扩散工艺对渗铝钢循环氧化和剥落性能的影响机理研究 被引量：5

1

作者 张伟 范志康 +1 位作者 徐国辉 文九巴 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期45-49,共5页

通过不同扩散工艺实验,研究了热浸渗铝钢的抗氧化和剥落性能及其机理。结果表明,随扩散温度升高和时间延长,扩散层的空洞不断增加,次外层和过渡层之间空洞逐步聚集连接成波浪线状空洞带。在高温氧化期间,空洞带又连接成平行于表面的线... 通过不同扩散工艺实验,研究了热浸渗铝钢的抗氧化和剥落性能及其机理。结果表明,随扩散温度升高和时间延长,扩散层的空洞不断增加,次外层和过渡层之间空洞逐步聚集连接成波浪线状空洞带。在高温氧化期间,空洞带又连接成平行于表面的线状裂纹,其内部产生了内氧化。因此,渗铝钢的抗循环氧化和剥落性能不仅与扩散层组织和表面的氧化速度有关,而且与扩散层的空洞和内氧化有关。最佳的扩散工艺参数是900℃×2h。 展开更多

关键词 内氧化 氧化和剥落性能 扩散工艺 渗铝钢

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晶体硅太阳电池扩散工艺研究 被引量：6

2

作者 刘金虎 徐征 +2 位作者 赵谡玲 刘志平 李栋才 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期1375-1380,共6页

作为晶体硅太阳电池制作的心脏环节,扩散的效果也就是扩散后方块电阻的均匀性显得尤为重要。影响方块电阻均匀性的主要因素有:大小氮的流量、O2的流量、通源时间、再分布时间和中心温度。通过逐一改变这些因素,分析所得数据,得到一个能... 作为晶体硅太阳电池制作的心脏环节,扩散的效果也就是扩散后方块电阻的均匀性显得尤为重要。影响方块电阻均匀性的主要因素有:大小氮的流量、O2的流量、通源时间、再分布时间和中心温度。通过逐一改变这些因素,分析所得数据,得到一个能有效控制方块电阻大小、使方块电阻均匀性达到最佳的规律:大小氮流量的变化共同影响方块电阻均匀性;方块电阻大小的改变主要靠温度、时间、小氮的流量的改变来调节。通过以上实验规律的研究,便于常规工艺的调试和高方块电阻工艺中高方块电阻的制备和极差的优化。 展开更多

关键词 扩散工艺 通源时间 再分布时间 方块电阻 均匀性

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集成电路工艺课程的教学实践 被引量：4

3

作者 李严 殷树娟 +3 位作者 倪晓明 李涵 吴秋新 邓伟 《集成电路应用》 2022年第3期20-22,共3页

阐述集成电路工艺课程的教学内容,集成电路工艺课程教学对于其他集成电路类课程的作用,包括单晶硅制备流程、光刻工艺的步骤、扩散工艺流程。

关键词 集成电路制造 单晶硅制备 光刻工艺 扩散工艺

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热浸镀铝钢的扩散工艺研究 被引量：4

4

作者 张伟 《特种铸造及有色合金》 CAS CSCD 北大核心 2007年第10期799-801,共3页

通过对热浸镀铝的20号碳钢进行不同扩散工艺试验，研究了渗铝层在800℃氧化过程中的组织形貌变化和抗氧化性能。结果表明，当扩散温度为750℃时，在2～6h扩散时间内，随时间延长，氧化速率增加；当扩散温度为850。C时，在2～4h扩散时间... 通过对热浸镀铝的20号碳钢进行不同扩散工艺试验，研究了渗铝层在800℃氧化过程中的组织形貌变化和抗氧化性能。结果表明，当扩散温度为750℃时，在2～6h扩散时间内，随时间延长，氧化速率增加；当扩散温度为850。C时，在2～4h扩散时间内，随时间延长，氧化速度减慢，4h时达到极小值，而后随时间延长，氧化速度又逐渐增大；当扩散工艺为900℃×2h时，抗氧化性能最好。研究表明，在高温氧化期间，经扩散处理后渗铝层／基体界面空洞逐步连接成平行于表面的线状裂纹，其内产生了内氧化，对扩散型热浸镀铝钢的抗氧化性能有直接影响。 展开更多

关键词 热浸镀铝 扩散工艺 抗氧化性能 内氧化

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2020年中国光伏技术发展报告——晶体硅太阳电池研究进展(4) 被引量：3

