深硅槽开挖工艺 被引量：1

1

作者 李祥 《微电子学》 CAS CSCD 1993年第2期39-43,共5页

本文介绍了硅槽应用,即硅槽隔离和硅槽电容,对器件性能的改善。并介绍了硅槽隔离和硅槽电容的形成步骤及硅槽刻蚀剖面的形貌控制,CBrF_3刻蚀硅槽侧壁保护层的形成等等。

关键词 硅槽 刻蚀剖面 刻蚀工艺 集成电路

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无鸟嘴高压氧化技术

2

作者 徐爱华 《微电子技术》 1993年第2期26-31,共6页

关键词 氧化隔离 硅槽 高压氧化 工艺

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硅槽刻蚀工艺研究

3

作者 李祥 《微电子技术》 1995年第1期20-28,共9页

集成电路的发展使硅槽的应用越来越广泛，如硅槽隔离和硅槽电容等等，它们将使器件的性能得到很好的改善。我们侧重研究了以Cl2和SF6为腐蚀剂的硅槽刻蚀工艺，对气体流量、射频功率和反应压力以及电极温度等工艺参数的变化对刻蚀结果─... 集成电路的发展使硅槽的应用越来越广泛，如硅槽隔离和硅槽电容等等，它们将使器件的性能得到很好的改善。我们侧重研究了以Cl2和SF6为腐蚀剂的硅槽刻蚀工艺，对气体流量、射频功率和反应压力以及电极温度等工艺参数的变化对刻蚀结果──蚀速及Si与SiO2选择比的影响进行了研究，同时还对研究过程中产生的异常现象，如“黑硅”现象等进行了分析，为以后开展更深入的研究及实际应用打下一个较为扎实的基础。 展开更多

关键词 硅槽 刻蚀 工艺 集成电路

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RMOS器件中硅槽及多晶硅栅的刻蚀

4

作者 李祥 《微细加工技术》 1995年第3期53-58,共6页

ＲＭＯＳ（ＲｅｃｔａｎｇｕｌａｒＧｒｏｏｖｅｄＭＯＳ）器件因具有独特的性能而得到较好的应用。本文介绍用ＲＩＥ设备进行ＲＭＯＳ器件硅槽刻蚀的工艺，并对填满硅槽内的多晶硅栅的刻蚀亦作了研究。选择适当的工艺条件，可刻蚀出形... ＲＭＯＳ（ＲｅｃｔａｎｇｕｌａｒＧｒｏｏｖｅｄＭＯＳ）器件因具有独特的性能而得到较好的应用。本文介绍用ＲＩＥ设备进行ＲＭＯＳ器件硅槽刻蚀的工艺，并对填满硅槽内的多晶硅栅的刻蚀亦作了研究。选择适当的工艺条件，可刻蚀出形貌较好的硅槽，并可在刻蚀完多晶硅后保持硅槽内多晶硅栅形貌完好。 展开更多

关键词 RMOS器件 硅槽 刻蚀 多晶硅栅

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IGBT深槽刻蚀氮化硅硬掩膜制作工艺研究

5

作者 袁寿财 韩建强 +3 位作者 荣垂才 武华 李梦超 王兴权 《赣南师范大学学报》 2019年第6期58-61,共4页

硅基深槽刻蚀是槽栅IGBT器件的基本结构,也是确保器件性能的关键工艺,氮化硅硬掩蔽膜质量对于硅基深槽刻蚀起着重要的作用.本文采用低压化学气相淀积(LPCVD)工艺淀积氮化硅薄膜,具有均匀性好,而且呈现较大的张应力,可以补偿二氧化硅缓... 硅基深槽刻蚀是槽栅IGBT器件的基本结构,也是确保器件性能的关键工艺,氮化硅硬掩蔽膜质量对于硅基深槽刻蚀起着重要的作用.本文采用低压化学气相淀积(LPCVD)工艺淀积氮化硅薄膜,具有均匀性好,而且呈现较大的张应力,可以补偿二氧化硅缓冲层的压应力,有效地解决了硅-二氧化硅-氮化硅夹心结构的应力问题.分析比较了工艺参数,如气体流量、淀积环境的压强、温度等,对氮化硅薄膜生长速率及膜厚的影响,获得了氮化硅薄膜淀积的优化工艺参数. 展开更多

关键词 低压化学气相淀积 氮化硅 硅槽 刻蚀

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硅槽刻蚀技术中的源气体选择 被引量：2

6

作者 王清平 苏韧 《微电子学》 CAS CSCD 1994年第6期65-68,共4页

源气体及组分的选择是硅槽刻蚀技术的关键因素。本文介绍了刻蚀过程中源气体及组分对硅的作用方式，从刻蚀速率、侧壁钝化、损伤、刻蚀均匀性等方面分析比较了近年来所出现的几种硅糟刻蚀用源气体及组分。

