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有效跨导为1052mS/mm的高性能InP基In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.53)Ga_(0.47)As HEMTs(英文) 被引量：5
1
作者 钟英辉 王显泰 +4 位作者 苏永波 曹玉雄 张玉明 刘新宇 金智 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期193-197,288,共6页
成功研制了栅长为0.15μm、栅宽为2×50μm、源漏间距为2μm的InP基In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As高电子迁移率器件.室温下,当器件VDS为1.7 V、VGS为0.1 V时,其有效跨导达到了1 052 mS/mm.传输线方法(TLM)测试显示器件的接触电阻为... 成功研制了栅长为0.15μm、栅宽为2×50μm、源漏间距为2μm的InP基In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As高电子迁移率器件.室温下,当器件VDS为1.7 V、VGS为0.1 V时,其有效跨导达到了1 052 mS/mm.传输线方法(TLM)测试显示器件的接触电阻为0.032Ω.mm,器件欧姆接触电阻率为1.03×10-7Ω.cm-2.正是良好的欧姆接触及其短的源漏间距减小了源电阻,进而使得有效跨导比较大.器件有比较好的射频特性.从100 MHz到40 GHz,S参数外推出来的fT和fmax分别为151 GHz和303 GHz.所报道的HEMT器件非常适合毫米波段集成电路的研制. 展开更多
关键词 高电子迁移率器件 栅长 栅槽 InP inalas INGAAS
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采用InGaAs或InAlAs缓冲层的高In组分InGaAs探测器结构材料特性(英文) 被引量：3
2
作者 顾溢 王凯 +3 位作者 李成 方祥 曹远迎 张永刚 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期481-485,共5页
利用气态源分子束外延在InP衬底上生长了具有InxGa1-xAs或InxAl1-xAs连续递变缓冲层的高In组分In0.78Ga0.22As探测器结构.通过原子力显微镜、X射线衍射、透射电子显微镜和光致发光对它们的特性进行了表征和比较.结果表明,具有InxGa1-xAs... 利用气态源分子束外延在InP衬底上生长了具有InxGa1-xAs或InxAl1-xAs连续递变缓冲层的高In组分In0.78Ga0.22As探测器结构.通过原子力显微镜、X射线衍射、透射电子显微镜和光致发光对它们的特性进行了表征和比较.结果表明,具有InxGa1-xAs或InxAl1-xAs缓冲层的结构都能获得较平整的表面;具有InxGa1-xAs缓冲层的探测器结构表现出更大的剩余应力;具有InxAl1-xAs缓冲层的探测器结构所观察到的光学特性更优. 展开更多
关键词 光电探测器 高In组分 缓冲层 INGAAS inalas
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一种25 Gbit/s背入射高速InAlAs雪崩光电二极管 被引量：1
3
作者 黄晓峰 陈伟 +5 位作者 董绪丰 敖天宏 王立 唐艳 张圆圆 罗鸣 《半导体光电》 CAS 北大核心 2022年第1期122-125,共4页
设计并制备了一种面向25 Gbit/s长距离传输用背面进光高速InAlAs雪崩光电二极管(APD),芯片采用垂直台面吸收-渐变-电荷-倍增层分离(SAGCM)结构,通过刻蚀工艺形成三层台面,将电场限制在最大台面倍增层的中心,有效降低了台面边缘击穿风险... 设计并制备了一种面向25 Gbit/s长距离传输用背面进光高速InAlAs雪崩光电二极管(APD),芯片采用垂直台面吸收-渐变-电荷-倍增层分离(SAGCM)结构,通过刻蚀工艺形成三层台面,将电场限制在最大台面倍增层的中心,有效降低了台面边缘击穿风险。器件采用倒装焊结构,背面集成微透镜,以提高光耦合孔径。研制的APD芯片在增益M=1时,对1310 nm波长光的响应度为0.84 A/W;在M=10时,3 dB带宽达到19 GHz;增益带宽积为180 GHz;在5×10^(-5)误码率下最佳灵敏度为-22.3 dBm,可支持100GBASE-ER4通信标准。 展开更多
