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半导体金属互连集成技术的进展与趋势 被引量:12
1
作者 黄浩 魏喆良 唐电 《金属热处理》 CAS CSCD 北大核心 2004年第8期26-31,共6页
集成电路 (IC)技术的快速发展对金属互连技术提出了更高的要求。传统的Al金属互连技术已经不能满足现代互连技术发展的需要 ,大马士革结构的Cu金属互连技术已成为互连技术的重点发展方向之一。本文重点介绍了目前Cu互连技术及其面临的... 集成电路 (IC)技术的快速发展对金属互连技术提出了更高的要求。传统的Al金属互连技术已经不能满足现代互连技术发展的需要 ,大马士革结构的Cu金属互连技术已成为互连技术的重点发展方向之一。本文重点介绍了目前Cu互连技术及其面临的关键问题 ,同时还介绍了近期出现的新型Ag互连技术 。 展开更多
关键词 集成电路 金属互连 巨大规模
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芯片制程中金属互连工艺及其相关理论研究进展 被引量:15
2
作者 李亚强 马晓川 +2 位作者 张锦秋 杨培霞 安茂忠 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第7期24-43,164,共21页
随着芯片制程中互连线尺寸的不断减小,集成电路技术已经从以晶体管为中心的时代发展到以互连为中心的时代。传统的互连金属——铝、铜,在互连线性能和可靠性方面渐渐无法满足人们的需求。钴在微纳尺度下因具有更好的电性能,有可能取代... 随着芯片制程中互连线尺寸的不断减小,集成电路技术已经从以晶体管为中心的时代发展到以互连为中心的时代。传统的互连金属——铝、铜,在互连线性能和可靠性方面渐渐无法满足人们的需求。钴在微纳尺度下因具有更好的电性能,有可能取代铜而成为新的互连线金属,现已受到广泛关注。首先对芯片金属互连技术的历史和发展进行了综述,分别介绍了铝互连、铜互连的优点、存在的缺陷与改进方法,并对新一代钴互连技术进行了介绍,同时对潜在的互连材料,如钌、金、纳米碳材料等进行了总结。之后论述了超填充铜和超填充钴的相关机理,如铜的扩散-吸附整平机理、曲率增强加速剂覆盖机制(CEAC)以及钴的氢诱导失活机制、电压性依赖抑制机制、S型负微分电阻机制(S-NDR)、差动电流效率填充机制等。最后对铜超填充和钴超填充过程中的形核和生长过程的研究现状进行了分析,对不同镀液体系、基底材料、电镀工艺等对铜和钴的形核和生长的影响进行了归纳总结,以期对未来钴互连的研究提供帮助。 展开更多
关键词 金属互连 互连 互连 超填充机理 形核与生长
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高速电镀铜技术在先进封装金属互连中的研究进展
3
作者 陈平 夏良 +1 位作者 贺京峰 刘冰 《微纳电子技术》 CAS 2024年第7期54-61,共8页
简单阐述了高速电镀铜技术在先进封装金属互连结构中的应用,重点介绍了电镀液、电镀设备和工艺控制三个因素对电镀速率和质量的影响,并对国内外电镀液添加剂种类、电镀液配方、电镀设备对流传质速率、电镀设备电流密度控制能力以及电镀... 简单阐述了高速电镀铜技术在先进封装金属互连结构中的应用,重点介绍了电镀液、电镀设备和工艺控制三个因素对电镀速率和质量的影响,并对国内外电镀液添加剂种类、电镀液配方、电镀设备对流传质速率、电镀设备电流密度控制能力以及电镀工艺参数优化等因素对高速电镀铜沉积速率和质量的影响进行了评述。最后,总结了不同晶粒取向和晶粒大小的铜镀层在先进封装混合键合技术中的应用优势,并展望了高速电镀技术未来的应用领域与发展方向。 展开更多
关键词 高速电镀 先进封装 金属互连 酸性镀铜 工艺优化
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光互连的研究与新进展 被引量:4
4
作者 王军锋 李跃进 杨银堂 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2005年第1期16-21,15,共7页
讨论了集成电路向高集成度、高工作频率和更小特征尺寸发展时,常规金属互连存在的问题以及光互连对大系统如多芯片组件(MCM)、单芯片系统(SOC)等互连时的潜在优势。介绍了光互连发展中的几种新技术,太位自由空间转换加速器网络(FAST-Net... 讨论了集成电路向高集成度、高工作频率和更小特征尺寸发展时,常规金属互连存在的问题以及光互连对大系统如多芯片组件(MCM)、单芯片系统(SOC)等互连时的潜在优势。介绍了光互连发展中的几种新技术,太位自由空间转换加速器网络(FAST-Net)、选择性重复填充转移光刻组装(PL-packwithSORT)、自组织光波网络(SOLNET)、质子纵深成形(DLP)及光互连性能优化(带宽、功耗等)的研究,最后给出光互连所面临的一些问题并展望了其发展前景。 展开更多
关键词 互连 特征尺寸 金属互连 MCM 多芯片组件 DLP 光刻 性能优化 FAST 工作频率
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面向集成电路产业的电子电镀研究方法
5
作者 金磊 杨家强 +6 位作者 赵弈 王赵云 陈思余 郑安妮 宋韬 杨防祖 詹东平 《中国科学:化学》 CAS CSCD 北大核心 2023年第10期1822-1834,共13页