关键词 硅槽刻蚀 源气体 刻蚀

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一种新的深硅槽工艺技术

7

作者 郑宜钧 王明善 +1 位作者 贾永华 洪海燕 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期56-58,共3页

提出采用离子注入方法提高主掩膜光刻胶的耐干法腐蚀和腐蚀窗口磋的腐蚀速率，实现了在比较简陋的干法腐蚀设备上采用反应离子腐蚀模式进行深／浅硅槽工艺。

关键词 深硅槽 硅隔离 离子注入 光刻 腐蚀

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反应离子刻蚀硅槽工艺研究 被引量：1

8

作者 赵金茹 蒋大伟 陈杰 《电子与封装》 2017年第9期41-43,共3页

在CMOS多晶硅刻蚀工艺的基础上进行工艺开发,采用氯气和溴化氢气体进行硅槽刻蚀。通过对功率、压力、气体流量等工艺参数拉偏,用扫描电子显微镜观察硅槽侧壁形貌,分析各参数在反应离子刻蚀中所起到的作用,得到对硅槽形貌影响较大的因素... 在CMOS多晶硅刻蚀工艺的基础上进行工艺开发,采用氯气和溴化氢气体进行硅槽刻蚀。通过对功率、压力、气体流量等工艺参数拉偏,用扫描电子显微镜观察硅槽侧壁形貌,分析各参数在反应离子刻蚀中所起到的作用,得到对硅槽形貌影响较大的因素,最终得到一种能够与CMOS工艺兼容的硅槽刻蚀方法。该方法能够制作出深度6μm、深宽比4∶1、侧壁光滑的硅槽,可以用于光电继电器、硅电容等新型器件的研发。 展开更多

关键词 硅槽刻蚀 氯气 溴化氢 反应离子刻蚀 光电继电器 硅电容

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HBr反应离子刻蚀硅深槽 被引量：1

9

作者 刘家璐 张廷庆 +2 位作者 刘华预 王清平 叶兴耀 《微电子学》 CAS CSCD 1995年第4期39-44,共6页

对ＨＢｒ反应离子刘蚀硅和ＳｉＯ＿２进行了实验研究。介绍了ＨＢｒ等离子体的刻蚀特性，讨论了ＨＢｒ反应离子刻蚀硅的刻蚀机理，研究了ＨＢｒ中微量氧、碳对ＨＢｒＲＩＥ刻蚀过程的影响。实验表明，ＨＢｒ是一种刻蚀硅深槽理想的含原... 对ＨＢｒ反应离子刘蚀硅和ＳｉＯ＿２进行了实验研究。介绍了ＨＢｒ等离子体的刻蚀特性，讨论了ＨＢｒ反应离子刻蚀硅的刻蚀机理，研究了ＨＢｒ中微量氧、碳对ＨＢｒＲＩＥ刻蚀过程的影响。实验表明，ＨＢｒ是一种刻蚀硅深槽理想的含原子溴反应气体。采用ＨＢｒＲＩＥ，可获得高选择比（对Ｓｉ／ＳｉＯ＿２）和良好的各向异性。 展开更多

关键词 反应离子刻蚀 硅槽刻蚀 集成电路

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超低电容TVS二极管的沟槽工艺开发

10

作者 孙斌 《电子制作》 2018年第4期35-36,共2页

超低电容TVS二极管结构中,硅沟槽不仅仅用于填充多晶硅进行介质隔离,还要利用沟槽将雪崩二极管从平面改到纵向完成,降低有源区面积。本文通过引入新型掩膜材料,优化工艺,提升了沟槽的垂直度;多晶硅生长过程中引入小比例的HCL气体,控制... 超低电容TVS二极管结构中,硅沟槽不仅仅用于填充多晶硅进行介质隔离,还要利用沟槽将雪崩二极管从平面改到纵向完成,降低有源区面积。本文通过引入新型掩膜材料,优化工艺,提升了沟槽的垂直度;多晶硅生长过程中引入小比例的HCL气体,控制了槽口多晶硅生长速度过快的问题;优化了多晶硅退火工艺,消除了多晶硅生长过程中晶核未完全晶化的影响,提升了磷在多晶硅中分布的均匀性。 展开更多

