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等离子体微细加工技术的新进展 被引量:13
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作者 李效白 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2000年第3期179-186,共8页
在大规模集成电路制造中常用反应离子刻蚀 ,但对于加工 2 0 0mm以上直径的片子和 0 2 5 μm的线宽及孔洞 ,它的能力已达到极限。低压等离子刻蚀设备 (ECR ,ICP ,HWP)和高浓度等离子体可以解决这一问题。已经在整个片子上均匀地获得高... 在大规模集成电路制造中常用反应离子刻蚀 ,但对于加工 2 0 0mm以上直径的片子和 0 2 5 μm的线宽及孔洞 ,它的能力已达到极限。低压等离子刻蚀设备 (ECR ,ICP ,HWP)和高浓度等离子体可以解决这一问题。已经在整个片子上均匀地获得高的刻蚀速率。剖面控制精确 ,可改善图形的保真度。本文介绍了干法刻蚀技术的这一最新进展 ,阐述了电子回旋共振等离子体源、感应耦合等离子体源、螺旋波等离子体源的工作原理和干法刻蚀的关键技术问题。 展开更多
关键词 等离子刻蚀 干法刻蚀 集成电路 制造工艺
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飞秒激光制备微透镜阵列的研究进展 被引量:16
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作者 杨雪 孙会来 +1 位作者 岳端木 孙建林 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2021年第5期25-40,共16页
微透镜阵列是重要的微光学元件,其以良好的成像性能以及小型化、轻型化的优点,被广泛应用于光通信、光信号处理、波前传感、光场调控、数据存储、医学诊断等领域。飞秒激光加工技术具有可控度高、灵活性好、无需掩模、加工精度高等优势... 微透镜阵列是重要的微光学元件,其以良好的成像性能以及小型化、轻型化的优点,被广泛应用于光通信、光信号处理、波前传感、光场调控、数据存储、医学诊断等领域。飞秒激光加工技术具有可控度高、灵活性好、无需掩模、加工精度高等优势,成为近年来微透镜阵列的重要加工方式。本文综述了微透镜阵列飞秒激光加工方法的研究进展,包括飞秒激光双光子聚合加工和化学刻蚀辅助飞秒激光烧蚀加工,介绍了微透镜阵列的应用,分析了制备微透镜阵列的飞秒激光加工方法存在的问题和发展趋势。 展开更多
关键词 激光光学 飞秒激光 微透镜阵列 双光子聚合 激光烧蚀 湿法刻蚀 干法刻蚀
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Etching‐assisted femtosecond laser modification of hard materials 被引量:16
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作者 Xue-Qing Liu Ben-Feng Bai +1 位作者 Qi-Dai Chen Hong-Bo Sun 《Opto-Electronic Advances》 2019年第9期1-14,共14页
With high hardness, high thermal and chemical stability and excellent optical performance, hard materials exhibit great potential applications in various fields, especially in harsh conditions. Femtosecond laser ablat... With high hardness, high thermal and chemical stability and excellent optical performance, hard materials exhibit great potential applications in various fields, especially in harsh conditions. Femtosecond laser ablation has the capability to fabricate three-dimensional