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硼掺杂对μc-Si:H薄膜微结构和光电性能的影响 被引量:6
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作者 汪昌州 杨仕娥 +3 位作者 陈永生 杨根 郜小勇 卢景霄 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期123-128,共6页
采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备了掺硼氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜,研究了硼掺杂对薄膜的结晶状况、沉积速率、暗电导率和光学带隙的影响。拉曼光谱、扫描电子显微镜、分光光度计和电导率测试结果表明:当掺硼比(B2H6/Si... 采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备了掺硼氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜,研究了硼掺杂对薄膜的结晶状况、沉积速率、暗电导率和光学带隙的影响。拉曼光谱、扫描电子显微镜、分光光度计和电导率测试结果表明:当掺硼比(B2H6/SiH4)由0.1%增加到0.75%时,硅膜的晶化率逐渐降低,并由微晶向非晶过渡;沉积速率随掺硼比的增加线性增大;暗电导率先升高后下降,当掺硼比为0.5%时,暗电导率最大;光学带隙随掺硼比的增加逐渐减小。 展开更多
关键词 p型氢化微晶硅薄膜 掺硼比 晶化率 电导率
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掺磷微晶硅薄膜的微结构及光学性质的研究 被引量:7
2
作者 刘玉芬 郜小勇 +2 位作者 刘绪伟 赵剑涛 卢景霄 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期365-369,共5页
本文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在普通玻璃上制备了本征和掺磷的氢化微晶硅(μc-Si∶H)薄膜。利用Raman散射谱,计算了表征其薄膜微结构的晶化率(Xc)和平均晶粒尺寸(d)。结果表明随着磷烷(PH3)浓度的增加,其Xc和d均呈现... 本文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在普通玻璃上制备了本征和掺磷的氢化微晶硅(μc-Si∶H)薄膜。利用Raman散射谱,计算了表征其薄膜微结构的晶化率(Xc)和平均晶粒尺寸(d)。结果表明随着磷烷(PH3)浓度的增加,其Xc和d均呈现了先增加后减小的相似趋势;利用测得的透射谱和反射谱,并利用Tauc公式拟合了μc-Si∶H薄膜的光学带隙(Egopt)。研究表明,μc-Si∶H薄膜的Egopt与Xc具有相反的变化趋势。该结果可利用Kronig-Penney模型和表征函数F(x)作出合理解释。 展开更多
关键词 氢化微晶硅薄膜 晶化率 平均晶粒尺寸 光学带隙 Kronig—Penney模型
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高频溅射α-Si:F,H薄膜光电导的实验与计算
3
作者 李清山 马玉蓉 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1989年第3期359-364,共6页
通过对射频溅射RF a-Si:F,H薄膜样品光电导随入射光的波长、光强以及温度变化的测量,定量地考察了带隙、带尾态的宽度和带隙中悬键态密度与氟含量的关系,给出了氟原子在网络中一种可能的分布形式。按照Rose模型,计算了电光导随温度的变... 通过对射频溅射RF a-Si:F,H薄膜样品光电导随入射光的波长、光强以及温度变化的测量,定量地考察了带隙、带尾态的宽度和带隙中悬键态密度与氟含量的关系,给出了氟原子在网络中一种可能的分布形式。按照Rose模型,计算了电光导随温度的变化关系,给出了局域态分布的位置、高度、宽度以及俘获截面等参量,理论计算与实验符合较好。 展开更多
关键词 a-Si:F h 光电导 带隙 薄膜
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纳米硅薄膜的低温电输运机制 被引量:9
4
作者 徐刚毅 王天民 +2 位作者 何宇亮 马智训 郑国珍 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第9期1798-1803,共6页
