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低频弹性波超材料的若干进展 被引量:6
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作者 王凯 周加喜 +2 位作者 蔡昌琦 徐道临 文桂林 《力学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第10期2678-2694,I0001,共18页
超材料是一类新兴的具有超常物理性质的人造周期/拟周期材料,能够改变电磁波、声波以及弹性波等在介质中的传播特性.因在航天、国防以及民用科学等方面的巨大应用潜力,超材料自被提出后便受到极大的关注并引发研究热潮.弹性波超材料是... 超材料是一类新兴的具有超常物理性质的人造周期/拟周期材料,能够改变电磁波、声波以及弹性波等在介质中的传播特性.因在航天、国防以及民用科学等方面的巨大应用潜力,超材料自被提出后便受到极大的关注并引发研究热潮.弹性波超材料是超材料的一种,能够基于弹性波与超材料结构的相互耦合作用实现对弹性波的操控.带隙是评估弹性波超材料实现弹性波操控的重要工具,其性质与超材料的材料参数、晶格常数以及局域振子的固有频率相关.受制于超材料的承载能力、外观尺寸以及局域振子结构等因素,利用传统超材料开启低频(约100 Hz)弹性波带隙依然存在较大困难.文章首先简要介绍超材料开启弹性波带隙的基本原理,然后从低频弹性波超材料基本结构与低频带隙实现方法、低频带隙优化与调控策略、低频带隙潜在应用等三个方面详细总结低频弹性波超材料的研究工作.其中,低频带隙超材料的基本结构主要包括布拉格散射型超材料、传统局域共振型超材料以及准零刚度局域共振超材料.文章通过总结低频弹性波超材料的研究进展,分析了目前研究中的不足并对未来低频弹性波的研究方向进行了展望. 展开更多
关键词 超材料 低频带隙 准零刚度 带隙调控 振动抑制
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C掺杂纳米硅藻土@TiO2催化剂吸附-光催化降解油田废水 被引量:7
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作者 王薇 刘竟成 +2 位作者 霍旺晨 王均 王芊卉 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第23期23027-23032,共6页
硅藻土@TiO2复合材料已被证明对液态和气态的有机污染物如染料、甲醛等具有较高的吸附能力、光催化活性和重复使用性,而C掺杂则能够调控TiO2的能带结构并拓展其吸收范围至可见光区域。本研究以四氟化钛为前驱体,采用简单的水热合成法制... 硅藻土@TiO2复合材料已被证明对液态和气态的有机污染物如染料、甲醛等具有较高的吸附能力、光催化活性和重复使用性,而C掺杂则能够调控TiO2的能带结构并拓展其吸收范围至可见光区域。本研究以四氟化钛为前驱体,采用简单的水热合成法制备了硅藻土@TiO2复合材料,并以葡萄糖为碳源,通过焙烧的方法得到C掺杂硅藻土@TiO2光催化剂,探索了C掺杂纳米硅藻土@TiO2在可见光下对油田废水中有机污染物的去除效果。研究表明,C的掺杂并未使硅藻土@TiO2的形貌发生改变,产物保持了丰富的孔隙结构,TiO2颗粒较为均匀地负载在硅藻土上;同时,紫外-可见光谱证实了C掺杂使得材料的禁带宽度明显减小。根据吸附-光催化测试结果,C掺杂量为20%、焙烧时间为3 h的光催化剂样品,在吸附20 min+光照射75 min后可使油田废水的COD降低82.59%,其去除污染物效果显著优于纯硅藻土@TiO2。 展开更多
关键词 碳掺杂 纳米硅藻土@TiO2 吸附 可见光催化 油田废水 化学需氧量(COD) 带隙调控
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新型二维压电声子晶体板带隙可调性研究 被引量:7
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作者 廖涛 孙小伟 +3 位作者 宋婷 田俊红 康太凤 孙伟彬 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第21期199-206,共8页
设计了一种由涂有硬质材料涂层的柱状压电散射体周期性连接在四个环氧树脂薄板上构成的具有大带宽的新型二维压电声子晶体板,并利用有限元方法计算了该声子晶体板的能带结构、传输损失谱和位移矢量场.研究表明:与二组元材料构成的传统... 设计了一种由涂有硬质材料涂层的柱状压电散射体周期性连接在四个环氧树脂薄板上构成的具有大带宽的新型二维压电声子晶体板,并利用有限元方法计算了该声子晶体板的能带结构、传输损失谱和位移矢量场.研究表明:与二组元材料构成的传统声子晶体板相比,新设计的声子晶体板的第一完全带隙频率更低,并且带宽扩大了5倍;通过在压电体表面上施加不同的电边界条件,可以实现多条完全带隙的主动调控;压电效应对能带结构有很大的影响,并且有利于完全带隙的扩大与形成.基于带隙的可调谐性,分析了可切换路径的压电声子晶体板波导,结果表明可以通过改变电边界条件来限制弹性波能量流. 展开更多
