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LB膜诱导CaF_2单晶的生长研究 被引量:6
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作者 逯乐慧 霍立华 +2 位作者 李薇 崔海宁 席时权 《化学通报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期33-36,共4页
LB膜作为模板可调控晶体的取向生长。实验中利用 SEM,XRD等手段研究了转移到硅基底上的 L B膜诱导氟化钙单晶的生长情况。发现 :在二十二烷基羧酸 L B膜诱导下 ,氟化钙晶体沿(2 2 0 )晶面取向生长 。
关键词 二十二烷基羧酸 LB膜 氟化钙单晶 制备 晶体生长
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利用Langmuir单层膜诱导合成CaF_2单晶 被引量:2
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作者 王宝基 张兴堂 +4 位作者 薛中会 戴树玺 李蕴才 黄亚彬 杜祖亮 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期12-16,共5页
利用SEM、XPS、XRD等手段研究了以山嵛酸(BA)Langmuir单层膜为模板在位诱导氟化钙单晶的生长情况.结果表明,在山嵛酸单分子膜诱导作用下,形成的氟化钙晶体形状比较规则、边缘清晰、尺寸较大,且沿(111)晶面取向生长.这一结果可以通过C... 利用SEM、XPS、XRD等手段研究了以山嵛酸(BA)Langmuir单层膜为模板在位诱导氟化钙单晶的生长情况.结果表明,在山嵛酸单分子膜诱导作用下,形成的氟化钙晶体形状比较规则、边缘清晰、尺寸较大,且沿(111)晶面取向生长.这一结果可以通过CaF2晶体的(111)面与山嵛酸Langmuir膜之间存在的一定晶格匹配得到合理解释. 展开更多
关键词 山嵛酸 Langmuir单层膜 氟化钙单晶
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157nm紫外光刻设备用光学材料研究进展
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作者 臧春雨 曹望和 石春山 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第6期34-36,共3页
介绍了半导体制进业专用设备,紫外光刻设备所使用的光学材料。介绍了该材料的选择,研究现状,该材料制造工艺技术的创新,以及与材料制造技术相配套的技术发展状况,同时分析了国际市场现状及该技术的发展趋势。
关键词 紫外光刻设备 光学材料 紫外光刻技术 半导体 制造 CaF2晶体 氟化钙单晶
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德国研制出大直径氟化钙单晶——可用在制造七十纳米芯片的光刻装备中 被引量:1
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《新材料产业》 2000年第6期44-44,共1页
德国耶拿ML微电子公司成功地研制出350mm直径的氟化钙单晶体,可用于制造70mm微细结构芯片。专家对这种新一代芯片和未来半导体产品市场前景看好。该公司首次采用了氟化钙材料拉制单晶,单晶在真空炉里持续生长2个月,最后制得的单晶直径达... 德国耶拿ML微电子公司成功地研制出350mm直径的氟化钙单晶体,可用于制造70mm微细结构芯片。专家对这种新一代芯片和未来半导体产品市场前景看好。该公司首次采用了氟化钙材料拉制单晶,单晶在真空炉里持续生长2个月,最后制得的单晶直径达350mm,高100mm。利用氟化钙单晶加工芯片,芯片的微细结构可以小至70nm,而目前硅单晶芯片的微细加工只能达到193nm。大直径氟化钙单晶的研制成功为生产新一代芯片奠定了基础,使公司在这一技术方面处世界领先水平。 另据报道,继1998年德美合资建成世界首座300mm单晶硅芯片生产厂后,最近,德方准备再投10亿欧元,建立第2个300mm单晶硅芯片生产厂,以确保德国在300mm半导体芯片生产的国际竞争地位。世界半导体产品市场的最新调查表明,未来几年半导体产品市场仍然旺销,1999年的销售额为8360亿美元,2004年预计将达到1.3万亿美元。 展开更多
关键词 氟化钙单晶 纳米芯片 NM 单晶 半导体芯片 德国 装备
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直径300mm氟化钙单晶的生长
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《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期1286-1286,共1页
氟化钙晶体是一种重要的光学材料,具有立方对称性晶格,热机性能良好。物化性能稳定,不潮解,抗辐照损伤能力强,透光范围宽,在130nm到10μm的波长范围内透光性能良好,应力双折射低(在200nm以上无明显本征双折射),及折射率均匀高。
关键词 氟化钙单晶 应力双折射 生长 直径 透光性能 氟化钙晶体 光学材料 热机性能
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日本成功拉制出大型氟化钙单晶
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作者 杨晓蝉 《现代材料动态》 2003年第4期7-7,共1页
关键词 大型氟化钙单晶 CZ法 氟激光曝光装置 透镜材料 拉制
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