Si(111)邻位面衬底上InSb薄膜的外延生长及其可见光电导特性

1

作者 杜绍增 方晨旭 +1 位作者 刘婷 李含冬 《半导体光电》 CAS 北大核心 2024年第5期811-816,共6页

锑化铟(InSb)因其在红外探测、高速电子学和量子计算等领域的卓越性能备受关注。文章探索了Si(111)邻位面衬底上InSb薄膜的异质外延生长,并研究了其光电导特性。尝试采用Bi缓冲层结合InSb两步法生长策略解决Si与InSb晶格失配和热膨胀系... 锑化铟(InSb)因其在红外探测、高速电子学和量子计算等领域的卓越性能备受关注。文章探索了Si(111)邻位面衬底上InSb薄膜的异质外延生长,并研究了其光电导特性。尝试采用Bi缓冲层结合InSb两步法生长策略解决Si与InSb晶格失配和热膨胀系数差异大的问题,在平坦Si(111)衬底上获得了高质量InSb(111)单晶薄膜。然而,在具有高密度台阶结构特征的Si(111)斜切衬底表面上生长得到的Bi(001)缓冲层存在大量倒反畴缺陷,在该表面上进一步生长得到的InSb薄膜均为多晶结构。所制备的InSb/Bi/Si异质结构在模拟日光辐照条件下显示出负光电导效应,应与异质结构界面态对InSb层光生载流子的捕获效应有关。 展开更多

关键词 insb薄膜 SI衬底 临位面外延 Bi缓冲层

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溅射法制备InSb薄膜工艺探索——In与Sb的原子比问题 被引量：4

2

作者 温作晓 孙承松 +2 位作者 魏永广 关艳霞 周立军 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2001年第7期35-36,共2页

介绍一种基于原子比为 1:1的InSb靶制备原子比为 1:1的InSb薄膜的方法 ,实验结果表明 。

关键词 溅射 insb薄膜 原子比 磁敏元件 磁敏传感器

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InSb-In共晶体磁阻薄膜的制备及特性分析

3

作者 李锋 《黑龙江科学》 2024年第12期90-93,共4页

利用纯度为99.99%的铟和锑单质为原料,采用真空蒸发法,制备了InSb-In共晶体磁阻薄膜,对薄膜进行热处理。通过实验对锑化铟薄膜的物相构成、表面形貌进行分析,探讨成膜条件、退火条件等因素对薄膜结构及性能的影响。结果表明,InSb薄膜是I... 利用纯度为99.99%的铟和锑单质为原料,采用真空蒸发法,制备了InSb-In共晶体磁阻薄膜,对薄膜进行热处理。通过实验对锑化铟薄膜的物相构成、表面形貌进行分析,探讨成膜条件、退火条件等因素对薄膜结构及性能的影响。结果表明,InSb薄膜是InSb和In的共晶体。 展开更多

关键词 insb薄膜 真空蒸发 热处理 灵敏度

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热处理条件对溅射法制得的InSb薄膜特性的影响 被引量：2

4

作者 关艳霞 孙承松 温作晓 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2000年第9期15-16,共2页

文中从理论和实验分析了热处理条件对溅射法制得的InSb薄膜特性的影响。热处理温度、时间和升降温速率都对薄膜特性有影响 ,通过实验得出了最佳的热处理温度、恒温时间和升降温速率。最后讨论了热处理过程中所采用的

关键词 insb薄膜 热处理 溅射制膜 霍尔输出特性

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InSb薄膜热导率温度特性及传热机理 被引量：1

5

作者 黄正兴 孙豪 +1 位作者 李奇松 管相宇 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期519-525,共7页