关键词 25 Gbit/s 雪崩光电二极管 inalas SAGCM 微透镜 100GBASE-ER4
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基于MIS电容器的Al_(2)O_(3)与In_(0.74)Al_(0.26)As的界面特性
4
作者 万露红 邵秀梅 +3 位作者 李雪 顾溢 马英杰 李淘 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第2期384-388,共5页
采用In_(0.74)Al_(0.26)As/In_(0.74)Ga_(0.26)As/In_(x)Al_(1-x)As异质结构多层半导体作为半导体层,制备了金属-绝缘体-半导体(MIS)电容器。其中,SiN_(x)和SiN_(x)/Al_(2)O_(3)分别作为MIS电容器的绝缘层。高分辨率透射电子显微镜和X... 采用In_(0.74)Al_(0.26)As/In_(0.74)Ga_(0.26)As/In_(x)Al_(1-x)As异质结构多层半导体作为半导体层,制备了金属-绝缘体-半导体(MIS)电容器。其中,SiN_(x)和SiN_(x)/Al_(2)O_(3)分别作为MIS电容器的绝缘层。高分辨率透射电子显微镜和X射线光电子能谱的测试结果表明,与通过电感耦合等离子体化学气相沉积生长的SiN_(x)相比,通过原子层沉积生长的Al_(2)O_(3)可以有效地抑制Al_(2)O_(3)和In_(0.74)Al_(0.26)As界面的In2O3的含量。根据MIS电容器的电容-电压测量结果,计算得到SiN_(x)/Al_(2)O_(3)/In_(0.74)Al_(0.26)As的快界面态密度比SiN_(x)/In_(0.74)Al_(0.26)As的快界面态密度低一个数量级。因此,采用原子层沉积生长的Al_(2)O_(3)作为钝化膜可以有效地降低Al_(2)O_(3)和In_(0.74)Al_(0.26)As之间的快界面态密度,从而降低In_(0.74)Ga_(0.26)As探测器的暗电流。 展开更多
关键词 inalas 原子层沉积 Al_(2)O_(3) SiN_(x)金属-绝缘体-半导体电容器 界面态密度
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低温InGaAs/InAlAs多量子阱的分子束外延生长与表征
5
作者 万文坚 尹嵘 +3 位作者 韩英军 王丰 郭旭光 曹俊诚 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期1523-1526,共4页
采用气源分子束外延(GSMBE)生长了低温InGaAs材料,研究了生长温度及As压对InGaAs材料性质的影响,得到优化的生长条件为:生长温度为300℃、As压为77.3kPa。通过Be掺杂,并采用In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As多量子阱结构,将材料的方块电... 采用气源分子束外延(GSMBE)生长了低温InGaAs材料,研究了生长温度及As压对InGaAs材料性质的影响,得到优化的生长条件为:生长温度为300℃、As压为77.3kPa。通过Be掺杂,并采用In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As多量子阱结构,将材料的方块电阻提高到1.632×106Ω/Sq,载流子数密度降低至1.058×1014 cm-3。X射线衍射结果表明:InGaAs多量子阱材料具有较高的晶体质量。这种Be掺杂InGaAs多量子阱材料缺陷密度大且电阻率高,是制作太赫兹光电导天线较理想的基质材料。 展开更多
关键词 低温InGaAs INGAAS inalas 多量子阱 分子束外延
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组分过冲对InP基InAlAs递变缓冲层的影响(英文)
6
作者 方祥 顾溢 +5 位作者 张永刚 周立 王凯 李好斯白音 刘克辉 曹远迎 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期481-485,490,共6页
