离子束辅助沉积制备氮化钽薄膜 被引量：3

1

作者 梅显秀 张庆瑜 +4 位作者 马腾才 杨大智 陈遐 王煜明 滕凤恩 《大连理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1995年第5期623-627,共5页

利用离子束辅助沉积（ＩＢＡＤ）技术制备ＴａＮ薄膜；掠入射的Ｘ射线衍射和透射电镜观察结果显示，薄膜晶粒细小、结构致密，是面心立方结构。俄歇深度分析表明，薄膜由均匀层和混合过渡层两个区域组成，ＸＰＳ得出薄膜主要以ＴａＮ形... 利用离子束辅助沉积（ＩＢＡＤ）技术制备ＴａＮ薄膜；掠入射的Ｘ射线衍射和透射电镜观察结果显示，薄膜晶粒细小、结构致密，是面心立方结构。俄歇深度分析表明，薄膜由均匀层和混合过渡层两个区域组成，ＸＰＳ得出薄膜主要以ＴａＮ形式存在；薄膜电阻稳定，不随温度变化。膜基结合性能好，膜内应力小；２５ｋｅＶ能量离子轰击制得薄膜内应力最小，结合最好。 展开更多

关键词 薄膜 氮化钽薄膜 离子束辅助沉积 制备

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MMIC芯片衰减器的设计与检测 被引量：3

2

作者 王聪玲 钟清华 +2 位作者 龙立铨 张铎 张青 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2019年第3期86-90,共5页

本文提供了一种单片微波集成电路(MMIC)芯片衰减器,采用氮化钽薄膜作为电阻材料,利用嵌套掩膜刻蚀技术将芯片衰减器结构一层一层套刻在陶瓷基片上。主要研究了利用氮化钽薄膜电阻制作芯片衰减器的优点,结合HFSS仿真软件,建立3 dB和10 d... 本文提供了一种单片微波集成电路(MMIC)芯片衰减器,采用氮化钽薄膜作为电阻材料,利用嵌套掩膜刻蚀技术将芯片衰减器结构一层一层套刻在陶瓷基片上。主要研究了利用氮化钽薄膜电阻制作芯片衰减器的优点,结合HFSS仿真软件,建立3 dB和10 dB芯片衰减器的有限元模型,并对实物产品进行测试验证。试验结果表明:3 dB芯片衰减器在DC～20 GHz工作频率内有较好的衰减响应,回波损耗在整个宽频带内都小于-20 dB,衰减量偏差在DC～12 GHz工作频率内小于±0.3 dB。10 dB芯片衰减器在DC～20 GHz工作频率内也有较好的衰减响应,回波损耗在整个宽频带内都小于-19 dB,衰减量偏差在DC～12 GHz工作频率内小于±0.35 dB。 展开更多

关键词 嵌套掩膜刻蚀 HFSS仿真 MMIC芯片衰减器 氮化钽薄膜 回波损耗

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氮化钽薄膜局部腐蚀早期过程的原位研究 被引量：1

3

作者 俞春福 徐久军 黑祖昆 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期17-18,共2页

利用离子束增强沉积 (IBED)技术在 1Cr18Ni9Ti奥氏体不锈钢上制备了TaN薄膜 ,并通过电化学原子力显微镜 (ECAFM)对TaN薄膜在NaCl溶液中的腐蚀早期过程进行了原位研究 ,重点观察了微观缺陷处的腐蚀状况。结果表明 ,在TaN薄膜的腐蚀早期阶... 利用离子束增强沉积 (IBED)技术在 1Cr18Ni9Ti奥氏体不锈钢上制备了TaN薄膜 ,并通过电化学原子力显微镜 (ECAFM)对TaN薄膜在NaCl溶液中的腐蚀早期过程进行了原位研究 ,重点观察了微观缺陷处的腐蚀状况。结果表明 ,在TaN薄膜的腐蚀早期阶段 ,腐蚀并非从缺陷处开始 ,反而在有坑的位置形成更厚的钝化膜 ,表现出较好的整平性 。 展开更多

关键词 氮化钽薄膜 局部腐蚀 原位 研究 ECAFM 离子束增强沉积 不锈钢

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磁控溅射制备氮化钽导电薄膜及其性能研究 被引量：2

4

作者 梁军生 陈亮 +2 位作者 王金鹏 张朝阳 王大志 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2018年第8期36-39,共4页

