了驱动电压与杨氏模量、悬梁的几何尺寸和电极面积的关系。在力电耦合分析的基础上对开关进行了疲劳特性分析,得出了开关的循环使用次数并与实验结果进行了比较,分析了数据差别比较大的原因,改进了测试开关寿命的方法。 展开更多
关键词 拟和 驱动电压 开关模型 几何尺寸 测试 电极 数据 ANSYS软件 寿命 接触
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发展中的RF MEMS开关技术 被引量:6
15
作者 刘立 胡磊 丑修建 《电子技术应用》 北大核心 2016年第11期14-17,21,共5页
从驱动方式和机械结构的角度介绍了不同的RF MEMS开关类型,分析了各类MEMS开关的性能及优缺点,分析了MEMS开关在制作和发展中面临的牺牲层技术、封装技术、可靠性问题等关键技术和问题,介绍了MEMS开关的发展现状及其在组件级和系统级的... 从驱动方式和机械结构的角度介绍了不同的RF MEMS开关类型,分析了各类MEMS开关的性能及优缺点,分析了MEMS开关在制作和发展中面临的牺牲层技术、封装技术、可靠性问题等关键技术和问题,介绍了MEMS开关的发展现状及其在组件级和系统级的应用,以及对MEMS开关技术的展望。 展开更多
关键词 rf mems 开关性能 牺牲层 封装 可靠性
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一种低驱动电压的SP4T RF MEMS开关 被引量:5
16
作者 胡光伟 刘泽文 +1 位作者 侯智昊 李志坚 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期656-659,共4页
设计并制备了一种低电压的静电驱动接触式单刀四掷(SP4T)RFMEMS开关。单元开关采用以低应力氮氧化硅(SiON)作为桥膜的双端固定桥式结构,并利用附着的金层形成接触结构。整个SP4T开关包括与50Ω特征阻抗相匹配的共面波导,1个输入端,4个... 设计并制备了一种低电压的静电驱动接触式单刀四掷(SP4T)RFMEMS开关。单元开关采用以低应力氮氧化硅(SiON)作为桥膜的双端固定桥式结构,并利用附着的金层形成接触结构。整个SP4T开关包括与50Ω特征阻抗相匹配的共面波导,1个输入端,4个输出端,4个静电驱动的侧拉桥,以及4个驱动引出区(pad)。测试数据表明,开关驱动电压18.8V;插入损耗S21<0.26dB@DC-3GHz,S31<0.46dB@DC-3GHz;隔离度S21>69.5dB@DC-3GHz,S31>69.2dB@DC-3GHz。结果显示,此开关的隔离度在所有输出端有很好的一致性,插损在DC-3GHz的频段内均较小,非常适合低频使用。 展开更多
关键词 rf mems 开关 单刀多掷 接触式
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NUMERICAL ANALYSIS OF THEORETICAL MODEL OF THE RF MEMS SWITCHES 被引量:5
17
作者 张立宪 余同希 赵亚溥 《Acta Mechanica Sinica》 SCIE EI CAS CSCD 2004年第2期178-184,共7页
An improved electromechanical model of the RF MEMS(radio frequency microelec- tromechanical systems)switches is introduced,in which the effects of intrinsic residual stress from fabrication processes,axial stress due ... An improved electromechanical model of the RF MEMS(radio frequency microelec- tromechanical systems)switches is introduced,in which the effects of intrinsic residual stress from fabrication processes,axial stress due to stretching of beam,and fringing field are taken into account. Four dimensionless numbers are derived from the governing equation of the developed model.A semi- analytical method is developed to calculate the behavior of the RF MEMS switches.Subsequently the influence of the material and geometry parameters on the behavior of the structure is analyzed and compared,and the corresponding analysis with the dimensionless numbers is conducted too.The quantitative relationship between the presented parameters and the critical pull-in voltage is obtained, and the relative importance of those parameters is given. 展开更多