通过在InP基InxAl1-x As递变缓冲层上生长In0.78Ga0.22As/In0.78Al0.22As量子阱和In0.84Ga0.16As探测器结构,研究了缓冲层中组分过冲对材料特性的影响.原子力显微镜结果表明,在InAlAs缓冲层中采用组分过冲可以使量子阱及探测器样品表面... 通过在InP基InxAl1-x As递变缓冲层上生长In0.78Ga0.22As/In0.78Al0.22As量子阱和In0.84Ga0.16As探测器结构,研究了缓冲层中组分过冲对材料特性的影响.原子力显微镜结果表明,在InAlAs缓冲层中采用组分过冲可以使量子阱及探测器样品表面粗糙度都得到降低.对于相对较薄的量子阱结构,X射线衍射倒易空间扫描图和光致发光谱的测量表明,使用组分过冲可以增加弛豫度、减小剩余应力并改善光学性质.而对于较厚的探测器结构,X射线衍射和光致发光谱测试发现使用组分过冲后的材料性质没有明显的变化.量子阱和探测器结构的这些不同特性需要在器件设计应用中加以考虑. 展开更多
关键词 inalas 缓冲层 X射线衍射 光致发光
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基于InP衬底的应变和应变补偿的InGaAs/InAlAs材料的高分辨X射线衍射分析(英文)
7
作者 梅斌 徐刚毅 +3 位作者 李爱珍 李华 李耀耀 魏林 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期889-894,共6页
高分辨率X射线衍射技术被用来分析基于InP衬底的应变的InGaAs和InAlAs单层材料和应变补偿的InGaAs/InAlAs超晶格材料。通过倒空间mapping得到的单层材料的错向角大约为10-3度,可以忽略不计。通过摇摆曲线得到了单层材料的组分和体失配度... 高分辨率X射线衍射技术被用来分析基于InP衬底的应变的InGaAs和InAlAs单层材料和应变补偿的InGaAs/InAlAs超晶格材料。通过倒空间mapping得到的单层材料的错向角大约为10-3度,可以忽略不计。通过摇摆曲线得到了单层材料的组分和体失配度,接着单层材料的结果被用来分析在相同的条件下利用MBE技术生长的超晶格材料。利用倒空间mapping精确得到了超晶格的平均垂直失配度和各层的厚度,通过X射线模拟软件得到的超晶格材料的模拟曲线和实测曲线吻合的很好。 展开更多
关键词 高分辨X射线衍射 InGaAs inalas 错向角 摇摆曲线 倒空间mapping
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InGaAs/InAlAs量子级联激光器研究 被引量：1
8
作者 张权生 刘峰奇 +3 位作者 张永照 王占国 Honghai Gao A.Krier 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期41-43,共3页
简要报道了自行研制的 In Ga As/ In Al As量子级联激光器的制备及其主要特性 .该器件具有增强型脊型波导结构 ,在 80 K时阈值电流为 0 .5 A,相应的阈值电流密度为 5 KA/ cm2 .
关键词 量子级联 激光器 制备 V-I特性 光功率/电流特性 发光特性 InGaAs inalas 半导体激光器
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不同尺寸分布的自组织In_(0.55)Al_(0.45)As/Al_(0.5)Ga_(0.5)As量子点的静压光谱
9
作者 陈晔 张旺 +4 位作者 李国华 韩和相 汪兆平 周伟 王占国 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第11期1092-1098,共7页
在 1 5K测量了不同尺寸分布的 In0 .55Al0 .4 5As/Al0 .5Ga0 .5As量子点的静压光致发光 ,静压范围为 0 - 1 .3GPa.常压下观察到三个发光峰 ,分别来源于不同尺寸的量子点 (横向直径分别为2 6、52和 62 nm)的发光 .它们的压力系数分别为 8... 在 1 5K测量了不同尺寸分布的 In0 .55Al0 .4 5As/Al0 .5Ga0 .5As量子点的静压光致发光 ,静压范围为 0 - 1 .3GPa.常压下观察到三个发光峰 ,分别来源于不同尺寸的量子点 (横向直径分别为2 6、52和 62 nm)的发光 .它们的压力系数分别为 82、94和 98me V/GPa,都小于 In0 .55Al0 .4 5As体材料带边的压力系数 ,特别是尺寸为 2 6nm的小量子点比 In0 .55Al0 .4 5As体材料带边小 1 7% ,并且压力系数随量子点尺寸的变小而减小 .理论计算表明有效质量的增大和 Γ- X混合是量子点压力系数变小的主要原因 ,并得到横向直径为 2 6和 52 nm的小量子点的 Γ- X混合势为 1 5和1 0 me V.根据实验还确定 In0 .55Al0 .4 5As/Al0 .5Ga0 .5As量子点系统 X能带具有 类结构 ,并且估算出价带不连续量为 0 .1 5± 0 .0 展开更多