关键词 硅槽刻蚀 掩蔽膜 多晶硅填充 多晶硅退火

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垂直硅槽光波导的群速度色散

11

作者 徐丽娟 倪晓昌 +1 位作者 何瑾 种浩 《天津职业技术师范大学学报》 2014年第3期16-19,共4页

研究由中间低折射率材料和两边高折射率材料组成的硅槽光波导,光场可以被束缚在低折射率材料中.利用有限元方法模拟了硅槽光波导的色散特性,研究了群速度色散随光波导的高度、硅层宽度、槽宽度的变换规律,并通过进一步系统优化,在1 700... 研究由中间低折射率材料和两边高折射率材料组成的硅槽光波导,光场可以被束缚在低折射率材料中.利用有限元方法模拟了硅槽光波导的色散特性,研究了群速度色散随光波导的高度、硅层宽度、槽宽度的变换规律,并通过进一步系统优化,在1 700～2 000 nm波长范围内获得平坦色散特性. 展开更多

关键词 纳米光子学 色散 光波导 群速度色散 垂直硅槽光波导

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无势垒纳米管

12

作者 JRMinkel 《科学（中文版）》 2003年第12期17-17,共1页

关键词 无势垒纳米管 金属线 硅槽 掺杂

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采用硅V型槽的一维光纤阵列的研制 被引量：20

13

作者 梁静秋 侯凤杰 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期89-94,共6页

阐述了一维光纤阵列的研制方法，分析了V型槽法中硅V型槽腐蚀机理，计算了V型槽的开口及间距与光纤半径及纤芯截面圆心距的关系，给出了最小槽深与光纤半径及V型槽开口的关系式。用各向异性腐蚀技术制作了硅V型槽，比较了紫外及红外粘... 阐述了一维光纤阵列的研制方法，分析了V型槽法中硅V型槽腐蚀机理，计算了V型槽的开口及间距与光纤半径及纤芯截面圆心距的关系，给出了最小槽深与光纤半径及V型槽开口的关系式。用各向异性腐蚀技术制作了硅V型槽，比较了紫外及红外粘接剂的性能，进行了光纤的排列、粘接及抛光，制作出一维光纤阵列。用原子力显微镜测量光纤阵列表面粗糙度为纳米量级，用ZYGO数字干涉仪检测光纤的端头位置误差为3～5μm。该项工作为二维光纤阵列的高精度制备奠定了基础。 展开更多

关键词 光纤阵列 硅V型槽 各向异性腐蚀 端面检测

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用于光纤阵列的Si-V型槽的制作 被引量：8

14

作者 雷莹 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2002年第5期447-450,共4页

集成光学器件已在许多领域得到了应用 ,对所有的光学器件 ,光纤与芯片之间的耦合都是一大难题 ,这是因为耦合的对准精度要求十分严格。常用的耦合方法之一是用精确腐蚀的Si V型槽作为集成光学器件尾纤耦合时光纤的固定夹具 ,V型槽的质... 集成光学器件已在许多领域得到了应用 ,对所有的光学器件 ,光纤与芯片之间的耦合都是一大难题 ,这是因为耦合的对准精度要求十分严格。常用的耦合方法之一是用精确腐蚀的Si V型槽作为集成光学器件尾纤耦合时光纤的固定夹具 ,V型槽的质量直接关系到耦合的成败。探讨了Si V型槽制作的理论、尺寸设计及工艺。 展开更多

关键词 光纤阵列 硅V型槽 集成光学 光纤耦合

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高精度长线列密排光纤阵列的制作研究 被引量：7

15

作者 侯凤杰 梁静秋 +2 位作者 郭鹏 孔庆峰 李佳 《微细加工技术》 EI 2007年第1期15-18,共4页

本文讨论了利用硅V型槽法制作高精度线性光纤阵列的可行性,介绍了硅V型槽制作机理,对影响器件精度的主要因素进行了分析,并在器件设计、制作中给予充分考虑。根据器件的可靠性要求,分析了用于光纤粘接的粘接剂应满足的特性,并对紫外固... 本文讨论了利用硅V型槽法制作高精度线性光纤阵列的可行性,介绍了硅V型槽制作机理,对影响器件精度的主要因素进行了分析,并在器件设计、制作中给予充分考虑。根据器件的可靠性要求,分析了用于光纤粘接的粘接剂应满足的特性,并对紫外固化胶和红外粘接剂进行实验对比,结果表明,Norland紫外固化胶和353ND红外粘接剂为最佳选择。用各向异性湿法腐蚀技术制作了硅V型槽,进行了光纤排列、定位及端面处理,制作出了高精度线性光纤阵列。对端面面型误差和表面粗糙度的测试后,结果表明光纤阵列端面纵向位置误差≤324 nm,表面粗糙度均方根值小于3.85nm。 展开更多