关键词 声子晶体 压电效应 带隙调控 电边界条件 有限元法
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二维MXenes材料在柔性光电探测器中的应用展望
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作者 李腊 沈国震 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期186-194,共9页
二维过渡金属碳/氮化物(MXenes)自2011年被首次报道以来,凭借其特殊的二维层状结构、优异的导电性和电化学性能在能源、催化、传感、电磁屏蔽和微波吸收等领域吸引了极大关注。近几年,随着对该材料认识的不断加深,其在光电领域的研究也... 二维过渡金属碳/氮化物(MXenes)自2011年被首次报道以来,凭借其特殊的二维层状结构、优异的导电性和电化学性能在能源、催化、传感、电磁屏蔽和微波吸收等领域吸引了极大关注。近几年,随着对该材料认识的不断加深,其在光电领域的研究也不断深入。与其它领域不同,光电器件聚焦于延伸MXenes材料半导体性质,通过设计表面官能团、精准控制层数等来打开材料带隙,从而使其从金属性质转变为半导体性质。本文主要围绕MXenes材料的光电性质,介绍其在柔性光电子器件中的应用,系统阐述MXenes材料在透明电子器件、光电探测器、图像传感器、光电晶体管、人工神经视觉网络系统的应用前沿现状与趋势,并展望了MXenes基柔性光电器件面临的挑战以及未来发展前景。 展开更多
关键词 MXene 柔性电子 透明电子 光电探测器 带隙调控 专题评述
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硼酸表面处理对ZnxMg_(1-x)O量子点自驱动光电探测器性能的影响
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作者 何玥仪 宋玺尧 +8 位作者 王浩然 胡均义 刘少尧 周芩安 成明 范翊 王云鹏 王飞 赵东旭 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期1521-1530,共10页
氧化锌材料(ZnO)因其独特的物理和化学性质在自驱动光电探测领域中展现出巨大应用潜力。然而,目前基于ZnO材料的自驱动光电探测器存在结构复杂、响应时间长、响应度低等问题,难以满足实际应用需求。本文构建了一种结构简单、响应速度快... 氧化锌材料(ZnO)因其独特的物理和化学性质在自驱动光电探测领域中展现出巨大应用潜力。然而,目前基于ZnO材料的自驱动光电探测器存在结构复杂、响应时间长、响应度低等问题,难以满足实际应用需求。本文构建了一种结构简单、响应速度快的ITO/ZnO量子点(QDs)/Au光电探测器,并提出了一种硼酸(BA)表面处理结合退火的处理工艺,成功降低了ZnO QDs薄膜中的表面态密度,提高了器件光电性能。器件在0 V下响应时间约为1 ms,开/关比达到104,响应度达到8.81 mA/W。将这一工艺应用在Mg2+掺杂ZnO量子点基光电探测器中,同样提高了器件的比探测率和响应度,获得了具有0.93 ms上升时间的高响应速度自驱动光电探测器,Mg2+掺杂量越高,器件的上升时间越短。这项工作证实了BA表面处理结合退火处理工艺对化学合成的ZnO材料性能具有普遍提升作用,有望广泛应用于ZnO基紫外光电探测器的性能优化中。 展开更多
关键词 氧化锌量子点 自驱动光电探测器 溶液表面处理 带隙调控
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Doping-induced metal–N active sites and bandgap engineering in graphitic carbon nitride for enhancing photocatalytic H_(2 )evolution performance 被引量:5
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作者 Xiaohui Yu Haiwei Su +3 位作者 Jianping Zou Qinqin Liu Lele Wang Hua Tang 《Chinese Journal of Catalysis》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第2期421-432,共12页