电子电镀是集成电路等高端电子制造产业的核心技术之一,其技术特点和难点在于在微纳米尺度通孔、盲孔、沟槽等限域空间内部实现金属镀层的均匀增厚或致密填充.然而,我国针对面向集成电路制造产业的微纳尺度电子电镀过程中的金属电沉积... 电子电镀是集成电路等高端电子制造产业的核心技术之一,其技术特点和难点在于在微纳米尺度通孔、盲孔、沟槽等限域空间内部实现金属镀层的均匀增厚或致密填充.然而,我国针对面向集成电路制造产业的微纳尺度电子电镀过程中的金属电沉积的表界面反应过程、添加剂的分子作用机制及其协同作用、以及镀层的理化结构与电学性能之间的构效关系的基础研究十分薄弱,缺乏系统和成熟的理论体系和研究方法.结合厦门大学电镀学科多年的科研工作,本文拟归纳微纳米尺度电子电镀的关键科学问题和技术难点,介绍电子电镀镀液体系的发展,梳理电子电镀的经典电化学研究方法和电化学原位先进研究方法,展望电子电镀工况研究方法的必要性和紧迫性,希望助力发展先进的电子电镀研究方法,推动电子电镀基础理论和工艺技术研究的进步. 展开更多
关键词 研究方法 电子电镀 集成电路 金属互连
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集成电路金属互连焦耳热效应的测试与修正 被引量:3
6
作者 詹郁生 郑学仁 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期34-37,共4页
采用拟合的方法 ,并利用DESTIN测试系统 ,研究了集成电路金属布线电阻与温度的关系 ;探讨了不同材料、不同尺寸和不同结构金属布线的焦耳热效应 ;揭示了在加速试验 (一定的高电流、高温 )条件下金属化自升温较大 ,必须考虑焦耳热效应作... 采用拟合的方法 ,并利用DESTIN测试系统 ,研究了集成电路金属布线电阻与温度的关系 ;探讨了不同材料、不同尺寸和不同结构金属布线的焦耳热效应 ;揭示了在加速试验 (一定的高电流、高温 )条件下金属化自升温较大 ,必须考虑焦耳热效应作用的原理 ;解决了已往用环境温度代替测试结构表面实际温度所带来的误差 。 展开更多
关键词 焦耳热效应 集成电路 金属互连 电迁移
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VLSI金属互连线1/f^γ噪声指数与电迁移失效 被引量:1
7
作者 杜磊 庄奕琪 薛丽君 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期183-185,共3页
对VLSI的金属互连线实施高应力下的加速寿命试验和常规应力下的噪声频谱测量 ,得到了金属薄膜1/fγ噪声的频率指数γ在电迁移演化过程中的变化规律 ,发现γ指数在寿命试验的某个时间点发生突变 ,从 1 0上升到 1 6以上 .这种突变可以归... 对VLSI的金属互连线实施高应力下的加速寿命试验和常规应力下的噪声频谱测量 ,得到了金属薄膜1/fγ噪声的频率指数γ在电迁移演化过程中的变化规律 ,发现γ指数在寿命试验的某个时间点发生突变 ,从 1 0上升到 1 6以上 .这种突变可以归因于电迁移诱发空洞形成过程的起点 ,因而是金属薄膜结构开始发生不可逆结构变化的标志 . 展开更多
关键词 1/fγ噪声 电迁移 金属互连 VLSI
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金属互连电迁移噪声的分形特征 被引量:2
8
作者 陈春霞 杜磊 +3 位作者 何亮 胡瑾 黄小君 卫涛 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期6674-6679,共6页
为了研究金属互连电迁移失效机理并寻找新的电迁移表征参量,应用分形理论,通过电子扩散轨迹分形维数,将电迁移噪声时间序列分形维数与晶粒间界分形维数相联系,确定了噪声时间序列分形维数在电迁移演变中的变化趋势.研究结果表明,在金属... 为了研究金属互连电迁移失效机理并寻找新的电迁移表征参量,应用分形理论,通过电子扩散轨迹分形维数,将电迁移噪声时间序列分形维数与晶粒间界分形维数相联系,确定了噪声时间序列分形维数在电迁移演变中的变化趋势.研究结果表明,在金属互连电迁移前期,晶粒间界形貌越来越复杂,致使噪声时间序列的分形维数逐渐增大;成核后,由于空位凝聚成空洞,晶粒间界形貌变得较成核前规则,致使噪声时间序列的分形维数减小;成核时刻是其转折点.实验结果证明理论分析的正确性,噪声时间序列的分形维数可望作为金属互连电迁移演变的表征参量. 展开更多
关键词 电迁移 金属互连 分形
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Silicon photonic network-on-chip and enabling components 被引量:2
9
作者 HU Ting QIU Chen +6 位作者 YU Ping YANG LongZhi WANG WanJun JIANG XiaoQing YANG Mei ZHANG Lei YANG JianYi 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 2013年第7期543-553,共11页
