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金刚石薄膜的性质、制备及应用 被引量:53
1
作者 满卫东 汪建华 +1 位作者 王传新 马志斌 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 2002年第1期62-70,共9页
金刚石有着优异的物理化学性质 ,化学气相沉积金刚石薄膜的研究受到研究人员和工业界的广泛关注。通过评述金刚石薄膜的性质、制备方法及应用等方面的研究成果 ,着重阐述化学气相沉积金刚石薄膜技术的基本原理 ,分析了各种沉积技术的优... 金刚石有着优异的物理化学性质 ,化学气相沉积金刚石薄膜的研究受到研究人员和工业界的广泛关注。通过评述金刚石薄膜的性质、制备方法及应用等方面的研究成果 ,着重阐述化学气相沉积金刚石薄膜技术的基本原理 ,分析了各种沉积技术的优、缺点。结合对金刚石薄膜应用的讨论 ,分析了金刚石薄膜在工业应用中存在的问题和制备技术的发展方向。分析结果表明 :MWCVD法是高速率、高质量、大面积沉积金刚石薄膜的首选方法 ;而提高金刚石的生长速度。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 化学气相沉积 性质 制备 应用
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金刚石薄膜CVD制备方法及其评述 被引量:12
2
作者 王丽军 《真空与低温》 2000年第2期80-85,90,共7页
较系统地介绍了低压下化学气相合成(CVD)金刚石薄膜的主要方法 。
关键词 金钢石薄膜 化学气相沉积 等离子体 制备
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鼓泡法定量测量金刚石薄膜膜基界面结合强度的实验研究 被引量:8
3
作者 简小刚 孙方宏 +2 位作者 陈明 张志明 沈荷生 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 2003年第4期1-4,共4页
金刚石薄膜膜基结合强度的测量与评价是其制备与应用的关键。本文根据内涨作用下薄膜发生鼓泡变形的原理 ,开发了一种新的适用于金刚石薄膜膜基结合强度定量检测的测试系统 ,并采用光刻法和湿式各向异性刻蚀技术制备得到金刚石薄膜自支... 金刚石薄膜膜基结合强度的测量与评价是其制备与应用的关键。本文根据内涨作用下薄膜发生鼓泡变形的原理 ,开发了一种新的适用于金刚石薄膜膜基结合强度定量检测的测试系统 ,并采用光刻法和湿式各向异性刻蚀技术制备得到金刚石薄膜自支撑窗口试样。采用OFV -3 0 0 0光纤激光振动仪测量薄膜鼓泡时的垂直位移 ,测量精度可以达到0 3 164 μm。通过实验实现了对硅基底金刚石薄膜结合强度的定量检测 ,实验得到的薄膜结合强度为 4 2 872 6J m2 。这种鼓泡测量法不仅适用于硅平面基底电子元器件的膜基界面结合强度的测量 ,而且还可以推广应用到硬质合金复杂形状基底的膜基界面结合强度的测量中 。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 结合强度 鼓泡试验 定量检测 电子元器件 工具 硬质合金
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P型和N型金刚石薄膜研究进展 被引量:11
4
作者 龚春生 李尚升 张贺 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期36-40,共5页
金刚石薄膜有着高的热导率,高的介质击穿场强,高的载流子迁移率以及宽的禁带等优点,是非常理想的功能材料。掺杂使金刚石薄膜具有独特的电学和热学性能,使其在半导体领域具有广阔的应用前景,近年来成为国内外研究的热点之一。综述了金... 金刚石薄膜有着高的热导率,高的介质击穿场强,高的载流子迁移率以及宽的禁带等优点,是非常理想的功能材料。掺杂使金刚石薄膜具有独特的电学和热学性能,使其在半导体领域具有广阔的应用前景,近年来成为国内外研究的热点之一。综述了金刚石薄膜P型掺杂和N型掺杂的研究现状,对金刚石薄膜N型掺杂研究中存在的问题进行了分析和探索,并对N型金刚石的前景进行了展望。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 P型 N型
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纳米压痕法研究金刚石薄膜的力学性能 被引量:5
5
作者 李学敏 汪家道 +2 位作者 陈大融 刘兵 刘峰斌 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期1539-1543,共5页
用热丝化学气相沉积法在硅基体上制备了大面积硼掺杂金刚石薄膜,硼的浓度大约为2×10^(20)/cm3。利用纳米压痕仪及其附件研究了薄膜和纳米划擦有关的力学性能。结果表明:薄膜具有较高的硬度,平均硬度约为30GPa,弹性模量约为419GPa;... 用热丝化学气相沉积法在硅基体上制备了大面积硼掺杂金刚石薄膜,硼的浓度大约为2×10^(20)/cm3。利用纳米压痕仪及其附件研究了薄膜和纳米划擦有关的力学性能。结果表明:薄膜具有较高的硬度,平均硬度约为30GPa,弹性模量约为419GPa;薄膜与基体的结合强度较高,薄膜发生剥落的第一次破坏力大约是4N。比较而言,薄膜中心区域的硬度高于边缘,结合强度则相反。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 纳米压痕 纳米划擦 力学性能 热丝化学气相沉积法
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Fabrication and Application of High Quality Diamond-coated Tools 被引量:5
6
