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轻量级UPF N4接口开放性技术研究与应用 被引量:8
1
作者 刘霄阳 费翔 +2 位作者 段勇 黄鸿儒 欧亮 《移动通信》 2021年第1期66-70,共5页
在阐述5G核心网架构与UPF网元的功能,以及N4接口开放在5G赋能垂直行业方面的重要影响的基础上,重点说明了运营商在推进轻量级UPF N4接口与5G核心网对接验证方面所做的工作,从技术层面证明了N4接口开放的可行性,进而说明了3种面向行业的5... 在阐述5G核心网架构与UPF网元的功能,以及N4接口开放在5G赋能垂直行业方面的重要影响的基础上,重点说明了运营商在推进轻量级UPF N4接口与5G核心网对接验证方面所做的工作,从技术层面证明了N4接口开放的可行性,进而说明了3种面向行业的5G应用部署模式,并结合实际案例进行分析。最后针对当前存在的问题,提出了在推进N4接口开放层面的工作展望,推动UPF服务化能力进一步释放,助力5G赋能垂直行业。 展开更多
关键词 5G 垂直行业 UPF n4接口
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面向垂直行业的N4接口解耦技术 被引量:5
2
作者 周欣 谷群 +2 位作者 赵际洲 段晓东 魏彬 《移动通信》 2021年第1期71-75,共5页
为了满足5G网络服务垂直行业场景下对边缘UPF轻量化、低成本和灵活部署的需求,需要推动支持N4接口解耦和轻量化UPF。首先对UPF进行了功能简化和分级,并提出分档容量和性能要求,然后对N4接口实现模型及流程进行了介绍,明确了轻量化UPF功... 为了满足5G网络服务垂直行业场景下对边缘UPF轻量化、低成本和灵活部署的需求,需要推动支持N4接口解耦和轻量化UPF。首先对UPF进行了功能简化和分级,并提出分档容量和性能要求,然后对N4接口实现模型及流程进行了介绍,明确了轻量化UPF功能要求、N4接口解耦技术要求,可有效地指导UPF产品开发,加速产业成熟,最后对支持N4解耦的轻量化UPF典型部署模式进行了探讨。希望通过推动N4解耦,共同促进UPF朝着更加开放、灵活的方向发展,创造开放繁荣的5G边缘生态。 展开更多
关键词 5G 垂直行业 n4接口 解耦
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5G垂直行业组网结构优化及方案分析
3
作者 朱玉峰 黄耀军 吕云龙 《电信工程技术与标准化》 2024年第9期72-76,共5页
本文探讨了5G垂直行业应用中N4接口解耦技术的重要性及实现方式。首先分析了传统N4接口在5G网络架构中的局限性,进而通过插花问题的案例分析N4接口解耦对于提高网络灵活性的关键作用,并提出了N4接口解耦实现路径。通过该技术的研究与应... 本文探讨了5G垂直行业应用中N4接口解耦技术的重要性及实现方式。首先分析了传统N4接口在5G网络架构中的局限性,进而通过插花问题的案例分析N4接口解耦对于提高网络灵活性的关键作用,并提出了N4接口解耦实现路径。通过该技术的研究与应用,有望为5G垂直行业应用提供更高灵活性的解决方案,推动5G网络在垂直行业的深入发展。 展开更多
关键词 5G n4接口 解耦
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脉冲激光诱导液-固界面反应制备立方相C_3N_4纳米晶 被引量:9
4
作者 王金斌 刘秋香 杨国伟 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第11期1719-1720,共2页
β-C3N4是由Liu和Cohen等[1~3]从第一性原理出发计算而预言的一种新型超硬材料,据Liu等提出的经验公式计算认为,β-C3N4的硬度为427GPa,具有接近金刚石的体模量(理论值为435GPa,实验值为4... β-C3N4是由Liu和Cohen等[1~3]从第一性原理出发计算而预言的一种新型超硬材料,据Liu等提出的经验公式计算认为,β-C3N4的硬度为427GPa,具有接近金刚石的体模量(理论值为435GPa,实验值为443GPa).Liu采用可变晶格模... 展开更多
关键词 C3n4 立方相 激光诱导 纳米晶 制备 氮化碳
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无压浸渗制备Si_3N_4/Al复合材料的界面反应研究 被引量:11
5
作者 王扬卫 王富耻 +1 位作者 于晓东 李俊涛 《航空材料学报》 EI CAS CSCD 2006年第1期55-58,共4页