InSb薄膜广泛应用于高精度的光电存储、红外探测和红外热成像技术以及超分辨掩膜层技术中.热导率及其温度特性是影响薄膜实际应用的关键因素.采用瞬态热反射方法测试了厚度为70~200nm的InSb薄膜在非晶态和晶态下热导率,并探讨了其中的... InSb薄膜广泛应用于高精度的光电存储、红外探测和红外热成像技术以及超分辨掩膜层技术中.热导率及其温度特性是影响薄膜实际应用的关键因素.采用瞬态热反射方法测试了厚度为70~200nm的InSb薄膜在非晶态和晶态下热导率,并探讨了其中的传热机理.对于晶态InSb薄膜,热导率为(0.55±0.055)W/(m·K),并且随温度的变化不明显;而非晶态InSb薄膜在温度450K以下时热导率为(0.37±0.037)W/(m·K).当温度在450K以上时,由于薄膜从非晶态转化为晶态,其热导率经历了一个突然的升高过程.无论是晶态还是非晶态薄膜样品,热导率与薄膜厚度都没有明显依赖关系.研究结果可以为InSb薄膜的实际应用提供有益的参考. 展开更多

关键词 insb薄膜 晶态和非晶态 热导率 温度特性

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InSb薄膜的剪切性能研究

6

作者 丁逸轩 陆忠涛 李国栋 《固体力学学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第2期157-171,共15页

InSb薄膜广泛应用于高精度的光电存储、红外探测等技术中.为了提高InSb材料的剪切强度,优化其力学性能,论文对InSb薄膜分别从不同厚度、温度、滑移系取向、孔洞密度等几个方面,对InSb薄膜的剪力响应及其原子构型演变进行分析,以研究其... InSb薄膜广泛应用于高精度的光电存储、红外探测等技术中.为了提高InSb材料的剪切强度,优化其力学性能,论文对InSb薄膜分别从不同厚度、温度、滑移系取向、孔洞密度等几个方面,对InSb薄膜的剪力响应及其原子构型演变进行分析,以研究其剪切强度和韧性的影响因素.发现厚度较大的薄膜具有更大的弹性模量和极限强度.而温度升高会导致材料的强度极限以及剪切韧性降低.同时还观察到10%孔洞密度下孔洞形状对材料的剪切性能有明显影响而20%孔洞密度下形状不再明显影响材料的剪切性能.此外在不同滑移系取向的研究中发现,滑移系取向对于材料的剪切强度和剪切韧性的影响是不同步的,例如(110)[1-10]滑移系下剪切强度降低而剪切韧性增强.上述结论对于提升InSb材料的剪切性能,合成出具有优异力学性能的InSb光电、磁敏材料具有指导意义. 展开更多

关键词 分子动力学 insb薄膜 剪切性能

原文传递

Zn掺杂InSb薄膜的电特性 被引量：1

7

作者 李英哲 吴勇 +3 位作者 姜勇 汪庭文 李武哲 韩明日 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第9期1012-1018,共7页

研究了Zn掺杂InSb蒸镀薄膜杂质浓度和热处理条件对其电性能的影响。InSb薄膜采用三温度法在云母基片上制备,利用蒸镀Zn扩散后进行区熔再结晶的方法掺杂Zn杂质。在进行区熔再结晶时为了防止InSb分解和Sb的蒸发,用磁控溅射方法在InSb薄膜... 研究了Zn掺杂InSb蒸镀薄膜杂质浓度和热处理条件对其电性能的影响。InSb薄膜采用三温度法在云母基片上制备,利用蒸镀Zn扩散后进行区熔再结晶的方法掺杂Zn杂质。在进行区熔再结晶时为了防止InSb分解和Sb的蒸发,用磁控溅射方法在InSb薄膜上生长厚度为300 nm的Si O2。测试结果表明最好的热处理条件为Ar气氛温度200℃、熔融区的移动速度1×10-5m·s^(-1)和熔融区通过数3。Zn成为受主,室温下测量Zn掺杂浓度为1.47×1022m-3的InSb薄膜的电子迁移率为5.65 m2·V-1·s^(-1)。Zn的掺杂浓度大于1.47×1022m-3时电子迁移率急剧减少,最大的霍尔常数为385 cm3·C-1。在1.5 T磁场下Zn掺杂浓度为3.16×1022m-3时,InSb薄膜电阻率的相对变化达到最大值为3.63,是未掺杂薄膜的2.46倍。 展开更多

关键词 insb薄膜 Zn掺杂 磁阻效应 区熔再结晶 电子迁移率

原文传递

InSb 薄膜磨抛工艺技术的研究 被引量：1

8

作者 孔海霞 于成民 +1 位作者 孙仁涛 刘佩瑶 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 1998年第10期13-15,共3页