关键词 ALGAAS inalas 量子点 光致发光 静压光谱
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InAlAs/InGaAs调制掺杂场效应晶体管研究
10
作者 敖金平 曾庆明 《半导体情报》 1992年第3期22-34,共13页
从理论上和实验上对InAlAs/InGaAs调制掺杂场效应晶体管(MODFET)进行了研究。建立了简单的一维电荷控制模型,并进行二维数值模拟,得到了不同偏压下器件内部电势分布和电子浓度分布。在上述理论的指导下,设计了我们所需要的器件纵向和横... 从理论上和实验上对InAlAs/InGaAs调制掺杂场效应晶体管(MODFET)进行了研究。建立了简单的一维电荷控制模型,并进行二维数值模拟,得到了不同偏压下器件内部电势分布和电子浓度分布。在上述理论的指导下,设计了我们所需要的器件纵向和横向结构,并对设计器件的直流特性进行了计算机辅助分析。最后叙述了利用国产Ⅳ型MBE设备生长的材料制作出MODFET的工艺过程,并对器件的直流特性和射频特性进行了测试和分析。直流测试表明,器件的最大饱和电流密度为125mA/mm,最大非本征跨导达250mS/mm;射频测试得到器件(L_g=1.0～1.2βm,W_g=150μm)的特征频率f_T为26GHz,最高振荡频率f_(max)为43GHz。 展开更多
关键词 调制掺杂 场效应 晶体管 inalas
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MOVPE法在In0.52Al0.48As上沉积PdAl肖特基结
11
作者 青春 《电子材料快报》 1996年第7期11-12,共2页
关键词 半导体 MOVPE法 inalas PdAe 肖特基结
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用Cl2对InAlAs／InP进行RBIBE
12
作者 笑生 《等离子体应用技术快报》 1996年第3期4-5,共2页
关键词 inalas 磷化铟 离子蚀刻
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HEMT是如何工作的 被引量：3
13
作者 李和委 《半导体情报》 2000年第3期17-25,共9页
关键词 INP HEMT InCaAs/inalas 晶体管
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电流增益截止频率为441 GHz的InGaAs/InAlAs InP HEMT
14
作者 封瑞泽 曹书睿 +4 位作者 冯识谕 周福贵 刘同 苏永波 金智 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期329-333,共5页
本文设计并制作了fT>400 GHz的In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As铟磷高电子迁移率晶体管(InP HEMT)。采用窄栅槽技术优化了寄生电阻。器件栅长为54.4 nm,栅宽为2×50μm。最大漏极电流IDS.max为957 mA/mm,最大跨导gm.... 本文设计并制作了fT>400 GHz的In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As铟磷高电子迁移率晶体管(InP HEMT)。采用窄栅槽技术优化了寄生电阻。器件栅长为54.4 nm,栅宽为2×50μm。最大漏极电流IDS.max为957 mA/mm,最大跨导gm.max为1265 mS/mm。即使在相对较小的VDS=0.7 V下,电流增益截止频率fT达到了441 GHz,最大振荡频率fmax达到了299 GHz。该器件可应用于太赫兹单片集成放大器和其他电路中。 展开更多
关键词 铟磷高电子迁移率晶体管(InP HEMTs) INGAAS/inalas 电流增益截止频率(f_(T)) 最大振荡频率(f_(max)) 栅槽
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InAlAsInGaAs HEMT跨阻前置放大器的设计与实现 被引量：2
15