研究S i3N4多孔预制体的表面氧化程度对无压浸渗制备S i3N4/A l复合材料界面反应以及复合材料性能的影响是复合材料优化设计的基础。不同氧化程度的S i3N4多孔预制体在相同的浸渗工艺下无压浸渗制得S i3N4/A l复合材料,利用EDS,XRD和洛... 研究S i3N4多孔预制体的表面氧化程度对无压浸渗制备S i3N4/A l复合材料界面反应以及复合材料性能的影响是复合材料优化设计的基础。不同氧化程度的S i3N4多孔预制体在相同的浸渗工艺下无压浸渗制得S i3N4/A l复合材料,利用EDS,XRD和洛氏硬度计分别测定陶瓷多孔预制体的成份,复合材料的相组成和硬度。结果表明:S i3N4/A l复合材料组成相包括A l,S i3N4,A lN以及少量的S i,Mg2S i,MgO,MgA l2O4;随着氧化程度增加,复合材料内A lN相减少,MgO含量增加,并逐渐出现MgA l2O4相;复合材料的硬度随预制体的氧化程度增加而线性下降;预制体的氧化造成S i3N4和A l之间的反应减弱是硬度下降的重要原因。 展开更多
关键词 无压浸渗 复合材料 Si3n4/Al 氧化 界面反应
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半导体器件钝化层Si_3N_4薄膜的制备及特性研究 被引量:6
6
作者 刘宝峰 李洪峰 金立国 《哈尔滨理工大学学报》 CAS 2003年第6期105-108,共4页
采用热分解法在硅衬底上制备了Si3N4薄膜.根据在制备过程中薄膜生长速度随颜色的变化,研究了衬底温度和薄膜沉积速率之间的关系.分别利用AFM对薄膜表面进行观测。C-V法对薄膜和硅片界面态进行了测试.结果表明:所制备的Si3N4薄膜在硅片... 采用热分解法在硅衬底上制备了Si3N4薄膜.根据在制备过程中薄膜生长速度随颜色的变化,研究了衬底温度和薄膜沉积速率之间的关系.分别利用AFM对薄膜表面进行观测。C-V法对薄膜和硅片界面态进行了测试.结果表明:所制备的Si3N4薄膜在硅片上以无定形方式存在,在Si3N,薄膜和硅界面之间存在着大量的表面电荷,由于这种高密度表面电荷的存在,导致Si3N4薄膜不适于直接作为半导体器件的表面钝化层. 展开更多
关键词 Si3n4薄膜 热分解法 半导体 表面钝化技术
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S_3iN_4/Ni/TiAl扩散连接接头界面结构及性能 被引量:9
7
作者 曹健 宋晓国 +1 位作者 王义峰 冯吉才 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1-4,113,共4页
采用厚度为80μm的镍中间层实现了Si3N4陶瓷和TiAl合金的扩散连接.采用扫描电镜(SEM),能谱检测(EDS)等分析方法确定了TiAl/Ni/Si3N4扩散焊接头的典型界面结构为TiAl/Al5Ni2Ti3/AlNi2Ti/Ni3(Ti,Al)/Ni(s,s)+Ni3Si/Si3N4.重点分析了连接... 采用厚度为80μm的镍中间层实现了Si3N4陶瓷和TiAl合金的扩散连接.采用扫描电镜(SEM),能谱检测(EDS)等分析方法确定了TiAl/Ni/Si3N4扩散焊接头的典型界面结构为TiAl/Al5Ni2Ti3/AlNi2Ti/Ni3(Ti,Al)/Ni(s,s)+Ni3Si/Si3N4.重点分析了连接温度对接头界面结构及力学性能的影响规律.结果表明,随着温度的升高,TiAl/Ni界面处元素互扩散速率逐渐加快,导致各化合物层厚度增加.同时,Si3N4与镍的反应加快致使在Si3N4/Ni界面处出现孔洞;连接温度过高时,易在该孔洞区产生裂纹.当连接温度1 000℃,保温时间2 h时接头抗剪强度达到最大为104.2 MPa.压剪过程中,裂纹起裂于SiN/Ni界面处,随后向SiN侧扩展并最终断裂于陶瓷母材. 展开更多
关键词 Si3 n4陶瓷 TIAL合金 扩散连接 界面组织
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Si_3N_4/Cu68Ti20Ni12的界面结构及连接强度 被引量:7
8
作者 邹家生 吴斌 赵其章 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期102-106,共5页
采用Cu68Ti20Ni12钎料进行了Si3N4/Si3N4的活性钎焊连接。结果表明:钎焊温度和时间对连接强度有重要影响;在1373K,10min的连接条件下,Si3N4/Si3N4连接强度达到最大值289MPa。通过对Si3N4/Cu68Ti20Ni12界面区的微观分析:发现Ti,Ni明显向S... 采用Cu68Ti20Ni12钎料进行了Si3N4/Si3N4的活性钎焊连接。结果表明:钎焊温度和时间对连接强度有重要影响;在1373K,10min的连接条件下,Si3N4/Si3N4连接强度达到最大值289MPa。通过对Si3N4/Cu68Ti20Ni12界面区的微观分析:发现Ti,Ni明显向Si3N4方向富集,相对Ni而言,Ti的富集区更靠近Si3N4陶瓷,而Si则向钎料方向扩散,Cu在接头中心富集;界面区存在2层反应层,反应层Ⅰ为TiN层,而反应层Ⅱ则由TiN,Ti5Si4,Ti5Si3,Ni3Si及NiTi化合物组成。 展开更多
关键词 Si3n4/Si3n4接头 活性钎焊 Cu68Ti20ni12钎料 连接强度 界面结构
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无压浸渗制备Si_3N_4/Al复合材料的反应浸渗机理 被引量:6
9