Durable and inexpensive graphitic carbon nitride(g-C_(3)N_(4))demonstrates great potential for achieving efficient photocatalytic hydrogen evolution reduction(HER).To further improve its activity,g-C_(3)N_(4)was subje... Durable and inexpensive graphitic carbon nitride(g-C_(3)N_(4))demonstrates great potential for achieving efficient photocatalytic hydrogen evolution reduction(HER).To further improve its activity,g-C_(3)N_(4)was subjected to atomic-level structural engineering by doping with transition metals(M=Fe,Co,or Ni),which simultaneously induced the formation of metal-N active sites in the g-C_(3)N_(4)framework and modulated the bandgap of g-C_(3)N_(4).Experiments and density functional theory calculations further verified that the as-formed metal-N bonds in M-doped g-C_(3)N_(4)acted as an"electron transfer bridge",where the migration of photo-generated electrons along the bridge enhanced the efficiency of separation of the photogenerated charges,and the optimized bandgap of g-C_(3)N_(4)afforded stronger reduction ability and wider light absorption.As a result,doping with either Fe,Co,or Ni had a positive effect on the HER activity,where Co-doped g-C_(3)N_(4)exhibited the highest performance.The findings illustrate that this atomic-level structural engineering could efficiently improve the HER activity and inspire the design of powerful photocatalysts. 展开更多
关键词 g-C_(3)N_(4) Photocatalytic H_(2)generation Metal-N active sites Transition metal doping Band gap engineering
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多稳态力学超材料带隙特性及调控研究 被引量:1
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作者 刘宏 余江 +1 位作者 张凯 邓子辰 《动力学与控制学报》 2023年第7期5-11,共7页
多稳态力学超材料具有多重稳定状态和几何重构特性,在变形吸能和能带调控等方面有重要的研究价值.本研究提出了一种多稳态力学超材料.该超材料是由具有双稳态特性的曲杆和相关实体支撑结构组成.结合有限单元法和布洛赫定理,计算了结构... 多稳态力学超材料具有多重稳定状态和几何重构特性,在变形吸能和能带调控等方面有重要的研究价值.本研究提出了一种多稳态力学超材料.该超材料是由具有双稳态特性的曲杆和相关实体支撑结构组成.结合有限单元法和布洛赫定理,计算了结构的能带结构,分析了不同稳态条件下结构的带隙特性,得到了几何参数对结构带隙的影响规律,并研究了由5×5个单胞组成的阵列结构中部分单胞变形时,整体结构的传输率.研究发现,双稳态连杆的变形状态可显著改变结构的带隙,尤其是在低频范围内产生了更宽的带隙.整体结构中局部一行或一列单胞变形即可在该方向对应带隙频率范围内实现弹性波传播的衰减. 展开更多
