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热处理方法改善CdZnTe晶体性能研究(英文)
被引量：
3
1
作者
闵嘉华
桑文斌
+6 位作者
刘洪涛
钱永彪
滕建勇
樊建荣
李万万
张斌
金玮
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期471-474,共4页
对电阻率为10^3-6Ω·cm的In掺杂Cd0．9Zn0．1Te晶片在Te气氛和Cd／Zn平衡蒸汽压下进行了热处理，对电阻率为10^8-9Q·cm的非掺杂晶片则在In气氛和Cd／Zn平衡蒸汽压下进行了热处理。结果表明，In掺杂Cd0．9Zn0．1Te晶片经处理...
对电阻率为10^3-6Ω·cm的In掺杂Cd0．9Zn0．1Te晶片在Te气氛和Cd／Zn平衡蒸汽压下进行了热处理，对电阻率为10^8-9Q·cm的非掺杂晶片则在In气氛和Cd／Zn平衡蒸汽压下进行了热处理。结果表明，In掺杂Cd0．9Zn0．1Te晶片经处理后电阻率可提高3个数量级。非掺杂晶片在In气氛中热处理可很容易地改变导电类型，在热处理温度700℃，In分压6．1×10^-4Pa，退火时间达48h后，电阻率可以提高到2．6×10^9Ω·cm。
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关键词
cd
zn
te
热处理
cd
/
zn
平衡分压
In扩散
下载PDF
职称材料
Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体的Cd气氛扩散热处理研究
被引量：
2
2
作者
李万万
孙康
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第11期6514-6520,共7页
将生长得到的Cd0.9Zn0.1Te晶体在Cd气氛下及不同的温度条件下进行了退火处理.借助已建立的退火处理过程中Cd1-xZnxTe晶体材料电阻率及导电类型变化和扩散杂质的扩散系数之间关系的模型,结合实验数据,获得了1073K,973K和873K下Cd在Cd0.9Z...
将生长得到的Cd0.9Zn0.1Te晶体在Cd气氛下及不同的温度条件下进行了退火处理.借助已建立的退火处理过程中Cd1-xZnxTe晶体材料电阻率及导电类型变化和扩散杂质的扩散系数之间关系的模型,结合实验数据,获得了1073K,973K和873K下Cd在Cd0.9Zn0.1Te晶体中的扩散系数,并估算了其激活能.通过使用获得的扩散系数,研究了在不同温度及饱和Cd气氛下,退火时间对Cd0.9Zn0.1Te晶体电阻率分布及导电类型等的变化的影响.
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关键词
cd
0.
9
zn
0.1
te
热处理
cd
气氛
扩散系数
原文传递
In气氛退火对Cd(0.9)Zn(0.1)Te材料电阻率的影响研究
被引量：
2
3
作者
隋淞印
何凯
+1 位作者
盛锋锋
华桦
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第5期846-849,共4页
在不同温度条件下对Cd0.9Zn0.1Te晶片进行In气氛退火热处理,显著提高了Cd0.9Zn0.1Te材料的电阻率。通过实验测量和理论建模计算,得到了1 073、1 023和973K条件下In原子在Cd0.9Zn0.1Te晶片中的扩散系数分别为4.25×10-9 cm2·s-1...