5

作者 中国可再生能源学会光伏专业委员会 《太阳能》 2021年第1期5-10,共6页

目前TOPCon电池的一大任务就是如何简化制备工艺,以便最大限度地降低成本。图24给出了TOPCon电池的3种不同的工业化工艺流程,这3种工艺分别为LPCVD制备多晶硅膜结合传统的全扩散工艺、LPCVD制备多晶硅膜结合扩硼及离子注入磷工艺,以及PE... 目前TOPCon电池的一大任务就是如何简化制备工艺,以便最大限度地降低成本。图24给出了TOPCon电池的3种不同的工业化工艺流程,这3种工艺分别为LPCVD制备多晶硅膜结合传统的全扩散工艺、LPCVD制备多晶硅膜结合扩硼及离子注入磷工艺,以及PECVD制备多晶硅膜并原位掺杂工艺。 展开更多

关键词 多晶硅膜 离子注入 LPCVD 原位掺杂 扩散工艺 晶体硅太阳电池 光伏技术 TOP

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日立金属钕铁硼稀土永磁材料专利布局分析 被引量：2

6

作者 李晓蕾 《冶金与材料》 2020年第4期64-64,73,共2页

日立金属自1983年起涉及钕铁硼稀土永磁材料的专利申请共1113项,近年日立金属对中国市场非常的重视,通过分析发现其近年在中国重点布局专利,发现集中在成分改进、成型工艺改进、烧结热处理改进、扩散处理改进、以及微结构改进五个方面,... 日立金属自1983年起涉及钕铁硼稀土永磁材料的专利申请共1113项,近年日立金属对中国市场非常的重视,通过分析发现其近年在中国重点布局专利,发现集中在成分改进、成型工艺改进、烧结热处理改进、扩散处理改进、以及微结构改进五个方面,并以成分、扩散和微结构布局较为系统。 展开更多

关键词 日立 钕铁硼 烧结 成分 扩散工艺 微结构 专利 布局

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低成本衬底上多晶硅薄膜电池的探索

7

作者 许颖 励旭东 +3 位作者 王文静 于元 赵玉文 沈辉 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期301-304,共4页

在低成本、两种纯度的P++颗粒硅带衬底(SSP)上,采用RT化学气相沉积(CVD)技术制备了多晶硅薄膜电池。无论高纯硅粉还是低纯硅粉制备的SSP衬底杂质含量都很高且表面凹凸不平;采用4μm/min的沉积速率和钝化作用得到了高质量外延多晶硅薄膜... 在低成本、两种纯度的P++颗粒硅带衬底(SSP)上,采用RT化学气相沉积(CVD)技术制备了多晶硅薄膜电池。无论高纯硅粉还是低纯硅粉制备的SSP衬底杂质含量都很高且表面凹凸不平;采用4μm/min的沉积速率和钝化作用得到了高质量外延多晶硅薄膜。通过扩散工艺制成的多晶硅薄膜太阳电池的转换效率分别为6 25%(高纯硅粉制成的SSP衬底)和4 5%(低纯硅粉制成的SSP衬底)。 展开更多

关键词 多晶硅薄膜电池 太阳电池 颗粒硅带 扩散工艺 化学气相沉积 低成本衬底 光伏电池

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M5111-6/UM型五管软着陆扩散炉研制 被引量：1

8

作者 谢于柳 禹庆荣 +1 位作者 许烁烁 朱奕漪 《电子工业专用设备》 2016年第8期30-34,共5页

M5111-6/UM型五管软着陆扩散炉用于晶体硅太阳能电池片扩散工艺,具有全自动化、高产能、减压扩散等特点,介绍该型号设备结构组成及性能,并给出了工艺结果,结果表明该设备各方面性能均已达到国内领先水平。

关键词 太阳能电池 扩散工艺 减压扩散炉

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基于Web的扩散工艺数据管理 被引量：1

9

作者 刘骄剑 廖文和 +1 位作者 俞烽 郭宇 《机械制造与自动化》 2008年第4期114-116,共3页

为满足军工企业快速扩散制造模式下对工艺快速反应能力的需要,提出了扩散工艺数据管理的框架,对其关键技术进行了研究。结合某航天企业实际,开发了原型系统并进行了初步验证,大大缩短了扩散任务的工艺准备周期,满足了军工企业快速扩散... 为满足军工企业快速扩散制造模式下对工艺快速反应能力的需要,提出了扩散工艺数据管理的框架,对其关键技术进行了研究。结合某航天企业实际,开发了原型系统并进行了初步验证,大大缩短了扩散任务的工艺准备周期,满足了军工企业快速扩散制造的要求。 展开更多

