摘要
Y2000-62422-54 0103761新型三维 IC 结构=Novel 3-D structures[会,英]/Saraswat,K.C.& Souri,S.J.//1999 IEEE Interna-tional SOI Conference Proceedings.—54～55(EC) Y2000-62422-131 0103762应用体固定部分沟道隔离的体布局兼容0.18μm 绝缘体上硅 CMOS 技术=Bulk-layout-compatible 0.18μmSOI-CMOS technology using body-fixed partial trenchisolation[会,英]/Hirano,Y.& Maeda,S.//1999IEEE International SOI Conference Proceedings.—131～132(EC)
出处
《电子科技文摘》
2001年第3期24-26,共3页
Sci.& Tech.Abstract
