国际半导体技术发展路线图（ITRS）2011版综述（2） 被引量：1

1

作者 周润玺(译) 黄庆红(校) 《中国集成电路》 2012年第10期19-30,共12页

3 严峻的挑战 将半导体技术未来面临的挑战分为＂近期（从现在开始直至2018年）＂和＂远期（2019年以后）＂两部分。 3.1 概述 工业界持续的研发努力使得按比例缩小的进程重新加速并多样化。MPU密度遵循两年的技术周期,直... 3 严峻的挑战 将半导体技术未来面临的挑战分为＂近期（从现在开始直至2018年）＂和＂远期（2019年以后）＂两部分。 3.1 概述 工业界持续的研发努力使得按比例缩小的进程重新加速并多样化。MPU密度遵循两年的技术周期,直至2013年,随后放缓到3年一个周期;闪存器件的按比例缩小仍然遵循每两年单芯片比特数翻一番的规律。 展开更多

关键词 半导体技术 路线图 按比例缩小 综述 国际 闪存器件 多样化 工业界

下载PDF 职称材料

使用有安全保障的闪存存储构建安全的汽车系统

2

《世界电子元器件》 2019年第11期21-24,共4页

在现代汽车嵌入式系统中,高度安全的数据存储是必不可少的,尤其是在面对日益高明的网络攻击时。本文将介绍设计师正确使用闪存的步骤。对电子嵌入式系统的安全和安全保障需求从未有今天这样强烈。随着汽车的自动化程度不断提高,我们需... 在现代汽车嵌入式系统中,高度安全的数据存储是必不可少的,尤其是在面对日益高明的网络攻击时。本文将介绍设计师正确使用闪存的步骤。对电子嵌入式系统的安全和安全保障需求从未有今天这样强烈。随着汽车的自动化程度不断提高,我们需要提高其安全保障水平,防止它们被黑客攻破。对于采用大量机器人与物联网(IoT)设备,需要处理敏感数据的工厂来说,同样如此。 展开更多

关键词 安全保障 嵌入式系统 闪存存储器 引导加载程序 闪存器件

下载PDF 职称材料

适于16纳米及以下技术代的新型器件研究-2013年度总结报告

3

作者 黄如 《科技创新导报》 2016年第8期171-172,共2页

针对半导体器件进入16 nm及以下技术代将面临的可制造性难度大、功耗限制、性能退化等核心问题,重点开展了新型围栅纳米线器件、新型超低功耗TFET器件、高迁移率沟道器件、闪存器件以及纳米尺度器件的可靠性及涨落性研究,为新型器件在... 针对半导体器件进入16 nm及以下技术代将面临的可制造性难度大、功耗限制、性能退化等核心问题,重点开展了新型围栅纳米线器件、新型超低功耗TFET器件、高迁移率沟道器件、闪存器件以及纳米尺度器件的可靠性及涨落性研究,为新型器件在将来纳米集成电路中的应用奠定了基础。在纳米线器件研究方面,设计了侧墙转移法和TMAH各向异性腐蚀法制备超精细硅纳米线的可控工艺,并进行了实验验证;建立了自限制氧化法硅纳米线制备工艺理论模型,可对工艺进行精确预测;提出了一种原子层掺杂结构可有效调控纳米线器件的阈值电压,同时避免了迁移率的损失;研究了纳米线器件中的GIDL电流机制,提出了抑制GIDL电流的优化方法;提出了一套新的器件-电路优化设计方案,针对纳米线器件在数字电路、模拟/射频电路中的应用分别进行优化设计,得到了相应的设计窗口。在新型低功耗器件研究方面,提出了一种结调制型TFET,显著提升了器件的亚阈特性和开态电流;通过引入pocket层进一步优化了器件结构,实验制备获得了非常低的SS(36mV/dec)和高的开态电流。提出了一种隧穿触发注入场效应晶体管,能同时实现高开态电流、低泄漏电流和陡直的亚阈特性。在纳米尺度MOS器件的可靠性与涨落性研究方面,提出了由AC NBTI引入的工作循环间涨落的两种重要来源的表征方法,实验发现了AC NBTI退化及其涨落的频率依赖性的新现象,建立了物理模型。研究了多栅新器件中的AC RTN,发现比平面器件中的AC RTN活跃程度增强。提出了一种新的AC RTN表征方法,可拓展RTN的栅压探测范围区域。在高迁移率器件研究方面,提出了两种氮等离子体处理方法来提高栅介质/沟道界面质量,进行了实验验证;采用P/Sb共注入技术既有利于提升Ni Ge薄膜质量,也利于电学性能的提升。针对工艺集成中的关键� 展开更多