作者 SUN Fang-hong 1, ZHANG Zhi-ming 2, CHEN Ming 1, SHEN He-sheng 2 (1. School of Mechanical Engineering, Shanghai Jiaotong University, 2.Institute of Microelectronics Technology, Shanghai Jiaotong University, Shanghai 200030, China) 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2002年第S1期32-33,共2页
Diamond-coated tools were fabricated using Co-cemented carbide inserts as substrates by the electronically aided hot filament chemical vapor deposition (EACVD). An amount of additive in an acid solution was used to pr... Diamond-coated tools were fabricated using Co-cemented carbide inserts as substrates by the electronically aided hot filament chemical vapor deposition (EACVD). An amount of additive in an acid solution was used to promote the Co etching of the substrate surface. The surface of the WC-Co substrate was decarburized by microwave plasma with Ar-H 2 gas. Effect of the new substrate pretreatment on the adhesion of diamond films was investigated. A boron-doped solution was brushed on the tool surface to diffuse boron into the substrates during diamond deposition. A new process was used to lower the surface roughness of diamond thin films by appropriately controlling deposition parameters. It consists of a composite diamond film chemical vapor deposition procedure including first the deposition of the rough polycrystalline diamond and then the fine-grained diamond. The research results show that the pretreatment including both Co etching in acid solution and Ar-H 2 etching decarburization by microwave plasma is an effective method to enhance adhesive strength. An adequate amount of boron dopant solution can effectively suppress the cobalt diffusion to the surface and avoid the catalytic effect of Co at the high temperature. The composite film CVD process can deposit smooth diamond films with low surface roughness. It is of great significance for improvement of the cutting performances of diamond-coated tools using the above new technology to deposit diamond coatings with the low surface roughness and high adhesive strength on WC-Co substrates. 展开更多
关键词 diamond thin films adhesive strength surface roughness
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金刚石红外增透保护膜 被引量:7
7
作者 李敬起 郭晚土 孙亦宁 《真空与低温》 1996年第3期131-133,共3页
金刚石在红外区具有很好的透过率,可用作红外光学保护材料。另外,金刚石又具有优越的机械、热学、化学性能,可镀在其它红外材料上作为保护膜。用热丝化学气相沉积法在硅晶片上镀了一层金刚石膜,测量其红外透过率,在2.5~15μ... 金刚石在红外区具有很好的透过率,可用作红外光学保护材料。另外,金刚石又具有优越的机械、热学、化学性能,可镀在其它红外材料上作为保护膜。用热丝化学气相沉积法在硅晶片上镀了一层金刚石膜,测量其红外透过率,在2.5~15μm波长范围内透过率都有所增加,最高处透过率从52%提高到64.1%。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 红外增透 保护膜 薄膜
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基于内涨鼓泡实验的金刚石膜附着强度精确定量评价 被引量:5
8
作者 简小刚 陈明 +2 位作者 孙方宏 张志明 沈荷生 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第12期1299-1303,共5页