作者 王扬卫 于晓东 +2 位作者 王富耻 马壮 康晓鹏 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期777-780,共4页
采用"中断浸渗"方法获得保留了"浸渗前沿"的样品,应用扫描电子显微镜和X射线能谱分析了浸渗界面上的形貌和成分变化,深入讨论了浸渗界面推进过程中的物理、化学反应过程。采用扫描电镜等微观分析手段观察了复合材... 采用"中断浸渗"方法获得保留了"浸渗前沿"的样品,应用扫描电子显微镜和X射线能谱分析了浸渗界面上的形貌和成分变化,深入讨论了浸渗界面推进过程中的物理、化学反应过程。采用扫描电镜等微观分析手段观察了复合材料显微形貌,探讨了界面反应机理。研究结果表明:浸渗界面推进过程中熔体中的Mg富集在浸渗前沿的预制体上,并与预制体发生反应;Al/Si3N4界面反应产物AlN相形成"楔形"向Si3N4单元心部推进,细观上呈现含毛细通道的胞状辐射形貌,大量毛细通道确保了Al和Si3N4之间的置换反应持续进行;Al与Si3N4的置换反应产物Si绝大部分溶解在铝镁合金熔体中。 展开更多
关键词 无压浸渗 复合材料 SI3n4 界面反应 浸渗机理
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用(CuZn)_(85)Ti_(15)钎料连接Si_3N_4陶瓷接头的微观结构 被引量:4
10
作者 张杰 奈贺正明 周玉 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 2001年第3期263-265,共3页
采用 (CuZn) 85Ti15钎料 ,研究了Si3N4 陶瓷活性钎焊的接头微观组织结构 .结果表明 :在合适的钎焊条件下可以获得致密的Si3N4 /Si3N4 接头 ;钎缝主要由含有Ti的硅化物和Ti的氮化物的Cu固溶体和Cu2 TiZn组成 ;随着焊接温度从 85 0℃升高 ... 采用 (CuZn) 85Ti15钎料 ,研究了Si3N4 陶瓷活性钎焊的接头微观组织结构 .结果表明 :在合适的钎焊条件下可以获得致密的Si3N4 /Si3N4 接头 ;钎缝主要由含有Ti的硅化物和Ti的氮化物的Cu固溶体和Cu2 TiZn组成 ;随着焊接温度从 85 0℃升高 ,界面反应层增厚 ,填充金属中反应物的数量增多 ,尺寸增大 ;Zn能降低钎焊合金的熔化温度并降低钎焊温度 ,这有利于钎料的流动和润湿钎缝 ;Zn的蒸发将随着钎焊温度的上升而加剧 。 展开更多
关键词 SI3n4陶瓷 钎焊 界面 微观结构 氮化硅 焊接接头 (CuZn)85Ti15钎料
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TiZrCuB非晶钎料钎焊Si_3N_4陶瓷的研究 被引量:5
11
作者 邹家生 许宗阳 许祥平 《江苏科技大学学报(自然科学版)》 CAS 2012年第2期129-132,共4页
采用TiZrCuB非晶钎料钎焊Si3N4陶瓷,研究了钎料成分、钎焊工艺对接头强度和界面结构的影响.研究结果表明:钎料成分和钎焊工艺对接头室温连接强度有明显影响,在相同钎焊条件下,采用非晶钎料钎焊接头的室温强度比同成分的晶态钎料提高35%... 采用TiZrCuB非晶钎料钎焊Si3N4陶瓷,研究了钎料成分、钎焊工艺对接头强度和界面结构的影响.研究结果表明:钎料成分和钎焊工艺对接头室温连接强度有明显影响,在相同钎焊条件下,采用非晶钎料钎焊接头的室温强度比同成分的晶态钎料提高35%;对于TiZrCuB钎料,合金元素Ti的活性大于Zr,接头界面反应层由两部分组成,紧靠陶瓷一侧为TiN层,其余为Zr-Si和Ti-Si化合物层,界面反应层厚度对连接强度的影响存在一最佳值;Ti40Zr25CuB0.2非晶钎料钎焊Si3N4陶瓷接头的高温强度随测试温度升高而降低,当测试温度高于573 K时,其强度急剧下降. 展开更多
关键词 TiZrCuB 非晶钎料 SI3n4陶瓷 连接强度 界面结构
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多孔化改性对g-C_3N_4/CdS复合光催化剂制备及光催化活性的影响 被引量:4
12
作者 曹昉 陈甜 +3 位作者 冯淑婷 刘玉香 李育珍 石建惠 《吉林大学学报(理学版)》 CAS 北大核心 2019年第3期684-690,共7页
以三聚氰胺盐酸盐为前驱体,用高温缩聚方法制备多孔化改性的类石墨相氮化碳(pg-C_3N_4)材料;用水热法制备CdS纳米中空微球,用沉积法将pg-C_3N_4与CdS有效复合,制备pg-C_3N_4/CdS复合光催化剂;用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、Fo... 以三聚氰胺盐酸盐为前驱体,用高温缩聚方法制备多孔化改性的类石墨相氮化碳(pg-C_3N_4)材料;用水热法制备CdS纳米中空微球,用沉积法将pg-C_3N_4与CdS有效复合,制备pg-C_3N_4/CdS复合光催化剂;用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、Fourier变换红外光谱(FTIR)、紫外可见光谱(UV-Vis)、荧光光谱及电化学阻抗谱对样品进行表征;用可见光催化降解染料罗丹明B(RhB)对其光催化活性进行评价,并给出pg-C_3N_4/CdS光催化降解RhB的机理.结果表明:石墨相氮化碳(g-C_3N_4)的多孔化改性有利于其与CdS间形成紧密界面,进而促进pg-C_3N_4/CdS光生电子-空穴的分离和传递,有效提高了其光催化活性和稳定性. 展开更多