关键词 多稳态力学超材料 带隙特性 带隙调控 布洛赫定理
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碳量子点带隙宽度调控的研究进展
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作者 张晓琪 贾建波 +4 位作者 尹刘森 林永甲 黄光许 邢宝林 张传祥 《材料导报》 CSCD 北大核心 2023年第S02期61-68,共8页
碳量子点因其合成简便、生物相容性良好、低成本和优越性能等特点,近年来发展迅速。其中,带隙宽度是影响碳量子点应用的一个关键因素。本文针对近年来碳量子点在带隙宽度调控方面的研究,从“自上而下”和“自下而上”两种制备策略出发,... 碳量子点因其合成简便、生物相容性良好、低成本和优越性能等特点,近年来发展迅速。其中,带隙宽度是影响碳量子点应用的一个关键因素。本文针对近年来碳量子点在带隙宽度调控方面的研究,从“自上而下”和“自下而上”两种制备策略出发,对将碳量子点的光学性质向长波长、窄带隙方向调控的方法进行了综述,包括尺寸调控、表面态调控和前驱体选择等,并对带隙可调碳量子点制备存在的挑战和前景进行了讨论。 展开更多
关键词 碳量子点 带隙调控 尺寸调控 表面态调控 前驱体选择
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石墨烯制备与带隙调控的研究进展 被引量:5
9
作者 焦小亮 张悦炜 +3 位作者 何潺 徐剑峰 杨靖霞 洪樟连 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期12-17,共6页
石墨烯的独特结构和性能使其在纳米电子、半导体器件等领域中的研究成为热点课题。综述了石墨烯的结构特性及制备方法,重点评述了石墨烯带隙调控的方法及其原理,概括了各种方法可实现的带隙调节范围及研究现状,并介绍了半导体石墨烯在... 石墨烯的独特结构和性能使其在纳米电子、半导体器件等领域中的研究成为热点课题。综述了石墨烯的结构特性及制备方法,重点评述了石墨烯带隙调控的方法及其原理,概括了各种方法可实现的带隙调节范围及研究现状,并介绍了半导体石墨烯在纳米电子器件上的应用前景,提出今后值得关注的研究方向。 展开更多
关键词 石墨烯 半导体 禁带宽度 带隙调控 纳米电子器件
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基于形状记忆合金声子晶体的带隙优化设计 被引量:1
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作者 邱克鹏 陈智谋 +4 位作者 张建刚 张卫红 燕群 孙向洋 彭涛 《力学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第6期1278-1287,共10页
声子晶体是一种具有声子带隙的周期性结构,通过对其带隙的动态调控设计,进而满足航空航天领域中重大装备对减振降噪性能的特定需求.文章在声子晶体的带隙设计中,引入智能材料,采用拓扑优化方法,开展多功能声子晶体带隙动态调控设计.首... 声子晶体是一种具有声子带隙的周期性结构,通过对其带隙的动态调控设计,进而满足航空航天领域中重大装备对减振降噪性能的特定需求.文章在声子晶体的带隙设计中,引入智能材料,采用拓扑优化方法,开展多功能声子晶体带隙动态调控设计.首先采用有限元方法分析声子晶体的带隙性能,并建立形状记忆合金的温度本构关系模型;其次基于变密度法的拓扑优化方法,在满足特定体分比及强度约束、保证声子晶体单胞之间的连接性约束条件下,以相对带隙最大化为目标函数建立声子晶体带隙设计优化模型;最后根据改进的材料插值模型,分析求解设计灵敏度,采用移动渐进法开展多功能声子晶体带隙结构的拓扑优化设计.优化结果表明:在XY模式下形状记忆合金从马氏体转换到奥氏体带隙拓宽了103.9%,在Z模式下带宽增大了3.75倍.研究结果为声子晶体在复杂环境下实现更为主动带隙调控提供了一种有效的设计方法. 展开更多
关键词 声子晶体 形状记忆合金 带隙调控 拓扑优化 灵敏度计算
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6H-SiC中子辐照肿胀高温回复及光学特性研究
11
作者 张守超 陈洪雨 +3 位作者 刘洪飞 杨羽 李欣 刘德峰 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第6期678-686,共9页