As the transistor's feature scales down and the integration density of the monolithic circuit increases continuously,the traditional metal interconnects face significant performance limitation to meet the stringen... As the transistor's feature scales down and the integration density of the monolithic circuit increases continuously,the traditional metal interconnects face significant performance limitation to meet the stringent demands of high-speed,low-power and low-latency data transmission for on-and off-chip communications.Optical technology is poised to resolve these problems.Due to the complementary metal-oxide-semiconductor(CMOS) compatible process,silicon photonics is the leading candidate technology.Silicon photonic devices and networks have been improved dramatically in recent years,with a notable increase in bandwidth from the megahertz to the multi-gigahertz regime in just over half a decade.This paper reviews the recent developments in silicon photonics for optical interconnects and summarizes the work of our laboratory in this research field. 展开更多
关键词 光子器件 片上网络 组件 金属互连 光学技术 单片电路 集成密度
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The electrical property of MnCo_2O_4 and its application for SUS 430 metallic interconnect 被引量:2
10
作者 HUA Bin KONG YongHong +3 位作者 LU FengShuang ZHANG JianFu PU Jian LI Jian 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 2010年第33期3831-3837,共7页
The conductivity of MnCo2O4 spinel,the best route to form the MnCo2O4 protective coating applied by the sol-gel process,and its effect on the intermediate temperature oxidation behavior of SUS 430 alloy,a typical mate... The conductivity of MnCo2O4 spinel,the best route to form the MnCo2O4 protective coating applied by the sol-gel process,and its effect on the intermediate temperature oxidation behavior of SUS 430 alloy,a typical material for the interconnect of solid oxide fuel cell(SOFC),was investigated.The phase structure and surface morphology of the coating and surface oxides were characterized by XRD,SEM and EDS;the "4-probe" method was employed to determine the conductivity of MnCo2O4 spinel and the area specific resistance(ASR)of the surface oxides.The conductivity of MnCo2O4 spinel is excellent,which is 2 orders of magnitude better than that of MnCr2O4 spinel.Long-term thermally cyclic oxidation at 750°C in SOFC cathode atmosphere and ASR measurement have shown that calcined in reducing atmosphere followed by pre-oxidation in the air is the best technique for forming the MnCo2O4 protective coating,which enhances the oxidation resistance,and improves the electrical conductivity and adherence of coated SUS 430 alloy significantly.As a result,the MnCo2O4 spinel is the most potential candidate for SOFC metallic interconnect protective coating application. 展开更多
