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Pb(Zr0.53Ti0.47)O3/AlxGa1-xN/GaN异质结构的电容-电压特征（英文） 被引量：1
1
作者 沈波 李卫平 +10 位作者 周玉刚 毕朝霞 张荣 郑泽伟 刘杰 周慧梅 施毅 刘治国 郑有炓 Someya T Arakawa Y 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第S1期57-60,共4页
通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属 铁电 半导体 (MFS)结构。在高频电容 电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN... 通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属 铁电 半导体 (MFS)结构。在高频电容 电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质界面二维电子气 ( 2DEG)的浓度在 -1 0V偏压下从 1 5 6× 1 0 13 cm-2 下降为 5 6× 1 0 12 cm-2 。由于PZT薄膜的铁电极化 ,在 -1 0V偏压下可以观察到宽度为 0 2V的铁电C V窗口 ,表明在没有铁电极化方向反转的条件下 ,PZT/AlxGa1-xN/GaNMFS结构也能出现存储特性。因为 2DEG带来的各种优点 ,可以认为AlxGa1-xN/GaN异质结构在以存储器为目标的MFS场效应晶体管中有重要应用。 展开更多
关键词 c-v特性 Pb(ZrTi)O3 铁电薄膜 ALXGA1-XN/GAN
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Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3/Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的电容-电压特征(英文)
2
作者 沈波 李卫平 +10 位作者 周玉刚 毕朝霞 张荣 郑泽伟 刘杰 周慧梅 施毅 刘治国 郑有炓 Someya T Arakawa Y 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第z1期57-60,共4页
通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属 铁电 半导体 (MFS)结构。在高频电容 电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN... 通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属 铁电 半导体 (MFS)结构。在高频电容 电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质界面二维电子气 ( 2DEG)的浓度在 -1 0V偏压下从 1 5 6× 1 0 13 cm-2 下降为 5 6× 1 0 12 cm-2 。由于PZT薄膜的铁电极化 ,在 -1 0V偏压下可以观察到宽度为 0 2V的铁电C V窗口 ,表明在没有铁电极化方向反转的条件下 ,PZT/AlxGa1-xN/GaNMFS结构也能出现存储特性。因为 2DEG带来的各种优点 ,可以认为AlxGa1-xN/GaN异质结构在以存储器为目标的MFS场效应晶体管中有重要应用。 展开更多
关键词 c-v特性 Pb(ZrTi)O3 铁电薄膜 ALXGA1-XN/GAN
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对《L-B膜绝缘层》在常温下的CV特性研究
3
作者 孙飞 王艳博 翼文芝 《中国医学物理学杂志》 CSCD 1998年第4期202-204,共3页
测定了多种具有金属／Ｌ－Ｂ膜绝缘层／半导体（Ｓｉ）结构的纳米厚度有机功能膜的Ｃ－Ｖ特性。
关键词 L-B膜 c-v特性 分子组分 氧化膜
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考虑界面捕获效应的MIFIS结构电学性能
4
作者 孙静 李立 施晓蓉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期366-370,共5页