关键词 快速扩散制造 扩散工艺 数据管理 WEB

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PESC电池扩散工艺的改进及分析 被引量：1

10

作者 王宇 史济群 +1 位作者 马稚尧 谢基凡 《华中理工大学学报》 CSCD 北大核心 1991年第2期141-144,共4页

由于硅单晶质量的提高及背表面场和减反射膜技术的应用,电池的短路电流已接近理论极限值,因此其性能的改进就取决于发射区的优化.本文论述了一种改进的扩散工艺——二次扩散工艺.其主要特点是提高氧化温度,利用氧化过程的高温改善发射... 由于硅单晶质量的提高及背表面场和减反射膜技术的应用,电池的短路电流已接近理论极限值,因此其性能的改进就取决于发射区的优化.本文论述了一种改进的扩散工艺——二次扩散工艺.其主要特点是提高氧化温度,利用氧化过程的高温改善发射区杂质分布,从而减少“死层”的影响.文中分析并计算了二次扩散(氧化)后的杂质分布和结深的变化,并讨论了二次扩散对发射区少于复合的影响及工艺条件对发射区各参数的影响. 展开更多

关键词 PESC电池 扩散工艺 发散区 硅单晶

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浅谈扩散工艺在半导体生产中的应用 被引量：1

11

作者 李如东 《电子制作》 2017年第15期60-61,共2页

扩散工艺是制作半导体的关键结构PN结的一种常用方法。本文在介绍了扩散的定义、扩散工艺在半导体生产过程中的作用原理和应用范围的基础上,从扩散工艺的工艺流程,扩散工艺在PN结形成中的作用,在半导体生产中扩散工艺方法以及扩散工艺... 扩散工艺是制作半导体的关键结构PN结的一种常用方法。本文在介绍了扩散的定义、扩散工艺在半导体生产过程中的作用原理和应用范围的基础上,从扩散工艺的工艺流程,扩散工艺在PN结形成中的作用,在半导体生产中扩散工艺方法以及扩散工艺的发展四个方面,探究了扩散工艺在半导体生产中的应用。 展开更多

关键词 半导体 扩散工艺 PN结 恒定源扩散 限定源扩散 扩散电阻 分凝效应

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LiNbO_3晶片Sr^(2+)扩散的实验研究

12

作者 强亮生 徐志伟 +2 位作者 张俊保 徐崇泉 韦永德 《黑龙江大学自然科学学报》 CAS 2002年第4期99-102,105,共5页

对LN晶片进行了Sr2+扩散的实验研究,研究表明,LN晶体的Sr2+扩散宜选择LNLi:SrO=80:20的陶瓷粉为扩散源,于950℃下扩散25h。Sr2+扩散主要是通过缺陷进行的,扩散系数较大,扩散活化能较小,可在较低的温度下进行,扩散最大量为8.07％,且Sr2+... 对LN晶片进行了Sr2+扩散的实验研究,研究表明,LN晶体的Sr2+扩散宜选择LNLi:SrO=80:20的陶瓷粉为扩散源,于950℃下扩散25h。Sr2+扩散主要是通过缺陷进行的,扩散系数较大,扩散活化能较小,可在较低的温度下进行,扩散最大量为8.07％,且Sr2+扩散杂质分布较Sr2+掺杂杂质分布均匀。 展开更多

关键词 实验研究 LINBO3晶体 Sr^2+扩散 扩散工艺 扩散机理 声表面波材料

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扩散硅压阻传感器及其工艺技术的研究

13

作者 车军 《仪器仪表学报》 EI CAS 1980年第1期48-59,共12页

扩散硅压阻传感器是七十年代出现的新型检测仪表。本文描述了该传感器的特性、原理、硅压敏膜片的设计理论。同时介绍了传感器的压力量程计算方法、装配结构、扩散工艺、低温玻璃封接技术、球焊技术等研究成果,使传感器精度和长期稳定... 扩散硅压阻传感器是七十年代出现的新型检测仪表。本文描述了该传感器的特性、原理、硅压敏膜片的设计理论。同时介绍了传感器的压力量程计算方法、装配结构、扩散工艺、低温玻璃封接技术、球焊技术等研究成果,使传感器精度和长期稳定性显著提高。其精度达到001%FS,非线性小于0.05%,迟滞小于0.02%,不重复性小于0.02%。 展开更多

关键词 压阻传感器 工艺技术 压敏 硅膜 压阻式 扩散工艺 球焊 封接 传感元件 不重复性

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挖槽工艺在我国晶闸管制造历史上的作用

14

作者 郑媛 《电力电子》 2004年第4期55-55,64,共2页

本刊上期介绍了晶闸管制造的前十年，是一定要用大量黄金的。照此下去，电力电子势必成为国民经济的耗金大户；而且这种“扩散一合金工艺”限制了晶闸管向大面积(扩展电流容量)、高电压、快速性、高性能及派生新器件的方向发展。尽管开... 本刊上期介绍了晶闸管制造的前十年，是一定要用大量黄金的。照此下去，电力电子势必成为国民经济的耗金大户；而且这种“扩散一合金工艺”限制了晶闸管向大面积(扩展电流容量)、高电压、快速性、高性能及派生新器件的方向发展。尽管开发了石墨粉压接、真空吸片、倒装等保证烧结质量(主要是保证金锑片。 展开更多