关键词 纳米尺度 硅纳米线器件 低功耗 高迁移率 闪存器件

下载PDF 职称材料

泰胜微科技五大系列产品进军嵌入式存储市场

4

作者 李明骏 《集成电路应用》 2012年第4期20-21,共2页

由于闪存器件和处理器技术发展不同步，如何迅速导入新型存储器件完成系统设计并成功实现量产是一大挑战，嵌入式存储方案可简化系统设计流程，帮助制造商开发高存储容量产品。

关键词 嵌入式 存储市场 产品 科技 设计流程 闪存器件 存储器件 存储方案

下载PDF 职称材料

新品方案

5

《通信世界》 2005年第46期54-55,共2页

国内首台TD—SCDMA终端测试仪诞生；Agilent推出最新Infiniium系列示波器；梦网科技开发两款无线数据传输网关设备产品；Spansion推出高容量64Mb串行闪存器件；赛门铁克推出诺顿2006中文版系列个人用户安全解决方案……

关键词 SPANSION AGILENT 新品 无线数据传输 安全解决方案 SCDMA 网关设备 科技开发 闪存器件 64Mb

下载PDF 职称材料

最小单片机问世 Microchip推出业界首款6引脚单片机

6

《电子与电脑》 2004年第7期11-11,12,共2页

单片机和模拟半导体供应商—Microchip Technology(美国微芯科技公司)推出全球体积最小的单片机。新产品采用6引脚封装，把PIC单片机架构的卓越性能融入超小体积的SOT-23封装，适合空间极为有限和成本极低的应用。这些突破传统的6引脚... 单片机和模拟半导体供应商—Microchip Technology(美国微芯科技公司)推出全球体积最小的单片机。新产品采用6引脚封装，把PIC单片机架构的卓越性能融入超小体积的SOT-23封装，适合空间极为有限和成本极低的应用。这些突破传统的6引脚闪存器件超越了现有单片机所及的应用范畴， 展开更多

关键词 6引脚单片机 闪存器件 SOT-23 印制电路板 Microchip公司

下载PDF 职称材料

粒子群算法和遗传算法提取闪存器件模型参数的对比 被引量：1

7

作者 闫国亮 丁洁 《现代电子技术》 2022年第6期29-34,共6页

为了有效指导闪存单元的模型参数提取,文中基于BSIM4模型,选取了合适的模型参数,利用粒子群算法和遗传算法作对比,找到了一种最佳的闪存器件模型参数提取方法。POM分子闪存器件是一种新型浮栅闪存器件,将作为研究对象被用于文中模型参... 为了有效指导闪存单元的模型参数提取,文中基于BSIM4模型,选取了合适的模型参数,利用粒子群算法和遗传算法作对比,找到了一种最佳的闪存器件模型参数提取方法。POM分子闪存器件是一种新型浮栅闪存器件,将作为研究对象被用于文中模型参数的提取工作。首先在BSIM4中选取要进行提取的参数;然后分别通过粒子群算法和遗传算法优化得到模型参数的最优值,使最终得到的模型仿真数据尽可能拟合对应的器件物理仿真数据,也就是最小化提取模型仿真数据和物理仿真数据之间的误差。结果表明:利用粒子群优化算法可以使模型仿真数据和物理数据较好地拟合,并且最终模型的参数提取误差均在2%以下,而遗传算法提取结果的最大误差为2.8963%;在参数提取误差和计算量方面,粒子群算法都优于遗传算法。 展开更多

关键词 模型参数提取 闪存器件模型 粒子群算法 遗传算法 参数优化 数据拟合

下载PDF 职称材料

基于3D动态蒙特卡罗的POM分子闪存器件充放电仿真研究

8

作者 穆德江 丁洁 《现代电子技术》 2022年第8期64-68,共5页

随着存储数据容量不断增加,需要更好地了解新型存储设备的工作原理才能快速发展下一代技术。基于多金属氧酸盐(POM)分子的新型闪存器件的优异特性为存储器件的持续小型化发展提供了可能。为此,文中以仿真框架NESS为基础,首次提出利用3D... 随着存储数据容量不断增加,需要更好地了解新型存储设备的工作原理才能快速发展下一代技术。基于多金属氧酸盐(POM)分子的新型闪存器件的优异特性为存储器件的持续小型化发展提供了可能。为此,文中以仿真框架NESS为基础,首次提出利用3D动态蒙特卡罗(KMC)研究基于[M18O54(SeO_(3))_(2)]^(4-)POM分子的闪存器件充放电特性,包括写、擦除和保持过程。基于POM分子闪存器件的模拟域,得到操作电压对写、擦除时间以及隧穿功耗的影响程度,从而分析器件保持特性。仿真结果表明:操作电压对隧穿功耗会产生显著影响,因此实现时间和功耗的折衷需选取合适的操作电压;同时,POM分子闪存器件具有显著的保持特性优势。 展开更多