在很宽的温度范围 (5 0 0— 2 0K)研究了本征和不同掺磷浓度的纳米硅薄膜的电输运现象 .发现原先的异质结量子点隧穿 (HQD)模型能很好地解释薄膜在高温下 (5 0 0— 2 0 0K)的电导曲线 ,但明显偏离低温下的实验值 .低温电导 (10 0— 2 0K... 在很宽的温度范围 (5 0 0— 2 0K)研究了本征和不同掺磷浓度的纳米硅薄膜的电输运现象 .发现原先的异质结量子点隧穿 (HQD)模型能很好地解释薄膜在高温下 (5 0 0— 2 0 0K)的电导曲线 ,但明显偏离低温下的实验值 .低温电导 (10 0— 2 0K)具有单一的激活能W ,并与kBT值大小相当 (W~ 1— 3kBT) ,呈现出Hopping电导的特征 .对HQD模型做了修正 ,认为纳米硅同时存在两种输运机制 :热激发辅助的电子隧穿和费米能级附近定域态之间的Hopping电导 .高温时 (T >2 0 0K)以电子隧穿为主 ,低温时 (T <10 0K)则以Hopping电导为主 .在此基础上给出了纳米硅完整的电导解析表达式 ,该表达式能很好地解释在 5 0 0— 2 0K的温度范围 ,本征和不同掺磷浓度纳米硅薄膜的电导率 . 展开更多
关键词 纲米硅薄膜 低温电导 电输运
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PECVD法生长的nc-Si:H膜电导率的研究 被引量:5
5
作者 韦亚一 郑国珍 何宇亮 《功能材料》 EI CAS CSCD 1994年第6期525-528,共4页
使用PECVD方法生长了nc-Si:H膜,X射线衍射、Raman光谱和电镜观测表明样品具备了纳米结构特征。测量了样品在77K~400K温度范围的电导率,并使用二相随机分布有效介质理论,计算了nc-Si:H膜中晶粒部分... 使用PECVD方法生长了nc-Si:H膜,X射线衍射、Raman光谱和电镜观测表明样品具备了纳米结构特征。测量了样品在77K~400K温度范围的电导率,并使用二相随机分布有效介质理论,计算了nc-Si:H膜中晶粒部分和晶界部分的电导率。对计算结果进行了理论分析,初步探讨了nc-Si结构对其导电性能的影响,提出nc-Si:H的高电导率来源于膜中纳米晶粒的小尺寸效应。 展开更多
关键词 纳米级 Si:h 有效介质 电导率 半导体 PECVD
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a-C:H薄膜组成及结构 被引量:7
6
作者 李芳 刘东平 甲翠英 《真空与低温》 2001年第2期85-88,96,共5页
含氢非晶碳(a-C∶H)薄膜主要由SP3C、SP2C 和H 3种“元素”组成,在它们的三 元相图中,a-C∶H 薄膜具有特定的组成区域。由于IR 分析法对SP3C/SP2C 分析存在着系 统误差,因而导致所得结构偏离该组成域。通过对IR 法的结果分析发现,SP... 含氢非晶碳(a-C∶H)薄膜主要由SP3C、SP2C 和H 3种“元素”组成,在它们的三 元相图中,a-C∶H 薄膜具有特定的组成区域。由于IR 分析法对SP3C/SP2C 分析存在着系 统误差,因而导致所得结构偏离该组成域。通过对IR 法的结果分析发现,SP3C 含量偏高, SP2C含量偏低;a-C∶H 薄膜中SP2C 主要以非质子化形式存在,其含量可高达67 %;质子 化的SP2C仅占SP2C 总量的10 %左右。a-C∶H 薄膜是受到较高约束的空间立体网络结构。 展开更多
关键词 a-C:h薄膜 IR分析法 网络结构 非晶碳氢薄膜 组成
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不同退火温度下晶化硅薄膜的电学输运性质 被引量:6
7
作者 宋超 陈谷然 +5 位作者 徐骏 王涛 孙红程 刘宇 李伟 陈坤基 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期7878-7883,共6页
采用等离子体化学气相沉积技术制备氢化非晶硅薄膜,经过不同温度下的热退火处理,使薄膜由非晶结构向晶化结构转变,得到含有纳米晶粒的晶化硅薄膜.在晶化过程中,采用Raman技术对样品的结构进行表征.通过变温电导率的测试,对薄膜的电学输... 采用等离子体化学气相沉积技术制备氢化非晶硅薄膜,经过不同温度下的热退火处理,使薄膜由非晶结构向晶化结构转变,得到含有纳米晶粒的晶化硅薄膜.在晶化过程中,采用Raman技术对样品的结构进行表征.通过变温电导率的测试,对薄膜的电学输运性质进行了分析.研究结果表明:退火温度为700℃时,样品中开始有纳米晶形成,随着退火温度的增加,样品的晶化比增大,在1000℃时,薄膜的晶化比达到90%以上.在700℃退火时,薄膜中晶化成分较低,载流子的传输特性主要受到与硅悬挂键有关的缺陷态影响,表现为带尾定域态的跳跃电导.随着晶化度的提高,在1000℃时薄膜的电输运过程主要为晶化硅的扩展态电导,同时量子隧穿输运对薄膜的电输运过程也有一定的影响. 展开更多