为了研制应用于超高温薄膜传感器的敏感层,采用直流磁控反应溅射,在硅基底上制备了氮化钽薄膜。研究了氮分压对薄膜微观结构和电阻率的影响。采用X射线衍射仪测试了氮化钽薄膜的物相结构,采用场发射扫描电子显微镜(SEM)观察了薄膜的表... 为了研制应用于超高温薄膜传感器的敏感层,采用直流磁控反应溅射,在硅基底上制备了氮化钽薄膜。研究了氮分压对薄膜微观结构和电阻率的影响。采用X射线衍射仪测试了氮化钽薄膜的物相结构,采用场发射扫描电子显微镜(SEM)观察了薄膜的表面形貌和断面形貌。利用半导体参数测试系统和三维手动探针台测量了氮化钽薄膜的电阻率。结果表明:在2%氮分压下,薄膜的物相结构为Ta N_(0.1),在3%氮分压下,薄膜的物相结构为Ta_2N,而当氮分压在4%~6%的情况下,薄膜的物相结构为Ta N。采用真空烘箱对氮化钽薄膜进行高温热处理。结果表明,薄膜电阻率从(80~433)×10^(-6)Ω·cm提升到了(120~647)×10^(-6)Ω·cm。 展开更多

关键词 反应溅射 氮化钽薄膜 氮分压 物相结构 热处理 电阻率

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用网状阴极法在碳钢表面沉积氮化钽薄膜 被引量：1

5

作者 窦瑞芬 田林海 +2 位作者 潘俊德 陈飞 赵晋香 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期27-29,共3页

介绍了一种新型的在钢铁基体上制备氮化钽薄膜的方法———网状阴极法。其设备简单、价格低廉。实验中发现 ,在各个参数配比合适的条件下 ,可制备出结构为fcc(面心立方 )和hex(密排六方 )的氮化钽薄膜。薄膜较致密且均匀 ,与基体的结合... 介绍了一种新型的在钢铁基体上制备氮化钽薄膜的方法———网状阴极法。其设备简单、价格低廉。实验中发现 ,在各个参数配比合适的条件下 ,可制备出结构为fcc(面心立方 )和hex(密排六方 )的氮化钽薄膜。薄膜较致密且均匀 ,与基体的结合好。同时分析了在最佳工艺参数条件下合成氮化钽膜的成分、组织、表面、断口形貌和结合力等。该方法为氮化钽薄膜作为结构材料使用提供了一种新的途径。 展开更多

关键词 网状阴极法 碳钢 表面沉积 氮化钽薄膜 空心阴极效应

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氮分压对Ta–N薄膜摩擦性能的影响 被引量：1

6

作者 严学华 尹君 程晓农 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期843-848,共6页

在氮气和氩气的混合气氛中,在不同N2分压下,用直流磁控溅射法在Si基片上沉积非晶态Ta–N薄膜。利用X射线衍射仪、原子力显微镜、台阶仪和纳米压痕仪、光学轮廓仪和扫描电子显微镜对沉积的薄膜进行表征。结果表明:不同N2分压下沉积的薄... 在氮气和氩气的混合气氛中,在不同N2分压下,用直流磁控溅射法在Si基片上沉积非晶态Ta–N薄膜。利用X射线衍射仪、原子力显微镜、台阶仪和纳米压痕仪、光学轮廓仪和扫描电子显微镜对沉积的薄膜进行表征。结果表明:不同N2分压下沉积的薄膜都有平整且致密的表面,表面均方根粗糙度都较小;随着N2分压的上升,薄膜沉积速率、纳米硬度和弹性模量都随之下降。所制备薄膜在室温、空气环境中具有稳定的滑动摩擦因数;当N2分压为混合气体的10%(体积分数)时,薄膜的摩擦因数最低,仅为0.27,但由于硬度较低,其磨损也相对较为严重。 展开更多