根据内涨作用下薄膜发生鼓泡变形的原理,开发了 1 种新的适用于金刚石膜附着强度精确定量评价的测试系统。并在传统的硅平面加工工艺的基础上发展了 1 种新的在沉积好的基片上制备自支撑窗口试样的方法,该方法可以保证在刻蚀基底形成自... 根据内涨作用下薄膜发生鼓泡变形的原理,开发了 1 种新的适用于金刚石膜附着强度精确定量评价的测试系统。并在传统的硅平面加工工艺的基础上发展了 1 种新的在沉积好的基片上制备自支撑窗口试样的方法,该方法可以保证在刻蚀基底形成自支撑窗口的同时不会损坏到薄膜。通过实验,实现了对硅基底金刚石膜结合强度的定量检测,实验得到的薄膜结合强度为 4.287 26 J/m2。实验所测得的附着强度结果与有限元仿真结果类比的吻合,证实了该模型的有效性,从而为金刚石膜的制备工艺优化及其质量的评估提供了可靠的依据和标准,对促进金刚石膜材料的深度开发和工程应用将具有积极的意义。 展开更多
关键词 金刚石膜 附着强度 鼓泡试验 定量评价
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金刚石薄膜的应用 被引量:5
9
作者 苏堤 陈本敬 《材料导报》 EI CAS CSCD 1995年第5期33-36,共4页
简要介绍了金刚石薄膜的发展史,着重叙述了金刚石膜在机械、光学、声学和半导体方面的一些应用,指出了金刚石膜在今后的研究和商品化过程中所要遇到的一些问题。
关键词 金刚石薄膜 应用 薄膜
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金刚石薄膜衬底表面不同预处理对薄膜表面形貌的影响 被引量:3
10
作者 王丽军 王小平 李广庭 《微细加工技术》 1998年第2期18-23,共6页
用微波等离子体化学气相沉积(CVD)设备,在经过不同粒度的SiC研磨粉进行粗化预处理过的金属钼衬底上沉积出了表面形貌有较大差异的金刚石薄膜,分别用扫描电子显微镜(SEM)、光学显微镜和X射线衍射谱(XRD)以及Ram... 用微波等离子体化学气相沉积(CVD)设备,在经过不同粒度的SiC研磨粉进行粗化预处理过的金属钼衬底上沉积出了表面形貌有较大差异的金刚石薄膜,分别用扫描电子显微镜(SEM)、光学显微镜和X射线衍射谱(XRD)以及Raman光谱对样品进行了分析测试,并研究了各样品的场致电子发射特性。结果发现:在我们的实验范围内,对钼衬底研磨预处理所用的SiC研磨粉的粒度越大,其上沉积出的金刚石薄膜样品的表面越粗糙;而金刚石薄膜的表面越粗糙,其场致发射的效果也越好。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 研磨预处理 场致电子发射
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金刚石薄膜异质外延的研究进展 被引量:2
11
作者 王传新 汪建华 +3 位作者 满卫东 马志斌 王生高 康志成 《真空与低温》 2002年第2期71-76,共6页
主要介绍金刚石薄膜在Si上异质外延的研究状况。综述了外延金刚石薄膜的偏压形核 ,SiC过渡层的影响及一些实验参数对外延薄膜质量的影响等 。
关键词 金刚石薄膜 异质外延 CVD 半导体材料 偏压形核 生长控制 外延生长
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金刚石薄膜场发射特性研究现状
12
作者 王旸 张锦文 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2023年第9期9007-9016,共10页
金刚石薄膜具有负电子亲合能、高热导率和极强的化学惰性等优势,作为场发射材料引起了广泛关注。回顾了金刚石薄膜的分类,介绍了氢化金刚石薄膜具有的负电子亲合能特性,分析了金刚石薄膜场发射特性的影响因素,列举了场发射特性的优化方... 金刚石薄膜具有负电子亲合能、高热导率和极强的化学惰性等优势,作为场发射材料引起了广泛关注。回顾了金刚石薄膜的分类,介绍了氢化金刚石薄膜具有的负电子亲合能特性,分析了金刚石薄膜场发射特性的影响因素,列举了场发射特性的优化方向,并总结了文献中报道的金刚石薄膜与其他材料复合获得的场发射阴极的性能,对于分析和改进金刚石薄膜器件场发射性能具有重要意义。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 场电子发射 负电子亲合能
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CVD金刚石薄膜表面抛光技术的研究 被引量:3
13
作者 张克华 文东辉 袁巨龙 《航空精密制造技术》 2008年第1期20-24,共5页
对CVD金刚石膜的离子束铣削、电子束加工、激光加工、化学辅助机械抛光、热化学抛光等抛光技术的加工方法与原理进行了介绍,分析了这些方法的优点和不足之处。并展望了CVD金刚石薄膜抛光技术的发展方向。
关键词 化学气相沉积 金刚石薄膜 抛光
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甲烷浓度对金刚石薄膜(100)织构生长的影响 被引量:3
14
作者 曹菊琴 汪建华 +2 位作者 满卫东 熊礼威 卫应亮 《应用化工》 CAS CSCD 2006年第10期745-746,751,共3页
以H2和CH4的混合气体为气源,用微波等离子体辅助化学气相沉积法(MPECVD)在1 cm×1 cm S i(100)基体上沉积了金刚石薄膜。研究了不同的甲烷浓度对金刚石薄膜(100)织构生长趋势的影响。分别采用扫描电子显微镜(SEM),Ram an光谱对金刚... 以H2和CH4的混合气体为气源,用微波等离子体辅助化学气相沉积法(MPECVD)在1 cm×1 cm S i(100)基体上沉积了金刚石薄膜。研究了不同的甲烷浓度对金刚石薄膜(100)织构生长趋势的影响。分别采用扫描电子显微镜(SEM),Ram an光谱对金刚石膜的表面形貌、质量进行了分析。结果表明,当基体温度为750℃,气压为4.8×103Pa,甲烷浓度为1.4%时,薄膜表面为(100)织构。 展开更多
关键词 微波等离子体辅助化学气相沉积 金刚石薄膜 (100)织构
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灯丝形变对金刚石薄膜沉积的影响 被引量:2
15
作者 唐璧玉 靳九成 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1996年第4期339-342,共4页