关键词 氢化非晶硅 退火 纳米硅 电输运
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工艺条件对硼掺杂纳米硅薄膜微结构及力学性能的影响 被引量:5
8
作者 丁建宁 祁宏山 +6 位作者 袁宁一 何宇亮 程广贵 范真 潘海彬 王君雄 王秀琴 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期188-193,共6页
采用射频和直流偏压(RF+DC)双重激励源,在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中成功制备了掺硼纳米硅薄膜。改变衬底温度、射频功率和退火温度几个关键工艺参数,利用拉曼(Raman)谱仪、薄膜测厚仪和原子力显微镜(AFM)对掺硼纳米硅薄膜... 采用射频和直流偏压(RF+DC)双重激励源,在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中成功制备了掺硼纳米硅薄膜。改变衬底温度、射频功率和退火温度几个关键工艺参数,利用拉曼(Raman)谱仪、薄膜测厚仪和原子力显微镜(AFM)对掺硼纳米硅薄膜的微结构进行了分析;应用纳米压痕法研究了工艺条件对薄膜弹性模量及硬度等力学性能的影响关系。结果表明:薄膜晶态比、平均晶粒大小随着衬底温度的升高均有增大趋势;射频功率对提高薄膜生长速率存在最优值条件;退火对本征和掺硼薄膜表面形貌特征有较大影响,退火后掺硼薄膜表面粗糙度增大明显。薄膜弹性模量及硬度很大程度上受射频功率和后序处理条件的影响,退火使薄膜的力学性能有所提高。针对实验现象,从薄膜结构方面进行了相关的理论阐释。 展开更多
关键词 纳米硅薄膜 掺硼 弹性模量 退火 AFM
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nc-Si∶H薄膜的制备及特性表征 被引量:1
9
作者 张志勇 王雪文 +2 位作者 赵武 阎军峰 戴琨 《西北大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期477-479,482,共4页
利用等离子体化学气相沉积技术制备纳米硅(nc-Si∶H)薄膜材料,并用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、Raman光谱仪对成膜的状态进行了表征。用红外吸收光谱仪对不同工艺薄膜的结构进行了分析,研究了偏压对薄膜结构的影响,为纳米硅... 利用等离子体化学气相沉积技术制备纳米硅(nc-Si∶H)薄膜材料,并用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、Raman光谱仪对成膜的状态进行了表征。用红外吸收光谱仪对不同工艺薄膜的结构进行了分析,研究了偏压对薄膜结构的影响,为纳米硅薄膜在光电子方面的应用提供可靠的依据。 展开更多
关键词 等离子化学气相沉积技术 纳米硅薄膜 结构分析
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α-C∶H膜化学结构对光学性能的影响 被引量:4
10
作者 刘兴华 吴卫东 +3 位作者 何智兵 张宝玲 王红斌 蔡从中 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期350-354,共5页
选用体积分数为99.9999%的H2及反式-2-丁烯(T2B)为工作气体,利用低压等离子体增强化学气相沉积法制备了α-C∶H薄膜。利用傅里叶变换红外光谱仪和X射线光电子能谱对薄膜化学键和电子结构进行分析,并结合高斯分峰拟合分析了薄膜中sp3/sp... 选用体积分数为99.9999%的H2及反式-2-丁烯(T2B)为工作气体,利用低压等离子体增强化学气相沉积法制备了α-C∶H薄膜。利用傅里叶变换红外光谱仪和X射线光电子能谱对薄膜化学键和电子结构进行分析,并结合高斯分峰拟合分析了薄膜中sp3/sp2杂化键比值和sp3C杂化键分数。结果表明:薄膜中氢含量较高,主要以sp3C—H形式存在;工作气压越高,制备的薄膜中C=C键含量越少,薄膜中sp3/sp2杂化键比值和sp3C杂化键分数增加,薄膜稳定性提高。应用UV-VIS光谱仪,获得了波长在400~1000nm范围内薄膜的光吸收特性,结果显示:α-C∶H薄膜透过率可达98%。光学常数公式计算得到工作压强为4~14Pa时光学带隙在2.66~2.76之间,并均随着工作气压的升高而增大。结果表明,随工作气压的升高,薄膜内sp3键减小,从而促使透过率、光学带隙增大。 展开更多
关键词 α-C∶h薄膜 化学键 透过率 光学带隙 低压等离子体增强化学气相沉积法