关键词 氮化钽薄膜 纳米硬度 弹性模量 表面形貌 摩擦性能

原文传递

薄膜电路埋嵌电阻的制备及性能研究

7

作者 张魁 吴希全 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期498-502,共5页

在薄膜集成电路的制作工艺中,沉积电阻材料制作高精度、高稳定性的埋嵌薄膜电阻是一项关键技术,TaN由于具有良好的电阻范围和较高的可靠性而被广泛应用于薄膜电路中制作埋嵌电阻。研究了通过反应磁控溅射技术制备TaN薄膜电阻,并通过均... 在薄膜集成电路的制作工艺中,沉积电阻材料制作高精度、高稳定性的埋嵌薄膜电阻是一项关键技术,TaN由于具有良好的电阻范围和较高的可靠性而被广泛应用于薄膜电路中制作埋嵌电阻。研究了通过反应磁控溅射技术制备TaN薄膜电阻,并通过均匀性挡板改善薄膜的均匀性,获得了高均匀性TaN薄膜电阻。分析了氮气流量比,沉积扫描速率等工艺参数对TaN薄膜电阻性能的影响,讨论TaN薄膜电阻最佳的制备工艺。 展开更多

关键词 薄膜电路 氮化钽薄膜 方阻

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发明与专利

8

《传感器世界》 2016年第1期52-53,共2页

氮化钽的刻蚀方法、磁传感器的形成方法 【摘要】一种氮化钽的刻蚀方法、磁传感器的形成方法。氮化钽刻蚀办法包括：以图形化的光刻胶层为掩膜，对氮化钽薄膜进行干法刻蚀，形成氮化钽层。干法刻蚀工艺的射频功率1500W，较低的射频功... 氮化钽的刻蚀方法、磁传感器的形成方法 【摘要】一种氮化钽的刻蚀方法、磁传感器的形成方法。氮化钽刻蚀办法包括：以图形化的光刻胶层为掩膜，对氮化钽薄膜进行干法刻蚀，形成氮化钽层。干法刻蚀工艺的射频功率1500W，较低的射频功率使得所形成的刻蚀气体的等离子体的能量较低，对氮化钽薄膜的轰击作用较低，被轰击溅射产生的钽元素与光刻胶形成的聚合物较少；用于承载晶片的承片台的温度≥25℃，较高的温度有利于所形成的聚合物被分解。因此本发明刻蚀氮化钽的工艺容易控制。 展开更多

关键词 发明 氮化钽薄膜 干法刻蚀 专利 形成方法 磁传感器 射频功率 刻蚀工艺

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网状阴极法在碳钢表面沉积氮化钽薄膜的研究

9

作者 窦瑞芬 田林海 +2 位作者 潘俊德 陈飞 赵晋香 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期58-61,共4页

介绍了一种在钢铁基体上制备氮化钽薄膜的新方法———网状阴极法。其设备简单、价格低廉。实验中发现 ,在工艺参数调配合适的条件下 ,可制备出结构为面心立方和密排六方结构的氮化钽薄膜。薄膜较致密且均匀 ,与基体结合良好。分析了优... 介绍了一种在钢铁基体上制备氮化钽薄膜的新方法———网状阴极法。其设备简单、价格低廉。实验中发现 ,在工艺参数调配合适的条件下 ,可制备出结构为面心立方和密排六方结构的氮化钽薄膜。薄膜较致密且均匀 ,与基体结合良好。分析了优选工艺参数条件下合成的氮化钽膜的成分、组织、表面和断口形貌及结合力。 展开更多

关键词 网状阴极溅射 空心阴极效应 氮化钽薄膜

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一种基于π型氮化钽薄膜电阻的MEMS衰减器

10

作者 朱光州 张世义 +3 位作者 王俊强 吴倩楠 李孟委 王志斌 《微电子学》 CAS 北大核心 2021年第5期739-745,共7页

针对传统衰减器体积大、反应时间长、可靠性差等问题,提出了一种基于氮化钽薄膜电阻的MEMS衰减器。根据π型衰减网路理论计算得到各个电阻的阻值,并计算各个电阻的仿真尺寸。利用HFSS 15.0电磁波仿真软件对衰减器结构进行仿真计算并优... 针对传统衰减器体积大、反应时间长、可靠性差等问题,提出了一种基于氮化钽薄膜电阻的MEMS衰减器。根据π型衰减网路理论计算得到各个电阻的阻值,并计算各个电阻的仿真尺寸。利用HFSS 15.0电磁波仿真软件对衰减器结构进行仿真计算并优化。通过修改磁控溅射参数制备稳定的氮化钽薄膜电阻,在此基础上制作MEMS衰减器。采用矢量网络分析仪和探针台进行衰减器射频性能测试。测试结果表明,在0.1~20GHz频率范围内,衰减器的回波损耗大于12.4dB,插入损耗小于2.1dB,衰减精度小于5dB。衰减器整体尺寸为2.2mm×1.2mm×1mm。 展开更多