micro/nanostructures in hard materials. However, the low efficiency, low precision and high surface roughness are the main stumbling blocks for femtosecond laser processing of hard materials. So far, etching- assisted femtosecond laser modification has demonstrated to be the efficient strategy to solve the above problems when processing hard materials, including wet etching and dry etching. In this review, femtosecond laser modification that would influence the etching selectivity is introduced. The fundamental and recent applications of the two kinds of etching assisted femtosecond laser modification technologies are summarized. In addition, the challenges and application prospects of these technologies are discussed. 展开更多
关键词 FEMTOSECOND laser HARD materials WET etching dry etching
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微加工干法刻蚀工艺模拟工具的研究现状 被引量:7
4
作者 周荣春 张海霞 郝一龙 《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期5-7,共3页
随着MEMS技术的不断发展 ,微加工工艺的仿真和模拟越来越受到人们的关注。简要介绍了国外干法刻蚀工艺模拟工具的发展情况 ,主要包括美国的SPEEDIE、日本的MORDERN和DEER。
关键词 干法刻蚀工艺 模拟工具 微加工工艺 MEMS 半导体加工
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采用薄片溶解工艺制造微机械惯性仪表的实验研究 被引量:7
5
作者 姚雅红 高钟毓 +2 位作者 吕苗 赵永军 赵彦军 《清华大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第11期12-15,共4页
介绍了一种用以制造微机械惯性仪表(包括微陀螺和微加速度计)的微机械体加工方法——体硅溶解薄片法。它包括硅片工艺、玻璃工艺和组合片工艺。整个工艺过程只需单面处理,三次掩膜。硅片工艺包括刻凹槽,深扩散和干法刻蚀三次工艺过... 介绍了一种用以制造微机械惯性仪表(包括微陀螺和微加速度计)的微机械体加工方法——体硅溶解薄片法。它包括硅片工艺、玻璃工艺和组合片工艺。整个工艺过程只需单面处理,三次掩膜。硅片工艺包括刻凹槽,深扩散和干法刻蚀三次工艺过程。玻璃上用剥离的方法形成引线和电极的金属层。然后将硅片和玻璃倒接,进行静电键合。最后腐蚀掉硅片背面未掺杂的体硅,从而分离出结构。本文结合微陀螺的具体结构,详细阐述了每一工艺过程的要点,并着重介绍了硅上刻高深宽比槽的技术。该方法形成的结构与衬底不易粘附,成品率高,制造成本低,可形成的结构图形多种多样。 展开更多
关键词 微机械惯性仪表 薄片溶解工艺 加速度计 制备
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SiC MESFET工艺技术研究与器件研制 被引量:9
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作者 商庆杰 潘宏菽 +4 位作者 陈昊 霍玉柱 杨霏 默江辉 冯震 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期549-552,共4页