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α-C:H膜表面形貌及光学性能的测试分析 被引量:4
11
作者 刘兴华 吴卫东 +3 位作者 何智兵 袁前飞 王红斌 蔡从中 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期1853-1857,共5页
以H2和反式-2-丁烯(T2B)为工作气体,利用低压等离子体增强化学气相沉积法制备了α-C:H薄膜。采用原子力显微镜、扫描电镜测试了α-C:H薄膜的表面形貌,分析了实验参数对其形貌的影响。研究表明:固定压强(15Pa),当T2B/H2流量比... 以H2和反式-2-丁烯(T2B)为工作气体,利用低压等离子体增强化学气相沉积法制备了α-C:H薄膜。采用原子力显微镜、扫描电镜测试了α-C:H薄膜的表面形貌,分析了实验参数对其形貌的影响。研究表明:固定压强(15Pa),当T2B/H2流量比为4时,薄膜均方根粗糙度可达0.97nm。保持T2B/H2流量比固定,增加工作气压,薄膜均方根粗糙度减小,表面更平整、致密。利用傅里叶变换红外光谱仪对薄膜价键结构进行分析,结果表明:α-C:H薄膜中主要存在sp^3C—H键,氢含量较高;T2B/H2流量比越低,薄膜中含有更多的C=C键。应用UV—VIS光谱仪,获得了波长在200~1100nm范围内薄膜的光吸收特性,α-C:H薄膜透过率可达98%,计算得到的折射率在1.16~1.40。随工作气压的增加,α-C:H薄膜中sp^3杂化键增多,透过率、折射率增大。 展开更多
关键词 α-C:h薄膜 表面粗糙度 折射率 透过率 杂化键
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新型微波ECR-PECVD装置的研制 被引量:2
12
作者 阴生毅 陈光华 +1 位作者 粟亦农 张永清 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期33-36,共4页
介绍一台新型的ECR PECVD装置。这一装置设计和采用了一种由单个电磁线圈和永磁体单元组合的新型磁场 ,使整个装置结构明显简化。为提高装置的微波转换效率 ,通过计算机仿真微波场在等离子体室的分布 ,选择和采用了一种新型的矩形耦合... 介绍一台新型的ECR PECVD装置。这一装置设计和采用了一种由单个电磁线圈和永磁体单元组合的新型磁场 ,使整个装置结构明显简化。为提高装置的微波转换效率 ,通过计算机仿真微波场在等离子体室的分布 ,选择和采用了一种新型的矩形耦合波导。应用这一装置分解H2 稀释的SiH4气体以沉积a Si:H薄膜 ,获得了 展开更多
关键词 电磁线圈 永磁体 微波转换 计算机仿真 微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积 ECR-PECVD
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PECVD工艺参数对nc-Si∶H膜质量的影响 被引量:4
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作者 彭英才 刘明 何宇亮 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期277-280,共4页
研究了PECVD生长ncSi∶H膜过程中SiH4气体稀释比、平衡反应气压、衬底温度、等离子体射频功率和直流负偏压等各种工艺参数对生成膜层质量的影响。
关键词 nc-Si:h 膜层质量 工艺参数 PECVD
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Ti掺杂非晶碳复合光热转换薄膜的制备及性能研究
14
作者 令晓明 陈欣仪 +1 位作者 王伟奇 王曼 《真空与低温》 2024年第6期629-633,共5页
光热转换薄膜是太阳能光热利用的核心部件,直接影响光热转换效率。采用反应磁控溅射技术,使用Ti靶和石墨靶制备了Ti/a-C:H/Ti(H)/a-C:H/Ti(L)/a-C:H复合光热转换薄膜,研究讨论了薄膜的形貌特征和结构组成,并对其光吸收特性进行了分析。... 光热转换薄膜是太阳能光热利用的核心部件,直接影响光热转换效率。采用反应磁控溅射技术,使用Ti靶和石墨靶制备了Ti/a-C:H/Ti(H)/a-C:H/Ti(L)/a-C:H复合光热转换薄膜,研究讨论了薄膜的形貌特征和结构组成,并对其光吸收特性进行了分析。结果显示:复合薄膜具有显著的光谱选择性特性,其中Ti和C以TiC形式存在于吸收层中;薄膜较高的表面粗糙度有助于增强光的吸收能力;复合薄膜的吸收率为0.91,发射率为0.13,具有优异的光学性能。 展开更多
关键词 光热转换薄膜 反应磁控溅射 非晶碳薄膜 光学性能