高能粒子轰击不可避免地会造成SiC材料内部缺陷的产生、积累,晶格紊乱等,导致其物理性能的显著变化,继而影响基于SiC材料的半导体器件使用寿命。因此,有必要对SiC在不同的辐射环境下的损伤行为进行系统研究。本工作对6H-SiC中子辐照肿... 高能粒子轰击不可避免地会造成SiC材料内部缺陷的产生、积累,晶格紊乱等,导致其物理性能的显著变化,继而影响基于SiC材料的半导体器件使用寿命。因此,有必要对SiC在不同的辐射环境下的损伤行为进行系统研究。本工作对6H-SiC中子辐照肿胀高温回复及光学特性开展研究,辐照剂量范围5.74×10^(18)~1.27×10^(21)n/cm^(2),退火温度在500~1650℃。利用X射线单晶衍射技术分析测试样品的晶体结构及晶胞参数,结果表明:SiC仍为六方结构,晶体未发生非晶化,晶格肿胀及高温回复行为具有各向同性特征,表明辐照缺陷以点缺陷为主。本征缺陷及辐照缺陷均可引入缺陷能级,空位型缺陷是缺陷能级引入的主要因素。缺陷能级导致SiC吸收带边红移,带隙宽度降低,光吸收增强。利用吸收光谱、光致发光谱和拉曼光谱,并结合第一性原理计算对缺陷能级分布开展研究,结果表明硅空位在价带顶上方引入了新的缺陷能级,而碳空位则是在导带底下方引入了新的缺陷能级。未辐照晶体在1382和1685 nm红外波段光吸收以及550 nm光发射主要源于本征碳空位及其相关缺陷构型;辐照SiC晶体在415、440和470nm处的发光主要源于辐照产生的硅空位及其相关缺陷构型。研究还利用电荷态和缺陷能级分布对SiC晶体发光机理行了讨论。 展开更多
关键词 X射线单晶衍射 拉曼光谱 第一性原理 退火 带隙调控 缺陷
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高压下碲基双钙钛矿Cs_(2)TeBr_(6)的结构及光学性质
12
作者 吴学仟 王玲瑞 +2 位作者 袁亦方 马良 郭海中 《高压物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第5期19-26,共8页
碲基双钙钛矿材料具有光电特性良好、带隙可调、环境友好等优点,已成为一种应用潜力巨大的光吸收材料。为进一步调控碲基双钙钛矿材料的光学性能,选取了一种典型的碲基双钙钛矿Cs_(2)TeBr_(6),利用金刚石对顶砧高压装置及多种原位高压... 碲基双钙钛矿材料具有光电特性良好、带隙可调、环境友好等优点,已成为一种应用潜力巨大的光吸收材料。为进一步调控碲基双钙钛矿材料的光学性能,选取了一种典型的碲基双钙钛矿Cs_(2)TeBr_(6),利用金刚石对顶砧高压装置及多种原位高压测量手段,对其结构与性能的关系进行了深入研究。实验结果表明,在0~51.0 GPa压力范围内,Cs_(2)TeBr_(6)的晶体结构发生了从立方相(Fm3m)到四方相(P4/mnc)的结构相变,相变由高压下八面体[TeBr_(6)]^(4-)的倾斜变形所致。同时发现,高压下Cs_(2)TeBr_(6)的带隙随压力的升高而减小,并在14.0 GPa附近出现拐点,拐点的出现意味着结构相变开始。研究结果有助于建立Cs_(2)TeBr_(6)的晶体结构与光学性质之间的关系,为调控碲基钙钛矿的物性提供非常有价值的参考。 展开更多
关键词 碲基双钙钛矿 Cs_(2)TeBr_(6) 高压 相变 带隙调控
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石墨烯纳米结构的制备及带隙调控研究 被引量:4
13
作者 张慧珍 李金涛 +4 位作者 吕文刚 杨海方 唐成春 顾长志 李俊杰 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第21期79-87,共9页
石墨烯在未来微电子学领域有极大的应用前景,但是其零带隙的特点阻碍了石墨烯在半导体领域的应用.研究发现,打开室温下可用的石墨烯带隙所需要的石墨烯纳米结构尺度在10 nm以下,这一尺度的纳米结构一方面制备比较困难,另一方面器件可承... 石墨烯在未来微电子学领域有极大的应用前景,但是其零带隙的特点阻碍了石墨烯在半导体领域的应用.研究发现,打开室温下可用的石墨烯带隙所需要的石墨烯纳米结构尺度在10 nm以下,这一尺度的纳米结构一方面制备比较困难,另一方面器件可承载的驱动电流较小.因此,如何实现亚10 nm石墨烯纳米结构的有效加工以及如何在有效调控带隙的基础上增大石墨烯器件可承载的驱动电流,还需要进一步的研究.本文首先研究了利用聚甲基丙烯酸甲酯/铬(PMMA/Cr)双层结构工艺,通过刻蚀时间的控制,利用电子束曝光及刻蚀工艺实现了亚10 nm石墨烯纳米结构的可控制备.同时设计并制备了单排孔石墨烯条带结构,该结构打开的带隙远大于相同特征宽度石墨烯纳米带所能打开带隙的大小.该结构在有效打开石墨烯带隙的同时,增加了石墨烯纳米结构可以承载的驱动电流,有利于石墨烯在未来微电子领域的应用. 展开更多
关键词 石墨烯 带隙调控 纳米结构
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无机卤化物钙钛矿纳米结构的带隙可调制备及光电应用
14
