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题名铜/铁钝化多孔硅纳米复合薄膜的制备与形貌研究
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作者
李幸福
杨晓辉
贾敏
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机构
华北水利水电学院
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出处
《河南科学》
2005年第6期798-800,共3页
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文摘
由水热腐蚀技术制得的铁钝化多孔硅作为基底,采用浸渍镀膜技术成功制备了铁钝化多孔硅/铜纳米复合薄膜.利用扫描电镜(SEM)、XRD等分析手段对比研究了铁钝化多孔硅在沉积前与沉积后的结构变化特点以及沉积时间对所沉积的铜薄膜的结构的影响.结果表明,在浸渍一定时间后,铜/铁钝化多孔硅纳米复合薄膜继承了新鲜制备的铁钝化多孔硅的结构特点;同时,在溶液浓度保持不变的情况下,随着反应时间的的延长,铜的沉积量逐渐增加,铜纳米颗粒的平均晶粒尺寸逐渐长大.
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关键词
铁钝化多孔硅
规则阵列
浸渍镀膜技术
铁钝化多孔硅/铜纳米复合薄膜
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Keywords
Iron-passivated porous silicon
regular array
immersion plating
Cu/Iron-passivated porous silicon composite nano-films
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分类号
O469
[理学—凝聚态物理]
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题名铁钝化多孔硅形成过程中的形貌演化和腐蚀机理
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作者
李新建
杨晓辉
富笑男
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机构
郑州大学物理系和河南省材料物理重点实验室
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出处
《科学技术与工程》
2004年第2期61-65,共5页
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基金
国家自然科学基金(19904011)
河南省杰出青年科学基金(0014)
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文摘
采用水热腐蚀技术制备的铁钝化多孔硅表面具有可调超结构。详细研究了铁钝化多孔硅水热制备过程中单晶硅片表面的形貌演化。结果表明,在水热腐蚀过程中,存在两种同时发生的腐蚀机制:即对缺陷的化学腐蚀和通过形成微电池所发生的电化学腐蚀。在腐蚀发生的初期,化学腐蚀占主导地位;随后电化学腐蚀逐步起主导作用并对铁钝化多孔硅表面超结构的最终形成起关键作用。还讨论了发生在微电池中微型阳极和微型阴极上的化学反应。研究结果为实现铁钝化多孔硅表面形貌的人为控制提供理论指导。
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关键词
铁钝化多孔硅
形貌演化
腐蚀机理
水热腐蚀
表面超结构
多孔硅材料
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Keywords
iron-passivated porous silicon surface superstructure hydrothermal etching
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分类号
TN304.055
[电子电信—物理电子学]
O484.1
[理学—固体物理]
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题名铁钝化多孔硅的水热制备法及其光致发光特性
被引量：1
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作者
李新建
富笑男
姚乾凯
贾瑜
梁二军
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机构
郑州大学物理系和材料物理实验室
河南省激光应用技术重点实验室
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出处
《激光与光电子学进展》
CSCD
1999年第S1期31-33,共3页
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基金
国家自然科学基金
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文摘
利用水热技术原位制备出铁钝化多孔硅样品，并对其发光特性进行了测试。样品具有较强的光致发光强度，而且在室温空气存放过程中其发光强度不发生衰减，发光峰位不发生蓝移。上述发光特性归因于样品表面形成的良好铁钝化。
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关键词
多孔硅
铁钝化多孔硅
光致发光
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分类号
TN305
[电子电信—物理电子学]
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题名多孔硅还原铜纳米复合薄膜的微结构研究
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作者
李幸福
杨晓辉
贾敏
宋小燕
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机构
华北水利水电学院
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出处
《华北水利水电学院学报》
2006年第1期100-102,共3页
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文摘
利用扫描电镜(SEM)、XRD等分析手段对比研究了铁钝化多孔硅在沉积前与沉积后的结构变化特点以及沉积时间对所沉积的铜薄膜结构的影响.在浸渍一定时间后,铜/铁钝化多孔硅纳米复合薄膜继承了新鲜制备的铁钝化多孔硅的结构特点,同时,随着反应时间的延长,铜的沉积量逐渐增加,铜纳米颗粒的平均晶粒尺寸逐渐长大.
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关键词
铁钝化多孔硅
规则阵列
浸渍镀膜技术
铁钝化多孔硅/铜纳米复合薄膜
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Keywords
iron passivated porous silicon
regular array
immersion plating
Cu/Iron passivated porous silicon composite mmo films
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分类号
TQ03-39
[化学工程]
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题名高纯氮气退火处理对铁钝化多孔硅形貌的影响
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作者
杨晓辉
李幸福
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机构
华北水利水电学院
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出处
《华北水利水电学院学报》
2006年第4期95-97,共3页
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文摘
退火处理对复合薄膜的形貌和结构都将产生较大的影响,对由水热腐蚀技术制得的铁钝化多孔硅进行高纯氮气(99.999 9%)下900℃退火3 h,利用扫描电镜(SEM)、XRD等分析手段对比研究了铁钝化多孔硅在退火前与退火后的结构变化特点.发现在微米层次上,退火后的多孔硅样品基本保持了退火前样品表面的规则阵列排布形式;在纳米层次上,退火后样品表面的硅柱仍呈多孔状,但孔壁的硅晶粒长大,平均晶粒尺寸由退火前的5 nm长大为退火后的17.2 nm.
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关键词
铁钝化多孔硅
高纯氮气退火
规则阵列
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Keywords
iron-passived porous silicon
pure nitrogen（99.999 9 % ） ambients
regular array
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分类号
TQ03-39
[化学工程]
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