关键词 rf mems axial stretching residual stress fringing field critical pull-in voltage
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一种K波段双桥电容式RF MEMS开关的设计与制作 被引量:4
18
作者 雷啸锋 刘泽文 +3 位作者 宣云 韦嘉 李志坚 刘理天 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期1442-1447,共6页
介绍了一种K波段双桥结构的电容式RFMEMS开关.该开关的结构特点是,以共面波导上的悬空金属膜为双桥结构,并且膜桥的支撑呈折叠弹簧结构.使用AgilentADS软件对该开关进行了设计和优化,结果表明,相比传统电容式单桥开关,该开关隔离度性能... 介绍了一种K波段双桥结构的电容式RFMEMS开关.该开关的结构特点是,以共面波导上的悬空金属膜为双桥结构,并且膜桥的支撑呈折叠弹簧结构.使用AgilentADS软件对该开关进行了设计和优化,结果表明,相比传统电容式单桥开关,该开关隔离度性能得到了很大提高.利用表面微机械工艺,在高阻硅衬底上制备了开关样品.双桥开关的在片测试结果表明:驱动电压为19.5V,“开”态的插入损耗约1.6dB@19.6GHz,“关”态的隔离度约46.0dB@19.6GHz. 展开更多
关键词 rf mems 开关 双桥结构 高隔离度
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MEMS射频同轴线的仿真与工艺研究 被引量:4
19
作者 高荣惠 赵龙 +1 位作者 崔建利 张斌珍 《中北大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2015年第6期713-718,共6页
以SU-8方形柱作为支撑衬底,初步设计中心频率为38GHz空气填充的微型矩形同轴线,通过HFSS电磁仿真软件对设计的结构进行模拟仿真与优化,并结合实际加工工艺和测试条件,最终确定中心同轴的横截面为200μm×200μm,外壁内表面的横截面... 以SU-8方形柱作为支撑衬底,初步设计中心频率为38GHz空气填充的微型矩形同轴线,通过HFSS电磁仿真软件对设计的结构进行模拟仿真与优化,并结合实际加工工艺和测试条件,最终确定中心同轴的横截面为200μm×200μm,外壁内表面的横截面为500μm×500μm,对支撑衬底尺寸进行最优化模拟仿真,确定SU-8矩形支撑衬底宽度为200μm.采用SU-8紫外光刻工艺并结合铜的电镀工艺进行微型同轴线结构的加工.利用微波探针测试台对其传输性能进行测试,测试结果显示该微型同轴线在中心频率处回波损耗S11在-30dB以下,插入损耗S12参数为-0.3dB.该工艺方法加工的同轴传输线具有带宽大、介质损耗小、辐射损耗小和抗干扰强等优点,可用于高性能射频和微波电路.另外,它的制作工艺可与其他射频和微波器件及集成电路工艺兼容,便于与射频和微波电路集成. 展开更多
关键词 同轴传输线 光刻 电镀 SU-8 rf mems
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微加工射频可变电容的研究与进展 被引量:4
20
作者 李锐 廖小平 黄庆安 《电子器件》 CAS 2004年第2期366-371,276,共7页
我们给出并比较各种最新颖的可变电容 ,这些电容包括上极板水平移动的可变电容、梳状水平移动的可变电容、平行板上下移动的可变电容、平行板梳状上下移动的可变电容、改变介质的交叠面积的可变电容、使用水平执行器的可变电容、使用绝... 我们给出并比较各种最新颖的可变电容 ,这些电容包括上极板水平移动的可变电容、梳状水平移动的可变电容、平行板上下移动的可变电容、平行板梳状上下移动的可变电容、改变介质的交叠面积的可变电容、使用水平执行器的可变电容、使用绝缘衬底实现的可变电容和使用MEMS开关调节电容阵列来实现的可变电容 ,比较了目前的可变电容的各种结构以得出目前工艺条件可以较容易实现的高Q值的可变电容。 展开更多
关键词 rf mems 可变电容 高Q值
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