采用真空热蒸发法制备SnS与In_2S_3薄膜,研究在不同热退火温度下对SnS与In_2S_3薄膜的物相和光学特性的影响。退火处理后的SnS薄膜的吸收边位置大约在1.5 e V,In_2S_3薄膜有较高的透过率,可以满足太阳电池的光学性能要求。制备得到结构...采用真空热蒸发法制备SnS与In_2S_3薄膜,研究在不同热退火温度下对SnS与In_2S_3薄膜的物相和光学特性的影响。退火处理后的SnS薄膜的吸收边位置大约在1.5 e V,In_2S_3薄膜有较高的透过率,可以满足太阳电池的光学性能要求。制备得到结构为ITO/In_2S_3/SnS/In/Ag的异质结器件,并讨论退火温度对其整流特性的影响,当退火温度为300℃,器件整流特性最佳。展开更多
研究了一种基于波分复用原理的准分布式光纤表面等离子体波传感器。应用光波导理论和多层膜反射理论分析了表面等离子体波效应在同一光纤探头中连续被激励的原理及其传感模型。通过数值模拟和相应实验分别考察了蒸镀调制层对表面等离子...研究了一种基于波分复用原理的准分布式光纤表面等离子体波传感器。应用光波导理论和多层膜反射理论分析了表面等离子体波效应在同一光纤探头中连续被激励的原理及其传感模型。通过数值模拟和相应实验分别考察了蒸镀调制层对表面等离子体波共振（SPR）效果的影响，并在此基础上给出了设计的一般步骤和原则。实验结果表明，蒸镀不同厚度的Ta2O5薄膜将导致表面等离子体波共振光谱发生偏移，且随着膜厚增加而逐渐发生红移；当液体折射率no处于1．333～1．388之间时，蒸镀有Ta2O5薄膜的光纤表面等离子体波传感器波长灵敏度达到2235nm／RIU（Refractive Index Unit）；通过在一支光纤探头上依次加工两个表面等离子体波传感区域，实现了对光波信号的连续调制。展开更多
文摘采用真空热蒸发法制备SnS与In_2S_3薄膜,研究在不同热退火温度下对SnS与In_2S_3薄膜的物相和光学特性的影响。退火处理后的SnS薄膜的吸收边位置大约在1.5 e V,In_2S_3薄膜有较高的透过率,可以满足太阳电池的光学性能要求。制备得到结构为ITO/In_2S_3/SnS/In/Ag的异质结器件,并讨论退火温度对其整流特性的影响,当退火温度为300℃,器件整流特性最佳。
文摘研究了一种基于波分复用原理的准分布式光纤表面等离子体波传感器。应用光波导理论和多层膜反射理论分析了表面等离子体波效应在同一光纤探头中连续被激励的原理及其传感模型。通过数值模拟和相应实验分别考察了蒸镀调制层对表面等离子体波共振（SPR）效果的影响，并在此基础上给出了设计的一般步骤和原则。实验结果表明，蒸镀不同厚度的Ta2O5薄膜将导致表面等离子体波共振光谱发生偏移，且随着膜厚增加而逐渐发生红移；当液体折射率no处于1．333～1．388之间时，蒸镀有Ta2O5薄膜的光纤表面等离子体波传感器波长灵敏度达到2235nm／RIU（Refractive Index Unit）；通过在一支光纤探头上依次加工两个表面等离子体波传感区域，实现了对光波信号的连续调制。
