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等离子体蚀刻多晶硅深沟道研究 被引量:1
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作者 朱永丹 杨建平 +2 位作者 李兴鳌 左安友 袁作彬 《湖北民族学院学报(自然科学版)》 CAS 2008年第2期179-182,共4页
等离子体蚀刻硅深沟道用作存贮器件的储存电容有非常重要的作用,就等离子体在微电子制造领域中蚀刻二氧化硅,多晶硅的原理和如何控制形状(profile)和深沟道的深度做了研究,解释了HBr,NF3,He_30%O2气体,压力对蚀刻速率,Si/SiO2蚀刻选择... 等离子体蚀刻硅深沟道用作存贮器件的储存电容有非常重要的作用,就等离子体在微电子制造领域中蚀刻二氧化硅,多晶硅的原理和如何控制形状(profile)和深沟道的深度做了研究,解释了HBr,NF3,He_30%O2气体,压力对蚀刻速率,Si/SiO2蚀刻选择比的影响.结果表明:蚀刻率随HBr流量的增大而增大,压力和侧壁保护气体He_30%O2控制着整个蚀刻图形. 展开更多
关键词 集成电路制造 等离子体蚀刻 蚀刻 选择比
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等离子体蚀刻及其表面反应 被引量:1
2
作者 吴秀丽 《光机电信息》 1995年第7期18-21,共4页
本文所述等离子体蚀刻技术是超微细薄膜加工技术,它是半导体高集成器件的关键.LSI的高集成化需要大幅度提高微细化的水平,最近研究的存储器16M DRAM使用了0.5~0.6μm刻线的微细加工.
关键词 等离子体蚀刻 超微细薄膜 加工 集成电路
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等离子体蚀刻基础(上)
3
作者 Chap.,BN 张一鸣 《国外核聚变与等离子体应用》 1992年第1期61-75,共15页
关键词 等离子体蚀刻 蚀刻 辉光放电
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等离子体蚀刻基础(下)
4
作者 Chap.,BN 张一鸣 《国外核聚变与等离子体应用》 1992年第2期60-72,共13页
关键词 等离子体蚀刻 蚀刻 辉光放电
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编程等离子体辅助化学蚀刻装置
5
作者 周才品 《等离子体应用技术快报》 1998年第3期9-11,共3页
关键词 等离子体蚀刻 半导基片 可编程 蚀刻装置
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MCT的ECR—RIE
6
作者 甘奇志 《等离子体应用技术快报》 1994年第8期2-4,共3页
关键词 半导蚀刻 电子回旋共振 等离子体蚀刻
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用远距离等离子体激发无水氟化氢进行硅天然氧化物的选择性蚀刻
7
《等离子体应用技术快报》 1999年第7期7-8,共2页
关键词 AHF 氧化膜 选择性蚀刻 等离子体蚀刻
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碘化氢等离子体中的硅干蚀刻
8
作者 笑民 《等离子体应用技术快报》 1998年第11期18-19,共2页
关键词 碘化氢 等离子体蚀刻 硅干蚀刻
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表面离子蚀刻装置
9
作者 一弓 《等离子体应用技术快报》 1998年第6期10-11,共2页
关键词 工件 大面积 等离子体蚀刻 蚀刻装置
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通用工艺与设备
10
《电子科技文摘》 2005年第12期41-53,共13页
05192542002年电解工业报告=Report on the Electrolytic In-dustries for the Year 2002[刊,英]/V.Srinivasan,L.Lipp//Journal d The Electrochemical Society.—2003,150(12).—K15(E)0519255垂直腔面发射激光器的氧化工艺研究[刊,... 05192542002年电解工业报告=Report on the Electrolytic In-dustries for the Year 2002[刊,英]/V.Srinivasan,L.Lipp//Journal d The Electrochemical Society.—2003,150(12).—K15(E)0519255垂直腔面发射激光器的氧化工艺研究[刊,中]/谢浩锐//半导体光电.—2005,26(2).—124-127(D)0519256真空吸滤过程影响纸浆模塑制品质量问题的分析[刊,中)/杨广衍//真空.—2005,42(3).—49-50(D) 展开更多
关键词 通用工艺 电子束光刻 掩模 等离子体蚀刻 等离子体刻蚀 LITHOGRAPHY 极端紫外 压铸机 注射成型 溶胶一凝胶
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碳氟化合物高密度等离子体的蚀刻性能