针对SiC衬底缺陷密度相对较高的问题,研究了消除或减弱其影响的工艺技术并进行了器件研制。通过优化刻蚀条件获得了粗糙度为2.07nm的刻蚀表面;牺牲氧化技术去除刻蚀带来的表面损伤层,湿氧加干氧的氧化方式生长的SiO2钝化膜既有足够的厚... 针对SiC衬底缺陷密度相对较高的问题,研究了消除或减弱其影响的工艺技术并进行了器件研制。通过优化刻蚀条件获得了粗糙度为2.07nm的刻蚀表面;牺牲氧化技术去除刻蚀带来的表面损伤层,湿氧加干氧的氧化方式生长的SiO2钝化膜既有足够的厚度又保证了致密性良好的界面,减小了表面态对栅特性和沟道区的影响,获得了理想因子为1.17,势垒高度为0.72eV的良好的肖特基特性;等平面工艺有效屏蔽了衬底缺陷对电极互连引线的影响,减小了反向截止漏电流,使器件在1mA下击穿电压达到了65V,40V下反向漏电流为20μA。为了提高器件成品率,避免或减小衬底缺陷深能级对沟道电流的影响,使用该工艺制备的小栅宽SiC MESFET具有195mA/mm的饱和电流密度,-15V的夹断电压。初步测试该器件有一定的微波特性,2GHz下测试其最大输出功率为30dBm,增益大于5dB。 展开更多
关键词 碳化硅 金属-半导体场效应晶体管 牺牲氧化 干法刻蚀 等平面工艺
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反应离子刻蚀工艺仿真模型的研究 被引量:3
7
作者 陆建祖 魏红振 +4 位作者 李玉鉴 张永刚 林世鸣 余金中 刘忠立 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2000年第4期420-424,共5页
以SF6 N2 混合气体对Si反应离子刻蚀工艺研究为例提出干法刻蚀计算机工艺模拟的方法 :在分段拟合优化工艺条件下采用人工神经网络方法建立干法刻蚀仿真模型 ,可以予测给定射频功率、总气流量下刻蚀速率和纵横比 ,并且以仿真实验数据训... 以SF6 N2 混合气体对Si反应离子刻蚀工艺研究为例提出干法刻蚀计算机工艺模拟的方法 :在分段拟合优化工艺条件下采用人工神经网络方法建立干法刻蚀仿真模型 ,可以予测给定射频功率、总气流量下刻蚀速率和纵横比 ,并且以仿真实验数据训练模型学习 ,模型具有通用性 ,与设备无关。 展开更多
关键词 人工神经网络 反应离子刻蚀 工艺仿真模型
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深高宽比微结构的干法刻蚀 被引量:8
8
作者 王旭迪 张永胜 +1 位作者 胡焕林 汪力 《真空》 CAS 北大核心 2004年第5期32-34,共3页
介绍了深高宽比微结构在干法刻蚀过程中遇到的刻蚀滞后、刻蚀中止、侧壁弯曲和开槽效应等与传统器件刻蚀不同的现象,讨论了制作高深宽比结构所需的关键技术和检测手段。
关键词 微结构 深高宽比 干法刻蚀
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PZT厚膜拾振器微图形化工艺研究 被引量:6
9
作者 方华斌 刘景全 +4 位作者 徐峥谊 王莉 陈迪 蔡炳初 刘悦 《微细加工技术》 EI 2005年第4期48-51,共4页
采用sol-gel方法制备了PZT铁电厚膜,构成了SiO2/Si/SiO2/Ti/Pt/PZT/Ti/Pt形式的拾振器敏感元结构。基于半导体光刻技术,通过干法刻蚀电极和化学湿法刻蚀PZT厚膜等技术,成功地实现了敏感元的微图形化,解决了Pt/Ti下电极刻蚀难、制作的PZ... 采用sol-gel方法制备了PZT铁电厚膜,构成了SiO2/Si/SiO2/Ti/Pt/PZT/Ti/Pt形式的拾振器敏感元结构。基于半导体光刻技术,通过干法刻蚀电极和化学湿法刻蚀PZT厚膜等技术,成功地实现了敏感元的微图形化,解决了Pt/Ti下电极刻蚀难、制作的PZT膜形貌不好和上电极容易起壳等问题,为基于PZT厚膜的高性能拾振器的研制打下了良好的基础。 展开更多
关键词 拾振器 PZT厚膜 PT/TI电极 湿法化学刻蚀 干法刻蚀
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电感耦合等离子体刻蚀InP端面的掩膜特性研究 被引量:5
10
作者 王健 熊兵 +2 位作者 孙长征 郝智彪 罗毅 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2003年第4期432-436,共5页