关键词 POM分子闪存器件 充放电仿真 3D动态蒙特卡罗 模拟程序 操作电压选取 仿真分析

下载PDF 职称材料

栅侧壁隔离层对45 nm NOR闪存栅极干扰的影响

9

作者 胡建强 仇圣棻 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第12期929-932,955,共5页

为了研究侧壁隔离层对闪存器件可靠性的影响,分别制备了Si_3N_4和SiO_2-Si_3N_4-SiO_2-Si_3N_4(ONON)复合层作为栅侧壁隔离层的45 nm或非闪存(NOR flash)器件,对编程后、循环擦写后的闪存器进行栅极干扰的测试,讨论了不同栅侧壁隔离层... 为了研究侧壁隔离层对闪存器件可靠性的影响,分别制备了Si_3N_4和SiO_2-Si_3N_4-SiO_2-Si_3N_4(ONON)复合层作为栅侧壁隔离层的45 nm或非闪存(NOR flash)器件,对编程后、循环擦写后的闪存器进行栅极干扰的测试,讨论了不同栅侧壁隔离层对栅极干扰的影响。结果表明,虽然纯氧化硅隔离层可减少NOR自对准接触孔(SAC)刻蚀时对侧壁隔离层的损伤,但其在栅极干扰时在氧化物-氮化物-氧化物(ONO)处有更高的电场,从而在栅干扰后阈值电压变化较大,且由于在擦写操作过程中会陷入电荷,这些电荷在大的栅极电压和长时间的栅干扰作用下均会对闪存器的可靠性产生负面的影响。ONON隔离层的闪存器无可靠性失效。因此以ONON作为侧壁隔离层比以纯氮化硅作为侧壁隔离层的闪存器件具有更好的栅干扰性能。 展开更多

关键词 栅极干扰 侧壁隔离层 自对准接触 或非闪存器件 复合介质层

下载PDF 职称材料

Spansion公司发布全球第一款单芯片1Gb NOR内存

10

《集成电路应用》 2005年第11期31-31,共1页

由AMD和富士通公司共同投资的闪存公司Spansion LLC近期宣布，它正在向嵌入式市场的客户提供全球第一款单芯片1Gb NOR闪存样品。这款基于90nm MirrorBitTM技术的1Gb MirrorBit GL是目前市场上容量最高的单芯片NOR闪存器件。

关键词 Spansion公司 NOR闪存 单芯片 全球 MIRRORBIT 富士通公司 闪存器件 AMD LLC 嵌入式

下载PDF 职称材料

M29DW640D：64兆位3V闪存

11

《世界电子元器件》 2003年第9期16-16,共1页

关键词 意法半导体公司 闪存器件 M29DW640D 64兆位 功能特点

下载PDF 职称材料

测试机械手

12

《集成电路应用》 2006年第10期53-53,共1页

eXtreme M480内存测试机械手可以并行处理512个TSOPI／II型封装的存储器。M480并行处理内存的数目还可通过MCP器件扩展到640。该系统的目标市场是DRAM和闪存器件，但也适用于大规模的NAND和NOR闪存器件的测试。

关键词 机械手 测试 EXTREME 闪存器件 并行处理 DRAM 目标市场 NAND

下载PDF 职称材料

Spansion推出高容量164Mb8行闪存器件

13

《信息网络》 2005年第12期66-66,共1页

由AMD和富士通公司共同投资的闪存公司Spansion LLC今天推出了64Mb串行外设接口（SPI）器件样品S25FL064A．进一步扩展了其串行闪存产品线。通过使用这种器件，设计人员可以将这种新兴的低成本简化接口收益带给像打印机这种需要存储大... 由AMD和富士通公司共同投资的闪存公司Spansion LLC今天推出了64Mb串行外设接口（SPI）器件样品S25FL064A．进一步扩展了其串行闪存产品线。通过使用这种器件，设计人员可以将这种新兴的低成本简化接口收益带给像打印机这种需要存储大量代码的新型嵌入式应用。作为NOR闪存的领先厂商之一，Spansion公司不仅已量产容量为4Mb、8Mb和16Mb的SPI产品，而且还推出了32Mb的样品。S25FL064A现已提供样品。并计划于今年底量产。如定量达到1万片．每片的售价大约为2．50美元。 展开更多