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作者 豫民 《等离子体应用技术快报》 1998年第3期16-17,共2页
关键词 等离子体蚀刻 碳氟化合物 高密度等离子体
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用于SiO蚀刻工艺的磁中性环形放电等离子体
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作者 卫冰 《等离子体应用技术快报》 1999年第9期1-3,共3页
关键词 等离子体蚀刻 二氧化硅 NLD等离子体
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CF4/H2rf放电等离子体的诊断和加工
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作者 马民 《等离子体应用技术快报》 1998年第5期16-17,共2页
关键词 射频放电 等离子体蚀刻 四氟化碳 等离子体诊断
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可消除蚀刻工艺局限的UHF等离子体放电
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作者 夏华 《等离子体应用技术快报》 1997年第7期16-18,共3页
关键词 半导 等离子体蚀刻 等离子体放电 集成电路
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最近的等离子技术
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作者 吕洪久 《化工新型材料》 CAS 1986年第1期27-29,36,共4页
最近出现了各种用干法制作材料的方法,例如,采用真空蒸镀法和溅射法制薄膜。但由于其成膜速度很慢,所以实用化受到限制。近来又出现了利用等离子技术制造薄膜的方法。为了避免离子对基板的伤害,又研究了仅用自由基离子,由光激发的办法... 最近出现了各种用干法制作材料的方法,例如,采用真空蒸镀法和溅射法制薄膜。但由于其成膜速度很慢,所以实用化受到限制。近来又出现了利用等离子技术制造薄膜的方法。为了避免离子对基板的伤害,又研究了仅用自由基离子,由光激发的办法制作薄摸。构成薄膜的要素是原子,如以其附着于基板上的形态分类,大致可分为三类:1.蒸镀;2.溅射;3.在气体和基板界面反应。现将这三种干法制膜技术分述如下。 展开更多
关键词 光激励 离子 反应 基板 等离子体蚀刻 等离子刻蚀 真空蒸镀法 半导表面 功能材料 等离子技术 原子层 结晶性 CVD
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电子束激发的等离子体蚀刻
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作者 一弓 《等离子体应用技术快报》 1996年第4期12-13,共2页
关键词 电子束激发 等离子体蚀刻
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300mm圆片等离子体蚀刻系统发展面临挑战
17
《电子产品世界》 1998年第8期56-57,共2页
向300mm圆片的转变对蚀刻系统供应商提出了技术和经济上的挑战。变化的动力来自芯片制造商的希望和设备供应商的技术发展目标。转变需要新的设备和生产过程控制技术的重大进步,也对从经济到环境的诸方面提出了新要求。产量的挑战... 向300mm圆片的转变对蚀刻系统供应商提出了技术和经济上的挑战。变化的动力来自芯片制造商的希望和设备供应商的技术发展目标。转变需要新的设备和生产过程控制技术的重大进步,也对从经济到环境的诸方面提出了新要求。产量的挑战每个300mm圆片生产的芯片是20... 展开更多
关键词 圆片 等离子体蚀刻 IC 芯片
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磁场增强的等离子体蚀刻反应器
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作者 甘德昌 《等离子体应用技术快报》 1997年第2期9-10,共2页
关键词 半导 等离子体蚀刻 磁场
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用自形成单分子作掩模的等离子体蚀刻制备纳米结构
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作者 凡丁 《等离子体应用技术快报》 1997年第5期19-20,共2页
关键词 砷化镓 等离子体蚀刻 纳米结构 掩模 自形成
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等离子体蚀刻中离子轰击对氟化硅表面层的影响
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作者 甘德昌 《等离子体应用技术快报》 1995年第2期18-19,共2页
关键词 等离子体蚀刻 氟化硅 离子轰击 半导器件
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