作者 王蓉 王志功 +3 位作者 柯锡明 敖金平 李献杰 刘伟吉 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期46-49,共4页
提出了基于耗尽型InAlAs InGaAsHEMT器件的光纤通信接收机中的单电源跨阻前置放大器电路 ,并给出了设计方法与实验结果 .该前置放大器采用单电源供电 ,单端输入 ,双端差动输出 ,由两级源级跟随器 ,一级输出级以及一个反馈电阻组成 .当... 提出了基于耗尽型InAlAs InGaAsHEMT器件的光纤通信接收机中的单电源跨阻前置放大器电路 ,并给出了设计方法与实验结果 .该前置放大器采用单电源供电 ,单端输入 ,双端差动输出 ,由两级源级跟随器 ,一级输出级以及一个反馈电阻组成 .当前置放大器工作在 2 .5Gbit s时 ,跨阻可达 62 .5dBΩ .采用 + 5V电源供电 ,功耗为 2 展开更多
关键词 inalas/InGaAsHEMT 光接收机 前置放大器 工艺 光纤通信接收机 设计
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单边掺杂InAlAs/InGaAs单量子阱中二维电子气的磁输运特性 被引量：5
16
作者 周文政 姚炜 +6 位作者 朱博 仇志军 郭少令 林铁 崔利杰 桂永胜 褚君浩 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期2044-2048,共5页
研究了双子带占据的In_(0·52)Al_(0·48)As/In_(0·53)Ga_(0·47)As单量子阱中磁电阻的Shubnikov-de Haas(SdH)振荡效应和霍耳效应,获得了不同子带电子的浓度、迁移率、有效质量和能级位置.低磁感应强度(B<1·... 研究了双子带占据的In_(0·52)Al_(0·48)As/In_(0·53)Ga_(0·47)As单量子阱中磁电阻的Shubnikov-de Haas(SdH)振荡效应和霍耳效应,获得了不同子带电子的浓度、迁移率、有效质量和能级位置.低磁感应强度(B<1·5T)下由迁移率谱和多载流子拟合相结合的方法得到的各子带电子浓度与通过SdH振荡得到的结果一致.在d2ρ/dB2-1/B的快速傅里叶变换谱中,观察到除了通常强烈依赖温度的对应于各子带的频率f1和f2以及f1的倍频(2f1)外,还观察到对温度不敏感的频率f1-f2.这是由于量子阱中不同子带的电子具有相近的有效质量,两个子带之间发生了强烈的磁致子带间散射. 展开更多
关键词 inalas/InGaAs单量子阱 SdH振荡 二维电子气 磁致子带间散射
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InGaAs/InAlAs光电导太赫兹发射天线的制备与表征
17
作者 陈益航 杨延召 +11 位作者 张桂铭 徐建星 苏向斌 王天放 余红光 石建美 吴斌 杨成奥 张宇 徐应强 倪海桥 牛智川 《太赫兹科学与电子信息学报》 2023年第12期1403-1409,1416,共8页
光电导天线作为太赫兹时域光谱仪产生与探测太赫兹辐射的关键部件,具有重要的科研与工业价值。本文采用分子束外延(MBE)方法制备InGaAs/InAlAs超晶格作为1550 nm光电导天线的光吸收材料,使用原子力显微镜、光致发光、高分辨X射线衍射等... 光电导天线作为太赫兹时域光谱仪产生与探测太赫兹辐射的关键部件,具有重要的科研与工业价值。本文采用分子束外延(MBE)方法制备InGaAs/InAlAs超晶格作为1550 nm光电导天线的光吸收材料,使用原子力显微镜、光致发光、高分辨X射线衍射等方式验证了材料的高生长质量;通过优化制备条件得到了侧面平整的台面结构光电导天线。制备的光电导太赫兹发射天线在太赫兹时域光谱系统中实现了4.5 THz的频谱宽度,动态范围为45 dB。 展开更多
关键词 太赫兹时域光谱仪 光电导天线 分子束外延 InGaAs/inalas超晶格
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应变补偿InGaAs/InAlAs量子级联激光器 被引量：5
18
作者 刘峰奇 张永照 +1 位作者 张权生 王占国 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第10期1038-1040,共3页
利用应变补偿的方法研制出激射波长 λ≈ 3.5— 3.7μm的量子级联激光器 .条宽 2 0 μm,腔长 1 .6mm的 Inx Ga1- x As/Iny Al1- y As量子级联激光器已实现室温准连续激射 .在最大输出功率处的准连续激射可持续 30 min以上 .