】在ＩｎＳｂ薄膜制备过程中，用机械磨抛的方法，探索了Ｉｎ２Ｏ３氧化膜的去除和ＩｎＳｂ敏感膜层的减薄、抛光等技术问题，从而提出一种新型磨抛工艺。文章介绍了该工艺的基本原理及不同工艺规范的磨抛结果。

关键词 insb薄膜 磨抛工艺 补偿技术 传感器

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InSb薄膜的真空蒸发及磁敏霍尔元件的制作 被引量：1

9

作者 胡明 刘志刚 +1 位作者 张之圣 王文生 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期498-501,共4页

利用单源真空蒸发方法制备InSb薄膜。研究了基片温度控制和膜层厚度对薄膜电子迁移率的影响。室温下测得InSb薄膜的电子迁移率为4×104cm2／V.s，晶粒尺寸达微米数量级。制作的磁敏霍尔元件输入与输出电阻范围为200～500Ω，乘积灵... 利用单源真空蒸发方法制备InSb薄膜。研究了基片温度控制和膜层厚度对薄膜电子迁移率的影响。室温下测得InSb薄膜的电子迁移率为4×104cm2／V.s，晶粒尺寸达微米数量级。制作的磁敏霍尔元件输入与输出电阻范围为200～500Ω，乘积灵敏度达90～150V／A·T。 展开更多

关键词 insb薄膜 真空蒸发 霍尔元件 电子迁移率

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晶态InSb薄膜在脉冲YAG激光作用下的熔化与再结晶过程的研究

10

作者 孙旸 邓和 干福熹 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第6期444-447,共4页

观察了不同能量的YAG激光脉冲辐照引起的晶态InSb薄膜熔化与再结晶的瞬态过程,分析了InSb薄膜在激光作用下发生相变的时间过程和微观机制。

关键词 insb薄膜 激光 相变 热熔化

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InSb缓冲层的波纹结构及其对InSb/GaAs外延薄膜电学性能的影响

11

作者 熊敏 李美成 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2011年第3期480-483,共4页

采用分子束外延方法在GaAs（001）衬底上生长了InSb外延薄膜,其中采用＂二步法＂制备了不同厚度的低温InSb缓冲层结构。利用Mullins扩散模型对缓冲层的生长过程进行了具体演化。结合扩散模型的计算结果,通过原子力显微镜以及透射电子显... 采用分子束外延方法在GaAs（001）衬底上生长了InSb外延薄膜,其中采用＂二步法＂制备了不同厚度的低温InSb缓冲层结构。利用Mullins扩散模型对缓冲层的生长过程进行了具体演化。结合扩散模型的计算结果,通过原子力显微镜以及透射电子显微镜研究了InSb缓冲层表面的波纹结构对后续InSb薄膜生长的影响规律。研究表明,适当的缓冲层厚度有利于InSb薄膜的外延生长,缓冲层厚度超过60 nm后,InSb薄膜表面的粗糙度明显增加,引人了大量位错导致外延薄膜的电性能下降,采用＂二步法＂生长30~50 nm厚的InSb缓冲层比较合适。 展开更多

关键词 insb薄膜 Mullins方程 分子束外延

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InSb/InAsSb Strained Layer Superlattice Grown by MBE

12

作者 谢国柱 高新江 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1992年第4期363-366,共4页

叙述了采用国产 MBE 装置,在 GaAs 或 InSb 衬底上生长 InSb,InAsSb薄膜材料一些基础研究工作。采用二步生长法在 GaAs 衬底上生长优质 InSb 薄膜,厚度4.8μm,其室温迁移率达到4.3×10~4cm^2V·s,载流子浓度为2.4×10^(18)c... 叙述了采用国产 MBE 装置,在 GaAs 或 InSb 衬底上生长 InSb,InAsSb薄膜材料一些基础研究工作。采用二步生长法在 GaAs 衬底上生长优质 InSb 薄膜,厚度4.8μm,其室温迁移率达到4.3×10~4cm^2V·s,载流子浓度为2.4×10^(18)cm^(-3),77K 时载流子浓度为7.49×10^(15)cm^(-3);并在生长各种类型 InAsSb 超晶格材料的基础上,首次生长了 InAs_(0·05)Sb_(0·95)/InSb 应变层超晶格结构材料,其周期厚度为21nm,InSb 应变层与 InSb 层之间的共格度为0.65,本文还将叙述制作 InAsSb 长波红外探测器的具体工艺及其一些想法。 展开更多