关键词 金属互连 SUS 固体氧化物燃料电池 应用 电性能 不锈钢合金 表面电导率 保护涂层
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铜互连中有限尺寸效应的抑制
11
作者 G.B.Alers J.Sukamto +2 位作者 S.Park G.Harm J.Reid 《集成电路应用》 2006年第7期23-26,共4页
通过对铜电镀化学试剂、覆盖层厚度以及退火等条件的优化,可以将晶粒散射效应降低到最小程度,使铜互连电阻率只受到导线表面散射效应的限制。
关键词 有限尺寸效应 互连 平均自由程 声波散射 物理极限 金属互连 氧化层厚度 芯片尺寸 栅氧化层 光波长
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互连、布线、隔离与装架工艺
12
《电子科技文摘》 2001年第3期24-26,共3页
Y2000-62422-54 0103761新型三维 IC 结构=Novel 3-D structures[会,英]/Saraswat,K.C.& Souri,S.J.//1999 IEEE Interna-tional SOI Conference Proceedings.—54~55(EC) Y2000-62422-131 0103762应用体固定部分沟道隔离的体布局... Y2000-62422-54 0103761新型三维 IC 结构=Novel 3-D structures[会,英]/Saraswat,K.C.& Souri,S.J.//1999 IEEE Interna-tional SOI Conference Proceedings.—54~55(EC) Y2000-62422-131 0103762应用体固定部分沟道隔离的体布局兼容0.18μm 绝缘体上硅 CMOS 技术=Bulk-layout-compatible 0.18μmSOI-CMOS technology using body-fixed partial trenchisolation[会,英]/Hirano,Y.& Maeda,S.//1999IEEE International SOI Conference Proceedings.—131~132(EC) 展开更多
关键词 装架工艺 绝缘体上硅 金属互连 低介电常数介质 隔离 金属化工艺 互连 布线 集成 可靠性
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CMUT面阵制备中的硅通孔金属互连工艺设计 被引量:1
13
作者 王月 何常德 张文栋 《现代电子技术》 2021年第3期162-166,共5页
CMUT面阵上电极引线随着阵列数目的增多越来越难实现,根据这一情况提出使用硅通孔互连的方法将上电极引到器件背面,通过通孔和微凸点实现与PCB板的垂直电连接。根据实际需求,设计一种基于CMUT面阵的无电镀硅通孔金属互连制备方法,采用... CMUT面阵上电极引线随着阵列数目的增多越来越难实现,根据这一情况提出使用硅通孔互连的方法将上电极引到器件背面,通过通孔和微凸点实现与PCB板的垂直电连接。根据实际需求,设计一种基于CMUT面阵的无电镀硅通孔金属互连制备方法,采用深硅刻蚀技术得到通孔,使用磁控溅射镀膜机在通孔内壁沉积金属,实现了任意尺寸硅通孔的快速金属互连。通过比较不同尺寸的通孔直径,实验分析确定380μm厚的硅片最优通孔直径为150μm,此孔径通孔垂直度高,通孔间的电阻均相对较小约为0.6~0.9Ω,通孔导通良好。同时,深硅刻蚀后的通孔都存在过刻现象,在过刻25μm以内,金属图形化时应该留有足够安全距离,为CMUT面阵换能器制备提供实践依据。 展开更多
关键词 CMUT面阵 上电极引线 TSV技术 深硅刻蚀 磁控溅射 金属互连
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面向纳米尺度金属互连线的蒙特卡洛模拟方法研究
14
作者 胡远钊 杜刚 +2 位作者 杨燚 赵钰迪 赵凯 《北京大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第2期201-209,共9页
考虑各种尺度下金属互连线中主要的电子散射机制,提出一种可以准确地仿真金属互连线中电子输运特性的蒙特卡洛模拟方法。模拟结果表明,等离子激元散射对体材料互连线的电阻率贡献最大,其次是电子间散射;晶粒间界散射则主导纳米尺度线宽... 考虑各种尺度下金属互连线中主要的电子散射机制,提出一种可以准确地仿真金属互连线中电子输运特性的蒙特卡洛模拟方法。模拟结果表明,等离子激元散射对体材料互连线的电阻率贡献最大,其次是电子间散射;晶粒间界散射则主导纳米尺度线宽的金属电阻率,是导致“尺寸效应”的主要原因。通过与实验数据对比,证明所提方法可以准确地模拟从体材料到纳米尺度的金属互连电阻率。 展开更多
关键词 蒙特卡洛方法 散射 电阻率 金属互连
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VLSI金属互连电迁移可靠性评估技术研究
15
作者 薛丽君 杜磊 +3 位作者 庄奕琪 鲍立 李伟华 马中发 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期412-415,共4页