关键词 Spansion公司 闪存器件 高容量 串行外设接口 富士通公司 嵌入式应用 NOR闪存 串行闪存 64Mb 设计人员

下载PDF 职称材料

S25FL：高容量64Mb串行闪存器件

14

《世界电子元器件》 2006年第1期88-88,共1页

由AMD和富士通公司共同投资的闪存公司Spansion LLC日前推出了64Mb串行外设接口（SPI）器件样品，进一步扩展了其串行闪存产品线。通过使用该器件，设计人员可以将这种新兴的低成本简化接口收益带给像打印机这种需要存储大量代码的新型... 由AMD和富士通公司共同投资的闪存公司Spansion LLC日前推出了64Mb串行外设接口（SPI）器件样品，进一步扩展了其串行闪存产品线。通过使用该器件，设计人员可以将这种新兴的低成本简化接口收益带给像打印机这种需要存储大量代码的新型嵌入式应用。 展开更多

关键词 串行外设接口 闪存器件 64Mb 高容量 SPANSION 富士通公司 嵌入式应用 串行闪存 设计人员 AMD

下载PDF 职称材料

高容量串行闪存器件：适合打印机等需要存储大量代码的新型嵌入式应用

15

《今日电子》 2005年第12期88-88,共1页

64Mb S25FL064A是串行外设接口（SPI）器件S25FL系列中的最新成员，

关键词 串行外设接口 闪存器件 嵌入式应用 打印机 高容量 代码 存储 64Mb FL系列 S25

下载PDF 职称材料

Spansion推出高容量串行闪存器件

16

《集成电路应用》 2006年第1期18-18,共1页

日前，由AMD和富士通公司共同投资的闪存公司Spansion LLC今天推出了64Mb串行外设接口（SPI）器件样品，进一步扩展了其串行闪存产品线。通过使用这种器件，设计人员可以将这种新兴的低成本简化接口收益带给像打印机这种需要存储大量代... 日前，由AMD和富士通公司共同投资的闪存公司Spansion LLC今天推出了64Mb串行外设接口（SPI）器件样品，进一步扩展了其串行闪存产品线。通过使用这种器件，设计人员可以将这种新兴的低成本简化接口收益带给像打印机这种需要存储大量代码的新型嵌入式应用。另外，作为NOR闪存的领先厂商之一，Spansion公司为客户提供了高产能的世界级生产能力支持，以满足其对SPI产品的需求。Spansion公司不仅已量产容量为4Mb、8Mb和16Mb的SPI产品，而且还推出了32Mb的样品。 展开更多

关键词 Spansion公司 串行外设接口 闪存器件 高容量 富士通公司 生产能力 嵌入式应用 NOR闪存 产品线 64Mb

下载PDF 职称材料

Spansion公司发布全球第一款单芯片1Gb NOR闪存

17

《电子与电脑》 2005年第11期48-48,共1页

关键词 Spansion公司 NOR闪存 单芯片 MIRRORBIT技术 全球 嵌入式应用 汽车导航系统 富士通公司 闪存器件

下载PDF 职称材料

Spansion向Bosch售出第一亿个NOR闪存器件

18

《汽车制造业》 2006年第4期10-10,共1页

2006年2月13日，作为全球最大的闪存解决方案供应商之一，Spansion公司宣布向Bosch集团售出了其第一亿个NOR闪存器件。

关键词 Spansion公司 闪存器件 NOR 供应商

下载PDF 职称材料

臭氧推动隧道氧化层的发展

19

作者 Laura Peters 《集成电路应用》 2006年第11期30-30,共1页

闪存器件中预氧化湿法清洗的作用很重要．因为虽然它们并不像逻辑栅的尺寸那样快速地缩小．但是他们比逻辑栅需要更低的泄漏性能．通常在更高的电压下工作。最近的基础研究采用了非接触和传统电性测试探究了预清洗特性对氧化层质量的影响。

关键词 隧道氧化层 臭氧 湿法清洗 闪存器件 基础研究 预氧化 预清洗 非接触

下载PDF 职称材料

电信市场应用的1．8V闪存器件

20

《电子产品世界》 1998年第11期87-87,共1页

关键词 MBM29SL800T/B 闪存器件 TSOP封装 性能

下载PDF 职称材料