结合量子力学模型、偶极子转换理论和金属氧化物半导体结构的半导体物理理论,对描述金属层-绝缘层-铁电层-绝缘层-半导体(MIFIS)结构电学性能的模型进行了改进。该模型考虑了半导体表面的界面捕获态,利用该模型,研究了界面捕获态对半导... 结合量子力学模型、偶极子转换理论和金属氧化物半导体结构的半导体物理理论,对描述金属层-绝缘层-铁电层-绝缘层-半导体(MIFIS)结构电学性能的模型进行了改进。该模型考虑了半导体表面的界面捕获态,利用该模型,研究了界面捕获态对半导体表面势-电压(φSi-V)特性和MIFIS结构低频电容-电压(C-V)特性及记忆窗口的影响。结果显示,随着界面捕获态密度的增加,φSi-V和C-V特性曲线沿电压正方向移动并发生变形,记忆窗口逐渐减小,即界面捕获态密度越大,MIFIS结构的电学性能越差。该研究在MIFIS结构器件的设计和制作方面具有指导意义。 展开更多
关键词 金属层-绝缘层-铁电层-绝缘层-半导体(MIFIS)结构 界面捕获态 φSi-v特性 c-v特性 记忆窗口
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MFMIS铁电电容器的模型改进
5
作者 孙静 李延平 +2 位作者 施晓蓉 李立 田莉 《电子测试》 2015年第12期12-14,共3页
为了考虑铁电薄膜的历史电场效应,本文结合偶极子转换理论和MOS电容器的半导体物理理论,提出了一种描述MFMIS电容器电学性能的改进模型。利用该模型,模拟了铁电薄膜的极化强度-电压(P-E)特性和MFMIS电容器的电容-电压(C-V)特性,并与实... 为了考虑铁电薄膜的历史电场效应,本文结合偶极子转换理论和MOS电容器的半导体物理理论,提出了一种描述MFMIS电容器电学性能的改进模型。利用该模型,模拟了铁电薄膜的极化强度-电压(P-E)特性和MFMIS电容器的电容-电压(C-V)特性,并与实验结果进行了对比。模拟结果与实验结果符合较好。本改进模型可被推广应用至MFMIS结构类器件中。 展开更多
关键词 MFMIS电容器 改进模型 P-v特性 c-v特性
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估算SrTiO_3压敏陶瓷表面层的厚度
6
作者 谭莉萍 《广东教育学院学报》 2008年第3期51-53,共3页
通过对SrTiO3压敏陶瓷的I-V、C-V特性的分析,得出一种估算SrTiO3压敏陶瓷表面层厚度的方法,并运用该方法估算了厂家提供的SrTiO3试样表面层的厚度.
关键词 SrTiO3压敏陶瓷 表面层 I-v特性 c-v特性
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用L-B膜实现MIS结构的C-V特性研究
7
作者 沈潮 张学敏 +3 位作者 冀文芝 宫明宣 张亮 李铁津 《佳木斯工学院学报》 CAS 1997年第2期109-114,共6页
测定了多种具有金属／L－B膜绝缘层／半导体（Si）结构的纳米厚度有机功能膜的C－V特性．研究发现C－V特性受到L－B膜的分子组分和氧化膜厚度的影响．
关键词 L-B膜 MIS结构 c-v特性 硅 半导体器件
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Fe-12Mn-7Al-0.6C-(V)轻质钢力学行为 被引量：11
8
作者 胡小龙 李英龙 +1 位作者 刘德罡 丁桦 《中国冶金》 CAS 北大核心 2019年第2期39-44,共6页
为减轻汽车用钢的质量,实现汽车轻量化设计,研究了冷轧Fe-12Mn-7Al-0.6C-(V)轻质钢在不同温度下退火的组织和力学行为。结果表明,随着退火温度的升高,奥氏体体积分数增加,晶粒尺寸增大;合金的强度下降,塑性先增加后下降。材料的应变硬... 为减轻汽车用钢的质量,实现汽车轻量化设计,研究了冷轧Fe-12Mn-7Al-0.6C-(V)轻质钢在不同温度下退火的组织和力学行为。结果表明,随着退火温度的升高,奥氏体体积分数增加,晶粒尺寸增大;合金的强度下降,塑性先增加后下降。材料的应变硬化行为呈现3阶段硬化。在变形过程中,奥氏体中发生平面滑移,铁素体中发生波状滑移。随着变形量的增加,在奥氏体中形成不同方向的滑移带,铁素体中形成胞状结构。钒的添加可同时提高材料的强度和塑性。 展开更多
关键词 Fe-12Mn-7Al-0.6c-(v)轻质钢 显微组织 力学性能 应变硬化 钒元素
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Fe_2O_3纳米团簇的电学性质及其在光敏器件中的应用研究
9
作者 朱明 宋继亮 《传感技术学报》 CAS CSCD 1996年第1期46-49,共4页
探讨了Fe_2O_3纳米团簇的合成条件.结果表明,各种合成条件对纳米团簇的形貌及大小有较大的影响.对该团簇的电学性质研究发现,它具有良好的顺磁特性,并对特定的光学区域具有敏感性,同时也对某种特定的电学状态具有较好的量子特性.
关键词 三氧化二铁 纳米团簇 电学性质 光敏器
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