关键词 氮化钽薄膜 电阻衰减网络 衰减器 MEMS

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(Ti,Ta)N三元薄膜的制备和表征 被引量：2

11

作者 李立 焦新莹 刘鸿鹏 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第8期689-693,共5页

在用真空阴极弧制备TiN和TaN两种薄膜的基础上,采用两个独立的金属弧源同时放电的方法成功制备出(Ti,Ta)N三元薄膜。通过X射线衍射、X射线光电子能谱、原子力显微镜对TiN、TaN和(Ti,Ta)N薄膜的微结构、化学组分、表面形貌进行了比较分析... 在用真空阴极弧制备TiN和TaN两种薄膜的基础上,采用两个独立的金属弧源同时放电的方法成功制备出(Ti,Ta)N三元薄膜。通过X射线衍射、X射线光电子能谱、原子力显微镜对TiN、TaN和(Ti,Ta)N薄膜的微结构、化学组分、表面形貌进行了比较分析,发现制备的(Ti,Ta)N三元薄膜是以立方结构为主的固溶体相构成,另外还存在单斜结构的Ta3N5相。与两种二元薄膜相比,其XRD图谱的衍射峰显著变宽,择优取向(200)的择优程度进一步加强。三元薄膜表面的Ti∶Ta∶N比为0.46∶0.34∶1,晶粒大小为纳米尺度。 展开更多

关键词 氮化钛薄膜氮化钽薄膜 (Ti Ta)N三元薄膜 真空阴极弧沉积

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基于微系统IPD工艺的功分网络制造技术 被引量：1

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作者 崔凯 李浩 +3 位作者 谢迪 张兆华 齐昆仑 孙毅鹏 《电子机械工程》 2021年第4期40-43,共4页

集成无源器件(Integrated Passive Device,IPD)具有高集成度、高精度、高可靠性的优势,在射频微波领域极具应用前景,但薄膜多层电路及高精度电阻制作是限制其广泛应用的关键问题。文中基于IPD技术设计制作了毫米波Wilkinson带状线功率分... 集成无源器件(Integrated Passive Device,IPD)具有高集成度、高精度、高可靠性的优势,在射频微波领域极具应用前景,但薄膜多层电路及高精度电阻制作是限制其广泛应用的关键问题。文中基于IPD技术设计制作了毫米波Wilkinson带状线功率分配/合成器,通过薄膜多层技术实现了2层苯并环丁烯(BCB)介质、3层布线的多层结构,最小线宽和线距皆为20μm。通过反应磁控溅射方法在BCB介质表面制备了50Ω/□和100Ω/□的TaN高精度薄膜电阻。片上集成的功分网络的工作频率为30-40 GHz,频带内各个端口的回波损耗为-15dB,插入损耗为(4.6±0.2)dB。该研究突破了硅基薄膜多层高密度布线技术,制作了功分器并对其进行了测试,为射频微系统无源网络一体化集成提供了有效的解决方案。 展开更多

关键词 射频微系统 集成无源器件 功分器 多层薄膜 氮化钽薄膜电阻

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Vishay发布应用于国防和航天的新款QPL氮化钽薄膜片式电阻

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《电子设计工程》 2012年第22期29-29,共1页

目前，Vishay Intertechnology，Inc．（NYSE）宣布，推出通过QPLMIL—PRF-55342测试的新款表面贴装片式电阻——E/H（Ta2N）QPL，保证可靠性达到100ppm的“M”级失效率。新的E／H（Ta2N）QPL电阻使用耐潮的氮化钽电阻膜技术制造，为国... 目前，Vishay Intertechnology，Inc．（NYSE）宣布，推出通过QPLMIL—PRF-55342测试的新款表面贴装片式电阻——E/H（Ta2N）QPL，保证可靠性达到100ppm的“M”级失效率。新的E／H（Ta2N）QPL电阻使用耐潮的氮化钽电阻膜技术制造，为国防和航天应用提供了增强的性能规格，包括0．1％的容差和25ppm／℃的TCR。 展开更多

关键词 氮化钽薄膜 片式电阻 航天应用 国防 表面贴装 性能规格 INC 失效率

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