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碳化硅结势垒肖特基二极管质子辐照损伤研究 被引量：3
1
作者 刘翠翠 李治明 +4 位作者 韩金华 郭刚 殷倩 张艳文 刘建成 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2023年第2期42-50,共9页
碳化硅功率器件凭借优异性能被抗辐照应用领域寄予厚望。为探究碳化硅功率器件抗中能质子辐照损伤能力,明确其辐射效应退化机制,对标低地球轨道累积十年等效质子位移损伤注量,针对高性能国产碳化硅结势垒肖特基二极管开展了10 MeV质子... 碳化硅功率器件凭借优异性能被抗辐照应用领域寄予厚望。为探究碳化硅功率器件抗中能质子辐照损伤能力,明确其辐射效应退化机制,对标低地球轨道累积十年等效质子位移损伤注量,针对高性能国产碳化硅结势垒肖特基二极管开展了10 MeV质子室温、无偏压辐照实验。测试了器件辐照前后的正向伏安特性、反向伏安特性、电容特性等电学特性,并通过深能级瞬态谱仪分析了辐照缺陷引入特点。结果显示:器件辐照后正向电性能稳定,较低反向安全电压下漏电流减小,注量增加后击穿电压严重退化;分析认为质子辐照导致势垒高度增加、辐照缺陷增加、载流子浓度降低。碳化硅肖特基功率器件的辐射损伤过程及机理研究,为其中能质子环境应用的评估验证提供了数据支撑。 展开更多
关键词 碳化硅结势垒肖特基二极管 中能质子 辐射效应 电学性能 深能级缺陷
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65 nm工艺SRAM中能质子单粒子效应研究
2
作者 陈锡鑫 殷亚楠 +2 位作者 高熠 郭刚 陈启明 《电子与封装》 2023年第7期77-80,共4页
基于一款带错误检测与纠正(EDAC)功能的65 nm体硅CMOS SRAM,开展了中能质子对纳米级集成电路单粒子效应影响的研究。在SRAM本征工作模式和EDAC模式下,得到了2组试验结果。分析试验数据发现:在重离子与中能质子试验中,采用商用6T设计规... 基于一款带错误检测与纠正(EDAC)功能的65 nm体硅CMOS SRAM,开展了中能质子对纳米级集成电路单粒子效应影响的研究。在SRAM本征工作模式和EDAC模式下,得到了2组试验结果。分析试验数据发现:在重离子与中能质子试验中,采用商用6T设计规则的电路均未发生单粒子闩锁现象,但都发生了单粒子多位翻转现象;质子单粒子效应引起的错误数已饱和,而重离子单粒子效应引起的错误数则随能量不断增加,该现象与2种粒子引起单粒子效应的机理有关。质子与重离子饱和截面的差异是由质子核反应的概率导致的,但空间错误率相近。此次试验很好地探索了中能质子对SRAM电路的影响,明确了质子与重离子导致单粒子错误的异同,为SRAM在航天上的应用奠定了基础。 展开更多
关键词 辐射效应 单粒子效应 中能质子 SRAM
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28 nm工艺触发器中能质子单粒子效应研究
3
作者 高熠 陈瑶 +2 位作者 吕伟 赵铭彤 王茂成 《电子与封装》 2023年第6期72-75,共4页
基于采取不同加固措施的28 nm体硅CMOS工艺的触发器链,开展了中能质子对纳米级电路单粒子翻转(SEU)效应影响的研究。选取20 MeV、40 MeV、60 MeV以及100 MeV质子对电路进行辐照,得到相关的SEU截面,结果显示,随着入射质子能量的增加,SEU... 基于采取不同加固措施的28 nm体硅CMOS工艺的触发器链,开展了中能质子对纳米级电路单粒子翻转(SEU)效应影响的研究。选取20 MeV、40 MeV、60 MeV以及100 MeV质子对电路进行辐照,得到相关的SEU截面,结果显示,随着入射质子能量的增加,SEU截面增加,并在60 MeV质子能量点附近达到饱和,翻转截面接近8×10^(-14)cm^(-2)/bit。对采取了不同加固方法的触发器链的试验数据进行分析对比,可以看到,单独的版图加固措施只能稍微降低翻转率;DICE结构可以将翻转截面降低一个数量级,电路面积增加一倍左右;时间冗余延迟+DICE的方法基本可以使电路不发生翻转,但电路面积大大增加且造成一定的延迟。 展开更多
关键词 辐射效应 单粒子翻转 中能质子 触发器
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中能质子在重核上的反应机制研究 被引量：2
4
作者 樊胜 李祝霞 《高能物理与核物理》 EI CSCD 北大核心 2000年第8期755-760,共6页
利用量子分子动力学分析中高能质子轰击薄靶的物理过程研究结果表明 ,当入射质子能量小于 1.5GeV时 ,主要是直接、级联和蒸发 3个过程的竞争和转化 .3个反应过程相应的时间区间分别小于 30fm/c,30— 10 0fm/c和大于10 0fm/c .量子分子... 利用量子分子动力学分析中高能质子轰击薄靶的物理过程研究结果表明 ,当入射质子能量小于 1.5GeV时 ,主要是直接、级联和蒸发 3个过程的竞争和转化 .3个反应过程相应的时间区间分别小于 30fm/c,30— 10 0fm/c和大于10 0fm/c .量子分子动力学分析 (p ,xn) 展开更多
关键词 量子分子动力学 中能质子 反应机制 重核
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中能质子与^4He原子核弹性散射中N-N振幅的相改变 被引量：1
5
作者 王世来 邓一兵 宋桂莲 《高能物理与核物理》 EI CSCD 北大核心 2005年第7期664-667,共4页
在KMT多重散射理论框架下,应用动量空间一级光学势,基于Franco和Yin关于核子-核子散射振幅的相随动量转移而改变的建议,研究了入射能量为1GeV时的质子-4He弹性散射.发现这个相改变使得KMT类型的理论计算的微分散射截面和极化本领与实验... 在KMT多重散射理论框架下,应用动量空间一级光学势,基于Franco和Yin关于核子-核子散射振幅的相随动量转移而改变的建议,研究了入射能量为1GeV时的质子-4He弹性散射.发现这个相改变使得KMT类型的理论计算的微分散射截面和极化本领与实验符合得更好. 展开更多
关键词 弹性散射 中能质子 原子核 微分散射截面 核子-核子 理论框架 多重散射 动量空间 动量转移 散射振幅 理论计算 入射能量 光学势
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