 在简要介绍电迁移失效机理的基础上,对各种电迁移可靠性实验评估方法的特点进行了分析对比,重点研究了VLSI金属互连电迁移可靠性的噪声评估技术。通过实验数据和结果的对比分析,证明噪声方法不仅可行,而且有着其他传统方法不可比拟的...  在简要介绍电迁移失效机理的基础上,对各种电迁移可靠性实验评估方法的特点进行了分析对比,重点研究了VLSI金属互连电迁移可靠性的噪声评估技术。通过实验数据和结果的对比分析,证明噪声方法不仅可行,而且有着其他传统方法不可比拟的优越性,具有极好的应用前景。 展开更多
关键词 VLSI 金属互连 电迁移 可靠性评佶 噪声测试
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VLSI金属互连电迁移1/f^γ噪声特性研究 被引量:1
16
作者 薛丽君 杜磊 +1 位作者 庄奕琪 徐卓 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期70-74,共5页
通过对超大规模集成电路金属互连进行电迁移加速寿命实验和不同电迁移损伤程度的金属薄膜电阻及1/fγ噪声的测量和分析,得到了1/fγ噪声3Hz点功率谱密度和频率指数γ均随电迁移损伤程度加剧而变大的实验规律.分析表明,在同样的电迁移损... 通过对超大规模集成电路金属互连进行电迁移加速寿命实验和不同电迁移损伤程度的金属薄膜电阻及1/fγ噪声的测量和分析,得到了1/fγ噪声3Hz点功率谱密度和频率指数γ均随电迁移损伤程度加剧而变大的实验规律.分析表明,在同样的电迁移损伤程度条件下,1/fγ噪声点功率谱密度的相对变化量是电阻相对变化量的大约2000倍.此外,得到了1/fγ噪声频率指数随电迁移过程逐渐变大的实验规律.因此,1/fγ噪声功率谱密度和频率指数有可能作为比现在应用的电阻相对变化量更为灵敏的金属互连电迁移表征参量. 展开更多
关键词 VLSI 超大规模集成电路 金属互连 电迁移 1/f噪声
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缺陷对金属互连早期失效的影响
17
作者 Kemp,KG 赵一兵 《电子产品可靠性与环境试验》 1993年第1期18-23,共6页
关键词 集成电路 金属互连 失效分析
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等离子刻蚀铝硅铜表面质量控制技术研究
18
作者 王大平 唐昭焕 +3 位作者 梁涛 朱煜开 王斌 谭开洲 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期277-280,共4页
针对等离子刻蚀AlSiCu表面质量差、易被腐蚀、铜残留等问题,对采用等离子刻蚀的圆片进行烘焙以及使用混合溶液对圆片进行处理等方式,解决了AlSiCu腐蚀、铜残留以及表面发雾等圆片表面质量问题,得到了优化的AlSiCu刻蚀表面质量控制条件... 针对等离子刻蚀AlSiCu表面质量差、易被腐蚀、铜残留等问题,对采用等离子刻蚀的圆片进行烘焙以及使用混合溶液对圆片进行处理等方式,解决了AlSiCu腐蚀、铜残留以及表面发雾等圆片表面质量问题,得到了优化的AlSiCu刻蚀表面质量控制条件。使用优化刻蚀工艺条件,极大地提升了用AlSiCu作金属互连的模拟IC的表面镜检合格率,为其他金属互连的表面质量控制提供了参考。 展开更多
关键词 等离子体刻蚀 铝硅铜 金属互连
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微细厚铜金属互连线制作技术研究
19
作者 江永清 钟强 +2 位作者 吴英 叶嗣荣 刘小芹 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期226-229,共4页
微细厚铜金属互连线不仅具有耐大电流的能力,而且具有低的电阻值,在MEMS领域具有重要的应用。采用分布式涂胶法,通过控制各工艺参数,在PC板衬底上制备了厚的光刻胶掩模图形。利用恒流电镀法在PC板衬底上沉积出宽度为5μm,间距为5μm的... 微细厚铜金属互连线不仅具有耐大电流的能力,而且具有低的电阻值,在MEMS领域具有重要的应用。采用分布式涂胶法,通过控制各工艺参数,在PC板衬底上制备了厚的光刻胶掩模图形。利用恒流电镀法在PC板衬底上沉积出宽度为5μm,间距为5μm的厚金属铜互联线,可为厚金属互连工艺提供一定的技术支持。 展开更多
关键词 电镀 MEMS 分布式涂胶 金属互连
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用1/f~γ噪声检测VLSI金属薄膜互连的电迁移
20
作者 庄奕琪 孙青 《微电子学》 CAS CSCD 1993年第1期53-58,共6页
金属薄膜互连的电迁移现象是VLSI最重要的可靠性问题之一。然而,常规的电迁移评价方法均需要较长的试验周期,而且具有一定的破坏性。近年来发展的1/f~γ噪声检测电迁移的方法以其快速、经济、非破坏性的特点,显示出诱人的应用前景。本... 金属薄膜互连的电迁移现象是VLSI最重要的可靠性问题之一。然而,常规的电迁移评价方法均需要较长的试验周期,而且具有一定的破坏性。近年来发展的1/f~γ噪声检测电迁移的方法以其快速、经济、非破坏性的特点,显示出诱人的应用前景。本文介绍了这一方法的研究现状与展望。 展开更多
关键词 金属互连 VLSI 可靠性 集成电路
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