研究了热丝CVD系统中灯丝形变引起的金刚石薄膜厚度的不均匀性,指出其根源在于灯丝形变使得基底表面温度不均匀,使各处的生长率不一样。并基于一简单模型分析了基底各处生长率与灯丝形变的关系。
关键词 金刚石薄膜 化学气相沉积 灯丝 形变
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金刚石薄膜的低温合成技术 被引量:2
16
作者 张贵锋 《微细加工技术》 1996年第2期65-70,共6页
本文综述了国内外低温和室温合成金刚石薄膜的发展现状和动态,介绍了几种典型的低温和室温合成金刚石薄膜的方法及工艺特点,给出了低温合成金刚石薄膜的一些基本规律。
关键词 金刚石薄膜 低温沉积 薄膜生长 金刚石
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高速率低压气相合成金刚石薄膜 被引量:3
17
作者 王万录 高锦英 廖克俊 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第2期143-146,共4页
本文给出了用低压直流等离子体法高速率化学气相合成金刚石薄膜的实验结果。其生长速率高达80μm/h左右,它是常规CVD法的80倍。利用X-射线衍射、扫描电子显微镜和Raman谱仪等对金刚石薄膜进行了分析,并对其结果给予简要地讨论。
关键词 金刚石 薄膜 合成
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微波功率对(100)晶面取向金刚石薄膜制备的影响 被引量:3
18
作者 陈辉 汪建华 +1 位作者 翁俊 孙祁 《硬质合金》 CAS 2013年第2期53-58,共6页
以H2和CH4的混合气体为气源,使用实验室自制10 kW新型装置,采用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)在Si(100)基体上沉积金刚石薄膜,然后采用扫描电镜(SEM)、Raman光谱以及XRD光谱,以得到表面形貌、样品质量和晶面取向等信息,由此获得微... 以H2和CH4的混合气体为气源,使用实验室自制10 kW新型装置,采用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)在Si(100)基体上沉积金刚石薄膜,然后采用扫描电镜(SEM)、Raman光谱以及XRD光谱,以得到表面形貌、样品质量和晶面取向等信息,由此获得微波功率对金刚石薄膜取向的影响。结果表明,微波功率对金刚石膜的质量、表面形貌和晶面取向都有明显地影响,随着微波功率升高,金刚石薄膜的形貌变得规则,薄膜中Isp3/Isp2由1.52提高到6.58,其沉积晶面的I(100)/I(111)由0.38提高到3.93。当微波功率为4 900 W时,所得沉积样品晶面以(100)为主,形貌规则,纯度很高。 展开更多
关键词 微波等离子体 化学气相沉积 金刚石薄膜 微波功率
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氮气对DC-PCVD法制备金刚石薄膜影响的研究 被引量:3
19
作者 侯雪 姜志刚 +3 位作者 朱品文 郑艳彬 胡双 封全娇 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2011年第5期15-19,共5页
采用直流热阴极等离子体化学气相沉积方法,用甲烷、氢气、氮气的混合气体在Mo基底上成功制备了金刚石薄膜。分别采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)对不同流量氮气氛下生长金刚石薄膜的形貌、取向、质量进... 采用直流热阴极等离子体化学气相沉积方法,用甲烷、氢气、氮气的混合气体在Mo基底上成功制备了金刚石薄膜。分别采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)对不同流量氮气氛下生长金刚石薄膜的形貌、取向、质量进行了表征。结果表明:适量氮气的加入,不仅可以促进金刚石薄膜的生长速率,还可以促进金刚石(100)晶面的显现;随着氮气含量的增加,金刚石晶粒也逐渐细化,并且薄膜中非金刚石成分增加,但金刚石表面变得光滑平整。本工作有助于金刚石膜涂层领域的应用。 展开更多
关键词 化学气相沉积 金刚石薄膜 氮气
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SELECTIVE DEPOSITION OF DIAMOND FILMS BY THERMAL CVD OF TUNGSTEN FILAMENT 被引量:1
20
作者 于三 金曾孙 +1 位作者 吕宪义 邹广田 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 1991年第17期1438-1440,共3页
Ⅰ. INTRODUCTIONThe preparation and application studies of diamond thin films as a new type of multifunction materials have made a great progress in recent years. Up to now, the initial applications of diamond thin fi... Ⅰ. INTRODUCTIONThe preparation and application studies of diamond thin films as a new type of multifunction materials have made a great progress in recent years. Up to now, the initial applications of diamond thin films prepared by various methods based on chemical vapor deposi- 展开更多
关键词 diamond thin films selective DEPOSITION thermal CVD method.
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