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MFMIS铁电电容器的模型改进
1
作者 孙静 李延平 +2 位作者 施晓蓉 李立 田莉 《电子测试》 2015年第12期12-14,共3页
为了考虑铁电薄膜的历史电场效应,本文结合偶极子转换理论和MOS电容器的半导体物理理论,提出了一种描述MFMIS电容器电学性能的改进模型。利用该模型,模拟了铁电薄膜的极化强度-电压(P-E)特性和MFMIS电容器的电容-电压(C-V)特性,并与实... 为了考虑铁电薄膜的历史电场效应,本文结合偶极子转换理论和MOS电容器的半导体物理理论,提出了一种描述MFMIS电容器电学性能的改进模型。利用该模型,模拟了铁电薄膜的极化强度-电压(P-E)特性和MFMIS电容器的电容-电压(C-V)特性,并与实验结果进行了对比。模拟结果与实验结果符合较好。本改进模型可被推广应用至MFMIS结构类器件中。 展开更多
关键词 MFMIS电容器 改进模型 P-v特性 c-v特性
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考虑界面捕获效应的MIFIS结构电学性能
2
作者 孙静 李立 施晓蓉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期366-370,共5页
结合量子力学模型、偶极子转换理论和金属氧化物半导体结构的半导体物理理论,对描述金属层-绝缘层-铁电层-绝缘层-半导体(MIFIS)结构电学性能的模型进行了改进。该模型考虑了半导体表面的界面捕获态,利用该模型,研究了界面捕获态对半导... 结合量子力学模型、偶极子转换理论和金属氧化物半导体结构的半导体物理理论,对描述金属层-绝缘层-铁电层-绝缘层-半导体(MIFIS)结构电学性能的模型进行了改进。该模型考虑了半导体表面的界面捕获态,利用该模型,研究了界面捕获态对半导体表面势-电压(φSi-V)特性和MIFIS结构低频电容-电压(C-V)特性及记忆窗口的影响。结果显示,随着界面捕获态密度的增加,φSi-V和C-V特性曲线沿电压正方向移动并发生变形,记忆窗口逐渐减小,即界面捕获态密度越大,MIFIS结构的电学性能越差。该研究在MIFIS结构器件的设计和制作方面具有指导意义。 展开更多
关键词 金属层-绝缘层-铁电层-绝缘层-半导体(MIFIS)结构 界面捕获态 φSi-v特性 c-v特性 记忆窗口
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用L-B膜实现MIS结构的C-V特性研究
3
作者 沈潮 张学敏 +3 位作者 冀文芝 宫明宣 张亮 李铁津 《佳木斯工学院学报》 CAS 1997年第2期109-114,共6页
测定了多种具有金属／L－B膜绝缘层／半导体（Si）结构的纳米厚度有机功能膜的C－V特性．研究发现C－V特性受到L－B膜的分子组分和氧化膜厚度的影响．
关键词 L-B膜 MIS结构 c-v特性 硅 半导体器件
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Fe_2O_3纳米团簇的电学性质及其在光敏器件中的应用研究
4
作者 朱明 宋继亮 《传感技术学报》 CAS CSCD 1996年第1期46-49,共4页
探讨了Fe_2O_3纳米团簇的合成条件.结果表明,各种合成条件对纳米团簇的形貌及大小有较大的影响.对该团簇的电学性质研究发现,它具有良好的顺磁特性,并对特定的光学区域具有敏感性,同时也对某种特定的电学状态具有较好的量子特性.
关键词 三氧化二铁 纳米团簇 电学性质 光敏器
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估算SrTiO_3压敏陶瓷表面层的厚度
5
作者 谭莉萍 《广东教育学院学报》 2008年第3期51-53,共3页
通过对SrTiO3压敏陶瓷的I-V、C-V特性的分析,得出一种估算SrTiO3压敏陶瓷表面层厚度的方法,并运用该方法估算了厂家提供的SrTiO3试样表面层的厚度.