关键词 线性光纤阵列 硅V型槽 误差分析 粘接剂

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利用飞秒激光辐照结合湿法腐蚀方法制备高纵横比全硅槽的研究 被引量：3

16

作者 李艳娜 陈涛 +2 位作者 潘安 司金海 侯洵 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期141-147,共7页

利用飞秒激光辐照结合湿法腐蚀方法,制备了高纵横比硅基狭槽。首先利用透镜聚焦飞秒激光至硅片表面,在硅内部诱导结构变化;再结合氢氟酸(HF)溶液选择性腐蚀去除结构变化区域,从而制备出高纵横比硅基狭槽;最后,通过光学显微镜和扫描电子... 利用飞秒激光辐照结合湿法腐蚀方法,制备了高纵横比硅基狭槽。首先利用透镜聚焦飞秒激光至硅片表面,在硅内部诱导结构变化;再结合氢氟酸(HF)溶液选择性腐蚀去除结构变化区域,从而制备出高纵横比硅基狭槽;最后,通过光学显微镜和扫描电子显微镜对狭槽形貌进行表征,研究了狭槽纵横比对激光加工条件如激光功率、扫描速率和数值孔径的依赖特性。结果表明,激光加工条件对于制备高纵横比硅基狭槽存在最优选择。通过优化激光加工参数,可制备出深度为291μm,纵横比为25.3的硅基狭槽。相对于显微物镜,透镜的工作距离较大,加工过程可以避免镜片污染,且具有成本低,通光孔径大等优点。 展开更多

关键词 超快光学 飞秒激光 硅基狭槽 湿法腐蚀 透镜

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基于硅基槽型微环谐振器的集成生物传感器 被引量：1

17

作者 谭志荣 洪忆霄 +2 位作者 过海峰 葛华 洪建勋 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第8期779-784,共6页

本文对一种基于槽型微环谐振器的生物传感器进行了研究,通过微环谐振器与槽型波导的结合,增强光与传感媒质的相互作用,减小传输损耗的制约影响。采用时域有限差分法(FDTD)研究了波导有效折射率随传感物质材料折射率的变化,结果显示它们... 本文对一种基于槽型微环谐振器的生物传感器进行了研究,通过微环谐振器与槽型波导的结合,增强光与传感媒质的相互作用,减小传输损耗的制约影响。采用时域有限差分法(FDTD)研究了波导有效折射率随传感物质材料折射率的变化,结果显示它们呈线性关系,这为折射率的有效传感提供了可能。采用电子束光刻和等离子体刻蚀技术在SOI基片上制备了样品,SOI基片的顶层硅和埋入氧化层的厚度分别为220 nm和2μm,微环谐振器的微环半径为30μm。采用波导光栅耦合器来实现光的输入和输出,频谱测量显示槽型微环谐振器的品质因数达到了2 940,通过测量传感器表面覆盖不同浓度的氯化钠溶液时光谱谢振峰的变化,得到传感器的灵敏度和检测极限分别为980.24 nm/RIU和5.4×10^-4 RIU。 展开更多

关键词 生物传感 硅基槽型波导 微环谐振器 灵敏度 检测极限

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基于硅基槽波导的单纤三向滤波器的研究

18

作者 周志明 胡海云 +1 位作者 宋世娇 安俊明 《光学技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期710-714,共5页

设计了基于硅基槽波导的微环谐振型单纤三向滤波器。基于电磁场理论得到了二维情形下的硅基槽波导的模场及有效折射率随波长的变化关系,在此基础上,利用硅基槽微环谐振腔谐振波长与微环半径的关系,优化得到了可将1490nm和1550nm两个下... 设计了基于硅基槽波导的微环谐振型单纤三向滤波器。基于电磁场理论得到了二维情形下的硅基槽波导的模场及有效折射率随波长的变化关系,在此基础上,利用硅基槽微环谐振腔谐振波长与微环半径的关系,优化得到了可将1490nm和1550nm两个下载波长分开的谐振环半径,并同时将1310nm波长上传,三个波长信号从不同端口输出,成功地实现了三向器滤波功能。利用传递函数法模拟了所设计的硅基槽微环谐振型三向滤波器的输出光谱,结果显示其串扰可低至-16.9dB。 展开更多

关键词 导波光学 光纤到户 硅基槽波导 单纤三向滤波器 微环谐振器

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硅线石流槽砖成功替换电熔刚玉砖

19

作者 刘燕海 张晓光 《玻璃》 2001年第3期27-27,26,共2页

关键词 硅线硫槽砖 玻璃熔窑 电熔刚玉砖 替换 耐火材料

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