关键词 g-C3n4 pg-C3n4 硫化镉 多孔化改性 光催化 紧密界面
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分散方式对Ni-Si_3N_4纳米复合电镀层显微组织和性能的影响 被引量:5
13
作者 李雪松 江中浩 +1 位作者 连建设 李光玉 《吉林大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1317-1322,共6页
采用超声波分散加机械搅拌技术在纯铜板上制备了含有纳米Si3N4颗粒的镍基纳米复合镀层,研究了分散方式对复合镀层中纳米颗粒含量、复合镀层组织结构、显微硬度和磨损性能的影响。利用扫描电镜(SEM)和X-射线衍射仪(XRD)分析了镀层表面的... 采用超声波分散加机械搅拌技术在纯铜板上制备了含有纳米Si3N4颗粒的镍基纳米复合镀层,研究了分散方式对复合镀层中纳米颗粒含量、复合镀层组织结构、显微硬度和磨损性能的影响。利用扫描电镜(SEM)和X-射线衍射仪(XRD)分析了镀层表面的显微组织及相结构,通过磨损实验机检测了复合镀层的耐磨性能。结果表明,采用超声波分散技术可获得组织细密、高显微硬度的纳米复合镀层,其显微硬度最高可达996 HV,耐磨性能较未经超声波分散处理的镀层有显著提高。 展开更多
关键词 材料表面与界面 电沉积 超声波分散 纳米ni-Si3n4复合镀层
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反应磁控溅射法制备nc-TiN/a-Si_3N_4薄膜的Young's模量和内耗 被引量:3
14
作者 李朝升 王先平 +2 位作者 方前锋 S.Veprek 李世直 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1193-1196,共4页
利用振簧技术测量了不同退火状态下的nc-TiN/a-Si3N4超硬薄膜的Yong's模量和内耗随温度的变化关系.在280—300℃附近观察到一个弛豫内耗峰.随着退火温度的升高,该内耗峰逐渐减弱,而Young's模量变化不大.750℃退火后,该内耗峰消... 利用振簧技术测量了不同退火状态下的nc-TiN/a-Si3N4超硬薄膜的Yong's模量和内耗随温度的变化关系.在280—300℃附近观察到一个弛豫内耗峰.随着退火温度的升高,该内耗峰逐渐减弱,而Young's模量变化不大.750℃退火后,该内耗峰消失,而模量却从未退火时的430 GPa激增至530 GPa.初步认为该内耗峰来源于非稳定界面的弛豫过程. 展开更多
关键词 纳米Tin/非晶Si3n4薄膜 内耗 Young’8模量 非稳定界面
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界面反应对铝熔体与Si_3N_4多孔陶瓷界面的润湿作用 被引量:2
15
作者 王扬卫 于晓东 +2 位作者 王富耻 马壮 王璀轶 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期727-730,共4页
应用界面润湿理论从热力学角度计算了铝熔体和Si3N4陶瓷存在界面反应时的润湿角;通过测量不同浸渗时间下浸渗厚度,结合浸渗动力学模型,获得实际浸渗过程中铝合金熔体与Si3N4多孔预制体之间润湿角,并将该试验结果与上述理论计算结果相比... 应用界面润湿理论从热力学角度计算了铝熔体和Si3N4陶瓷存在界面反应时的润湿角;通过测量不同浸渗时间下浸渗厚度,结合浸渗动力学模型,获得实际浸渗过程中铝合金熔体与Si3N4多孔预制体之间润湿角,并将该试验结果与上述理论计算结果相比较。研究表明:Al/Si3N4界面反应过程对熔体与预制体的润湿起到重要作用;应用界面润湿理论计算得到T=1223K(950℃)时,Al/Si3N4界面实际接触角θ值为60.2o,界面反应对界面接触角的贡献达到47.6o,计算结果与浸渗动力学试验吻合。 展开更多
关键词 无压浸渗 复合材料 SI3n4 界面反应 反应润湿
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The improved mechanical properties of Al matrix composites reinforced with oriented β-Si3N4 whisker 被引量:3
16
作者 Chenxu Zhang Yu-Ping Zeng +4 位作者 Dongxu Yao Jinwei Yin Kaihui Zuo Yongfeng Xia Hanqin Liang 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第7期1345-1353,共9页
