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用于外置式暂态电压传感器标定的纳秒级上升沿阶跃波发生器研究
被引量:
3
1
作者
谭向宇
王科
+4 位作者
赵现平
何顺
彭晶
马仪
秦炜淇
《高压电器》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第10期1-8,共8页
为掌握VFTO外部传感器高频检测性能,需要开展传感器标定研究。现有VFTO传感器高频标定源多采用气体开关或薄膜开关设计,存在体积大、消耗气体或绝缘薄膜、寿命短等问题。为解决上述问题,设计了适用于VFTO外部传感器标定的高压阶跃波发...
为掌握VFTO外部传感器高频检测性能,需要开展传感器标定研究。现有VFTO传感器高频标定源多采用气体开关或薄膜开关设计,存在体积大、消耗气体或绝缘薄膜、寿命短等问题。为解决上述问题,设计了适用于VFTO外部传感器标定的高压阶跃波发生器及回路。基于MOSFET固体开关,提出了高压阶跃波发生电路,分析了高压阶跃波模块电路板布局对输出阶跃波波形和上升时间的影响。通过波过程计算对输出电压波在标定回路上的传输进行了分析,开展了仿真模拟和实验测量研究,探究并验证了高压阶跃波发生器输出波形的影响因素,明确了阶跃波发生器的关键参数。成功研制出上升时间4.8 ns,平顶持续电压平均值最大为5 kV的高压阶跃波发生器及标定回路,满足外置式暂态电压传感器高频响应特性标定需求。
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关键词
暂态过电压
外置式暂态电压传感器
传感器标定
阶跃波发生器
纳秒
级
上升
沿
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职称材料
纳秒级上升沿100 kV方波发生装置研制
被引量:
2
2
作者
谢施君
穆舟
+3 位作者
丁卫东
王嘉琛
苏芳菲
刘勇
《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第6期2169-2176,共8页
为了能够在高幅值、陡上升沿的方波电压下开展特快速瞬态过电压(very fast transient overvoltage, VFTO)传感器的性能测试,研制了上升沿纳秒级、输出电压幅值最高可达100 kV的方波发生装置。首先,建立了方波发生装置的电路模型,推导了...
为了能够在高幅值、陡上升沿的方波电压下开展特快速瞬态过电压(very fast transient overvoltage, VFTO)传感器的性能测试,研制了上升沿纳秒级、输出电压幅值最高可达100 kV的方波发生装置。首先,建立了方波发生装置的电路模型,推导了输出电压波形上升时间、波尾时间的估计式;仿真分析了脉冲电容器电容值、负载电阻、回路总电阻、回路电感对输出波形的影响;设计、研制了结构紧凑的100 kV方波发生装置,并测试了其输出性能。测试结果表明,其输出电压的上升时间<5 ns,在波尾1μs时的平顶降<1%,且重复性良好,可用于VFTO传感器的标定。
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关键词
方波发生装置
VFTO
纳秒
级
上升
沿
波尾时间
重复性
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职称材料
题名
用于外置式暂态电压传感器标定的纳秒级上升沿阶跃波发生器研究
被引量:
3
1
作者
谭向宇
王科
赵现平
何顺
彭晶
马仪
秦炜淇
机构
云南电网有限责任公司电力科学研究院
华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室
出处
《高压电器》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第10期1-8,共8页
文摘
为掌握VFTO外部传感器高频检测性能,需要开展传感器标定研究。现有VFTO传感器高频标定源多采用气体开关或薄膜开关设计,存在体积大、消耗气体或绝缘薄膜、寿命短等问题。为解决上述问题,设计了适用于VFTO外部传感器标定的高压阶跃波发生器及回路。基于MOSFET固体开关,提出了高压阶跃波发生电路,分析了高压阶跃波模块电路板布局对输出阶跃波波形和上升时间的影响。通过波过程计算对输出电压波在标定回路上的传输进行了分析,开展了仿真模拟和实验测量研究,探究并验证了高压阶跃波发生器输出波形的影响因素,明确了阶跃波发生器的关键参数。成功研制出上升时间4.8 ns,平顶持续电压平均值最大为5 kV的高压阶跃波发生器及标定回路,满足外置式暂态电压传感器高频响应特性标定需求。
关键词
暂态过电压
外置式暂态电压传感器
传感器标定
阶跃波发生器
纳秒
级
上升
沿
Keywords
transient over-voltage
external transient voltage sensor
sensor calibration
step wave generator
nanosecond rising edge
分类号
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
TM595 [自动化与计算机技术—控制科学与工程]
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职称材料
题名
纳秒级上升沿100 kV方波发生装置研制
被引量:
2
2
作者
谢施君
穆舟
丁卫东
王嘉琛
苏芳菲
刘勇
机构
国网四川省电力公司电力科学研究院
西安交通大学电气工程学院
国网四川省电力公司
出处
《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第6期2169-2176,共8页
基金
国网四川省电力公司科技项目(52199717002B)。
文摘
为了能够在高幅值、陡上升沿的方波电压下开展特快速瞬态过电压(very fast transient overvoltage, VFTO)传感器的性能测试,研制了上升沿纳秒级、输出电压幅值最高可达100 kV的方波发生装置。首先,建立了方波发生装置的电路模型,推导了输出电压波形上升时间、波尾时间的估计式;仿真分析了脉冲电容器电容值、负载电阻、回路总电阻、回路电感对输出波形的影响;设计、研制了结构紧凑的100 kV方波发生装置,并测试了其输出性能。测试结果表明,其输出电压的上升时间<5 ns,在波尾1μs时的平顶降<1%,且重复性良好,可用于VFTO传感器的标定。
关键词
方波发生装置
VFTO
纳秒
级
上升
沿
波尾时间
重复性
Keywords
square wave generator
VFTO
nanosecond rise time
tail time
repeatability
分类号
TM866 [电气工程—高电压与绝缘技术]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用于外置式暂态电压传感器标定的纳秒级上升沿阶跃波发生器研究
谭向宇
王科
赵现平
何顺
彭晶
马仪
秦炜淇
《高压电器》
CAS
CSCD
北大核心
2021
3
下载PDF
职称材料
2
纳秒级上升沿100 kV方波发生装置研制
谢施君
穆舟
丁卫东
王嘉琛
苏芳菲
刘勇
《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
2
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职称材料
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