深入研究了掩膜制作工艺对电感耦合等离子体刻蚀的InP端面的影响。首先比较了光刻胶、SiO_2和Si_3N_4三种材料的掩膜特性,发现掩膜图形的致密性、侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。然后通过优化SF_6等离子体刻蚀Si_3... 深入研究了掩膜制作工艺对电感耦合等离子体刻蚀的InP端面的影响。首先比较了光刻胶、SiO_2和Si_3N_4三种材料的掩膜特性,发现掩膜图形的致密性、侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。然后通过优化SF_6等离子体刻蚀Si_3N_4的条件,得到了边缘平整且侧壁垂直的掩膜图形。利用这一掩膜制作技术,获得了深度达7μm的光滑垂直的InP刻蚀端面,选择比达15:1。 展开更多
关键词 干法刻蚀 掩膜 ICP INP 刻蚀端面 等离子体
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LED用图形化蓝宝石衬底的干法刻蚀工艺 被引量:7
11
作者 刘建哲 杨新鹏 +3 位作者 彭艳亮 曾建飞 潘安练 金良荣 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2014年第8期536-541,共6页
近年来,图形化蓝宝石衬底(PSS)作为GaN基LED外延衬底材料被广泛应用。采用感应耦合等离子体(ICP)技术对涂覆有光刻胶阵列图案的蓝宝石衬底进行刻蚀。通过研究及优化不同ICP刻蚀工艺参数对刻蚀速率和选择比的影响,分别成功制备出蒙古包... 近年来,图形化蓝宝石衬底(PSS)作为GaN基LED外延衬底材料被广泛应用。采用感应耦合等离子体(ICP)技术对涂覆有光刻胶阵列图案的蓝宝石衬底进行刻蚀。通过研究及优化不同ICP刻蚀工艺参数对刻蚀速率和选择比的影响,分别成功制备出蒙古包形和圆锥形图形化蓝宝石衬底片,并在其表面完成InGaN/GaN多量子阱外延及芯片工艺。借助光致发光和电致发光等手段测试其LED器件的光电学性能。实验结果发现圆锥形的图形化蓝宝石衬底拥有更强的光功率和更窄的半峰宽,说明这种形貌的衬底在GaN外延时有效减少了晶格失配造成的缺陷,提高了晶体质量,从而更有效地增加LED出光效率。 展开更多
关键词 图形化蓝宝石衬底(PSS) 干法刻蚀 刻蚀速率 刻蚀选择比 发光二极管(LED) GAN外延层 光致发光(PL) 电致发光(EL)
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具有纳米级结构出光面的AlGaInP基发光二极管 被引量:7
12
作者 徐丽华 邹德恕 +3 位作者 邢艳辉 宋欣原 徐晨 沈光地 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期1301-1303,共3页
研究了一种利用金属自组装纳米掩膜和ICP刻蚀对AlGaInP基发光二极管(LED)表面进行粗化的技术,使光输出得到了提高。粗化了的AlGaInP基LED比常规的AlGaInP基LED,光强提高了27%,光功率提高了12.6%,实验结果具有可重复性。可以进一步优化A... 研究了一种利用金属自组装纳米掩膜和ICP刻蚀对AlGaInP基发光二极管(LED)表面进行粗化的技术,使光输出得到了提高。粗化了的AlGaInP基LED比常规的AlGaInP基LED,光强提高了27%,光功率提高了12.6%,实验结果具有可重复性。可以进一步优化Au颗粒的周期和分散程度,提高AlGaInP基LED的提取效率。 展开更多
关键词 表面粗化 金属纳米掩膜 干法刻蚀
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光栅干法刻蚀与湿法刻蚀的研究 被引量:2
13
作者 罗飚 陈永诗 +2 位作者 沈坤 阳洪涛 谈春雷 《光学与光电技术》 2003年第1期54-56,共3页
在光栅的制作中有两种方法:其中一个是湿法,另外一个是干法。本文分别就湿法和干法的实验结果,进行比较。用于法刻蚀方法做出了比较好的一级光栅,证明了干法刻蚀优于湿法刻蚀。
关键词 分布式布拉格反馈 干法腐蚀 反应离子刻蚀 全息光刻
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二氧化硅干法蚀刻参数的优化研究 被引量:5
14
作者 敬小成 姚若河 吴纬国 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期37-40,44,共5页
阐述了二氧化硅干法蚀刻的原理和主要的蚀刻参数。应用正交实验,进行了蚀刻速率、均匀性、选择比等主要蚀刻参数的优化,得出主要工艺参数的设置方法和理想条件漂移时的调整方法以及优化选择比的蚀刻方案。
关键词 干法蚀刻 二氧化硅 工艺参数 蚀刻参数