在不同温度条件下对Cd0.9Zn0.1Te晶片进行In气氛退火热处理,显著提高了Cd0.9Zn0.1Te材料的电阻率。通过实验测量和理论建模计算,得到了1 073、1 023和973K条件下In原子在Cd0.9Zn0.1Te晶片中的扩散系数分别为4.25×10-9 cm2·s-1、9.02×10-10 cm2·s-1和2.17×10-10 cm2·s-1,并且拟合出了1 073~973K范围内扩散系数和温度之间的函数关系表达式D（T）=2.15×exp（-1.9/k0T）及频率因子D0等数据。最后,对实验结果进行了简要的对比和分析解释。
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关键词
碲锌镉
电阻率
铟扩散
退火
扩散系数
下载PDF
职称材料
题名
热处理方法改善CdZnTe晶体性能研究(英文)
被引量：
3
1
作者
闵嘉华
桑文斌
刘洪涛
钱永彪
滕建勇
樊建荣
李万万
张斌
金玮
机构
上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系
出处
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期471-474,共4页
基金
Supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No 10175040) (Grant No 10575069)
Foundation of Shanghai Educational Committee (Grant No 02AK30)
Shanghai Leading Academic Discipline Project T0101
文摘
对电阻率为10^3-6Ω·cm的In掺杂Cd0．9Zn0．1Te晶片在Te气氛和Cd／Zn平衡蒸汽压下进行了热处理，对电阻率为10^8-9Q·cm的非掺杂晶片则在In气氛和Cd／Zn平衡蒸汽压下进行了热处理。结果表明，In掺杂Cd0．9Zn0．1Te晶片经处理后电阻率可提高3个数量级。非掺杂晶片在In气氛中热处理可很容易地改变导电类型，在热处理温度700℃，In分压6．1×10^-4Pa，退火时间达48h后，电阻率可以提高到2．6×10^9Ω·cm。
关键词
cd
zn
te
热处理
cd
/
zn
平衡分压
In扩散
Keywords
cd
0.
9
zn
0.1
te
annealing
cd
/
zn
equilibrium
pressures
te
pressure
In
pressure
In-deposition
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体的Cd气氛扩散热处理研究
被引量：
2
2
作者
李万万
孙康
机构
上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第11期6514-6520,共7页
文摘
将生长得到的Cd0.9Zn0.1Te晶体在Cd气氛下及不同的温度条件下进行了退火处理.借助已建立的退火处理过程中Cd1-xZnxTe晶体材料电阻率及导电类型变化和扩散杂质的扩散系数之间关系的模型,结合实验数据,获得了1073K,973K和873K下Cd在Cd0.9Zn0.1Te晶体中的扩散系数,并估算了其激活能.通过使用获得的扩散系数,研究了在不同温度及饱和Cd气氛下,退火时间对Cd0.9Zn0.1Te晶体电阻率分布及导电类型等的变化的影响.
关键词
cd
0.
9
zn
0.1
te
热处理
cd
气氛
扩散系数
Keywords
cd
0.
9
zn
0.1
te
,
annealing
,
cd
vapor,diffusion
coefficient
分类号
O471.4 [理学—半导体物理]
原文传递
题名
In气氛退火对Cd(0.9)Zn(0.1)Te材料电阻率的影响研究
被引量：
2
3
作者
隋淞印
何凯
盛锋锋
华桦
机构
中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第5期846-849,共4页
文摘
在不同温度条件下对Cd0.9Zn0.1Te晶片进行In气氛退火热处理,显著提高了Cd0.9Zn0.1Te材料的电阻率。通过实验测量和理论建模计算,得到了1 073、1 023和973K条件下In原子在Cd0.9Zn0.1Te晶片中的扩散系数分别为4.25×10-9 cm2·s-1、9.02×10-10 cm2·s-1和2.17×10-10 cm2·s-1,并且拟合出了1 073~973K范围内扩散系数和温度之间的函数关系表达式D（T）=2.15×exp（-1.9/k0T）及频率因子D0等数据。最后,对实验结果进行了简要的对比和分析解释。
关键词
碲锌镉
电阻率
铟扩散
退火
扩散系数
Keywords
cd
（0.
9
）
zn
（0.1）
te
resistivity
In-diffusion
annealing
diffusion
coefficient
分类号
TN305.4 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
热处理方法改善CdZnTe晶体性能研究(英文)
闵嘉华
桑文斌
刘洪涛
钱永彪
滕建勇
樊建荣
李万万
张斌
金玮
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
3
下载PDF
职称材料
2
Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体的Cd气氛扩散热处理研究
李万万
孙康
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
2
原文传递
3
In气氛退火对Cd(0.9)Zn(0.1)Te材料电阻率的影响研究
隋淞印
何凯
盛锋锋
华桦
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2014
2
下载PDF
职称材料
已选择
0
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