作者 范杰 吕启航 +4 位作者 杨茜 宋晓航 韩燕 王冰洁 郭鹏飞 《化学通报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第6期665-681,共17页
在半导体领域,通过合金化集成两种以上半导体的单纳米结构近年来相继问世,随着纳米材料的成分变化,可以灵活实现半导体的带隙调控,在光通信以及集成光电器件领域有着广泛的应用。然而,传统半导体纳米结构因不同成分之间存在晶格失配,其... 在半导体领域,通过合金化集成两种以上半导体的单纳米结构近年来相继问世,随着纳米材料的成分变化,可以灵活实现半导体的带隙调控,在光通信以及集成光电器件领域有着广泛的应用。然而,传统半导体纳米结构因不同成分之间存在晶格失配,其带隙调节的范围受到了很大限制。因此,钙钛矿作为对晶格失配具有高容忍度的半导体材料,在半导体带隙调控及器件研究领域显示出了巨大的潜力。本文综述了无机卤化物钙钛矿一维合金纳米材料的合成方法以及近年来的研究进展,总结了可调带隙钙钛矿一维合金纳米材料在光电子器件领域中的应用,包括波长可调谐纳米激光器、光电探测器、白光发光二极管、全光开关、太阳能电池等。实现单纳米结构带隙工程将对未来集成器件的发展产生深远的影响。 展开更多
关键词 无机卤化物钙钛矿 纳米结构 带隙调控 纳米光子学 光电子器件
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基于石墨烯场效应晶体管的研究进展 被引量:3
15
作者 王聪 刘玉荣 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第8期561-569,579,共10页
在传统硅基器件日益趋近物理极限的背景下,石墨烯场效应晶体管(GFET)作为一种新型纳米器件受到广泛的关注。介绍了GFET的主要器件结构,分析了GFET的工作原理及其基本的电特性。对比论述了4种石墨烯的带隙调控方法,得出化学掺杂法和量子... 在传统硅基器件日益趋近物理极限的背景下,石墨烯场效应晶体管(GFET)作为一种新型纳米器件受到广泛的关注。介绍了GFET的主要器件结构,分析了GFET的工作原理及其基本的电特性。对比论述了4种石墨烯的带隙调控方法,得出化学掺杂法和量子限制法在调控石墨烯带隙方面比外加电场调节法和引入应力法更具有实用价值。重点探讨了几种GFET有源层石墨烯薄膜的制备方法:外延生长法、剥离法、化学气相沉积法(CVD)、氧化石墨烯还原法、旋涂法以及喷涂法,并对比分析了各种制备方法的优缺点。最后概述了GFET的应用前景和挑战。 展开更多
关键词 石墨烯 场效应晶体管(FET) 带隙调控 超高迁移率 制备工艺
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石墨烯场效应晶体管研究进展 被引量:3
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作者 吕晓丽 肖荣林 +5 位作者 李克伦 苏艳敏 吴浩波 王文婧 马卫平 张文发 《陕西煤炭》 2020年第S01期138-142,共5页
石墨烯具有优异的光、电、热及机械性能,在传统硅基器件日益趋近物理极限的背景下,石墨烯场效应晶体管(GFET)作为一种新型纳米器件受到广泛的关注。介绍了GFET在模拟电路和数字电路中的研究进展,分析了目前存在的问题:模拟电路主要应该... 石墨烯具有优异的光、电、热及机械性能,在传统硅基器件日益趋近物理极限的背景下,石墨烯场效应晶体管(GFET)作为一种新型纳米器件受到广泛的关注。介绍了GFET在模拟电路和数字电路中的研究进展,分析了目前存在的问题:模拟电路主要应该提高GFET的最大振荡频率(f max)使之与截至频率(f T)相符;数字电路主要应该采取有效方法打开石墨烯带隙、提高开关比,并介绍了通过构建石墨烯纳米带、双层石墨烯、掺杂法及通过基底影响等来打开带隙的方法。与数字电路相比,GFET在模拟电路中更具有应用潜力,如在太赫兹领域已表现出优异的性能。石墨烯和硅互为补充,以混合电路的形式加以应用也是一个很好的切入点。 展开更多
关键词 石墨烯场效应晶体管(GFET) 模拟电路 数字电路 带隙调控
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发光碳纳米点的带隙调控及应用(英文) 被引量:2
17
作者 张博涵 田震 +4 位作者 李迪 周鼎 鲍鑫 周正杰 曲松楠 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第6期691-712,共22页