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石英玻璃刻蚀浅锥孔阵列的工艺研究
15
作者 乌李瑛 刘丹 +7 位作者 权雪玲 程秀兰 张芷齐 高庆学 付学成 徐丽萍 张文昊 马玲 《半导体光电》 CAS 北大核心 2024年第3期434-441,共8页
介绍了石英玻璃刻蚀浅锥孔的制备方法。通过紫外接触式光刻系统在石英玻璃上形成光刻胶浅锥孔阵列图案,用电感耦合反应离子刻蚀机(ICP-RIE)进行刻蚀。研究了光刻参数和蚀刻参数(气体流量、气体成分、腔压、ICP功率和偏置功率)对石英玻... 介绍了石英玻璃刻蚀浅锥孔的制备方法。通过紫外接触式光刻系统在石英玻璃上形成光刻胶浅锥孔阵列图案,用电感耦合反应离子刻蚀机(ICP-RIE)进行刻蚀。研究了光刻参数和蚀刻参数(气体流量、气体成分、腔压、ICP功率和偏置功率)对石英玻璃的刻蚀性能、表面轮廓、蚀刻速率和侧壁倾角的影响。结果表明:刻蚀气体种类对石英浅锥孔阵列刻蚀效果有显著影响,CF_(4)和Ar的组合气体所刻蚀的石英锥孔阵列的效果最佳,随着CF_(4)气体流量比的增加,石英刻蚀倾角先降低后又小幅增加,当刻蚀气体(CF_(4)∶Ar)流量比在5∶3时,石英刻蚀速率为0.154μm/min,光刻胶刻蚀速率为0.12μm/min,得到的石英浅锥孔倾角最倾斜。在其他刻蚀参数一定的情况下,ICP功率由600W升高至800W,石英刻蚀速率大幅降低,聚合物的沉积成为刻蚀工艺的主导;刻蚀石英的粗糙度Rq随着ICP功率的降低明显增加;RF功率升高时刻蚀石英的速率增加,Rq值增加后又降低,当RF功率升高至200W时,光刻胶发生碳化现象。可为石英玻璃微器件的制备提供工艺参考。 展开更多
关键词 电感耦合反应离子刻蚀 石英玻璃 干法刻蚀 等离子体 刻蚀倾角 微透镜阵列 锥孔
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等离子体刻蚀建模中的电子碰撞截面数据
16
作者 陈锦峰 朱林繁 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期1-25,共25页
半导体芯片是信息时代的基石,诸如大数据、机器学习、人工智能等新兴技术领域的快速发展离不开源自芯片层面的算力支撑.在越来越高的算力需求驱动下,芯片工艺不断追求更高的集成度与更小的器件体积.作为芯片制造工序的关键环节,刻蚀工... 半导体芯片是信息时代的基石,诸如大数据、机器学习、人工智能等新兴技术领域的快速发展离不开源自芯片层面的算力支撑.在越来越高的算力需求驱动下,芯片工艺不断追求更高的集成度与更小的器件体积.作为芯片制造工序的关键环节,刻蚀工艺因此面临巨大的挑战.基于低温等离子体处理技术的干法刻蚀工艺是高精细电路图案刻蚀的首选方案,借助等离子体仿真模拟,人们已经能够在很大程度上缩小实验探索的范围,在海量的参数中找到最优工艺条件.电子碰撞截面是等离子体刻蚀模型的关键输入参数,深刻影响着模型预测结果的可靠性.本文主要介绍了低温等离子体建模的基本理论,重点强调电子碰撞截面数据在数值模拟中的重要作用.与此同时,本文概述了获取刻蚀气体截面数据的理论与实验方法.最后总结了刻蚀相关原子分子的电子碰撞截面研究现状,并展望了未来的研究前景. 展开更多
关键词 电子碰撞截面 干法刻蚀 低温等离子体 等离子体建模
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2~10μm台阶高度标准物质候选物的研制和质量评价
17
作者 柳迪 王琛英 +6 位作者 张雅馨 王云祥 王松 陈伦涛 王永录 朱楠 蒋庄德 《计量学报》 CSCD 北大核心 2024年第3期305-310,共6页
微米台阶高度标准物质用于校准仪器z轴性能,传递准确的微米高度量值。利用光刻结合干法刻蚀工艺实现公称高度为2,5,10μm台阶高度标准物质候选物的制备,并对台阶高度、粗糙度和上下表面平行度进行表征。使用激光共聚焦显微镜和非球面测... 微米台阶高度标准物质用于校准仪器z轴性能,传递准确的微米高度量值。利用光刻结合干法刻蚀工艺实现公称高度为2,5,10μm台阶高度标准物质候选物的制备,并对台阶高度、粗糙度和上下表面平行度进行表征。使用激光共聚焦显微镜和非球面测量仪进行测量,基于双边算法、直方图法、ISO算法和光学显微解耦合准则(LEL)法对台阶高度进行评定,对于同一标准物质候选物各评定方法间的标准差均不超过0.024μm,台阶高度评定值的相对偏差均在5%以内,表明不同算法的评定结果一致性水平较高且量值可靠;不同仪器的评定结果对比,说明了评定方法之间也具有良好的一致性;同时,粗糙度不超过0.04μm,上下表面平行度不超过0.03°,验证了标准物质候选物制备效果良好。 展开更多