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γ辐照对a-C:H薄膜微观组织、力学性能及摩擦学性能的影响 被引量:3
15
作者 柴利强 宁可心 +2 位作者 乔丽 王鹏 翁立军 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第2期169-175,共7页
近年来随着核能及其核装备的发展,辐照环境下高能粒子对润滑材料服役行为的影响受到越来越多的关注.本研究利用自行设计研制的磁控溅射系统制备a-C:H润滑薄膜,并对其进行伽马(γ)辐照处理.考察γ辐照康普顿效应对a-C:H薄膜微观组织、力... 近年来随着核能及其核装备的发展,辐照环境下高能粒子对润滑材料服役行为的影响受到越来越多的关注.本研究利用自行设计研制的磁控溅射系统制备a-C:H润滑薄膜,并对其进行伽马(γ)辐照处理.考察γ辐照康普顿效应对a-C:H薄膜微观组织、力学性能和摩擦学性能的影响.结果表明:经γ辐照后a-C:H薄膜存在由sp^(2)杂化C原子结构向sp^(3)杂化C原子结构转变的趋势,且辐照使得C-H键发生断裂,薄膜内H原子的键合能降低.伽马辐照使得aC:H薄膜的纳米机械性能显著提高,辐照样品的残余应力也随辐照剂量呈增加趋势.此外,γ辐照也使得a-C:H薄膜的摩擦系数和磨损率轻微增加.综合分析可知,γ辐照在测试剂量范围内对a-C:H薄膜的摩擦性能影响有限,但辐照诱发应力的增加是限制其在核环境中应用的主要因素. 展开更多
关键词 Γ辐照 a-C:h薄膜 微观组织 力学性能 摩擦磨损
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液相电沉积类金刚石薄膜的组成及结构分析 被引量:2
16
作者 江河清 黄丽娜 +2 位作者 张治军 徐洮 刘维民 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期560-562,共3页
 利用液相电沉积的方法,从乙腈中在硅片上沉积非晶碳薄膜,首次发现了电流密度随反应时间呈波动变化的规律。红外光谱和拉曼光谱分析表明所得薄膜是一种典型的含氢类金刚石薄膜(a C∶H薄膜),并用高斯分解的方法对非晶碳薄膜的拉曼光谱和...  利用液相电沉积的方法,从乙腈中在硅片上沉积非晶碳薄膜,首次发现了电流密度随反应时间呈波动变化的规律。红外光谱和拉曼光谱分析表明所得薄膜是一种典型的含氢类金刚石薄膜(a C∶H薄膜),并用高斯分解的方法对非晶碳薄膜的拉曼光谱和X射线光电子能谱进行定量分析,从而确定这种a C∶H薄膜中sp3的相对含量为30%~35%。 展开更多
关键词 液相电沉积 a-C:h薄膜 RAMAN光谱 XPS 高斯分解
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MWECR-CVD法高速沉积氢化非晶硅薄膜 被引量:2
17
作者 刘国汉 丁毅 +3 位作者 何斌 朱秀红 陈光华 贺德衍 《兰州大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期43-46,共4页
介绍了一种新型的 MWECR-CVD 装置.该装置设计采用了一种由单个电磁线圈和永磁体单元组合的新型磁场,设计了一种新型的矩形耦合波导.应用这一装置使 a-Si∶H 薄膜的沉积速率达到了 2nm/s 以上.为了降低薄膜的光致衰退效应,提出了热... 介绍了一种新型的 MWECR-CVD 装置.该装置设计采用了一种由单个电磁线圈和永磁体单元组合的新型磁场,设计了一种新型的矩形耦合波导.应用这一装置使 a-Si∶H 薄膜的沉积速率达到了 2nm/s 以上.为了降低薄膜的光致衰退效应,提出了热丝辅助的 MWECR-CVD,这一改进可以大大降低薄膜的氢含量,改善薄膜的光照稳定性. 展开更多
关键词 微波电子回旋共振化学气相沉积 氢化非晶硅薄膜 磁场 微波 热丝
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测试温度对nc-Si∶H膜光致发光特性的影响 被引量:2
18
作者 彭英才 刘明 +3 位作者 何宇亮 江兴流 李国华 韩和相 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期56-59,共4页
利用常规等离子体化学气相沉积(PECVD)工艺制备了nc-Si∶H膜,并对其光致发光(PL)特性从10~250K温度范围内进行了变温测量.实验结果指出,随着测试温度升高,PL峰值能量发生了54meV的红移,PL强度在... 利用常规等离子体化学气相沉积(PECVD)工艺制备了nc-Si∶H膜,并对其光致发光(PL)特性从10~250K温度范围内进行了变温测量.实验结果指出,随着测试温度升高,PL峰值能量发生了54meV的红移,PL强度在T>80K后呈指数下降趋势.PL峰值能量的红移起因于带隙的收缩,而PL强度的减弱则是由于非辐射复合起了主导作用. 展开更多