关键词 晶闸管 挖槽工艺 二氧化硅膜 扩散工艺 P-N-P结构

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降低单晶太阳电池组件光衰的扩散工艺研究

15

作者 安百俊 陈刚刚 +1 位作者 谢余才 李进 《宁夏电力》 2018年第4期1-5,35,共6页

针对常规晶硅电池组件在发电运行中存在光致衰减现象,经过对电池扩散工艺的分析和研究,提出一种提升电池少子寿命和方块电阻的工艺。经实验测试和应用结果表明该工艺能够有效解决组件运行中产生的光衰现象。

关键词 电池组件 光衰 扩散工艺 少子寿命 方块电阻

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两步硼扩散代替硼铝扩散的探讨

16

作者 孔德平 张学军 《上海半导体》 1992年第2期9-10,共2页

关键词 功率晶体管 扩散工艺 硼 代硼铝

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SPC多阶嵌套控制图在SCR扩散工艺中的应用

17

作者 陈黄鹂 赵卫 +1 位作者 赵涛 种晓辉 《内江科技》 2018年第5期20-21,共2页

本文介绍了SPC多阶嵌套控制图在SCR扩散工艺中的应用。并以对SCR磷扩散工艺方块电阻的控制为例,详细讲述了如何进行SPC多阶嵌套模型数据采集、计算、控制图绘制及过程能力分析。证明采用此方法可以很好地解决以前扩散工艺存在的数据采... 本文介绍了SPC多阶嵌套控制图在SCR扩散工艺中的应用。并以对SCR磷扩散工艺方块电阻的控制为例,详细讲述了如何进行SPC多阶嵌套模型数据采集、计算、控制图绘制及过程能力分析。证明采用此方法可以很好地解决以前扩散工艺存在的数据采集不全面、分析不准确的问题。 展开更多

关键词 扩散工艺 嵌套模型 控制图 SCR SPC 多阶 应用 过程能力分析

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大锻件的高温扩散工艺

18

作者 聂绍珉 刘鑫刚 《锻造与冲压》 2007年第11期62-62,64,66,共3页

高温扩散是古老而又新兴的工艺．“古老”是因为它的使用已经有很长的历史．“新兴”是因为随着新材料尤其是铝合金、镍基合金的开发使用．以及节约能源理念的深入人心．使得高温扩散工艺的研究又得到了更多的关注。

关键词 扩散工艺 高温扩散 大锻件 节约能源 镍基合金 铝合金 新材料

原文传递

基于物理冶金多晶硅太阳电池的磷扩散工艺

19

作者 邹凯 和江变 +2 位作者 李健 郭凯华 郭永强 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第9期1784-1787,共4页

作为制备晶体硅太阳电池的核心技术,扩散后方块电阻的均匀性显得非常重要。通过对现有晶体硅太阳电池扩散工艺进行改进,提出一种间断性变温磷扩散工艺。此工艺应用于物理冶金多晶硅太阳电池制备中,所形成的p-n结表面杂质浓度低,杂质分... 作为制备晶体硅太阳电池的核心技术,扩散后方块电阻的均匀性显得非常重要。通过对现有晶体硅太阳电池扩散工艺进行改进,提出一种间断性变温磷扩散工艺。此工艺应用于物理冶金多晶硅太阳电池制备中,所形成的p-n结表面杂质浓度低,杂质分布均匀,提高了硅片少子寿命和方块电阻的均匀性,有利于电子的收集,减少了太阳电池因复合造成的效率损失,从而提高电池片最终光电转换效率。与现有工艺相比,减少了三氯氧磷、干氧的使用量,缩短了工艺时间,节约了生产成本。 展开更多

关键词 冶金多晶硅 太阳电池 扩散工艺 方块电阻 均匀性

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工业化N型高效双面晶体硅太阳电池扩散工艺研究

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作者 张敏 何凤琴 +1 位作者 刘飞 王冬冬 《中国高新科技》 2019年第23期41-43,共3页

主要对电池电性能参数中扩散工艺曲线的影响原因进行了研究,根据相关的实验结果可知,将背场扩展的方块电阻降低能够使电池的填充因子提高,同时会降低开路电压以及短路电流,因此需要找到平衡点,让背场饱和的电流密度与填充因子更加平衡,... 主要对电池电性能参数中扩散工艺曲线的影响原因进行了研究,根据相关的实验结果可知,将背场扩展的方块电阻降低能够使电池的填充因子提高,同时会降低开路电压以及短路电流,因此需要找到平衡点,让背场饱和的电流密度与填充因子更加平衡,并且要想将金属化栅线的接触有效改善,就需要将发射极表面的杂质浓度降低,适当加深方块电阻。 展开更多

关键词 工业化 N型 双面晶体硅 太阳电池 扩散工艺

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