关键词 量子级联激光器 应变补偿 INGAAS/inalas
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太赫兹InP基InAlAs/InGaAs PHEMTs的研制（英文） 被引量：3
19
作者 王志明 黄辉 +6 位作者 胡志富 赵卓彬 崔玉兴 孙希国 李亮 付兴昌 吕昕 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期135-139,共5页
研制了一种T型栅长为90 nm的InP基In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.65)Ga_(0.35)As赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs).该器件的总栅宽为2×25μm,展现了极好的DC直流和RF射频特性,其最大饱和电流密度和最大有效跨导分别为894 m A/mm和1 64... 研制了一种T型栅长为90 nm的InP基In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.65)Ga_(0.35)As赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs).该器件的总栅宽为2×25μm,展现了极好的DC直流和RF射频特性,其最大饱和电流密度和最大有效跨导分别为894 m A/mm和1 640 m S/mm.采用LRM+(Line-Reflect-Reflect-Match)校准方法实现系统在1~110 GHz全频段内一次性校准,减小了传统的分段测试多次校准带来的误差,且测试数据的连续性较好.在国内完成了器件的1~110 GHz全频段在片测试,基于1~110 GHz在片测试的S参数外推获得的截止频率ft和最大振荡频率f_(max)分别为252 GHz和394 GHz.与传统的测试到40 GHz外推相比,本文外推获得的f_(max)更加准确.这些结果的获得是由于栅长的缩短,寄生效应的减小以及1~110 GHz全频段在片测试的实现.器件的欧姆接触电阻率减小为0.035Ω·mm. 展开更多
关键词 磷化铟 赝配高电子迁移率晶体管 inalas/INGAAS 在片测试 单片集成电路
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InGaAs/InAlAs多量子阱脊形波导及定向耦合器光波特性准矢量分析 被引量：3
20
作者 肖金标 马长峰 +1 位作者 张明德 孙小菡 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期254-260,共7页
提出了一种基于级数展开的三维准矢量束传播法(SE_QV_BPM)用以分析由InGaAs/InAlAs多量子阱构成的脊形光波导及定向耦合器.结果表明,刻蚀深度相同时,TM模比TE模在水平方向限制强,且TM模的模场在波导角上出现畸变;波导间距相同时,定向耦... 提出了一种基于级数展开的三维准矢量束传播法(SE_QV_BPM)用以分析由InGaAs/InAlAs多量子阱构成的脊形光波导及定向耦合器.结果表明,刻蚀深度相同时,TM模比TE模在水平方向限制强,且TM模的模场在波导角上出现畸变;波导间距相同时,定向耦合器TM波的耦合长度大于TE波的耦合长度,对偏振态敏感.分析获得了浅/深刻脊形光波导承载的准矢量TE/TM基模、定向耦合器承载的TE/TM偶/奇模的模场分布及其有效折射率,模拟了光场在定向耦合器中的传输演变情况.另外,SE_QV_BPM导出矩阵小,计算效率高;采用正弦基函数展开,对波导结构没有限制;引入了变量变换,避免了边界截断问题. 展开更多
关键词 级数展开 准矢量束传播法 多量子阱 INGAAS/inalas
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