碳点作为一种新型的碳基荧光纳米粒子由于其可调谐发光、高光稳定性、生物相容性和低成本等独特优势而引起了很多关注。在过去的十几年中,碳点的制备和应用取得了巨大进展。然而,由于前体和合成方法的多样性,碳点的光致发光机理具有很... 碳点作为一种新型的碳基荧光纳米粒子由于其可调谐发光、高光稳定性、生物相容性和低成本等独特优势而引起了很多关注。在过去的十几年中,碳点的制备和应用取得了巨大进展。然而,由于前体和合成方法的多样性,碳点的光致发光机理具有很大争议。现在人们普遍认为,碳点的光致发光源于电子在带隙的跃迁,并将荧光起源分别归结为碳核跃迁(π-π~*)、表面态跃迁(n-π~*)以及分子荧光团等。本文总结了碳点发光起源的几种可能和机制,分别讨论了通过调控碳点粒径以及进行表面工程处理的方法来实现碳纳米点带隙可调控的高效发光。介绍了通过表面工程、元素掺杂等手段提升碳纳米点光致发光量子产率及其在光电器件、信息存储、生物成像、光热治疗以及光动力治疗中的应用。 展开更多
关键词 碳纳米点 光致发光机理 带隙调控 生物成像 白色发光二极管
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压电分流声子晶体杆带隙调控研究 被引量:2
18
作者 张亚茹 郭辉 +3 位作者 袁涛 孙裴 王岩松 程乾 《压电与声光》 CAS 北大核心 2020年第6期772-776,共5页
压电型声子晶体具有弹性波带隙特性,可用于噪声与振动控制。该文通过在环氧树脂杆上周期地布置含有负电容的压电分流单元,构造了压电声子晶体杆结构。为拓宽带隙,对此结构设计了3种元胞配置,运用传递矩阵法计算其带隙特性,并采用遗传算... 压电型声子晶体具有弹性波带隙特性,可用于噪声与振动控制。该文通过在环氧树脂杆上周期地布置含有负电容的压电分流单元,构造了压电声子晶体杆结构。为拓宽带隙,对此结构设计了3种元胞配置,运用传递矩阵法计算其带隙特性,并采用遗传算法对分流电路参数进行优化。理论与仿真结果表明,改变元胞中不同谐振频率的压电分流单元的个数,可以获得多个局域共振带隙,增强带隙可调谐性;运用算法优化可得到带隙调谐时分流电路参数值的最佳匹配,实现多个带隙的合并进而形成宽带,在不改变原有结构的基础上拓宽带隙。 展开更多
关键词 声子晶体 压电分流 局域共振 带隙调控 遗传算法
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周期性压电分流阵列板带隙特性研究 被引量:1
19
作者 张亚茹 郭辉 +2 位作者 袁涛 孙裴 顾汝彬 《压电与声光》 CAS 北大核心 2021年第1期120-124,129,共6页
将带有分流电路的压电片周期性地粘贴到薄板表面形成二维压电分流阵列结构,该结构不仅具有声子晶体的带隙特性,还可以通过分流电路实现带隙调控。该文运用有限元法计算了二维压电分流阵列结构的带隙特性,研究了含有谐振单元及负电容的... 将带有分流电路的压电片周期性地粘贴到薄板表面形成二维压电分流阵列结构,该结构不仅具有声子晶体的带隙特性,还可以通过分流电路实现带隙调控。该文运用有限元法计算了二维压电分流阵列结构的带隙特性,研究了含有谐振单元及负电容的混合电路中不同电路参数对带隙的影响。此外,通过调节电感及负电容,可以将布喇格带隙和局域共振带隙进行耦合,拓宽带隙,实现宽频振动控制。 展开更多
关键词 周期结构 压电分流阵列 声子晶体 负电容 带隙调控
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C_(3)N带隙调控的第一性原理研究
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作者 赵威 袁清红 《华东师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2022年第4期114-119,共6页
采用基于密度泛函理论(Density Functional Theory,DFT)的第一性原理计算,研究了堆垛方式、层数及外加电场对C_(3)N的带隙调控.考察了AA-1型、AA-2型、AB-1型和AB-2型这4种堆垛结构,计算表明,AB-2型堆垛结构能量最为有利.通过HSE06杂化... 采用基于密度泛函理论(Density Functional Theory,DFT)的第一性原理计算,研究了堆垛方式、层数及外加电场对C_(3)N的带隙调控.考察了AA-1型、AA-2型、AB-1型和AB-2型这4种堆垛结构,计算表明,AB-2型堆垛结构能量最为有利.通过HSE06杂化泛函对带隙进行了精确计算,发现AA型堆垛与AB型堆垛的双层C_(3)N存在较大的带隙差异,AA型堆垛结构的带隙要明显小于AB型堆垛结构.此外,还发现C_(3)N的带隙可由单层的1.21 eV调控到体相的0.69 eV;通过施加外加垂直电场,可以将具有AB-2型堆垛结构的双层、三层和四层C_(3)N半导体调控为趋于零带隙的金属. 展开更多
关键词 第一性原理计算 C_(3)N 堆垛 带隙调控
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