The β-Si3N4 whiskers (β-Si3N4w) reinforced A1 matrix com posites were first fabricated by hot pressing, then treated through hot extrusion. The microstructure characterization dem onstrated the preferred orientation... The β-Si3N4 whiskers (β-Si3N4w) reinforced A1 matrix com posites were first fabricated by hot pressing, then treated through hot extrusion. The microstructure characterization dem onstrated the preferred orientations of both β-Si3N4w and A1 grains in the as-extruded composites. It indicated th at β-Si3N4w were aligned along the extrusion direction and A1 grains exhibited a distinct <111>ai texture. The interface betw een β-Si3N4w and A1 was in a good bonding status without voids and reaction products. Effects of extrusion process on the mechanical properties of com posites were also investigated. The results indicated the extrusion process had a prom inent strengthening effect on the mechanical properties of composites. The maxim umyield strength and ultim ate tensile strength of com posites reached up to 170 and 289 MPa, respectively, accompanied by a 12.3% elongation at fracture w hen the w hisker fraction was 15 vol.%. This im provem ent was collectively attributed to the densification of composites, the strong interface, and the preferred orientation inside composites. The yield strength of the composites reinforced with 5 vol.%β-Si3N4w corresponded well w ith the theoretical value from different strengthening mechanisms. 展开更多
关键词 Metal-matrix composites (MMC) Β-SI3n4 WHISKERS Preferred orientation interface MECHAnICAL properties EXTRUSIOn
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基于灰度共生矩阵和神经网络的Si_3N_4陶瓷推挤加工表面纹理分析 被引量:3
17
作者 田欣利 王龙 +2 位作者 王望龙 唐修检 吴志远 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期1518-1524,共7页
基于边缘破碎效应驱动裂纹软推挤加工是一项新颖的加工技术。通过采集Si3N4陶瓷的软推挤加工表面形貌,运用灰度共生矩阵(GLCM)分析了对比度、熵、相关性3个特征参数与加工表面纹理分布的内在关系。通过径向基网络和竞争层网络两类神经... 基于边缘破碎效应驱动裂纹软推挤加工是一项新颖的加工技术。通过采集Si3N4陶瓷的软推挤加工表面形貌,运用灰度共生矩阵(GLCM)分析了对比度、熵、相关性3个特征参数与加工表面纹理分布的内在关系。通过径向基网络和竞争层网络两类神经网络的分工协作,对不同加工参数下已加工表面的纹理特征进行预测和分类,其预测结果的相对误差能控制在5%之内。随着对比度和熵越大,相关性越小;分类等级越大,表面平整程度越差。通过系统实验探讨了各加工参数对纹理特征的影响,可靠地评估了加工质量的优劣。随着车刀进给速度或槽深的增大,加工表面质量变差;随着凸缘厚度的增大,加工表面质量先逐渐变差,但经过凸缘厚度2.5 mm分界点后却又有所改善。 展开更多
关键词 材料表面与界面 SI3n4陶瓷 纹理特征 灰度共生矩阵 神经网络