关键词 SrTiO3压敏陶瓷 表面层 I-v特性 c-v特性
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Pb(Zr0.53Ti0.47)O3/AlxGa1-xN/GaN异质结构的电容-电压特征（英文） 被引量：1
6
作者 沈波 李卫平 +10 位作者 周玉刚 毕朝霞 张荣 郑泽伟 刘杰 周慧梅 施毅 刘治国 郑有炓 Someya T Arakawa Y 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第S1期57-60,共4页
通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属 铁电 半导体 (MFS)结构。在高频电容 电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN... 通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属 铁电 半导体 (MFS)结构。在高频电容 电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质界面二维电子气 ( 2DEG)的浓度在 -1 0V偏压下从 1 5 6× 1 0 13 cm-2 下降为 5 6× 1 0 12 cm-2 。由于PZT薄膜的铁电极化 ,在 -1 0V偏压下可以观察到宽度为 0 2V的铁电C V窗口 ,表明在没有铁电极化方向反转的条件下 ,PZT/AlxGa1-xN/GaNMFS结构也能出现存储特性。因为 2DEG带来的各种优点 ,可以认为AlxGa1-xN/GaN异质结构在以存储器为目标的MFS场效应晶体管中有重要应用。 展开更多
关键词 c-v特性 Pb(ZrTi)O3 铁电薄膜 ALXGA1-XN/GAN
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Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3/Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的电容-电压特征(英文)
7
作者 沈波 李卫平 +10 位作者 周玉刚 毕朝霞 张荣 郑泽伟 刘杰 周慧梅 施毅 刘治国 郑有炓 Someya T Arakawa Y 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第z1期57-60,共4页
通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属 铁电 半导体 (MFS)结构。在高频电容 电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN... 通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属 铁电 半导体 (MFS)结构。在高频电容 电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质界面二维电子气 ( 2DEG)的浓度在 -1 0V偏压下从 1 5 6× 1 0 13 cm-2 下降为 5 6× 1 0 12 cm-2 。由于PZT薄膜的铁电极化 ,在 -1 0V偏压下可以观察到宽度为 0 2V的铁电C V窗口 ,表明在没有铁电极化方向反转的条件下 ,PZT/AlxGa1-xN/GaNMFS结构也能出现存储特性。因为 2DEG带来的各种优点 ,可以认为AlxGa1-xN/GaN异质结构在以存储器为目标的MFS场效应晶体管中有重要应用。 展开更多
关键词 c-v特性 Pb(ZrTi)O3 铁电薄膜 ALXGA1-XN/GAN
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Fe-12Mn-7Al-0.6C-(V)轻质钢力学行为 被引量：11
8
作者 胡小龙 李英龙 +1 位作者 刘德罡 丁桦 《中国冶金》 CAS 北大核心 2019年第2期39-44,共6页
为减轻汽车用钢的质量,实现汽车轻量化设计,研究了冷轧Fe-12Mn-7Al-0.6C-(V)轻质钢在不同温度下退火的组织和力学行为。结果表明,随着退火温度的升高,奥氏体体积分数增加,晶粒尺寸增大;合金的强度下降,塑性先增加后下降。材料的应变硬... 为减轻汽车用钢的质量,实现汽车轻量化设计,研究了冷轧Fe-12Mn-7Al-0.6C-(V)轻质钢在不同温度下退火的组织和力学行为。结果表明,随着退火温度的升高,奥氏体体积分数增加,晶粒尺寸增大;合金的强度下降,塑性先增加后下降。材料的应变硬化行为呈现3阶段硬化。在变形过程中,奥氏体中发生平面滑移,铁素体中发生波状滑移。随着变形量的增加,在奥氏体中形成不同方向的滑移带,铁素体中形成胞状结构。钒的添加可同时提高材料的强度和塑性。 展开更多
关键词 Fe-12Mn-7Al-0.6c-(v)轻质钢 显微组织 力学性能 应变硬化 钒元素
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数控机床齿轮Fe-Ni-Cu-C-Mo-V合金粉末锻造研究
9
作者 刘波 刘军强 《锻压技术》 CAS CSCD 北大核心 2022年第9期23-29,共7页
为了研究新型数控机床齿轮材料Fe-Ni-Cu-C-Mo-V合金粉末锻造的可行性以及探讨始锻温度对齿轮材料耐磨损性能和耐腐蚀性能的影响。采用不同的始锻温度进行了齿轮材料的粉末锻造试验,并进行了耐磨损性能、耐腐蚀性能和密度的测试与分析。... 为了研究新型数控机床齿轮材料Fe-Ni-Cu-C-Mo-V合金粉末锻造的可行性以及探讨始锻温度对齿轮材料耐磨损性能和耐腐蚀性能的影响。采用不同的始锻温度进行了齿轮材料的粉末锻造试验,并进行了耐磨损性能、耐腐蚀性能和密度的测试与分析。结果表明:采用粉末锻造方法,可以制备出综合性能较佳的齿轮材料。随着始锻温度从800℃增至1200℃,齿轮材料的磨损体积先减小后增大、腐蚀电位先正移后负移、密度先增大后减小,齿轮材料的耐磨损性能和耐腐蚀性能先提高后下降。与始锻温度为800℃时相比,始锻温度为1100℃时,粉末锻造的齿轮材料的磨损体积减小28.4%、腐蚀电位正移23.1%、密度增大7.0%。粉末锻造新型数控机床齿轮材料Fe-Ni-Cu-C-Mo-V合金的始锻温度优选为1100℃。 展开更多
关键词 粉末锻造 Fe-Ni-cu-c-Mo-v合金 耐磨损性能 耐腐蚀性能 齿轮材料
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对《L-B膜绝缘层》在常温下的CV特性研究
10
作者 孙飞 王艳博 翼文芝 《中国医学物理学杂志》 CSCD 1998年第4期202-204,共3页
测定了多种具有金属／Ｌ－Ｂ膜绝缘层／半导体（Ｓｉ）结构的纳米厚度有机功能膜的Ｃ－Ｖ特性。
关键词 L-B膜 c-v特性 分子组分 氧化膜
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