关键词 微米计量 台阶高度标准物质 干法刻蚀 粗糙度 平行度
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大高径比硅纳米阵列结构制作工艺及表面润湿性
18
作者 黎相孟 魏慧芬 张雅君 《微纳电子技术》 CAS 2024年第4期170-178,共9页
具有表面润湿特性的大高径比纳米结构在诸多领域有广泛的应用,如液滴的微流控输运等。然而,大高径比纳米结构的低成本制造具有一定的挑战性。为此,采用二氧化硅纳米粒子自组装制备的薄膜及线条阵列的掩蔽干法刻蚀工艺,通过调节Bosch工... 具有表面润湿特性的大高径比纳米结构在诸多领域有广泛的应用,如液滴的微流控输运等。然而,大高径比纳米结构的低成本制造具有一定的挑战性。为此,采用二氧化硅纳米粒子自组装制备的薄膜及线条阵列的掩蔽干法刻蚀工艺,通过调节Bosch工艺刻蚀步数,实现了高径比从2∶1至几十比一的硅纳米结构。以纳米粒子薄膜和纳米粒子线条阵列作为掩蔽层进行刻蚀制备的硅纳米阵列结构表面分别展示了各向同性和各向异性的表面润湿特性。实验结果表明,随着刻蚀步数的增加,表面润湿特性发生从Wenzel亲水状态向Cassie-Baxter疏水状态的转变,同时各向异性的静态接触角和滑动角呈逐渐减小趋势。另外,纳米墙阵列结构表面展现了近似于荷叶效应的超疏水特性,前进接触角达到160°以上,而滑动角小于5°,利用具有不同粘附特性的表面,可以实现液滴从低粘附表面向高粘附表面转移。 展开更多
关键词 纳米结构 大高径比 干法刻蚀 Bosch工艺 疏水特性 润湿特性
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MIM电容上下级板一步刻蚀的结构分析
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作者 沈宇栎 《集成电路应用》 2024年第7期71-73,共3页
阐述在一张光罩下,通过一次干法刻蚀,一步刻蚀出相对面积较小上极板和面积较大下级板的电容物理结构。对比传统的通过两道光罩和两次干法刻蚀形成不同面积的上、下级板结构,新的一步刻蚀方法简化了工艺流程。通过多个试验批次验证,新的... 阐述在一张光罩下,通过一次干法刻蚀,一步刻蚀出相对面积较小上极板和面积较大下级板的电容物理结构。对比传统的通过两道光罩和两次干法刻蚀形成不同面积的上、下级板结构,新的一步刻蚀方法简化了工艺流程。通过多个试验批次验证,新的一步刻蚀物理结构,其上下级板距离能够达到与传统结构一样的效果,防止刻蚀过程中金属反溅影响击穿电压电性能的问题。 展开更多
关键词 MIM电容 干法刻蚀 IPD 物理结构
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激光干涉光刻制备976nm分布反馈式激光器光栅 被引量:6
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作者 白云峰 范杰 +3 位作者 邹永刚 王海珠 海一娜 田锟 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2017年第12期82-88,共7页
分布反馈式(DFB)半导体激光器具有优良的稳定性和单模性,广泛应用于激光器抽运和光通信等领域。光栅作为DFB激光器的关键部件,对激光器性能有重要的影响。针对976nm波段设计制备了DFB激光器的光栅。基于耦合模理论优化设计光栅的结构参... 分布反馈式(DFB)半导体激光器具有优良的稳定性和单模性,广泛应用于激光器抽运和光通信等领域。光栅作为DFB激光器的关键部件,对激光器性能有重要的影响。针对976nm波段设计制备了DFB激光器的光栅。基于耦合模理论优化设计光栅的结构参数,采用激光干涉光刻和反应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术制备光栅。通过引入表面镀膜SiO2的方法提高了光栅图形由光刻胶向衬底转移的保真度,显著地改善了光栅的图形质量。探究了曝光时间、ICP刻蚀时间对光栅表面形貌的影响。实验结果表明,所制备的光栅条纹分布均匀,有较好的表面形貌,满足预期设计目标。 展开更多
关键词 光栅 激光干涉光刻 半导体激光器 干法刻蚀
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