关键词 光致发光 带隙收缩 单晶硅 氢化 薄膜 测试温度
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等离子体化学气相沉积非晶SiO_x∶H(0≤x≤2.0)薄膜的红外光谱 被引量:2
19
作者 何乐年 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期587-593,共7页
以等离子体化学气相沉积法 (PECVD)在 30 0℃下用 Si H4和 O2 混合气体制备了非晶 Si Ox∶ H(a- Si Ox∶ H,0≤ x≤ 2 .0 )薄膜 ,并用傅里叶红外光谱 (FT- IR)测试分析了薄膜中的 Si— O— Si键红外吸收特性 .Si— O— Si伸缩振动模在 1... 以等离子体化学气相沉积法 (PECVD)在 30 0℃下用 Si H4和 O2 混合气体制备了非晶 Si Ox∶ H(a- Si Ox∶ H,0≤ x≤ 2 .0 )薄膜 ,并用傅里叶红外光谱 (FT- IR)测试分析了薄膜中的 Si— O— Si键红外吸收特性 .Si— O— Si伸缩振动模在 10 5 0 cm- 1和 115 0 cm- 1附近有两个吸收峰 ,而弯曲振动模在 80 0 cm- 1附近有一个吸收峰 . 10 5 0 cm- 1和115 0 cm- 1 吸收带的吸收强度之和 Isum与薄膜中的 Si原子密度 NSi之比 Isum/ NSi在氧含量 x =0— 2 .0的范围内和 x成正比 .求得氧含量比例系数 ASi O (Si— O谐振子强度的倒数 )为 1.48× 10 1 9cm- 1 .另外 ,a- Si O2 薄膜的 80 0 cm- 1和 10 5 0 cm- 1 吸收峰的表观吸收系数αapp和膜厚 d成正比 :αapp=kd,求得吸收比例系数 k分别为 3.2× 10 3和 2 .9×10 4cm- 1 .比较发现 k值的大小和 a- Si O2 薄膜的致密性密切相关 .利用上述 ASi O和 k比例系数 ,可快速简便地用非破坏性的 FT- IR测定 PECVD a- Si Ox∶ H的氧含量 x以及 a- Si O2 的膜厚 d. 展开更多
关键词 非晶氧化硅薄膜 红外吸收光谱 等离子体化学气相沉积
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High-Pressure Plasma Deposition of a-C:H Films by Dielectric-Barrier Discharge 被引量:1
20
作者 刘昌俊 李阳 +1 位作者 杜海燕 艾宝都 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2003年第1期1597-1602,共6页
The fabrication of a-C:H films from methane has been performed using dielectric-barrier discharges at atmospheric pressure. The effect of combined-feed gas, such as carbon dioxide, carbon monoxide or acetylene on the ... The fabrication of a-C:H films from methane has been performed using dielectric-barrier discharges at atmospheric pressure. The effect of combined-feed gas, such as carbon dioxide, carbon monoxide or acetylene on the formation of a-C:H films has been investigated. It has been demonstrated that the addition of carbon monoxide or acetylene into methane leads to a remarkable improvement in the fabrication of a-C:H films. The characterization of carbon film obtained has been conducted using FT-IR, Raman and SEM. 展开更多
关键词 METhANE DEPOSITION a-C:h films dielectric-barrier discharge
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