关键词 超晶格 insb薄膜 红外探测器

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溅射法制备InSb薄膜工艺探索——In的氧化及热处理保护 被引量：1

13

作者 孙承松 魏永广 +2 位作者 关艳霞 周立军 温作晓 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2001年第8期33-34,共2页

介绍了用RF溅射法制备InSb薄膜时 ,如何克服In的氧化问题的措施及防止InSb薄膜在热处理过程中继续氧化和挥发的方法。对实验结果进行了电镜和俄歇电子能谱测试分析。结果表明 ,只要控制好工艺条件 ,可以获得较好的效果。

关键词 溅射insb薄膜 氧化 热处理

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分子束外延InSb薄膜材料的表面微观形貌研究

14

作者 周朋 刘铭 《红外》 CAS 2017年第2期7-10,共4页

用原子力显微镜等方法研究了在InSb(001)衬底和(001)偏(111)B面2°衬底上分子束外延生长的同质外延薄膜和掺Al薄膜样品表面的微观形貌。对比了不同衬底同质外延时生长模式的差异,并观察了加入Al后引入的交叉影线,分析了其产生的原... 用原子力显微镜等方法研究了在InSb(001)衬底和(001)偏(111)B面2°衬底上分子束外延生长的同质外延薄膜和掺Al薄膜样品表面的微观形貌。对比了不同衬底同质外延时生长模式的差异,并观察了加入Al后引入的交叉影线,分析了其产生的原因。研究表明,使用有偏角的衬底更有利于减少分子束外延薄膜的表面缺陷。 展开更多

关键词 insb薄膜材料 原子力显微镜 微观形貌 衬底偏角

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CCl_2F_2等离子体干法刻蚀InSb-In薄膜的研究 被引量：1

15

作者 赵智昊 陈俊芳 +2 位作者 黄钊洪 吴先球 熊予莹 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2003年第4期8-10,共3页

用朗缪尔探针诊断了反应室内的等离子体密度,研究了CCl2F2等离子体对InSb In薄膜的刻蚀,结果表明该实验装置能够产生高密度等离子体,在刻蚀样品表面等离子体密度达到6.7170×1010cm-3,CCl2F2等离子体能有效地对InSb In薄膜进行刻蚀。

关键词 等离子体 干法刻蚀 锑化铟-铟薄膜 CCl2F2 insb-In薄膜 磁传感器

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InSb薄膜制备工艺发展综述

16

作者 李锋 《消费电子》 2012年第08X期208-208,共1页

综述了InSb薄膜的制备方法，氧化和热处理工艺，以及InSb薄膜的发展现状，介绍了InSb薄膜的分析方法和在各类磁阻元件和传感器中的应用。

关键词 insb薄膜 真空蒸镀 热处理 灵敏度

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磁电转换器件

17

《机电新产品导报》 1994年第4期82-82,共1页

磁电转换元件系指薄膜型锑化铟(InSb)霍尔元件,将磁信号直接或间接转换为电信号。锑化铟霍尔元件采用化合物半导体薄膜工艺制成,成功地解决了InSb薄膜材料制造技术、高迁移率InSb薄膜的热处理技术、多种材料的选择性腐蚀加工技术及InSb... 磁电转换元件系指薄膜型锑化铟(InSb)霍尔元件,将磁信号直接或间接转换为电信号。锑化铟霍尔元件采用化合物半导体薄膜工艺制成,成功地解决了InSb薄膜材料制造技术、高迁移率InSb薄膜的热处理技术、多种材料的选择性腐蚀加工技术及InSb薄膜材料的欧姆接触技术等。锑化铟霍尔元件是单个霍尔元件中灵敏度最高、价格最低、用量最大的一种。 展开更多

关键词 霍尔元件 电转换器 锑化铟 薄膜材料 化合物半导体 无刷电机 insb薄膜 欧姆接触 选择性腐蚀 热处理技术

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