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偏压对CrN/Si_3N_4纳米多层膜结构、硬度和断裂韧性的影响 被引量:2
18
作者 白晓明 张成顺 +2 位作者 佘辉 刘有军 濮春英 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期15-19,共5页
利用磁控溅射法在不同基底偏压条件下制备了CrN/Si3N4纳米多层膜,分别用X射线衍射仪、原子力显微镜及纳米压痕仪表征多层膜的微观结构及力学性能,结果表明,衬底偏压对CrN/Si3N4纳米多层膜微观结构、界面结构、硬度和磨损性能有重要影响... 利用磁控溅射法在不同基底偏压条件下制备了CrN/Si3N4纳米多层膜,分别用X射线衍射仪、原子力显微镜及纳米压痕仪表征多层膜的微观结构及力学性能,结果表明,衬底偏压对CrN/Si3N4纳米多层膜微观结构、界面结构、硬度和磨损性能有重要影响。漂浮电位时多层膜界面粗糙,CrN呈(200)、(111)共同生长,硬度和弹性模量低,有偏压且变化时界面宽度和粗糙度变化不大,硬度和模量变化的主要原因是不同衬底偏压下的晶格畸变导致两层材料弹性模量变化和晶粒尺寸变化。基底偏压的优化有助于改善涂层的屈服应力和断裂韧性。 展开更多
关键词 CRn SI3n4 微观结构 界面结构 力学性能
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脉冲激光诱导液-固界面反应制备石墨相C_3N_4 被引量:2
19
作者 任志昂 王金斌 +1 位作者 刘秋香 杨国伟 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期164-166,共3页
透射电子显微镜 ( TEM)、高分辨电子显微镜 ( HREM)和 X射线光电子谱分析表明 ,通过脉冲激光诱导液氨 -石墨靶界面反应首次合成了石墨相 C3N4。观察到了石墨相 C3N4的 TEM形貌 ;对石墨相 C3N4晶面间距的实验和理论计算值进行了比较 。
关键词 脉冲激光 石墨相 液-固界面 碳氮化物
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Recent progress of g-C_(3)N_(4) applied in solar cells 被引量:2
20
作者 Xiaojie Yang Li Zhao +2 位作者 Shimin Wang Jin Li Bo Chi 《Journal of Materiomics》 SCIE EI 2021年第4期728-741,共14页
Graphite carbon nitride(gC_(3)N_(4)),a two-dimensional polymer semiconductor material,has good semiconductor properties,suitable electronic energy band structure,excellent physical and chemical stability.It is widely ... Graphite carbon nitride(gC_(3)N_(4)),a two-dimensional polymer semiconductor material,has good semiconductor properties,suitable electronic energy band structure,excellent physical and chemical stability.It is widely used in the field of energy and materials science such as photoelectric conversion.In this paper,the progress of g-C_(3)N_(4) in dye sensitized solar cells(DSSC)and perovskite solar cells(PSC)was reviewed.As a new semiconductor material,g-C_(3)N_(4) has the advantages of simple preparation,abundant amino and Lewis basic groups.Therefore,on the basis of excellent structure of g-C_(3)N_(4),its electronic and optical properties are utilized to further expand its application in the field of photoelectric conversion. 展开更多
关键词 g-C3n4 PHOTOAnODE ADDITIVE interface engineering Dye sensitized solar cells Perovskite solar cells
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